JP3466730B2 - パターン評価装置およびパターン評価方法 - Google Patents
パターン評価装置およびパターン評価方法Info
- Publication number
- JP3466730B2 JP3466730B2 JP22187194A JP22187194A JP3466730B2 JP 3466730 B2 JP3466730 B2 JP 3466730B2 JP 22187194 A JP22187194 A JP 22187194A JP 22187194 A JP22187194 A JP 22187194A JP 3466730 B2 JP3466730 B2 JP 3466730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pattern
- sample
- pellicle
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン評価装置およ
びパターン評価方法に関し、特に半導体装置の製造にお
いて使用されるフォトマスク等に形成されたパターンの
欠陥を検査する装置および方法に関する。
びパターン評価方法に関し、特に半導体装置の製造にお
いて使用されるフォトマスク等に形成されたパターンの
欠陥を検査する装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大規模集積回路（ＬＳＩ）の製造におけ
る歩留りの低下の大きな原因の一つとして、デバイスを
フォトリソグラフィ技術で製造する際に使用されるフォ
トマスクの欠陥が挙げられる。このため、このような欠
陥を検査する装置の開発が盛んに行われ、また実用化さ
れている。
る歩留りの低下の大きな原因の一つとして、デバイスを
フォトリソグラフィ技術で製造する際に使用されるフォ
トマスクの欠陥が挙げられる。このため、このような欠
陥を検査する装置の開発が盛んに行われ、また実用化さ
れている。
【０００３】従来のマスク欠陥検査装置は大きく分け
て、同じパターンが描かれた２つのチップをそれぞれ別
の検出手段で観察し、その両者の違いを適当な欠陥検出
手段によって比較し検出する方法と、パターンが描かれ
たチップを検出手段で観察し、これとパターンの設計デ
ータとを適当な欠陥検出手段によって比較して欠陥を検
出する方法とがある。前者の場合、同じパターンが描か
れた２つのチップをそれぞれ観察しているため、同じ欠
陥が存在した場合、その欠陥部を検出できない欠点があ
るが、設計データを処理する回路が不要で装置構成が簡
単である利点がある。しかしながら、後者の場合、設計
データをベースとして検査しているため、欠陥の検出は
完全であるという利点があるものの、構造が複雑となる
欠点もある。このような欠陥検査装置では、極小さな欠
陥をも検出するために、光学系の解像度向上、比較アル
ゴリズムの改良、測定信号処理の方法等の改良が行なわ
れている。
て、同じパターンが描かれた２つのチップをそれぞれ別
の検出手段で観察し、その両者の違いを適当な欠陥検出
手段によって比較し検出する方法と、パターンが描かれ
たチップを検出手段で観察し、これとパターンの設計デ
ータとを適当な欠陥検出手段によって比較して欠陥を検
出する方法とがある。前者の場合、同じパターンが描か
れた２つのチップをそれぞれ観察しているため、同じ欠
陥が存在した場合、その欠陥部を検出できない欠点があ
るが、設計データを処理する回路が不要で装置構成が簡
単である利点がある。しかしながら、後者の場合、設計
データをベースとして検査しているため、欠陥の検出は
完全であるという利点があるものの、構造が複雑となる
欠点もある。このような欠陥検査装置では、極小さな欠
陥をも検出するために、光学系の解像度向上、比較アル
ゴリズムの改良、測定信号処理の方法等の改良が行なわ
れている。
【０００４】一方、最近では極小なごみが試料面上に付
着するのを避けるため、図１３に示すように、一度完全
なパターン１０２が形成されたガラス基板１０１にペリ
クルという数μｍ厚さの薄膜１０４が貼られたペリクル
枠１０３を固定（接着）して使用することが行われてい
る。したがって、マスク欠陥検査装置には、ペリクルを
貼付ける前の検査とペリクルを貼付けた後の最終的な確
認のための検査が必要となっている。
着するのを避けるため、図１３に示すように、一度完全
なパターン１０２が形成されたガラス基板１０１にペリ
クルという数μｍ厚さの薄膜１０４が貼られたペリクル
枠１０３を固定（接着）して使用することが行われてい
る。したがって、マスク欠陥検査装置には、ペリクルを
貼付ける前の検査とペリクルを貼付けた後の最終的な確
認のための検査が必要となっている。
【０００５】一般に、マスク欠陥検査装置のような光学
系を搭載した装置では、対物レンズの開口数（ＮＡ）を
大きくすることによって、観察するパターンの解像特性
を向上できることが知られている。最近のマスク欠陥検
査装置では、０．３μｍ以下の欠陥を検出することが要
求されてきており、このため、従来ＮＡ＝０．５〜０．
６程度が使用されてきたレンズ系も、最近ではＮＡ＝
０．７〜０．８程度が使用されるようになっている。し
かしながら、このような装置では、ペリクルの無いマス
クを検査する場合には問題がないが、図１４に示すよう
に、対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きくなることによ
って、従来より狭い領域の検査しかできなくなってしま
う。すなわち、ペリクル枠から遠く離れた領域しか検査
できなくなってしまう。これは、図１４に示すように、
ペリクル枠により光線が遮られて、非対称な光束となり
光量変化が生じてしまうからである。ペリクル枠の大き
さ、パターンが形成される領域の大きさ等はデバイスの
設計や周辺の装置（例えばステッパー等）によってある
程度決まってしまうため、欠陥検査装置としては高感度
検出を保ったままでペリクル付きマスクの検査をできる
だけ広い範囲で実行できることが望まれる。
系を搭載した装置では、対物レンズの開口数（ＮＡ）を
大きくすることによって、観察するパターンの解像特性
を向上できることが知られている。最近のマスク欠陥検
査装置では、０．３μｍ以下の欠陥を検出することが要
求されてきており、このため、従来ＮＡ＝０．５〜０．
６程度が使用されてきたレンズ系も、最近ではＮＡ＝
０．７〜０．８程度が使用されるようになっている。し
かしながら、このような装置では、ペリクルの無いマス
クを検査する場合には問題がないが、図１４に示すよう
に、対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きくなることによ
って、従来より狭い領域の検査しかできなくなってしま
う。すなわち、ペリクル枠から遠く離れた領域しか検査
できなくなってしまう。これは、図１４に示すように、
ペリクル枠により光線が遮られて、非対称な光束となり
光量変化が生じてしまうからである。ペリクル枠の大き
さ、パターンが形成される領域の大きさ等はデバイスの
設計や周辺の装置（例えばステッパー等）によってある
程度決まってしまうため、欠陥検査装置としては高感度
検出を保ったままでペリクル付きマスクの検査をできる
だけ広い範囲で実行できることが望まれる。
【０００６】このような問題を解決する手段として、観
察側の光学系のＮＡを小さくして上記のような問題を解
決する方法があるが、ＮＡを小さくすることによる検出
感度低下の影響は取り除くことができない。
察側の光学系のＮＡを小さくして上記のような問題を解
決する方法があるが、ＮＡを小さくすることによる検出
感度低下の影響は取り除くことができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる点に鑑
みてなされたものであり、ペリクル付きマスクを用いて
も広い領域において高感度にパターンを評価することが
できる装置および方法を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、ペリクル付きマスクを用いて
も広い領域において高感度にパターンを評価することが
できる装置および方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
光源からの光をパターンを有する試料上で集光させる集
光手段と、前記試料の後段に配置されており、前記試料
を透過した光が通る対物レンズと、前記対物レンズの後
段に配置されており、前記対物レンズを通過した光の径
を絞る開口部材と、前記開口部材の後段に配置されてお
り、前記開口部材により絞られた光を受光する受光素子
と、前記受光素子により受光された前記パターンに対応
する情報に基づいて前記パターンを評価する判定手段と
を具備し、前記開口部材は、前記試料におけるペリクル
の有無に応じて開口数を変えることができることを特徴
とするパターン評価装置を提供する。ここで、試料にお
けるペリクルの有無に応じて開口数を変える方法として
は、高ＮＡ対物レンズを通常の検査に用い、ペリクル付
き試料の検査時には、対物レンズを交換せずに対物側の
開口数ＮＡを変更する方法、光学系においてＮＡを決定
する開口部材の開口形状を略矩形状にする方法を含む。
光源からの光をパターンを有する試料上で集光させる集
光手段と、前記試料の後段に配置されており、前記試料
を透過した光が通る対物レンズと、前記対物レンズの後
段に配置されており、前記対物レンズを通過した光の径
を絞る開口部材と、前記開口部材の後段に配置されてお
り、前記開口部材により絞られた光を受光する受光素子
と、前記受光素子により受光された前記パターンに対応
する情報に基づいて前記パターンを評価する判定手段と
を具備し、前記開口部材は、前記試料におけるペリクル
の有無に応じて開口数を変えることができることを特徴
とするパターン評価装置を提供する。ここで、試料にお
けるペリクルの有無に応じて開口数を変える方法として
は、高ＮＡ対物レンズを通常の検査に用い、ペリクル付
き試料の検査時には、対物レンズを交換せずに対物側の
開口数ＮＡを変更する方法、光学系においてＮＡを決定
する開口部材の開口形状を略矩形状にする方法を含む。
【０００９】本発明の第１の発明においては、開口数の
