KR960012545A - 고체촬상소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- -1 boron ions Chemical class 0.000 claims 2
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
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Abstract
고체촬상소자의 포토디텍터의 구조 및 그 제조방법이 기재되어 있다. 이는, 반도체기판으 셀 어레이 영역에 형성된 웰, 상기 웰 영역 전체에 걸쳐 매트릭스 모양으로 배열되고 상기 웰 내에 형성된 광 다이오드, 상기 광 다이오드 상에 형성된 제1중간 불순물층 및 상기 제1중간 불순물층 상에 형성된 제1고농도 불순물층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 포토디텍터 내의 전계의 크기에 비례하여 증가하는 암전류 및 백점의 발생을 감소시킬 수 있어, 결과적으로 고화질의 고체촬상소자를 가능하게 하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명으 일 실시예에 의해 제조된 CCD형 고체촬상소자의 셀 어레이부의 단면도를 부분적으로 도시한 것들이다.
Claims (13)
- 반도체기판의 셀 어레이 영역에 형성된 웰, 상기 웰 영역 전체에 걸쳐 매트릭스 모양으로 배열되고 상기 웰 내에 형성된 광 다이오드, 상기 광 다이오드 상에 형성된 제1중간 불순물층 및 상기 제1중간 불순물층 상에 형성된 제1고농도 불순물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 N형 불순물로, 상기 웰은 P형 불순물로, 상기 광 다이오드는 N형 불순물로, 상기 제1중간 불순물층은 P형 불순물로, 상기 제1고농도 불순물층은 P+형 불순물로 도우프되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제2항에 있어서, 상기 제1중간 불순물층은 1.0E11~1.0E12원자/㎠의 농도로 불순물이 도우프되어 있고, 상기 제1고농도 불순물층은 5.0E13~8.0E13원자/㎠의 농도로 불순물이 도우프되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제1항에 있어서, 상기 광 다이오드, 제1고농도 불순물층 및 제1중간 불순물층 주위에, 광 다이오드들 사이 및 상기 광 다이오드와 다른 소자들 사이를 절연시키기 위한 채널스톱층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제4항에 있어서, 상기 채널스톱층은 상기 광 다이오드, 제1고온도 불순물층 및 제1중간 불순물층과 접하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제4항에 있어서, 상기 채널스톱층은 제2중간 불순물과 상기 제2중간 불순물층 상에 형성된 제2고농도 불순물층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제6항에 있어서, 상기 제2중간 불순물층은 P형 불순물로, 상기 제2고농도 불순물층은 P+형 불순물로 도우프되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제7항에 있어서, 상기 제2중간 불순물층은 1.0E11-1.0E12원자/㎠의 농도로 불순물이 도우프되어 있고, 상기 제2고농도 불순물층은 2.0E23-5.0E13원자/㎠의 농도로 불순물이 도우프되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 광 다이오드를 구비하는 이미지 센서를 제조하는데 있어서, 셀 어레이 전체에 걸쳐 매트릭스 모양으로 배열되고 제1도전형의 불순물로 도우프되어 있는 상기 각 광 다이오드 상에, 제2도전형의 불순물을 고농도로 도우프하여 제1고농도 불순물층을 형성하는 공정과 상기 제2도전형의 불순물과 동일한 불순물을 상기 제1고농도 불순물층의 농도보다 낮게 도우프하여 상기 제1고농도 불순물층과 광 다이오드 사이에 제1중간 불순물층을 형성하는 공정을 동시에 진행하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제1고농도 불순물층은 보론이온을 5.0E13-8.0E13원자/㎠의 농도, 30-60KeV의 에너지로 도우프하여 형성하고, 상기 제1중간 불순물층은 보론이온을 1.0E13-1.0E12원자/㎠의 농도, 80-140KeV의 에너지로 도우프하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제1고농도 불순물층 및 제1중간 불순물층을 형성하기 전에, 상기 광 다이오드들 사이 및 상기 광 다이오드와 다른 소자들 사이를 절연시키기 위한 채널스톱층을 형성하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 채널스톱층을 형성하는 상기 공정은, 제2도전형의 불순물을 고농도로 도우프하여 제2고농도 불순물층을 형성하는 공정과 상기 제2도전형의 불순물과 동일한 불순물을 상기 제2고농도 불순물층의 농도보다 낮게 도우프하여 상기 제2고농도 불순물층 하부에 제2중간 불순물층을 형성하는 공정을 동시에 진행하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 제2고농도 불순물층은 보론이온을 2.0E13-5.0E13원자/㎠의 농도, 30-60KeV 에너지로 도우프하여 형성하고, 상기 제2중간 불순물층은 보론이온을 1.0E11-1.0E12원자/㎠의 농도, 80-140KeV 에너지로 도우프하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025096A KR0147603B1 (ko) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025096A KR0147603B1 (ko) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960012545A true KR960012545A (ko) | 1996-04-20 |
| KR0147603B1 KR0147603B1 (ko) | 1998-08-01 |
Family
ID=19394189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940025096A KR0147603B1 (ko) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0147603B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020042508A (ko) * | 2000-11-30 | 2002-06-05 | 가네꼬 히사시 | 고체 촬상 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR102025495B1 (ko) | 2018-06-29 | 2019-09-25 | 이복희 | 헤어 클리퍼 |
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1994
- 1994-09-30 KR KR1019940025096A patent/KR0147603B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20020042508A (ko) * | 2000-11-30 | 2002-06-05 | 가네꼬 히사시 | 고체 촬상 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0147603B1 (ko) | 1998-08-01 |
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