KR960002693Y1 - Photo etching mask - Google Patents
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Abstract
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Description
제1도는 통상적인 리드프레임의 제조시에 사용되는 포토에칭용 마스크의 일부절제 평면도.1 is a partially cutaway plan view of a mask for photoetching used in the manufacture of conventional leadframes.
제2도는 본 고안에 따른 포토에칭 마스크를 일부 발췌하여 도시한 평면도.Figure 2 is a plan view showing a part of the photoetching mask according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
11 : 마스크의 몸체 12: 투광부11 body 12 of the mask
13 : 차광부 14 : 화선부13 shading unit 14
본 고안은 포토에칭용 마스크에 관한 것으로서, 더 상세하게는 반도체 제조용 리이드 프레임을 제조하기 위한 포토에칭(Poto etching)용 마스크(Mask)에 관한 것이다.The present invention relates to a mask for photoetching, and more particularly, to a mask for photoetching for manufacturing a lead frame for semiconductor manufacturing.
통상적으로 반도체 제조용 리이드 프레임의 제조는 가시광선 적외선 또는 자외선 반응하는 감광막이 형성된 소재의 상면에 제조하고자하는 리드프레임의 형상과 동일한 투광부와 투광부이외의 부분이 차광부로 이루어진 마스크를 설치한다. 그리고 상기 마스크의 상면으로부터 빛 즉, 가시광선 또는 적외선을 조사하여 상기 판상의 소재 상면에 코팅된 코팅막을 감광시킨 후 감광되지않은 코팅막을 제거하고 이를 소정의 화학약품에 부식시켜 리드프레임을 제조하게 된다. 여기에서, 상기 감광막을 소정의 패턴으로 감광시키기 위한 마스크는 제1도에 나타내 보인 바와같이 판상의 몸체에 제조하고자 하는 리드프레임의 형상과 동일한 패턴을 가진 투광부(2)와 이 투광부(2)이외의 부분인 차광부(3)로 이루어지는데, 상기 투광부(2)중 리드프레임의 인너리드를 이루는 부분은 세리프(Serif)를 형성하거나 단부에 직사각형 형상의 도부(島部)(4)를 형성하여 제조된 리드프레임의 인너리드 단부가 직각을 이루도록 하고 있으나 이에 의해 감광막이 감광된 소재의 부식시 상기 인너리드의 단부가 리드 프레임 소재의 두께보다 큰 곡률로 둥글게 형성되게 된다. 이와 같이 그 단부가 둥글게 형성된 리드프레임의 단부는 반도체의 직접회로와 와이어 본딩시 접촉면적이 좁아 접착력이 좋지않게 되어 와이어 본딩에 따른 접착불량이 다발하게 되며 나아가서는 본딩에 따른 신뢰성이 저하되게 되는 문제점이 있었다.In general, in the manufacture of a lead frame for manufacturing a semiconductor, a mask having a light-transmitting portion having the same shape as a shape of a lead frame to be manufactured and a portion other than the light-transmitting portion is formed on a top surface of a material on which a visible light infrared or ultraviolet-sensitive photosensitive film is formed. Then, by irradiating light, ie, visible or infrared light from the upper surface of the mask, the coating film is coated on the upper surface of the plate-like material, and then the unexposed coating film is removed and the lead is etched by a chemical. . Here, the mask for photosensitive the photosensitive film in a predetermined pattern, as shown in FIG. 1, the light-transmitting portion 2 and the light-transmitting portion (2) having the same pattern as the shape of the lead frame to be manufactured on the plate-like body The light shielding part 3 which is a part other than) is formed, and the part of the light transmitting part 2 which forms the inner lead of the lead frame forms a serif or a rectangular shaped island part 4 at the end. Although the inner lead ends of the lead frames manufactured by forming a square are formed at right angles, the inner lead ends are rounded with a curvature greater than the thickness of the lead frame material when the photosensitive film is corroded. As described above, the end of the lead frame in which the end is rounded has a narrow contact area when the wire is bonded with the semiconductor's integrated circuit, resulting in poor adhesive force, leading to a poor adhesion due to wire bonding, and further deterioration in reliability due to bonding. There was this.