変化に伴い、受光素子に入力する光量がほぼ一定となる
ように光量を調整する手段をさらに具備することが好ま
しい。この手段を備えることにより、受光素子の回路側
での大幅なゲインの再調整等を必要としない様々な評価
の要求に合わせたより実用性の高いものとなる。
変化に伴い、受光素子に入力する光量がほぼ一定となる
ように光量を調整する手段をさらに具備することが好ま
しい。この手段を備えることにより、受光素子の回路側
での大幅なゲインの再調整等を必要としない様々な評価
の要求に合わせたより実用性の高いものとなる。
【００１０】また、本発明の第１の発明にかかるパター
ン評価方法としては、光源からの光を集光手段によりパ
ターンを有する試料上で集光させる工程と、前記試料を
透過した光の径を開口部材により絞る工程と、前記開口
部材により絞られた光を受光素子により受光し、受光さ
れた前記パターンに対応する情報に基づいて前記パター
ンを評価する工程とを具備し、前記試料におけるペリク
ルの有無に応じて前記開口部材により開口数を変えるこ
とを特徴とする。
ン評価方法としては、光源からの光を集光手段によりパ
ターンを有する試料上で集光させる工程と、前記試料を
透過した光の径を開口部材により絞る工程と、前記開口
部材により絞られた光を受光素子により受光し、受光さ
れた前記パターンに対応する情報に基づいて前記パター
ンを評価する工程とを具備し、前記試料におけるペリク
ルの有無に応じて前記開口部材により開口数を変えるこ
とを特徴とする。
【００１１】本発明の第１の発明の態様としては以下に
示すものが挙げられる。 （１−ａ）：対物側の開口数（ＮＡ）を決定する開口部
材（アパーチャー）の開口形状が略矩形状（円形でな
い）を有すること。ここで、略矩形状とは、略正方形
状、長方形状、略小判形状、楕円形状等を意味する。 （１−ｂ）：開口部材は、ペリクルの有無に関係なく、
装置内に組み込まれていること。 （１−ｃ）：開口部材および光量調整手段は、ペリクル
の有無についての情報をオペレーターの入力もしくはペ
リクルの有無を検出する信号により計算機制御で駆動で
きること。 （１−ｄ）：開口部材の開口部の直線部分は、ペリクル
枠の直線部分とそれぞれ平行であること。 （１−ｅ）：開口部材で制限される対物側のＮＡは、ペ
リクルの高さをｈ、ペリクルの枠から検査不可能な部分
までの距離をｘとして計算される理論ＮＡ（＝ｓｉｎ
（ｔａｎ-1（ｘ／ｈ）））よりも幾分大きいこと。
示すものが挙げられる。 （１−ａ）：対物側の開口数（ＮＡ）を決定する開口部
材（アパーチャー）の開口形状が略矩形状（円形でな
い）を有すること。ここで、略矩形状とは、略正方形
状、長方形状、略小判形状、楕円形状等を意味する。 （１−ｂ）：開口部材は、ペリクルの有無に関係なく、
装置内に組み込まれていること。 （１−ｃ）：開口部材および光量調整手段は、ペリクル
の有無についての情報をオペレーターの入力もしくはペ
リクルの有無を検出する信号により計算機制御で駆動で
きること。 （１−ｄ）：開口部材の開口部の直線部分は、ペリクル
枠の直線部分とそれぞれ平行であること。 （１−ｅ）：開口部材で制限される対物側のＮＡは、ペ
リクルの高さをｈ、ペリクルの枠から検査不可能な部分
までの距離をｘとして計算される理論ＮＡ（＝ｓｉｎ
（ｔａｎ-1（ｘ／ｈ）））よりも幾分大きいこと。
【００１２】本発明の第２の発明は、光源からの光をパ
ターンを有する試料上で集光させる集光手段と、前記試
料の後段に配置されており、前記試料を透過した光が通
る対物レンズと、前記対物レンズの後段に配置されてお
り、前記対物レンズを通過した光の径を絞る開口部材
と、前記開口部材の後段に配置されており、前記開口部
材により絞られた光を受光する受光素子と、前記受光素
子により受光された前記パターンに対応する情報に基づ
いて前記パターンを評価する判定手段とを具備し、前記
試料はペリクルを有しており、前記判定手段は前記ペリ
クルの端部近傍の検査を行うときに、前記パターンに対
応する情報に演算処理を施した情報に基づいて前記パタ
ーンを評価することを特徴とするパターン評価装置を提
供する。本発明の第２の発明において、演算処理は、パ
ターンに対応する光を受光した受光素子の出力の基準値
からのゲインまたはオフセットを変更する処理であるこ
とが好ましく、このゲインまたはオフセットを変更する
処理は、検査座標に基づいて行うことが好ましい。ここ
で、パターンに対応する光の基準値とは、受光素子から
の出力のデータはもちろん、パターンの設計データから
作成された測定データと比較される基準画像データ等を
含む。
ターンを有する試料上で集光させる集光手段と、前記試
料の後段に配置されており、前記試料を透過した光が通
る対物レンズと、前記対物レンズの後段に配置されてお
り、前記対物レンズを通過した光の径を絞る開口部材
と、前記開口部材の後段に配置されており、前記開口部
材により絞られた光を受光する受光素子と、前記受光素
子により受光された前記パターンに対応する情報に基づ
いて前記パターンを評価する判定手段とを具備し、前記
試料はペリクルを有しており、前記判定手段は前記ペリ
クルの端部近傍の検査を行うときに、前記パターンに対
応する情報に演算処理を施した情報に基づいて前記パタ
ーンを評価することを特徴とするパターン評価装置を提
供する。本発明の第２の発明において、演算処理は、パ
ターンに対応する光を受光した受光素子の出力の基準値
からのゲインまたはオフセットを変更する処理であるこ
とが好ましく、このゲインまたはオフセットを変更する
処理は、検査座標に基づいて行うことが好ましい。ここ
で、パターンに対応する光の基準値とは、受光素子から
の出力のデータはもちろん、パターンの設計データから
作成された測定データと比較される基準画像データ等を
含む。
【００１３】また、本発明の第２の発明にかかるパター
ン評価方法は、光源からの光を集光手段により、ペリク
ルを有しパターンを含む試料上で集光させる工程と、前
記試料を透過した光を受光素子により受光し、受光され
た前記パターンに対応する情報に基づいて前記パターン
を評価する工程とを具備し、前記ペリクルの端部近傍の
検査を行うときに、前記パターンに対応する情報に演算
処理を施した情報に基づいて前記パターンを評価するこ
とを特徴とする。
ン評価方法は、光源からの光を集光手段により、ペリク
ルを有しパターンを含む試料上で集光させる工程と、前
記試料を透過した光を受光素子により受光し、受光され
た前記パターンに対応する情報に基づいて前記パターン
を評価する工程とを具備し、前記ペリクルの端部近傍の
検査を行うときに、前記パターンに対応する情報に演算
処理を施した情報に基づいて前記パターンを評価するこ
とを特徴とする。
【００１４】本発明の第２の発明の態様としては以下に
示すものが挙げられる。 （２−ａ）：入力した測定画像データあるいは基準画像
データのゲインやオフセットの変更は検査幅（フレー
ム）の単位で行うこと。 （２−ｂ）：ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低
下の割合を記憶する手段をさらに有すること。 （２−ｃ）：ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低
下が影響する部分と、ペリクル枠から比較的離れており
光量低下が問題ない部分とをそれぞれ別けて検査を実行
すること。 （２−ｄ）：ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低
下が影響する部分や、ペリクル枠から比較的離れており
光量低下が問題ない部分に関係なく、入力した測定画像
データあるいは基準画像データのゲインやオフセットを
変更して連続して検査を行うこと。 （２−ｅ）：試料におけるペリクルの有無を判断し記憶
できる手段をさらに有すること。 （２−ｆ）：入力した測定画像データあるいは基準画像
データのゲインやオフセットの変更値は、センサの各画
素のゲインやオフセット調整器や基準画像データに対し
てほぼ一律であること。また、より高精度にするために
は、補間法を用いて各画素毎に補正することもできる。 （２−ｇ）：マスクに取り付けられたペリクル（枠）の
位置を測定する手段をさらに有すること。 （２−ｈ）：ペリクル（枠）の位置を測定する手段は、
移動テーブルをｘ，ｙ方向に移動させ、センサ出力の光
量変化率からペリクル（枠）の位置を決定する手段であ
ること。 （２−ｉ）：ペリクル（枠）の位置を測定する手段は、
移動テーブルをｘ，ｙ方向に移動させ、オートフォーカ
ス用センサの出力の変化からペリクル（枠）の位置を決
定する手段であること。
示すものが挙げられる。 （２−ａ）：入力した測定画像データあるいは基準画像
データのゲインやオフセットの変更は検査幅（フレー
ム）の単位で行うこと。 （２−ｂ）：ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低
下の割合を記憶する手段をさらに有すること。 （２−ｃ）：ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低
下が影響する部分と、ペリクル枠から比較的離れており
光量低下が問題ない部分とをそれぞれ別けて検査を実行
すること。 （２−ｄ）：ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低
下が影響する部分や、ペリクル枠から比較的離れており
光量低下が問題ない部分に関係なく、入力した測定画像
データあるいは基準画像データのゲインやオフセットを
変更して連続して検査を行うこと。 （２−ｅ）：試料におけるペリクルの有無を判断し記憶
できる手段をさらに有すること。 （２−ｆ）：入力した測定画像データあるいは基準画像
データのゲインやオフセットの変更値は、センサの各画
素のゲインやオフセット調整器や基準画像データに対し
てほぼ一律であること。また、より高精度にするために
は、補間法を用いて各画素毎に補正することもできる。 （２−ｇ）：マスクに取り付けられたペリクル（枠）の
位置を測定する手段をさらに有すること。 （２−ｈ）：ペリクル（枠）の位置を測定する手段は、
移動テーブルをｘ，ｙ方向に移動させ、センサ出力の光
