KR960011255B1 - 불량패턴 웨이퍼 검출 장치 - Google Patents
불량패턴 웨이퍼 검출 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960011255B1 KR960011255B1 KR1019930003947A KR930003947A KR960011255B1 KR 960011255 B1 KR960011255 B1 KR 960011255B1 KR 1019930003947 A KR1019930003947 A KR 1019930003947A KR 930003947 A KR930003947 A KR 930003947A KR 960011255 B1 KR960011255 B1 KR 960011255B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- light
- lens
- mirror
- pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명에 의한 불량 패턴 웨이퍼 검출장치도.
제2도는 CRT상에 반사신호가 나타나는 원리도.
제3도는 감광막이 코팅된 불량 패턴 웨이퍼.
제4도는 다중현상 또는 이중노광에 의한 불량 패턴 웨이퍼.
제5도는 정상 패턴 웨이퍼.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 레이저 파장 발생장치 2 : 분광기
3 : 제1렌즈 4 : 필터
5 : 제1거울 6 : 제2렌즈
7 : 제2거울 8 : 자동눈금측정기
9 : 자동 제로 눈금측정기 10 : 타원형 거울
11 : 감광막 12 : 산화막
13 : 필드 산화막 14 : 반도체기판
본 발명은 반도체 제조시 포토마스크(Photomask) 또는 식각 공정에서 발생하기 쉬운 불량 패턴(Pattern)웨이퍼(Wafer) 검출 장치에 관한 것이다.
일반적으로 포토마스크 패턴이 형성되지 않는 불량 패턴 웨이퍼는 포토 공정(Photo Process)에 있어서, 접착제 HMDS(Hexamet hylisilane) 도포를 하지 않았을 경우에는 코팅(Coating)시 감광막 부족하게 된다. 또한 노광시 장치 고장이나 스위치(Switch)조작 잘못으로 인해 노광이 안되었을 경우에는 이중현상 또는 현상이 되지 않게 되고, 프로그램 조작 실수 등으로 인하여 발생하게 된다.
상기 설명과 같이 반도체 제조공정중 포토마스크 또는 식각 공정시 장비고장, 프로그램 조작 잘못, 작업실수 등으로 인한 포토마스크의 불량 패턴이 작업의 대량화, 고도화로 인하여 많이 발생한다.
따라서 불량 패턴 웨이퍼는 전수검사를 통해 식별해야 하나, 실질적인 전수검사가 어려우므로 샘플(Sample)검사를 할 수밖에 없다.
그러나 불량 패턴 웨이퍼가 상품 한 무더기(Lot)중에 하나 내지 열개가 존재할 경우에는 샘플 검사에서도 발견되지 않는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명은 반도체 제조공정시 발생하는 포토마스크의 불량 패턴 웨이퍼를 쉽고 빠르고 간단하게 식별해 내는 불량 패턴 웨이퍼 검출장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 레이저 발생장치와 상기 레이저 발생장치에서 발생된 빛의 경로를 바꾸는 분광기와 상기 분광기를 통한 빛을 집속시키는 제1렌즈와 상기 제1렌즈에서 집속된 빛의 경로를 바꾸는 제1거울과 상기 제1거울에 의해 반사된 빛이 촛점을 갖도록 하는 제2렌즈와 상기 제2렌즈에 의해 맞추어진 촛점 위치에 위치하여 회전하면서 웨이퍼상에 빛을 조사하는 제2거울과 웨이퍼의 좌우측에 위치하여 웨이퍼상을 스캔닝(scanning)하는 빛을 캐리브레이션(Calibration)하는 자동 눈금측정기 및 자동제로(Zero) 눈금측정기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제1도 및 제2도는 불량 패턴 웨이퍼 검출 장치의 구조로서, 레이저(Laser) 파장 발생 장치(1)로부터 나온 빛은 분광기(2)를 통해 180° 반사되어 제1렌즈(3)에서 접속되고 다시 필터(Filter) 통해 일정한 파장으로 걸러져서 제1거울(5)에 반사되어 제2렌즈(6)으로 보내진다. 상기 제2렌즈(6)를 통과한 빛을 회전하는 제2거울(Rotating Mirror)(7)을 통해 웨이퍼 위를 조사(Scan Sweep)하게 된다.
상기 과정중 제2거울(7)에 의해 반사된 빛의 강도를 자동 눈금측정장치(8)가 측정하게 되고 동시에 자동제로(Zero) 눈금측정을(9) 실시하는 장치가 사용된다.
제3도는 CRT(Cathode Ray Tube)상에 반사신호가 나타나는 원리도로서 돌아가는 거울에 의해 반사된 빛의 광원이 타원형 거울(10)의 갈라진 영역으로 통과되어 웨이퍼를 스캔닝(Scanning)하여 결함이나 이상 패턴 F1이 존재할 경우 F2에 반사되어 감지되고 결함이나 이상 패턴이 없을 경우 정상반사되어 타원형 거울(10)을 통해 S지점으로 모이게 된다.