본 고안은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 인너리드 단부의 감광면적, 및 에칭된 인너리드 단부의 실질적 표면적을 넓혀 반도체 칩(Chip)과의 와이어 본딩에 다른 신뢰성을 향상시킬수 있도록 된 포토에칭용 마스크를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the above problems, and the photoetching which can improve other reliability in wire bonding with a semiconductor chip by widening the photosensitive area of the inner lead end and the substantial surface area of the etched inner lead end. The purpose is to provide a mask for use.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은,The present invention to achieve the above object,
판상의 몸체에 패들과 복수의 인너리드를 가지는 리드 프레임의 형상과 동일 패턴을 갖도록 투광부와 차광부가 소정의 패턴으로 형성된 포토에칭용 마스크에 있어서,In the mask for photo-etching in which the light transmitting portion and the light blocking portion are formed in a predetermined pattern so as to have the same pattern as the shape of the lead frame having the paddle and the plurality of inner leads in the plate-shaped body,
상기 투광부와 차광부에 의해 형성되는 패들과 인너리드 패턴사이에 구형 또는 선형의 화선부가 단속 또는 연속적으로 투광부와 차광부에 의해 묘화된 것을 그 특징으로 한다.A spherical or linear wire line part is intermittently or continuously drawn between the light transmitting part and the light blocking part between the paddle and the inner lead pattern formed by the light transmitting part and the light blocking part.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안에 따른 한 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 고안에 따른 리드프레임을 제조하기 위한 포토에칭용 마스크는 제2도에 나타내 보인바와 같이 패들(Paddle)과 인너리드(inner lead)및 익스터럴 리드(external lead)를 가지는 리드프레임의 형상과 동일 패턴을 가지는 투광부(12)가 판상의 몸체(11)에 형성되고, 상기 투광부(12)를 제외한 부분에 차광부(13)가 형성된다. 그리고 상기 리드 프레임의 패들과 대응되는 제1투광부(12a)와 상기 인너리드와 대응되는 제2투광부(12b) 사이의 제1차광부(14)에는 구형 또는 선형의 화선부(15) 즉, 구형 또는 선형의 차광부가 단속 또는 연속적으로 형성되는데 이때에 상기 구형 또는 선형 화선부(15)의 폭(15T)은 상기 리드프레임 소재의 두께보다 좁게 형성된다. 특히 상기 화선부(15)와 상기 인너리드와 대응되는 제2투광부(12b)의 단부 모서리와 화선부(15)와의 사이에 형성되는 감광부의 폭(W)은 상기 리드프레임의 소재 두께보다 좁게 형성된다.The photoetching mask for manufacturing a leadframe according to the present invention is the same as the shape of a leadframe having paddles, inner leads and external leads as shown in FIG. A light transmitting part 12 having a pattern is formed in the plate-shaped body 11, and a light blocking part 13 is formed at a portion other than the light transmitting part 12. In addition, the first light shielding portion 14 between the first light emitting portion 12a corresponding to the paddle of the lead frame and the second light transmitting portion 12b corresponding to the inner lead has a spherical or linear line portion 15, that is, The spherical or linear shading portion is formed intermittently or continuously. At this time, the width 15T of the spherical or linear wire line portion 15 is formed to be narrower than the thickness of the lead frame material. In particular, the width W of the photosensitive portion formed between the edge portion of the second line portion 12b corresponding to the line portion 15 and the inner lead and the line portion 15 is narrower than the material thickness of the lead frame. .
이와같이 구성된 포토에칭용 마스크의 작용을 설명하면 리드프레임을 제조하기 위해서는 감광막이 코팅된 리드프레임 소재와 포토에칭용 마스크(10)를 결합한 후 이에 빛을 조사하여 마스크(10)의 투광부를 통광한 빛에 의해 감광막이 리드 프레임의 형상으로 감광되도록 한다. 그리고 상기 리드프레임 소재의 감광막을 현상하여 감광막의 소정의 패턴을 갖도록한다. 이때에 감광막 패턴을 인너리드영역과 패들영역 사이에 감광막이 코팅되지 않은 구형 또는 선형의 화선부(15)가 형성되게 된다. 이 상태에서 상기 리드프레임 소재를 소정의 화학 약품에 담가 에칭하게 되는데 이때에 상기 감광막이 제거된 구형 또는 선형의 화선부(15)에 의해 리드프레임의 인너리드 단부가 곡면으로 식각되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 리드프레임의 각 광막이 제거된 부분과 상기 구형 또는 선형의 환선부(150와의 사이에 에칭되지 않은 감광막의 폭(W)이 소재의 두께보다 좁게 형성되어 있으므로 소재의 식각리드프레임은 상호 분리되게 되고, 식각된 리드프레임 인너리드부의 단부가 직각을 이루게 되며 나아가서는 그 표면적이 넓어지게 된다. 따라서 반도체 집접회로와의 와이어 본딩시 접착력을 향상시킬 수 있게 되는 것이다.Referring to the operation of the photo-etching mask configured as described above, in order to manufacture the lead frame, the photosensitive film-coated lead frame material and the photo-etching mask 10 are combined and then irradiated with light to transmit light through the light-transmitting part of the mask 10. As a result, the photosensitive film is exposed to the shape of the lead frame. The photoresist film of the lead frame material is developed to have a predetermined pattern of the photoresist film. At this time, a spherical or linear wire line portion 15 having no photoresist coating is formed between the inner lead region and the paddle region. In this state, the lead frame material is immersed in a predetermined chemical and etched. At this time, the inner lead end of the lead frame may be prevented from being etched by the spherical or linear wire line portion 15 from which the photoresist film is removed. . That is, since the width W of the photoresist, which is not etched, is formed to be smaller than the thickness of the material between the portions of the lead frame in which the optical films are removed and the spherical or linear annular portions 150, the etch lead frames of the material The edges of the lead frame inner lead portions that are separated and etched are perpendicular to each other, and thus the surface area of the lead frame inner lead portion is widened, thereby improving the adhesive strength when bonding the wires to the semiconductor integrated circuit.
이와같이 본 고안 포토에칭용 마스크는 리드프레임의 패드와 대용되는 제1투광부와 인너리드와 대응되는 제2투광부 사이에 구형 또는 선형의 화선부를 형성함으로써 이에의해 감광 및 식각되어 제조된 리드프레임 인너리드부 표면적이 좁아지는 것을 방지할 수 있으며 나아가서는 반도체 칩과의 와이어 본딩시 접착력을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, the photoetching mask of the present invention has a lead frame inner manufactured by being exposed and etched by forming a spherical or linear wire line between a first light transmitting part substituted for a pad of a lead frame and a second light transmitting part corresponding to an inner lead. The surface area of the lead portion can be prevented from being narrowed, and furthermore, there is an advantage of improving the adhesive strength during wire bonding with the semiconductor chip.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019910025194U KR960002693Y1 (en) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | Photo etching mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019910025194U KR960002693Y1 (en) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | Photo etching mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930016272U KR930016272U (en) | 1993-07-28 |
| KR960002693Y1 true KR960002693Y1 (en) | 1996-03-30 |
Family
ID=19326709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019910025194U KR960002693Y1 (en) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | Photo etching mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002693Y1 (en) |
-
1991
- 1991-12-30 KR KR2019910025194U patent/KR960002693Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930016272U (en) | 1993-07-28 |
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