量変化率からペリクル（枠）の位置を決定する手段であ
ること。 （２−ｉ）：ペリクル（枠）の位置を測定する手段は、
移動テーブルをｘ，ｙ方向に移動させ、オートフォーカ
ス用センサの出力の変化からペリクル（枠）の位置を決
定する手段であること。
【００１５】なお、本発明の第２の発明においては、試
料に取り付けられたペリクルの位置を測定し、ペリクル
近傍の検査にその位置データをフィードバックすること
によって充分にかつ正確に補正を行うことにより、より
高精度なパターン評価を行うことができる。
料に取り付けられたペリクルの位置を測定し、ペリクル
近傍の検査にその位置データをフィードバックすること
によって充分にかつ正確に補正を行うことにより、より
高精度なパターン評価を行うことができる。
【００１６】本発明の第１および第２の発明は、パター
ン評価は、同じパターンが描かれた２つの試料をそれぞ
れ別の検出手段で観察し、その両者の違いを比較し検出
する方法、パターンが描かれた試料を検出手段で観察
し、これとパターンの設計データとを比較して検出する
方法のいずれの方法にも適用することができる。本発明
は、マスクパターンの欠陥を検出する用途の他に、ウェ
ハのパターン検査等の用途に適用することができる。
ン評価は、同じパターンが描かれた２つの試料をそれぞ
れ別の検出手段で観察し、その両者の違いを比較し検出
する方法、パターンが描かれた試料を検出手段で観察
し、これとパターンの設計データとを比較して検出する
方法のいずれの方法にも適用することができる。本発明
は、マスクパターンの欠陥を検出する用途の他に、ウェ
ハのパターン検査等の用途に適用することができる。
【００１７】
【作用】本発明の第１の発明は、開口部材により試料に
おけるペリクルの有無に応じて開口数を変えることがで
きることを特徴としている。第１の発明の第１の手段と
しては、高ＮＡ対物レンズを通常の検査に用い、ペリク
ル付き試料の検査時には、対物レンズを交換せずに対物
側の開口数ＮＡを変更する。この構成によれば、従来通
りペリクル無しの試料では、高ＮＡ対物レンズをそのま
ま使用できるため高感度な検出が可能となり、ペリクル
付き試料では、開口数ＮＡを若干小さくして使用するこ
とにより従来よりも検査領域を拡大することができる。
おけるペリクルの有無に応じて開口数を変えることがで
きることを特徴としている。第１の発明の第１の手段と
しては、高ＮＡ対物レンズを通常の検査に用い、ペリク
ル付き試料の検査時には、対物レンズを交換せずに対物
側の開口数ＮＡを変更する。この構成によれば、従来通
りペリクル無しの試料では、高ＮＡ対物レンズをそのま
ま使用できるため高感度な検出が可能となり、ペリクル
付き試料では、開口数ＮＡを若干小さくして使用するこ
とにより従来よりも検査領域を拡大することができる。
【００１８】また、第１の発明の第２の手段としては、
光学系においてＮＡを決定する開口部材の開口形状を略
矩形状にする。この構成によれば、ペリクル枠の形状が
矩形状であることを有効に利用することができるので、
開口形状が円形状である開口部材を用いる場合よりも高
感度な検出が可能となる。
光学系においてＮＡを決定する開口部材の開口形状を略
矩形状にする。この構成によれば、ペリクル枠の形状が
矩形状であることを有効に利用することができるので、
開口形状が円形状である開口部材を用いる場合よりも高
感度な検出が可能となる。
【００１９】本発明の第２の発明は、試料はペリクルを
有しており、ペリクルの端部近傍の検査を行うときに、
パターンに対応する情報に演算処理を施した情報に基づ
いてパターンを評価することを特徴としている。
有しており、ペリクルの端部近傍の検査を行うときに、
パターンに対応する情報に演算処理を施した情報に基づ
いてパターンを評価することを特徴としている。
【００２０】この構成によれば、試料におけるペリクル
の有無にかかわらず、同じ高ＮＡ対物レンズをそのまま
使用できるため、ペリクル有りのパターン評価において
も高感度検出が可能となる。従来では、例えばＮＡが
０．８程度の場合、ペリクル枠から１０ｍｍ程度検査で
きない領域が大きかったのに比べ、本発明を採用するこ
とによって検査できない領域が１ｍｍ以内程度となり、
検査領域の大幅な拡大が可能となる。
の有無にかかわらず、同じ高ＮＡ対物レンズをそのまま
使用できるため、ペリクル有りのパターン評価において
も高感度検出が可能となる。従来では、例えばＮＡが
０．８程度の場合、ペリクル枠から１０ｍｍ程度検査で
きない領域が大きかったのに比べ、本発明を採用するこ
とによって検査できない領域が１ｍｍ以内程度となり、
検査領域の大幅な拡大が可能となる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て具体的に説明する。 （実施例１）本実施例では、設計データを用いてマスク
パターンの欠陥を検出するパターン評価装置について説
明する。このようなマスクパターンの評価は、超ＬＳＩ
用高精度全自動レチクル検査装置、電子材料、１９８３
年９月、ｐ４７に記載されている。
て具体的に説明する。 （実施例１）本実施例では、設計データを用いてマスク
パターンの欠陥を検出するパターン評価装置について説
明する。このようなマスクパターンの評価は、超ＬＳＩ
用高精度全自動レチクル検査装置、電子材料、１９８３
年９月、ｐ４７に記載されている。
【００２２】この評価は、光学系等を用いてマスクパタ
ーンを拡大し、図１（Ａ）に示すように、Ｗ＝５００μ
ｍ程度の細い短冊状の部分を、図１（Ｂ）に示す矢印の
方向に連続的に測定することにより行われる（実際には
テーブルがＸＹ方向に連続的に移動する）。
ーンを拡大し、図１（Ａ）に示すように、Ｗ＝５００μ
ｍ程度の細い短冊状の部分を、図１（Ｂ）に示す矢印の
方向に連続的に測定することにより行われる（実際には
テーブルがＸＹ方向に連続的に移動する）。
【００２３】次に、図２を参照して評価方法について簡
単に説明する。まず、ＸＹ方向およびθ方向に移動可能
なテーブル１上にマスク２を設置し、適当な光源３から
の光をコンデンサレンズ４によって集光してパターンに
照射する。マスク２を透過した光は、対物レンズ５によ
りフォトダイオードアレイ６上にパターン像として結像
され、さらにセンサ回路７でＡ／Ｄ変換される。このパ
ターンを測定した測定データは、位置回路８からの位置
データと共に比較回路９に送られる。一方、パターンの
設計データは、磁気デスク装置１１から制御計算機１０
を通してビット展開回路１２に送られ、図形データを２
値化し、比較回路９に送られる。比較回路９内では、２
値のビットパターンデータに適当なフィルター処理を施
し、多値化する。これは、測定データが対物レンズ５の
解像特性やフォトダイオードアレイ６のアパーチャー効
果により、フィルターが作用した状態となっているた
め、設計データにフィルター処理を施して、測定データ
に合わせるためのものである。この両者を適当なアルゴ
リズムにしたがって比較し、設計データと測定データが
一致しない所を欠陥と判定する。
単に説明する。まず、ＸＹ方向およびθ方向に移動可能
なテーブル１上にマスク２を設置し、適当な光源３から
の光をコンデンサレンズ４によって集光してパターンに
照射する。マスク２を透過した光は、対物レンズ５によ
りフォトダイオードアレイ６上にパターン像として結像
され、さらにセンサ回路７でＡ／Ｄ変換される。このパ
ターンを測定した測定データは、位置回路８からの位置
データと共に比較回路９に送られる。一方、パターンの
設計データは、磁気デスク装置１１から制御計算機１０
を通してビット展開回路１２に送られ、図形データを２
値化し、比較回路９に送られる。比較回路９内では、２
値のビットパターンデータに適当なフィルター処理を施
し、多値化する。これは、測定データが対物レンズ５の
解像特性やフォトダイオードアレイ６のアパーチャー効
果により、フィルターが作用した状態となっているた
め、設計データにフィルター処理を施して、測定データ
に合わせるためのものである。この両者を適当なアルゴ
リズムにしたがって比較し、設計データと測定データが
一致しない所を欠陥と判定する。
【００２４】このような評価方法において、対物レンズ
５の解像特性を良くするためには、高ＮＡの光学系（例
えばＮＡ＝０．８等の光学系）が使用される。これによ
って微小欠陥の検出を容易にしている。しかしながら、
最近では、図１３に示すようなペリクルを貼付けたマス
クの最終検査、すなわちペリクル貼付け工程で傷が生じ
ていないか、ごみが付着していないかを評価する最終検
査に上記装置が使用されるようになってきている。この
ため、図１３を用いて説明したように、高ＮＡの光学系
が使用されると、ペリクル枠が光束を遮るために検査領
域が狭くなり、パターン領域の周縁部で検査を行うこと
ができない問題が生じている。また、上述したように、
ペリクル付マスクは傷、ごみの付着を確認するための最
終検査に使用されるために、ある程度のパターン欠陥の
検出感度の低下は許容されているのが現状である。本発
明者らは、このような事実に着目し、第１の発明とし
て、パターン評価時のＮＡを可変にすることができ、し
かも高感度でパターン評価を行うことができるパターン
評価装置を提供する。
５の解像特性を良くするためには、高ＮＡの光学系（例
えばＮＡ＝０．８等の光学系）が使用される。これによ
って微小欠陥の検出を容易にしている。しかしながら、
最近では、図１３に示すようなペリクルを貼付けたマス
クの最終検査、すなわちペリクル貼付け工程で傷が生じ
ていないか、ごみが付着していないかを評価する最終検
査に上記装置が使用されるようになってきている。この
ため、図１３を用いて説明したように、高ＮＡの光学系
が使用されると、ペリクル枠が光束を遮るために検査領
域が狭くなり、パターン領域の周縁部で検査を行うこと
ができない問題が生じている。また、上述したように、
ペリクル付マスクは傷、ごみの付着を確認するための最
終検査に使用されるために、ある程度のパターン欠陥の
検出感度の低下は許容されているのが現状である。本発
明者らは、このような事実に着目し、第１の発明とし
て、パターン評価時のＮＡを可変にすることができ、し
かも高感度でパターン評価を行うことができるパターン
評価装置を提供する。