상기 설명과 같이 웨이퍼 일정면적의 감광막의 위상차에 의한 반사된 빛에 의해 패턴 구조 알아보므로써, 제3도와 같이 감광막이 코팅된 상태의 불량패턴 웨이퍼, 제4도와 같은 다중현상 또는 이중노광에 의한 불량패턴 웨이퍼, 제5도와 같은 정상 패턴 웨이퍼를 식별할 수 있다.
제3a도, 제4a도, 제5a도는 반사신호를 나타낸다.
제4도 및 제5도와 같이 불량 패턴 웨이퍼는 본 발명 장치의 CRT(Cathode Ray Tube)상으로 반사신호를 나타내므로서, 참고로 준비하여둔 정상 패턴 웨이퍼 반사신호와 비교하여 패턴 불량등을 식별할 수 있다.
본 발명으로 인하여 반도체 제조공정시 발생하는 불량 패턴 웨이퍼를 포토 마스크(Photomask)작업후는 물론 식각후에도 신속 정확하게 간단히 식별함으로써 반도체 소자의 신뢰도 증대 및 수율향상의 효과를 가져올 수 있다.
Claims (1)
- 웨이퍼 상의 빛을 조사하여 불량패턴(pattern)을 검출하는 불량패턴 웨이퍼 검출장치에 있어서, 레이저 발생장치(1)와, 상기 레이저 발생장치(1)에서 발생된 빛의 경로를 바꾸는 분광기(2)와, 상기 분광기(2)를 통한 빛을 집속시키는 제1렌즈(3)와, 상기 제1렌즈(3)에서 집속된 빛의 경로를 바꾸는 제1거울(5)과, 상기 제1거울(5)에 의해 반사된 빛이 촛점을 갖도록 하는 제2렌즈(6)와, 상기 제2렌즈(6)에 의해 맞추어진 촛점 위치에 위치하여 회전하면서 웨이퍼상에 빛을 조사하는 제2거울(7)과, 웨이퍼의 좌우측에 위치하여 웨이퍼상을 스캔닝(scanning)하는 빛을 캐리브레이션(Calibration)하는 자동 눈금측정기(8) 및 자동제로(Zero) 눈금측정기(9)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 불량패턴 웨이퍼 검출장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930003947A KR960011255B1 (ko) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 불량패턴 웨이퍼 검출 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930003947A KR960011255B1 (ko) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 불량패턴 웨이퍼 검출 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940022768A KR940022768A (ko) | 1994-10-21 |
KR960011255B1 true KR960011255B1 (ko) | 1996-08-21 |
Family
ID=19352218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930003947A KR960011255B1 (ko) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 불량패턴 웨이퍼 검출 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960011255B1 (ko) |
-
1993
- 1993-03-15 KR KR1019930003947A patent/KR960011255B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940022768A (ko) | 1994-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5306902A (en) | Confocal method and apparatus for focusing in projection lithography | |
JP3995579B2 (ja) | 膜厚測定装置および反射率測定装置 | |
TWI391625B (zh) | 表面檢視設備、表面檢視方法和曝光系統 | |
KR101427433B1 (ko) | 결함 검출 장치 및 결함 검출 방법 | |
KR930004112B1 (ko) | 소자 제조방법 | |
KR100277110B1 (ko) | 노광장치 | |
JP5112650B2 (ja) | チャックに対する光ビームの位置のドリフトを決定する方法およびシステム | |
US7280233B2 (en) | Method and apparatus for inspecting an edge exposure area of a wafer | |
JP3183046B2 (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
KR20180058005A (ko) | 광학 검사 장치와 방법, 및 그 검사 장치를 이용한 반도체 소자 제조방법 | |
JPH07209202A (ja) | 表面状態検査装置、該表面状態検査装置を備える露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
JP5434353B2 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法 | |
JP4909480B2 (ja) | 層および表面特性の光学測定方法およびその装置 | |
US7767982B2 (en) | Optical auto focusing system and method for electron beam inspection tool | |
US7123414B2 (en) | Method for producing library | |
KR960011255B1 (ko) | 불량패턴 웨이퍼 검출 장치 | |
JP3466730B2 (ja) | パターン評価装置およびパターン評価方法 | |
KR100416497B1 (ko) | 박막패턴 검사장치 | |
JP2616732B2 (ja) | レチクルの検査方法 | |
US20090107399A1 (en) | System and Method of Measuring Film Height on a Substrate | |
JPH06160293A (ja) | 異物付着防止膜の透過率測定装置 | |
JP3004076B2 (ja) | 試料面位置測定装置 | |
JPH0221553A (ja) | 電子線測長装置 | |
KR20220041388A (ko) | 광학계 교정 방법 | |
CN115541618A (zh) | 一种检测设备和检测方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050721 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |