KR960011255B1 - 불량패턴 웨이퍼 검출 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

불량 패턴 웨이퍼 검출 장치

제1도는 본 발명에 의한 불량 패턴 웨이퍼 검출장치도.

제2도는 CRT상에 반사신호가 나타나는 원리도.

제3도는 감광막이 코팅된 불량 패턴 웨이퍼.

제4도는 다중현상 또는 이중노광에 의한 불량 패턴 웨이퍼.

제5도는 정상 패턴 웨이퍼.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 레이저 파장 발생장치 2 : 분광기

3 : 제1렌즈 4 : 필터

5 : 제1거울 6 : 제2렌즈

7 : 제2거울 8 : 자동눈금측정기

9 : 자동 제로 눈금측정기 10 : 타원형 거울

11 : 감광막 12 : 산화막

13 : 필드 산화막 14 : 반도체기판

본 발명은 반도체 제조시 포토마스크(Photomask) 또는 식각 공정에서 발생하기 쉬운 불량 패턴(Pattern)웨이퍼(Wafer) 검출 장치에 관한 것이다.

일반적으로 포토마스크 패턴이 형성되지 않는 불량 패턴 웨이퍼는 포토 공정(Photo Process)에 있어서, 접착제 HMDS(Hexamet hylisilane) 도포를 하지 않았을 경우에는 코팅(Coating)시 감광막 부족하게 된다. 또한 노광시 장치 고장이나 스위치(Switch)조작 잘못으로 인해 노광이 안되었을 경우에는 이중현상 또는 현상이 되지 않게 되고, 프로그램 조작 실수 등으로 인하여 발생하게 된다.

상기 설명과 같이 반도체 제조공정중 포토마스크 또는 식각 공정시 장비고장, 프로그램 조작 잘못, 작업실수 등으로 인한 포토마스크의 불량 패턴이 작업의 대량화, 고도화로 인하여 많이 발생한다.

따라서 불량 패턴 웨이퍼는 전수검사를 통해 식별해야 하나, 실질적인 전수검사가 어려우므로 샘플(Sample)검사를 할 수밖에 없다.

그러나 불량 패턴 웨이퍼가 상품 한 무더기(Lot)중에 하나 내지 열개가 존재할 경우에는 샘플 검사에서도 발견되지 않는 문제점이 발생한다.

따라서, 본 발명은 반도체 제조공정시 발생하는 포토마스크의 불량 패턴 웨이퍼를 쉽고 빠르고 간단하게 식별해 내는 불량 패턴 웨이퍼 검출장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 레이저 발생장치와 상기 레이저 발생장치에서 발생된 빛의 경로를 바꾸는 분광기와 상기 분광기를 통한 빛을 집속시키는 제1렌즈와 상기 제1렌즈에서 집속된 빛의 경로를 바꾸는 제1거울과 상기 제1거울에 의해 반사된 빛이 촛점을 갖도록 하는 제2렌즈와 상기 제2렌즈에 의해 맞추어진 촛점 위치에 위치하여 회전하면서 웨이퍼상에 빛을 조사하는 제2거울과 웨이퍼의 좌우측에 위치하여 웨이퍼상을 스캔닝(scanning)하는 빛을 캐리브레이션(Calibration)하는 자동 눈금측정기 및 자동제로(Zero) 눈금측정기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

제1도 및 제2도는 불량 패턴 웨이퍼 검출 장치의 구조로서, 레이저(Laser) 파장 발생 장치(1)로부터 나온 빛은 분광기(2)를 통해 180° 반사되어 제1렌즈(3)에서 접속되고 다시 필터(Filter) 통해 일정한 파장으로 걸러져서 제1거울(5)에 반사되어 제2렌즈(6)으로 보내진다. 상기 제2렌즈(6)를 통과한 빛을 회전하는 제2거울(Rotating Mirror)(7)을 통해 웨이퍼 위를 조사(Scan Sweep)하게 된다.

상기 과정중 제2거울(7)에 의해 반사된 빛의 강도를 자동 눈금측정장치(8)가 측정하게 되고 동시에 자동제로(Zero) 눈금측정을(9) 실시하는 장치가 사용된다.

제3도는 CRT(Cathode Ray Tube)상에 반사신호가 나타나는 원리도로서 돌아가는 거울에 의해 반사된 빛의 광원이 타원형 거울(10)의 갈라진 영역으로 통과되어 웨이퍼를 스캔닝(Scanning)하여 결함이나 이상 패턴 F₁이 존재할 경우 F₂에 반사되어 감지되고 결함이나 이상 패턴이 없을 경우 정상반사되어 타원형 거울(10)을 통해 S지점으로 모이게 된다.

상기 설명과 같이 웨이퍼 일정면적의 감광막의 위상차에 의한 반사된 빛에 의해 패턴 구조 알아보므로써, 제3도와 같이 감광막이 코팅된 상태의 불량패턴 웨이퍼, 제4도와 같은 다중현상 또는 이중노광에 의한 불량패턴 웨이퍼, 제5도와 같은 정상 패턴 웨이퍼를 식별할 수 있다.

제3a도, 제4a도, 제5a도는 반사신호를 나타낸다.

제4도 및 제5도와 같이 불량 패턴 웨이퍼는 본 발명 장치의 CRT(Cathode Ray Tube)상으로 반사신호를 나타내므로서, 참고로 준비하여둔 정상 패턴 웨이퍼 반사신호와 비교하여 패턴 불량등을 식별할 수 있다.

본 발명으로 인하여 반도체 제조공정시 발생하는 불량 패턴 웨이퍼를 포토 마스크(Photomask)작업후는 물론 식각후에도 신속 정확하게 간단히 식별함으로써 반도체 소자의 신뢰도 증대 및 수율향상의 효과를 가져올 수 있다.

Claims (1)

1. 웨이퍼 상의 빛을 조사하여 불량패턴(pattern)을 검출하는 불량패턴 웨이퍼 검출장치에 있어서, 레이저 발생장치(1)와, 상기 레이저 발생장치(1)에서 발생된 빛의 경로를 바꾸는 분광기(2)와, 상기 분광기(2)를 통한 빛을 집속시키는 제1렌즈(3)와, 상기 제1렌즈(3)에서 집속된 빛의 경로를 바꾸는 제1거울(5)과, 상기 제1거울(5)에 의해 반사된 빛이 촛점을 갖도록 하는 제2렌즈(6)와, 상기 제2렌즈(6)에 의해 맞추어진 촛점 위치에 위치하여 회전하면서 웨이퍼상에 빛을 조사하는 제2거울(7)과, 웨이퍼의 좌우측에 위치하여 웨이퍼상을 스캔닝(scanning)하는 빛을 캐리브레이션(Calibration)하는 자동 눈금측정기(8) 및 자동제로(Zero) 눈금측정기(9)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 불량패턴 웨이퍼 검출장치.