【００２５】図３は本発明のパターン評価装置の一実施
例を示す概略図である。コンデンサレンズ２１によって
集光された光は、対物レンズ２５、開口部材であるアパ
ーチャー２６を介して、その後段のレンズ群を通って平
行光になる。一般に、この部分には光学系の倍率を変更
する変倍系２７が設けられ、必要に応じてレンズ群を変
更できる構造となっている。その後、光はフォトダイオ
ードアレイに集光され、マスクのパターン像がセンサ上
に結像される。なお、図３においては、対物レンズ２５
の最大のＮＡを通る光束を示した。
例を示す概略図である。コンデンサレンズ２１によって
集光された光は、対物レンズ２５、開口部材であるアパ
ーチャー２６を介して、その後段のレンズ群を通って平
行光になる。一般に、この部分には光学系の倍率を変更
する変倍系２７が設けられ、必要に応じてレンズ群を変
更できる構造となっている。その後、光はフォトダイオ
ードアレイに集光され、マスクのパターン像がセンサ上
に結像される。なお、図３においては、対物レンズ２５
の最大のＮＡを通る光束を示した。
【００２６】ペリクル２２がマスクに取り付けられた場
合、図３に示すように光は遮られることになる。光が遮
られることにより、センサ上のパターン像の光量が変化
し、この部分における検出感度が低下する。このため、
ペリクル２２付マスクであることを確認した場合には、
平行光が作られている部分に配置されているアパーチャ
ー２６でＮＡを調整する。この調整により、ペリクル枠
２４により光が遮られることがなく、マスク２３におい
てペリクル枠２４の近傍まで検査することが可能とな
る。なお、ペリクル２２付マスクであることを確認する
ためには、例えば、あらかじめ制御系に入力しておく
か、あるいはペリクルを確認するセンサを装置に設け
る。
合、図３に示すように光は遮られることになる。光が遮
られることにより、センサ上のパターン像の光量が変化
し、この部分における検出感度が低下する。このため、
ペリクル２２付マスクであることを確認した場合には、
平行光が作られている部分に配置されているアパーチャ
ー２６でＮＡを調整する。この調整により、ペリクル枠
２４により光が遮られることがなく、マスク２３におい
てペリクル枠２４の近傍まで検査することが可能とな
る。なお、ペリクル２２付マスクであることを確認する
ためには、例えば、あらかじめ制御系に入力しておく
か、あるいはペリクルを確認するセンサを装置に設け
る。
【００２７】ここで、図４（Ａ）〜（Ｃ）を用いてアパ
ーチャー２６について説明する。図４（Ａ）に示すアパ
ーチャー２６は、その径を変化することにより、センサ
ー状に照射される光量も変化するため、小さいＮＡに絞
るアパーチャーの場合においては、図４（Ｂ）に示すよ
うに単なる素通りの穴を形成する。また、最大径のＮＡ
に絞るアパーチャーの場合においては、図４（Ｃ）に示
すように、リング本体上にＮＤフィルタ２９を設けるこ
とにより、センサー状に照射される光量を一定とするこ
とができる。このようにＮＤフィルタ２９を設けること
により、センサー回路のゲイン負担を軽減することがで
き、Ｓ／Ｎ比の高い回路を設計できる。なお、光量調整
のためのＮＤフィルタ２９は、照明光学系のいずれかの
部位に配置してもよく、特に、図４（Ｃ）に示すような
構造に限定されない。
ーチャー２６について説明する。図４（Ａ）に示すアパ
ーチャー２６は、その径を変化することにより、センサ
ー状に照射される光量も変化するため、小さいＮＡに絞
るアパーチャーの場合においては、図４（Ｂ）に示すよ
うに単なる素通りの穴を形成する。また、最大径のＮＡ
に絞るアパーチャーの場合においては、図４（Ｃ）に示
すように、リング本体上にＮＤフィルタ２９を設けるこ
とにより、センサー状に照射される光量を一定とするこ
とができる。このようにＮＤフィルタ２９を設けること
により、センサー回路のゲイン負担を軽減することがで
き、Ｓ／Ｎ比の高い回路を設計できる。なお、光量調整
のためのＮＤフィルタ２９は、照明光学系のいずれかの
部位に配置してもよく、特に、図４（Ｃ）に示すような
構造に限定されない。
【００２８】本実施例においては、図３におけるアパー
チャー２６を駆動させて所定の位置に挿入するための駆
動手段としてはモータ等の既知のものを用いることがで
きる。この駆動手段により、ペリクルがある場合にアパ
ーチャー２６を光学系の所定の位置に設置し、ペリクル
が無い場合にアパーチャー２６を光学系から取り外すこ
とができる。また、アパーチャーを固定した他の変倍系
２８を準備しておき、ペリクルの有無で一体的に変倍系
を変更して検査をするようにしてもよい。
チャー２６を駆動させて所定の位置に挿入するための駆
動手段としてはモータ等の既知のものを用いることがで
きる。この駆動手段により、ペリクルがある場合にアパ
ーチャー２６を光学系の所定の位置に設置し、ペリクル
が無い場合にアパーチャー２６を光学系から取り外すこ
とができる。また、アパーチャーを固定した他の変倍系
２８を準備しておき、ペリクルの有無で一体的に変倍系
を変更して検査をするようにしてもよい。
【００２９】さらに、図３から分かるように、アパーチ
ャー２６を分割し、ペリクル枠２４が図３において左側
に位置した時はａ側のアパーチャーを挿入し、ペリクル
枠２４が図３において右側に位置した時はｂ側のアパー
チャーを挿入するようにしてもよい。また、パターン領
域の中央を検査している場合は、ａ，ｂいずれかのアパ
ーチャーが挿入されているようにする。このようにし
て、ペリクルの有無を認識し、それに対応して適当なＮ
Ａ絞りアパーチャー２６を光学系に配置することによ
り、ペリクル付きのマスクでも広い領域で高感度にパタ
ーンを評価することができる。
ャー２６を分割し、ペリクル枠２４が図３において左側
に位置した時はａ側のアパーチャーを挿入し、ペリクル
枠２４が図３において右側に位置した時はｂ側のアパー
チャーを挿入するようにしてもよい。また、パターン領
域の中央を検査している場合は、ａ，ｂいずれかのアパ
ーチャーが挿入されているようにする。このようにし
て、ペリクルの有無を認識し、それに対応して適当なＮ
Ａ絞りアパーチャー２６を光学系に配置することによ
り、ペリクル付きのマスクでも広い領域で高感度にパタ
ーンを評価することができる。
【００３０】上記のようなＮＡ絞りアパーチャー２６を
配置と、本来有する対物レンズの解像特性を充分に活用
しない状態でペリクル付きマスクの検査を行うことにな
る。すなわち、レンズの解像度（Ｒ）は、Ｒ＝λ／ＮＡ
（λ：検査の波長）で表されるため、アパーチャー２６
を配置することにより微小欠陥を検出する能力が低減す
る。また、ＮＡを小さくすることにより、センサーに入
力する光量は低下する。これらの問題は図５（Ａ）〜
（Ｄ）に示すアパーチャーを用いることにより解決でき
る。これは以下の点に基づくものである。 （１）パターン評価装置は、パターン欠陥の信号を高感
度に取り出せれば、マスクパターンの形状を正確にセン
サー上に結像させなくてもよい。このため、ＮＡ絞りア
パーチャーは従来考えられている円形上アパーチャーで
なくてもよい。 （２）ペリクル枠は、デバイスパターンと同様に矩形状
をしている。
配置と、本来有する対物レンズの解像特性を充分に活用
しない状態でペリクル付きマスクの検査を行うことにな
る。すなわち、レンズの解像度（Ｒ）は、Ｒ＝λ／ＮＡ
（λ：検査の波長）で表されるため、アパーチャー２６
を配置することにより微小欠陥を検出する能力が低減す
る。また、ＮＡを小さくすることにより、センサーに入
力する光量は低下する。これらの問題は図５（Ａ）〜
（Ｄ）に示すアパーチャーを用いることにより解決でき
る。これは以下の点に基づくものである。 （１）パターン評価装置は、パターン欠陥の信号を高感
度に取り出せれば、マスクパターンの形状を正確にセン
サー上に結像させなくてもよい。このため、ＮＡ絞りア
パーチャーは従来考えられている円形上アパーチャーで
なくてもよい。 （２）ペリクル枠は、デバイスパターンと同様に矩形状
をしている。
【００３１】図５（Ａ）〜（Ｄ）は、ＮＡ絞りアパーチ
ャーを示す斜視図およびこのアパーチャーを通る光の領
域を示す図である。図５（Ａ）は上記装置における最大
対物レンズのＮＡで使用するときのアパーチャー形状を
示す。図中、破線はペリクル付きマスクを検査する場合
のアパーチャーの形状を示す。
ャーを示す斜視図およびこのアパーチャーを通る光の領
域を示す図である。図５（Ａ）は上記装置における最大
対物レンズのＮＡで使用するときのアパーチャー形状を
示す。図中、破線はペリクル付きマスクを検査する場合
のアパーチャーの形状を示す。
【００３２】上述したように、図６に示すように、ペリ
クル膜３０およびペリクル枠２４はデバイスパターン領
域を囲うように矩形状を有しているため、図５（Ｂ）に
示すような矩形状のアパーチャーを用いても何等問題は
ない。図５（Ａ）の破線で示すアパーチャーでは、全方
向のＮＡが小さくなってしまうのに対して、図５（Ｂ）
に示すアパーチャーでは、４５°方向から見たＮＡは最
大対物レンズＮＡで使用するときのＮＡを確保している
ことが分かる。すなわち、矩形状のアパーチャーを用い
ることにより、検出感度をあまり落とさないで、かつセ
ンサーに入力する光量を低下させずに検査することがで
きる。
クル膜３０およびペリクル枠２４はデバイスパターン領
域を囲うように矩形状を有しているため、図５（Ｂ）に
示すような矩形状のアパーチャーを用いても何等問題は
ない。図５（Ａ）の破線で示すアパーチャーでは、全方
向のＮＡが小さくなってしまうのに対して、図５（Ｂ）
に示すアパーチャーでは、４５°方向から見たＮＡは最
大対物レンズＮＡで使用するときのＮＡを確保している
ことが分かる。すなわち、矩形状のアパーチャーを用い
ることにより、検出感度をあまり落とさないで、かつセ
ンサーに入力する光量を低下させずに検査することがで
きる。
【００３３】さらに、一般にペリクル枠は長方形状を有
しており、長辺方向の検査領域はペリクル枠によって光
束が遮られることはない。多くの場合は短辺側の検査領
域が問題となる。このため、図５（Ｃ）に示すような略
小判形状のアパーチャーや図５（Ｄ）に示すような楕円
形状のアパーチャーが適する。このような形状のアパー
チャーを用いることにより、最大対物レンズＮＡで使用
