KR960023222A - 스텔라이트 재 표면에 질화티타늄(TiN) 피막형성방법 - Google Patents

스텔라이트 재 표면에 질화티타늄(TiN) 피막형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 정비 공작용 기어, 부싱, 슬리브재료로 사용되는 스텔라이트 재표면에 내 마모성이 우수한 TiN피막을 형성하는 방법에 관한 것으로써, 플라즈마 화학증착법에 있어 기판온도, 인가전압 및 증착시간을 적절히 설정하므로서, 내마모성이 우수한 TiN피막을 플라즈마 화학증착법에 의해 스텔라이트재 표면에 형성시킬 수 있는 방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 플라즈마 화학증착법에 의해 소재의 표면에 피막을 형성시키는 방법에 있어서, 소재로서 스텔라이트 재를 사용하고; 그리고 증착처리조건을 Ti 공급원: TiCl4용액, N공급원: N2가스, 플라즈마 발생원: H2및 Az 질소가스, 기판온도: 550∼800℃, 인가전압: 550∼650V, 및 증착시간: 1∼2시간으로하여 플라즈마 화학증착처리하여 상기 스텔라이트재의 표면에 4∼10㎛의 두께 TiN피막을 형성시키는 방법을 그 요지로 한다.

Description

스텔라이트 재 표면에 질화티타늄(TiN) 피막형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 통상적인 플라즈마 화학증착 처리장치의 개략도, 제2도는 기존 스텔라이트재와 본 발명에 따라 플라즈마 화학 증착처리된 스텔라이트 재에 대한 마모시간에 따른 무게감량 변화를 나타내는 그래프.

Claims (1)

  1. 플라즈마 화학증착법에 의해 소재의 표면에 피막을 형성시키는 방법에 있어서, 소재로서 스텔라이트 재를 사용하고; 그리고 증착처리조건을 Ti 공급원: TiCl4용액, N공급원: N2가스, 플라즈마 발생원: H2및 Az 질소가스, 기판온도: 550∼800℃, 인가전압: 550∼650V, 및 증착시간: 1∼2시간으로하여 플라즈마 화학증착처리하여 상기 스텔라이트재의 표면에 4∼10㎛의 두께 TiN피막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 스텔라이트재 표면에 질화티타늄(TiN) 피막형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940036809A 1994-12-26 1994-12-26 스텔라이트 재 표면에 질화티타늄 피막형성방법 KR0136146B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100825509B1 (ko) * 2006-08-22 2008-04-25 홍명수 용융금속 도금설비용 저널베어링 및 그 제조방법

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KR100825509B1 (ko) * 2006-08-22 2008-04-25 홍명수 용융금속 도금설비용 저널베어링 및 그 제조방법

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