するときのＮＡが確保される領域がさらに多くなり、ほ
とんど検出感度を落とさないで、かつセンサーに入力す
る光量を低下させずに検査することができる。したがっ
て、ペリクルの有無により、アパーチャーを光学系に配
置する場合でも、上記形状のアパーチャーを使用するこ
とにより、検出感度の低下、光量低下を極力抑えてパタ
ーン評価を行うことができる。
しており、長辺方向の検査領域はペリクル枠によって光
束が遮られることはない。多くの場合は短辺側の検査領
域が問題となる。このため、図５（Ｃ）に示すような略
小判形状のアパーチャーや図５（Ｄ）に示すような楕円
形状のアパーチャーが適する。このような形状のアパー
チャーを用いることにより、最大対物レンズＮＡで使用
するときのＮＡが確保される領域がさらに多くなり、ほ
とんど検出感度を落とさないで、かつセンサーに入力す
る光量を低下させずに検査することができる。したがっ
て、ペリクルの有無により、アパーチャーを光学系に配
置する場合でも、上記形状のアパーチャーを使用するこ
とにより、検出感度の低下、光量低下を極力抑えてパタ
ーン評価を行うことができる。
【００３４】図５（Ｂ）〜（Ｄ）に示すアパーチャーの
寸法や形状は、図１４に示すペリクル枠から検査できる
部分までの距離をｘ、ペリクル枠の高さをｈとすると、 ＮＡ＝ｓｉｎθ’＝ｓｉｎ（ｔａｎ-1（ｘ／ｈ）） …（１） で示されるＮＡに相当する寸法や形状に決定する。な
お、実際には、式（１）で算出されたＮＡより若干大き
めの、すなわち解像特性が向上する方向のＮＡを選択し
ても問題のない。これは、実際の検査では、レンズの左
右端に同時にペリクル枠が位置することがなく、いずれ
かの端部にペリクル枠が近づくので、ペリクル枠と反対
側のＮＡは充分に大きくても何等問題とはならないから
である。具体的には、ＮＡ＝０．８のレンズにおいて、
ペリクル有りの場合に（１）式から算出されるＮＡが
０．５５の場合、実際には、ＮＡ約０．６５相当のアパ
ーチャーを配置する。 （実施例２）本発明者らは、また、ペリクル枠によって
光束が遮られている場合でも、センサ出力としては光量
が全体的に低下するのみで、光量分布に影響を与えない
という事実に着目し、第２の発明として、センサの信号
のオフセットあるいはゲインをペリクル枠近傍の検査で
変更させることにより、ペリクル枠の近傍まで高感度で
パターン評価を行うことができるパターン評価装置を提
供する。
寸法や形状は、図１４に示すペリクル枠から検査できる
部分までの距離をｘ、ペリクル枠の高さをｈとすると、 ＮＡ＝ｓｉｎθ’＝ｓｉｎ（ｔａｎ-1（ｘ／ｈ）） …（１） で示されるＮＡに相当する寸法や形状に決定する。な
お、実際には、式（１）で算出されたＮＡより若干大き
めの、すなわち解像特性が向上する方向のＮＡを選択し
ても問題のない。これは、実際の検査では、レンズの左
右端に同時にペリクル枠が位置することがなく、いずれ
かの端部にペリクル枠が近づくので、ペリクル枠と反対
側のＮＡは充分に大きくても何等問題とはならないから
である。具体的には、ＮＡ＝０．８のレンズにおいて、
ペリクル有りの場合に（１）式から算出されるＮＡが
０．５５の場合、実際には、ＮＡ約０．６５相当のアパ
ーチャーを配置する。 （実施例２）本発明者らは、また、ペリクル枠によって
光束が遮られている場合でも、センサ出力としては光量
が全体的に低下するのみで、光量分布に影響を与えない
という事実に着目し、第２の発明として、センサの信号
のオフセットあるいはゲインをペリクル枠近傍の検査で
変更させることにより、ペリクル枠の近傍まで高感度で
パターン評価を行うことができるパターン評価装置を提
供する。
【００３５】すなわち、本発明者らは、パターン検査時
にセンサからの信号のオフセットあるいはゲインを一律
に変更するだけで、あるいはペリクル枠から検査位置ま
での距離および光量分布の変化の傾向に基づいてセンサ
からの信号のオフセットあるいはゲインをある規則にし
たがって変更するだけで、ペリクル枠からの近傍でも充
分な検出感度を持ってパターン評価を行うことができる
ことを確かめた。
にセンサからの信号のオフセットあるいはゲインを一律
に変更するだけで、あるいはペリクル枠から検査位置ま
での距離および光量分布の変化の傾向に基づいてセンサ
からの信号のオフセットあるいはゲインをある規則にし
たがって変更するだけで、ペリクル枠からの近傍でも充
分な検出感度を持ってパターン評価を行うことができる
ことを確かめた。
【００３６】図７にペリクル枠からの検査部までの距離
とセンサ出力との関係を図２に示す装置を用いて調べた
結果を示す。図７から分かるように、ペリクル枠の近傍
でセンサ光量が落ち込んで行くのが観察されている。ま
た、図８（Ａ）および（Ｂ）は、図７のｓ点およびｔ点
におけるフィールド内の光量分布を示す図である。図８
（Ａ）および（Ｂ）から分かるように、センサ光量の落
ち込みは光量分布の変化をほとんど伴わない。したがっ
て、この事実により、光量が落ち込んだ量に相当したゲ
インあるいは必要であればオフセットの変更をするだけ
でペリクル枠近傍においても高精度にパターン評価を行
うことができる。
とセンサ出力との関係を図２に示す装置を用いて調べた
結果を示す。図７から分かるように、ペリクル枠の近傍
でセンサ光量が落ち込んで行くのが観察されている。ま
た、図８（Ａ）および（Ｂ）は、図７のｓ点およびｔ点
におけるフィールド内の光量分布を示す図である。図８
（Ａ）および（Ｂ）から分かるように、センサ光量の落
ち込みは光量分布の変化をほとんど伴わない。したがっ
て、この事実により、光量が落ち込んだ量に相当したゲ
インあるいは必要であればオフセットの変更をするだけ
でペリクル枠近傍においても高精度にパターン評価を行
うことができる。
【００３７】以下、具体的に、ペリクル枠によって光束
が遮られている場合でも、センサ出力は光量が全体的に
低下するのみで光量分布に影響を与えない場合について
説明する。また、光量分布が若干変化する場合でも以下
に述べる考え方で充分に対応することができる。
が遮られている場合でも、センサ出力は光量が全体的に
低下するのみで光量分布に影響を与えない場合について
説明する。また、光量分布が若干変化する場合でも以下
に述べる考え方で充分に対応することができる。
【００３８】ここでは、光量分布に影響を与えない場合
のセンサのゲインあるいはオフセットをペリクル枠近傍
の検査において変更する方法について説明する。さらに
簡単にするために、センサのゲインのみを変更する場合
について説明する。図９は従来のペリクル付きマスクの
検査領域（センサ光量の低下が生じない領域、一点鎖線
で示す）と、本発明のパターン評価装置において検査で
きる検査領域（破線で示す）を示す。
のセンサのゲインあるいはオフセットをペリクル枠近傍
の検査において変更する方法について説明する。さらに
簡単にするために、センサのゲインのみを変更する場合
について説明する。図９は従来のペリクル付きマスクの
検査領域（センサ光量の低下が生じない領域、一点鎖線
で示す）と、本発明のパターン評価装置において検査で
きる検査領域（破線で示す）を示す。
【００３９】パターン欠陥の検査は、図９に示すよう
に、Ｗ＝５００μｍ程度の検査幅で短冊状（斜線で示
す）に行う。図中のＡ点から検査を実行する場合、あら
かじめペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低下の割
合を記憶する手段に、図１０に示すような関係を記憶さ
せておく。例えば、ペリクル枠からの距離をｘとし、光
量低下の関数をＩ＝ｆ（ｘ）とし、この関係を記憶させ
ておく。あるいは、別にペリクル枠からの距離をｘと
し、この距離と光量低下の実験値とを対応させて記憶さ
せ、この結果を利用して補完するか新たな値を代入して
求める。基本的には、図７で示すように、光量低下の割
合はＲ側、Ｌ側で対称であるため、ペリクル枠周辺に対
して１つの関数をＩ＝ｆ（ｘ）で表現できる。なお、光
学特性で光量が変化する場合もあるため、各ペリクル枠
側面からの関数を用いることも考えられる。
に、Ｗ＝５００μｍ程度の検査幅で短冊状（斜線で示
す）に行う。図中のＡ点から検査を実行する場合、あら
かじめペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低下の割
合を記憶する手段に、図１０に示すような関係を記憶さ
せておく。例えば、ペリクル枠からの距離をｘとし、光
量低下の関数をＩ＝ｆ（ｘ）とし、この関係を記憶させ
ておく。あるいは、別にペリクル枠からの距離をｘと
し、この距離と光量低下の実験値とを対応させて記憶さ
せ、この結果を利用して補完するか新たな値を代入して
求める。基本的には、図７で示すように、光量低下の割
合はＲ側、Ｌ側で対称であるため、ペリクル枠周辺に対
して１つの関数をＩ＝ｆ（ｘ）で表現できる。なお、光
学特性で光量が変化する場合もあるため、各ペリクル枠
側面からの関数を用いることも考えられる。
【００４０】図９に示す短冊状の検査では、ペリクルの
張付けがパターンと平行であれば、この間の光量低下分
はほぼ一定であると言える。したがって、Ａ点に対応す
る、すなわちペリクル枠からの距離ｘA に相当するｃ点
の光量を破線の部分にまで持ち上げるように、センサゲ
インＩ100 ／Ｉc を設定する。次いで、隣のＢ点を検査
するときは、テーブルがステップ移動している間にＢ点
の光量低下に相当する、すなわちペリクル枠からの距離
ｘB に相当するｄ点の光量を破線の部分にまで持ち上げ
るように、センサゲインＩ100 ／Ｉd を再設定する。ペ
リクル枠からの距離ｘA は、検査端部の位置でなくｘA
＝ｘA ＋Ｗ／２としてもよい。センサ光量の低下が生じ
ない領域までこれを繰り返すことによって、連続して高
精度にパターン評価を行うことができる。
張付けがパターンと平行であれば、この間の光量低下分
はほぼ一定であると言える。したがって、Ａ点に対応す
る、すなわちペリクル枠からの距離ｘA に相当するｃ点
の光量を破線の部分にまで持ち上げるように、センサゲ
インＩ100 ／Ｉc を設定する。次いで、隣のＢ点を検査
するときは、テーブルがステップ移動している間にＢ点
の光量低下に相当する、すなわちペリクル枠からの距離
ｘB に相当するｄ点の光量を破線の部分にまで持ち上げ
るように、センサゲインＩ100 ／Ｉd を再設定する。ペ
リクル枠からの距離ｘA は、検査端部の位置でなくｘA
＝ｘA ＋Ｗ／２としてもよい。センサ光量の低下が生じ
ない領域までこれを繰り返すことによって、連続して高
精度にパターン評価を行うことができる。
【００４１】このようなパターン評価装置においては、
図１１に示すように、ペリクル枠近傍でセンサに入力す
る光量低下の割合を記憶する手段３１に加えて、検査座
標（ｘ，ｙ）を検出する手段３２（これは図２の位置回
路８からの情報を使用する）、検査座標（ｘ，ｙ）から
どのゲイン設定値に変更するかを判断する手段３３、試
料のペリクル有無を判断し記憶する手段３４（これは検
査時点でオペレータがその旨を入力しても良い）が必要
である。これらの手段からの情報がセンサゲイン調整器
３５に入力される。
図１１に示すように、ペリクル枠近傍でセンサに入力す
る光量低下の割合を記憶する手段３１に加えて、検査座
標（ｘ，ｙ）を検出する手段３２（これは図２の位置回
路８からの情報を使用する）、検査座標（ｘ，ｙ）から
どのゲイン設定値に変更するかを判断する手段３３、試
料のペリクル有無を判断し記憶する手段３４（これは検
査時点でオペレータがその旨を入力しても良い）が必要
である。これらの手段からの情報がセンサゲイン調整器
３５に入力される。
【００４２】厳密には、Ｉ＝ｆ（ｘ）は、ｘの関数であ
るため、観察フィールド内で光量変化は存在する。ま
た、光学系の特性上観察フィールド内で光量分布が図１
２（Ａ）および（Ｂ）に示すように変化する場合もあ
る。しかしながら、この光量分布の変化の程度は穏やか
であり、充分に補正できる範囲である。したがって、こ
の変化の程度をさらに関数として持つことにより、セン
サの各画素に補正をかけることができる。
るため、観察フィールド内で光量変化は存在する。ま
た、光学系の特性上観察フィールド内で光量分布が図１
２（Ａ）および（Ｂ）に示すように変化する場合もあ
る。しかしながら、この光量分布の変化の程度は穏やか
であり、充分に補正できる範囲である。したがって、こ
の変化の程度をさらに関数として持つことにより、セン
サの各画素に補正をかけることができる。
【００４３】本実施例においては、測定されたパターン
像データを補正する方法、具体的にはセンサのゲインや
オフセットを補正する方法について述べた。しかしなが
ら、設計データと測定データとを比較するタイプのパタ
ーン評価装置では、設計データから測定されると思われ
る画像データを作り出すことが行われる。したがって、
この分野の技術者ならば容易に類推できると考えるが、
設計データ側、すなわち測定されると思われる画像デー
タを作り出す過程で上述したような補正を行うことも可
能である。すなわち、上記補正を設計データ側あるいは
測定データ側どちらかの側で行うようにすることによ
り、ペリクル枠近傍の検査を行うことができる。
像データを補正する方法、具体的にはセンサのゲインや
オフセットを補正する方法について述べた。しかしなが
ら、設計データと測定データとを比較するタイプのパタ
ーン評価装置では、設計データから測定されると思われ
る画像データを作り出すことが行われる。したがって、
この分野の技術者ならば容易に類推できると考えるが、
設計データ側、すなわち測定されると思われる画像デー
タを作り出す過程で上述したような補正を行うことも可
能である。すなわち、上記補正を設計データ側あるいは
測定データ側どちらかの側で行うようにすることによ
り、ペリクル枠近傍の検査を行うことができる。
【００４４】さらに、マスクに取り付けられたペリクル
（枠）の位置は、通常±０．５ｍｍ程度の位置ばらつき
を持っている。したがって、高精度なパターン評価を行
う場合、ペリクル（枠）の位置を測定することが必要と
なる。このため、ペリクル（枠）の位置を測定する手段
が備えられていることが好ましい。この場合、ペリクル
（枠）専用の位置測定センサを取付けることは装置コス
トを向上させる。したがって、上記ペリクル（枠）の位
置を測定する手段として、移動テーブルをｘ，ｙ方向に
移動させ、センサの出力の光量変化率からペリクル
（枠）の位置を決定し、検査するパターンとペリクル
（枠）との位置関係を算出する手段を挙げることができ
る。この手段の場合は、パターンがある程度透明な材料
で作られていることが必要となる。したがって、パター
ンの材料によっては計測できない可能性もある。
（枠）の位置は、通常±０．５ｍｍ程度の位置ばらつき
を持っている。したがって、高精度なパターン評価を行
う場合、ペリクル（枠）の位置を測定することが必要と
なる。このため、ペリクル（枠）の位置を測定する手段
が備えられていることが好ましい。この場合、ペリクル
（枠）専用の位置測定センサを取付けることは装置コス
トを向上させる。したがって、上記ペリクル（枠）の位
置を測定する手段として、移動テーブルをｘ，ｙ方向に
移動させ、センサの出力の光量変化率からペリクル
（枠）の位置を決定し、検査するパターンとペリクル
（枠）との位置関係を算出する手段を挙げることができ
る。この手段の場合は、パターンがある程度透明な材料
で作られていることが必要となる。したがって、パター
ンの材料によっては計測できない可能性もある。
【００４５】ペリクル（枠）の位置を測定する他の手段
として、対物レンズとマスクとの正確な焦点合わせに使
用しているオートフォーカス用センサの出力を測定し、
ペリクル（枠）の位置を計測する手段を挙げることがで
きる。この手段の場合は、オートフォーカス用センサ出
力がパターン依存性を有しないため、上記の手段のよう
な問題はない。この手段の場合、検査位置がペリクル枠
に近づくとオートフォーカスの光束は遮断されるため、
光量変化あるいは光量エラーが発生するが、これは移動
テーブルの位置を位置回路から読み取ることにより解消
される。このように上記ペリクル（枠）の位置を測定す
る手段としては、テーブルを移動させ何等かの信号の変
化とテーブルの位置とを関連させてペリクル（枠）の位
置を決定するような種々のものが考えられる。
として、対物レンズとマスクとの正確な焦点合わせに使
用しているオートフォーカス用センサの出力を測定し、
ペリクル（枠）の位置を計測する手段を挙げることがで
きる。この手段の場合は、オートフォーカス用センサ出
力がパターン依存性を有しないため、上記の手段のよう
な問題はない。この手段の場合、検査位置がペリクル枠
に近づくとオートフォーカスの光束は遮断されるため、
光量変化あるいは光量エラーが発生するが、これは移動
テーブルの位置を位置回路から読み取ることにより解消
される。このように上記ペリクル（枠）の位置を測定す
る手段としては、テーブルを移動させ何等かの信号の変
化とテーブルの位置とを関連させてペリクル（枠）の位
置を決定するような種々のものが考えられる。
【００４６】このような手段を備えたパターン評価装置
では、ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低下が影
響する部分と、ペリクル枠から比較的離れて光量低下が
問題ない部分とをそれぞれ別けて、別々に検査を行って
もよく、上述したように、ペリクル枠近傍でセンサに入
力する光量低下が影響する部分と、ペリクル枠から比較
的離れて光量低下が問題ない部分とに関係なく、センサ
アンプのゲインやオフセットを変更して連続して検査が
できるようにしてもよい。
では、ペリクル枠近傍でセンサに入力する光量低下が影
響する部分と、ペリクル枠から比較的離れて光量低下が
問題ない部分とをそれぞれ別けて、別々に検査を行って
もよく、上述したように、ペリクル枠近傍でセンサに入
力する光量低下が影響する部分と、ペリクル枠から比較
的離れて光量低下が問題ない部分とに関係なく、センサ
アンプのゲインやオフセットを変更して連続して検査が
できるようにしてもよい。
【００４７】
【発明の効果】以上説明した如く本発明のパターン評価
装置は、光源からの光をパターンを有する試料上で集光
させる集光手段と、前記試料の後段に配置されており、
前記試料を透過した光が通る対物レンズと、前記対物レ
ンズの後段に配置されており、前記対物レンズを通過し
た光の径を絞る開口部材と、前記開口部材の後段に配置
されており、前記開口部材により絞られた光を受光する
受光素子と、前記受光素子により受光された前記パター
ンに対応する情報に基づいて前記パターンを評価する判
定手段とを具備し、前記開口部材は、前記試料における
ペチクルの有無に応じて開口数を変えることができるこ
とを特徴とするので、パターン評価時のＮＡを可変にす
ることができ、しかも高感度でパターン評価を行うこと
ができる。
装置は、光源からの光をパターンを有する試料上で集光
させる集光手段と、前記試料の後段に配置されており、
前記試料を透過した光が通る対物レンズと、前記対物レ
ンズの後段に配置されており、前記対物レンズを通過し
た光の径を絞る開口部材と、前記開口部材の後段に配置
されており、前記開口部材により絞られた光を受光する
受光素子と、前記受光素子により受光された前記パター
ンに対応する情報に基づいて前記パターンを評価する判
定手段とを具備し、前記開口部材は、前記試料における
ペチクルの有無に応じて開口数を変えることができるこ
とを特徴とするので、パターン評価時のＮＡを可変にす
ることができ、しかも高感度でパターン評価を行うこと
ができる。
【００４８】また、本発明のパターン評価装置は、光源
からの光をパターンを有する試料上で集光させる集光手
段と、前記試料の後段に配置されており、前記試料を透
過した光が通る対物レンズと、前記対物レンズの後段に
配置されており、前記対物レンズを通過した光を受光す
る受光素子と、前記受光素子により受光された前記パタ
ーンに対応する情報に基づいて前記パターンを評価する
判定手段とを具備し、前記試料はペリクルを有してお
り、前記判定手段は前記ペリクルの端部近傍の検査を行
うときに、前記パターンに対応する情報に演算処理を施
した情報に基づいて前記パターンを評価することを特徴
とするので、ペリクル枠の近傍まで高感度でパターン評
価を行うことができる。
からの光をパターンを有する試料上で集光させる集光手
段と、前記試料の後段に配置されており、前記試料を透
過した光が通る対物レンズと、前記対物レンズの後段に
配置されており、前記対物レンズを通過した光を受光す
る受光素子と、前記受光素子により受光された前記パタ
ーンに対応する情報に基づいて前記パターンを評価する
判定手段とを具備し、前記試料はペリクルを有してお
り、前記判定手段は前記ペリクルの端部近傍の検査を行
うときに、前記パターンに対応する情報に演算処理を施
した情報に基づいて前記パターンを評価することを特徴
とするので、ペリクル枠の近傍まで高感度でパターン評
価を行うことができる。
【００４９】さらに、本発明のパターン評価方法は、ペ
リクルを有するマスクを用いてた際のパターン領域にお
けるペリクル枠近傍においても高精度にパターン評価を
行うことができる。
リクルを有するマスクを用いてた際のパターン領域にお
けるペリクル枠近傍においても高精度にパターン評価を
行うことができる。
【図１】（Ａ）および（Ｂ）はパターン評価方法を示す
図。
図。
【図２】パターン評価装置の一例を示す構成図。
【図３】本発明のパターン評価装置の一実施例を示す概
略図。
略図。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明のパターン評価装置に
使用するＮＡ絞りアパーチャーの形状を示す図。
使用するＮＡ絞りアパーチャーの形状を示す図。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）はＮＡ絞りアパーチャーの形状
を示す図。
を示す図。
【図６】ペリクルを装着したマスクを示す平面図。
【図７】ペリクルの存在による光量低下を示す実験結
果。
果。
【図８】（Ａ）および（Ｂ）は光量低下における光量分
布の変化を示す実験結果。
布の変化を示す実験結果。
【図９】パターン評価方法を一例を説明するための図。
【図１０】光量低下とゲインの変更との関係を説明する
ための図。
ための図。
【図１１】本発明のパターン評価方法を説明するための
図。
図。
【図１２】（Ａ）はペリクル枠から遠く離れた場所にお
ける観察フィールド内での光量分布を示す図、（Ｂ）は
ペリクル枠近傍における観察フィールド内での光量分布
を示す図。
ける観察フィールド内での光量分布を示す図、（Ｂ）は
ペリクル枠近傍における観察フィールド内での光量分布
を示す図。
【図１３】マスクに取り付けるペリクルを説明する図。
【図１４】ペリクルの有無による検査領域の違いを説明
するための図。
するための図。
１…テーブル、２…マスク、３…光源、４…コンデンサ
レンズ、５…対物レンズ、６…フォトダイオードアレ
イ、７…センサ回路、８…位置回路、９…比較回路、１
０…制御計算機、１１…磁気デスク装置、１２…ビット
展開回路、２１…コンデンサレンズ、２２…ペリクル、
２３…マスク、２４…ペリクル枠、２５…対物レンズ、
２６…アパーチャー、２７，２８…変倍系、２９…フィ
ルター、３０…ペリクル膜、３１…記憶手段、３２…座
標入力手段、３３…センサゲイン算出手段、３４…ペリ
クル有無の判断手段、３５…センサゲイン調整器。
レンズ、５…対物レンズ、６…フォトダイオードアレ
イ、７…センサ回路、８…位置回路、９…比較回路、１
０…制御計算機、１１…磁気デスク装置、１２…ビット
展開回路、２１…コンデンサレンズ、２２…ペリクル、
２３…マスク、２４…ペリクル枠、２５…対物レンズ、
２６…アパーチャー、２７，２８…変倍系、２９…フィ
ルター、３０…ペリクル膜、３１…記憶手段、３２…座
標入力手段、３３…センサゲイン算出手段、３４…ペリ
クル有無の判断手段、３５…センサゲイン調整器。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 明野 公信
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝研究開発センター内
(72)発明者 渡辺 利之
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝研究開発センター内
(72)発明者 渡辺 智英
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝多摩川工場内
(72)発明者 山中 栄二
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝多摩川工場内
(72)発明者 伊藤 力
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝研究開発センター内
(72)発明者 田谷 真
東京都板橋区蓮沼町75番１号 株式会社
トプコン内
(56)参考文献 特開 平５−249656（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−134393（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/08
Claims (8)
- 【請求項１】 光源からの光をパターンを有する試料上
で集光させる集光手段と、 前記試料の後段に配置されており、前記試料を透過した
光が通る対物レンズと、 前記対物レンズの後段に配置されており、前記対物レン
ズを通過した光の径を絞る開口部材と、 前記開口部材の後段に配置されており、前記開口部材に
より絞られた光を受光する受光素子と、 前記受光素子により受光された前記パターンに対応する
情報に基づいて前記パターンを評価する判定手段とを具
備し、 前記開口部材は、前記試料におけるペリクルの有無に応
じて開口数を変えることを特徴とするパターン評価装
置。 - 【請求項２】 光源からの光をパターンを有する試料上
で集光させる集光手段と、 前記試料の後段に配置されており、前記試料を透過した
光が通る対物レンズと、 前記対物レンズの後段に配置されており、前記対物レン
ズを通過した光の径を絞るとともに、前記試料における
ペリクルの有無に応じて開口数を変える開口部材と、 前記開口部材の後段に配置されており、前記開口部材に
より絞られた光を受光する受光素子と、 前記受光素子により受光された前記パターンに対応する
情報に基づいて前記パターンを評価する判定手段と、 前記開口数の変化に伴い、前記受光素子に入力する光量
がほぼ一定となるように光量を調整する手段とを具備し
たことを特徴とするパターン評価装置。 - 【請求項３】 光源からの光をパターンを有する試料上
で集光させる集光手段と、 前記試料の後段に配置されており、前記試料を透過した
光が通る対物レンズと、 前記対物レンズの後段に配置されており、前記対物レン
ズを通過した光を受光する受光素子と、 前記受光素子により受光された前記パターンに対応する
情報に基づいて前記パターンを評価する判定手段とを具
備し、 前記試料はペリクルを有しており、前記判定手段はペリ
クル枠から検査位置までの距離と前記受光素子が受光可
能な光量との関係に基づいて前記受光素子の出力である
測定データを補正するか或いは前記測定データと比較す
べき設計データを補正し、前記補正した測定データを用
いてまたは前記測定データと前記補正した設計データと
を用いて前記パターンを評価することを特徴とするパタ
ーン評価装置。 - 【請求項４】 光源からの光を集光手段によりパターン
を有する試料上で集光させる工程と、 前記試料を透過した光の径を開口部材により絞る工程
と、 前記開口部材により絞られた光を受光素子により受光
し、受光された前記パターンに対応する情報に基づいて
前記パターンを評価する工程とを具備し、 前記試料におけるペリクルの有無に応じて前記開口部材
により開口数を変えることを特徴とするパターン評価方
法。 - 【請求項５】 光源からの光を集光手段により、ペリク
ルを有しパターンを含む試料上で集光させる工程と、 前記試料を透過した光を受光素子により受光し、受光さ
れた前記パターンに対応する情報に基づいて前記パター
ンを評価する工程とを具備し、ペリクル枠から検査位置までの距離と前記受光素子が受
光可能な光量との関係に基づいて前記受光素子の出力で
ある測定データを補正するか或いは前記測定データと比
較すべき設計データを補正し、前記補正した測定データ
を用いてまたは前記測定データと前記補正した設計デー
タとを用いて 前記パターンを評価することを特徴とする
パターン評価方法。 - 【請求項６】 前記補正は、前記パターンに対応する光
を受光した受光素子の出力の基準値からのゲインまたは
オフセットを変更する処理である請求項５記載のパター
ン評価方法。 - 【請求項７】 光源からの光線をパターンを有する試料
上に照射する光照射手段と、 前記試料を通過した光が通る対物レンズと、 前記対物レンズを通過した光ビームの径を絞る開口部材
と、 前記開口部材によって径を絞られた前記光ビームを受光
する受光素子と、 前記受光素子によって受光された前記パターンに対応す
る情報に従って前記パターンを評価する判定手段とを具
備し、 前記開口部材は前記試料がペリクルを提供されているか
否かに応じて開口数を変化させることを特徴とするパタ
ーン評価装置。 - 【請求項８】 光源からの光線を試料上に照射する光照
射手段と、 前記対象物を通過した光が通る対物レンズと、 前記対物レンズを通過した前記光を受光する受光素子
と、 前記受光素子によって受光された前記パターンに対応す
る情報に従って前記パターンを評価する判定手段とを具
備し、 前記対象物はペリクルを提供され、前記判定手段はペリ
クル枠から検査位置までの距離と前記受光素子が受光可
能な光量との関係に基づいて前記受光素子の出力である
測定データを補正するか或いは前記測定データと比較す
べき設計データを補正し、前記補正した測定データを用
いてまたは前記測定データと前記補正した設計データと
を用いて前記パターンを評価することを特徴とするパタ
ーン評価装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22187194A JP3466730B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | パターン評価装置およびパターン評価方法 |
| US08/527,633 US5602645A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-13 | Pattern evaluation apparatus and a method of pattern evaluation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22187194A JP3466730B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | パターン評価装置およびパターン評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887102A JPH0887102A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3466730B2 true JP3466730B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=16773492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22187194A Expired - Fee Related JP3466730B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | パターン評価装置およびパターン評価方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5602645A (ja) |
| JP (1) | JP3466730B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761336A (en) * | 1996-01-16 | 1998-06-02 | Ultrapointe Corporation | Aperture optimization method providing improved defect detection and characterization |
| JP3448041B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2003-09-16 | 株式会社東芝 | パターン欠陥検査装置 |
| JP2003302745A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 異物の無害化方法 |
| JP2004212221A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toshiba Corp | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
| US7492450B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-02-17 | General Electric Company | Methods and apparatus for inspecting an object |
| JP2015145922A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
| US11748872B2 (en) * | 2020-08-31 | 2023-09-05 | KLA Corp. | Setting up inspection of a specimen |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2898801A (en) * | 1955-06-09 | 1959-08-11 | Robotron Corp | Inspection device for detecting differences in two objects |
| US4165939A (en) * | 1975-01-22 | 1979-08-28 | Tsn Company, Inc. | Apparatus for inspection and dimensional measurement by sequential reading |
| US4244652A (en) * | 1978-11-06 | 1981-01-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ferroelectric length measuring and moving target transducer with memory |
| US4377340A (en) * | 1980-10-24 | 1983-03-22 | Hamamatsu Systems, Inc. | Method and apparatus for detecting particles on a material |
| JPH04100045A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Nikon Corp | フォトマスク検査装置 |
| JPH05134393A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-05-28 | Seiko Epson Corp | 異物検査装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2530081B2 (ja) * | 1992-01-09 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | マスク検査装置 |
| US5400135A (en) * | 1993-06-08 | 1995-03-21 | Nikon Corporation | Automatic defect inspection apparatus for color filter |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP22187194A patent/JP3466730B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-13 US US08/527,633 patent/US5602645A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5602645A (en) | 1997-02-11 |
| JPH0887102A (ja) | 1996-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4725722A (en) | Automatic focusing method and apparatus utilizing contrasts of projected pattern | |
| JP3265668B2 (ja) | ベストフォーカス位置の算出方法 | |
| US8072592B2 (en) | Reticle defect inspection apparatus and reticle defect inspection method | |
| TWI713088B (zh) | 缺陷分類方法、空白光罩之篩選方法以及空白光罩之製造方法 | |
| KR20120030150A (ko) | 노광 조건 설정 방법 및 표면 검사 장치 | |
| US20050052651A1 (en) | Method and system for measuring stray light | |
| JP3466730B2 (ja) | パターン評価装置およびパターン評価方法 | |
| JP3376082B2 (ja) | パターン欠陥検査装置 | |
| JPH0792096A (ja) | 異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法 | |
| KR101385753B1 (ko) | 포토 마스크 패턴 크기의 균일성 검사방법 | |
| JPS60237347A (ja) | 異物検査装置 | |
| KR20070077288A (ko) | 자동 초점 조절 방법 및 자동 초점 조절 기능을 갖는 주사전자 현미경. | |
| JPH05215696A (ja) | 欠陥検査方法および装置 | |
| JP2000146528A (ja) | 位置ずれ検査装置の光学的収差測定方法並びに位置ずれ検査方法 | |
| JP4611663B2 (ja) | 重ね合わせ誤差測定方法、重ね合わせ誤差測定装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0949781A (ja) | 光学系の検査装置および該検査装置を備えた投影露光装置 | |
| JP2616732B2 (ja) | レチクルの検査方法 | |
| JP6394422B2 (ja) | 欠陥検査方法及び検査光の照射方法 | |
| JPH07159336A (ja) | 表面状態検査装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JP2000171227A (ja) | パターンを有するウエハの異物検査装置及び検査方法 | |
| JP2001281159A (ja) | 検査方法、マスクの製造方法および検査装置、マスク | |
| JP3202322B2 (ja) | マスク検査装置 | |
| JP2003294420A (ja) | 試料面高さ調整装置とオートフォーカス装置 | |
| JPH09222398A (ja) | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 | |
| JP2000089129A (ja) | 位相差付与部材の位置決め方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070829 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |