KR200200909Y1 - Photo Etching Plate Structure For Forming The Lead Frame - Google Patents
Photo Etching Plate Structure For Forming The Lead Frame Download PDFInfo
- Publication number
- KR200200909Y1 KR200200909Y1 KR2020000011119U KR20000011119U KR200200909Y1 KR 200200909 Y1 KR200200909 Y1 KR 200200909Y1 KR 2020000011119 U KR2020000011119 U KR 2020000011119U KR 20000011119 U KR20000011119 U KR 20000011119U KR 200200909 Y1 KR200200909 Y1 KR 200200909Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- forming
- lead frame
- light
- dimple
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 고안은 리드프레임 형성용 포토에칭 원판 구조에 관한 것으로서, 특히, 리드프레임의 중앙에 위치하는 패드부위의 딤플을 형성할 때, 딤플이 과도하게 식각되는 것을 방지하기 위한 에칭저지용투광부로 인하여 형성된 감광막의 에칭저지부가 식각도중에 분리되어서 딤플에 이상식각이 발생되는 것을 방지하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 고안에 관한 것이다.The present invention relates to a photoetching disc structure for forming a lead frame, and in particular, when forming a dimple of a pad portion located in the center of the lead frame, the dimple is formed by a light emitting portion for preventing the etching to prevent excessive etching. It relates to a very useful and effective design to prevent the etching stop of the photosensitive film is separated during the etching to prevent abnormal etching occurs in the dimple.
Description
본 고안은 딤플을 형성하기 위한 포토에칭원판의 형성방법에 관한 것으로서, 특히, 리드프레임의 중앙에 위치하는 패드부위의 딤플을 형성할 때, 딤플이 과도하게 식각되는 것을 방지하기 위한 에칭저지용투광부로 인하여 형성된 감광막의 에칭저지부가 식각도중에 분리되어서 딤플에 이상식각이 발생되는 것을 방지하도록 하는 리드프레임 형성용 포토에칭 원판 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a photo-etching disc for forming a dimple, in particular, when forming a dimple of the pad portion located in the center of the lead frame, to prevent excessive etching of the dimple It relates to a lead-etching photo-etching disc structure for preventing the abnormal etching occurs in the dimple by the etching stop portion of the photosensitive film formed due to the negative portion.
일반적으로, 리드프레임(Lead Frame)은 트랜지스터나 IC의 팰릿조립에 사용되는 금속프레임을 지칭하는 것으로서, 금속박막을 적당한 패턴으로 포토에치 또는 금속 프레스가공한 것이다.In general, a lead frame refers to a metal frame used for pellet assembly of a transistor or an IC, and the metal thin film is photoetched or metal pressed in an appropriate pattern.
도 1(a) 내지 도 1(c)는 종래의 리드프레임부재를 에칭하는 공정을 순차적으 로 보인 도면으로서, 리드프레임을 형성하는 공정을 순차적으로 살펴 보도록 한다.1 (a) to 1 (c) sequentially illustrate a process of etching a conventional leadframe member. As shown in the drawings, the process of forming the lead frame will be described sequentially.
도 1(a)에 도시된 바와 같이, 일정한 폭과 연속적인 길이를 갖는 리드프레임부재(10)의 양측면에 감광막(Photo Resist)(15)을 적층하도록 한다.As shown in FIG. 1A, photoresist 15 is stacked on both sides of the lead frame member 10 having a constant width and a continuous length.
그리고, 도 1(b)에 도시된 바와 같이, 광을 차단시키는 포토에칭원판(20)을 감광막(15)의 상측면 및 저면에 접촉시킨 상태에서 광을 전체적인 면에 조사하여서 노광하도록 한다.As shown in FIG. 1B, the photo-etching original plate 20 that blocks light is irradiated on the entire surface of the photoetching film 20 in contact with the upper and lower surfaces of the photosensitive film 15 to expose the entire surface.
이와 같이 노광이 이루어지게 되면, 포토에칭원판(20)의 투광부(22)로는 광이 통과되어서 감광막(15)이 굳은부위(17)로 변화되어지게 되고, 차광부 (24)를 통하여서는 광이 통과되지 못하므로 감광막(15)이 변화가 이루어지지 않는 변화 없는 부위(18)로 그대로 남아 있게 된다.When exposure is made in this manner, light passes through the light-transmitting portion 22 of the photoetching original plate 20 so that the photosensitive film 15 is changed into a hardened portion 17, and the light is passed through the light-shielding portion 24. Since it is not passed through, the photoresist film 15 remains as the unchanged portion 18 where no change is made.
그리고, 도 1(c)에 도시된 바와 같이, 포토에칭원판(20)을 분리시킨 후에 원래 상태로 남아 있는 변화 없는 부위(18)의 감광막(15)을 현상액을 사용하여 제거하여서 감광막(15)에 개방부위(19)를 형성하도록 한다.As shown in FIG. 1C, the photosensitive film 15 of the unchanged portion 18 remaining in its original state after separation of the photoetching original plate 20 is removed using a developing solution, thereby removing the photosensitive film 15. To form an open portion 19.
도 1(d)에 도시된 바와 같이, 상기 감광막(15)의 개방부위(19)를 통하여 에칭액을 이용하여 부식 하여서 리드프레임부재(10)에 상,하로 관통되는 양면에칭부 혹은 상부만 일정 깊이로 식각되어지고, 주로 패드부위에 형성되어 반도체칩을 몰딩할 때, 밀착성을 좋게 하기 위한 딤플(13)등이 형성 되어진다.As shown in FIG. 1 (d), only a double-sided etching portion or upper portion penetrated up and down through the lead frame member 10 by corrosion using an etching solution through the open portion 19 of the photoresist film 15 has a predetermined depth. When the semiconductor chip is etched and formed mainly on the pad portion to mold the semiconductor chip, a dimple 13 or the like for improving adhesion is formed.
도 2는 리드프레임의 배면의 일반적인 포토에칭원판(20)을 보인 도면으로서, 빗금이 쳐져 있는 부위는 광이 통과하지 못하는 차광부(24)이고, 빗금이 쳐지지 않은 부위는 광이 통과되어지는 투광부(22)이다.2 is a view showing a general photo-etching disc 20 on the back of the lead frame, where the hatched portion is a light shielding portion 24 through which light does not pass, and the portion not shaded is the light passing through. Transmitting part 22.
그리고, 중심부분에는 패드를 형성하기 위한 패드형성부(27)가 형성되어지고 , 그 중심부분에는 반도체칩을 몰딩할 때, 밀착성을 좋게 하기 위하여 딤플 (Dimple) 형성용 차광부(28)가 형성되어진다.In addition, a pad forming portion 27 for forming a pad is formed in the central portion, and a light shielding portion 28 for forming dimples is formed in the central portion for improving adhesion when molding a semiconductor chip. It is done.
도 3은 패드를 갖는 리드프레임 구조로서, 패드(Pad)(14)에 딤플(13)이 형성되는 리드프레임(10a)에서 'C'부와 같이 빗금친 부분은 포토에칭원판(20)의 투광부(22)에 접하였던 부분으로서 감광막(15)의 굳은부위(17)에 의하여 에칭이 이루어지지 않은 부분이며, 'B'부와 같이 빗금이 쳐지지 않은 부위는 포토에칭원판의 차광부(24)에 접하였던 부분으로서 에칭액에 의하여 식각된 부위를 나타낸다.3 is a lead frame structure having pads. In the lead frame 10a in which the dimples 13 are formed on the pads 14, hatched portions such as the 'C' portions of the lead etched disc 20 are formed. The portion that is in contact with the light portion 22 is a portion that is not etched by the hardened portion 17 of the photosensitive film 15, and the portion that is not hatched, such as the 'B' portion, is a light blocking portion 24 of the photoetching disc. ) Shows a portion etched by the etchant as a portion that is in contact with
도 4(a)는 도 2의 'A'부를 확대한 도면으로서, 상기 포토에칭원판(20)의 패드형성부(27)를 확대하여 보인 도면으로서, 딤플이 형성될 부위에 레이저광을 차단하는 딤플형성용 차광부(28)를 형성하도록 하고, 광을 투광하는 투광부(22)를 형성하도록 한다. 그리고, 상기 딤플형성용 차광부(28)의 중심부분에는 에칭저지용 투광부(23)를 형성하도록 한다. 상기 에칭저지용 투광부(23)는 형성하지 않는 것이 일반적 이었으나 딤플이 형성되는 깊이를 조절하기 위하여 형성하는 방법이 제안되어지고 있다.FIG. 4A is an enlarged view of part 'A' of FIG. 2 and is an enlarged view of the pad forming part 27 of the photoetching disc 20. The laser beam is blocked at a portion where a dimple is to be formed. The dimple forming light blocking portion 28 is formed, and the light transmitting portion 22 for transmitting light is formed. In addition, an etching stopper light transmitting part 23 is formed at a central portion of the dimple forming light blocking part 28. In general, the etching preventing light transmitting part 23 is not formed, but a method of forming the light emitting part 23 to control the depth at which the dimple is formed has been proposed.
도 4(b)에 도시된 바와 같이, 상기 감광막(15)의 개방부위(19)를 통하여 리드프레임부재(10)가 식각되는 상태를 도시하고 있는 것으로서, 양면으로 에칭되는 양면에칭부위(D)가 형성되어질 때 까지 에칭을 진행하도록 한다.As shown in (b) of FIG. 4, the lead frame member 10 is etched through the open portion 19 of the photosensitive film 15, and the double-sided etching portion D is etched on both sides. The etching is allowed to proceed until is formed.
그리고, 도 4(C)에 도시된 바와 같이, 도 4(b)의 상태로 에칭을 진행한 상태에서 리드프레임부재(10)에 딤플(13) 및 양면에칭부(D)가 형성된 상태를 나타내고 있다.As shown in FIG. 4C, the dimple 13 and the double-sided etching part D are formed in the lead frame member 10 while the etching is performed in the state of FIG. 4B. have.
그런데, 상기한 바와 같이, 리드프레임부재(10)에 딤플(13)을 형성하기 위하여 개방부위(19)를 통하여 에칭용액이 침투하여 식각이 이루어지는 경우, 딤플 (13)의 식각 깊이를 조절할 목적으로 형성한 에칭저지부(16)가 에칭 초기 단계에서 쉽게 리드프레임부재(10)에서 이탈되므로 딤플(13)의 식각 깊이를 조절하는 역할을 수행하지 못하는 문제점을 지닌다.However, as described above, in order to form the dimple 13 in the lead frame member 10, when the etching solution penetrates through the open portion 19 and the etching is performed, for the purpose of adjusting the etching depth of the dimple 13. Since the formed etching stopper 16 is easily detached from the lead frame member 10 in the initial stage of etching, there is a problem in that it does not serve to control the etching depth of the dimple 13.
본 고안은 이러한 점을 감안하여 안출한 것으로서, 리드프레임의 중앙에 위치하는 패드부위의 딤플을 형성할 때, 딤플이 과도하게 식각되는 것을 방지하기 위한 에칭저지용투광부로 인하여 형성된 감광막의 에칭저지부가 식각도중에 분리되어서 딤플에 이상식각이 발생되는 것을 방지하는 것이 목적이다.The present invention has been devised in view of this point, and when forming the dimple of the pad portion located in the center of the lead frame, the etching stop portion of the photosensitive film formed by the etch stop portion for preventing the dimple is excessively etched The purpose is to prevent abnormal etching in the dimple by being separated during etching.
도 1(a) 내지 도 1(d)는 종래의 리드프레임부재를 에칭하는 공정을 순차적으로 보인 도면이고,1 (a) to 1 (d) are views sequentially showing a process of etching a conventional lead frame member,
도 2는 종래의 포토에칭원판을 보인 도면이고,2 is a view showing a conventional photoetching disc,
도 3은 종래의 에칭이 이루어진 후의 리드프레임의 구성을 보인 도면이고,3 is a view showing the configuration of a lead frame after the conventional etching,
도 4(a)는 도 2의 'A'부를 확대하여 보인 도면이고,FIG. 4A is an enlarged view of part 'A' of FIG. 2,
도 4(b)는 도 4(a)에 의한 리드프레임의 부식 상태를 보인 도면이고,Figure 4 (b) is a view showing a corrosion state of the lead frame according to Figure 4 (a),
도 4(c)는 도 4(a)에 의한 부식으로 인하여 딤플이 형성된 상태를 보인 도면이고,4 (c) is a view showing a state in which dimples are formed due to corrosion by FIG. 4 (a),
도 5는 본 고안에 따른 포토에칭원판을 보인 도면이고,5 is a view showing a photo etching disc according to the present invention,
도 6(a)은 도 5의 'E'부를 확대하여 보인 도면이고,FIG. 6A is an enlarged view of the 'E' part of FIG. 5,
도 6(b)는 도 6(a)의 본 고안에 따른 포토에칭원판을 사용하여 감광막을 노광하는 상태를 보인 도면이고FIG. 6 (b) is a view showing a state in which a photosensitive film is exposed using the photoetching disc according to the present invention of FIG.
도 6(c)는 본 고안의 포토에칭원판을 이용하여 노광된 후, 감광막을 에칭한 상태를 보인 도면이다.6 (c) is a view showing a state where the photosensitive film is etched after exposure using the photoetching disc of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *
10 : 리드프레임부재 15 : 감광막10: lead frame member 15: photosensitive film
17 ; 굳은부위 18 : 변화 없는 부위17; Hardened area 18: unchanged area
19 : 개방부위 120 : 포토에칭원판19: open part 120: photo etching disc
122 : 차광부 124 : 투광부122: light shielding portion 124: light transmitting portion
126 : 리드형성부 127 : 패드형성부126: lead forming portion 127: pad forming portion
128 : 딤플형성용 투광부128: dimple-forming light emitting part
이러한 목적은 다수의 딤플형성용 차광부를 포함하는 투광부로 구성된 패드형성부와, 상기 패드형성부 주위에 방사상으로 전개되어진 차광부 및 투광부를 갖는 리드형성부로 구성된 포토에칭원판에 있어서, 상기 딤플형성용 차광부의 중심부위에 형성된 에칭저지용투광부에 상기 투광부에 연결 되어 상기 에칭저지용투광부를 지지하는 연결용투광부를 형성하는 리드프레임 형성용 포토에칭 원판 구조를 제공함으로써 달성된다.The purpose of the dimple forming in the photo-etching disc comprising a pad forming portion consisting of a light-transmitting portion including a plurality of dimple forming light-shielding portions, and a lead forming portion having a light-shielding portion and a light-transmitting portion radially developed around the pad forming portion. It is achieved by providing a photo-etching disc structure for lead frame forming which is connected to the light transmitting portion formed on the center of the light shielding portion to form a connection light transmitting portion that supports the light emitting portion for etching inhibiting.
이하, 첨부도면에 의거하여 본 고안의 구성을 상세하게 살펴 보도록 한다.Hereinafter, on the basis of the accompanying drawings to look in detail the configuration of the subject innovation.
도 5 및 도 6(a)에 도시된 바와 같이, 다수의 딤플형성용 차광부(128)를 포함하는 투광부(124)로 구성된 패드형성부(127)와; 상기 패드형성부(127)주위에 방사상으로 전개되어진 차광부(122) 및 투광부(124)를 갖는 리드형성부(126)로 구성된 포토에칭원판(120)에 있어서, 상기 딤플형성용 차광부(128)의 중심부위에 형성된 에칭저지용투광부(123)에 상기 투광부(124)에 연결되어 상기 에칭저지용투광부 (130)를 지지하는 연결용투광부(130)를 형성하여 이루어진다.5 and 6 (a), a pad forming part 127 including a light transmitting part 124 including a plurality of dimple forming light blocking parts 128; In the photo-etching original plate 120 including the light-shielding portion 122 and the lead-forming portion 126 having the light-transmitting portion 124 radially developed around the pad-forming portion 127, the light-shielding portion for forming dimples ( It is made by forming a connecting light transmitting portion 130 connected to the light transmitting portion 124 to the etching blocking light transmitting portion 123 formed on the central portion of the 128 to support the light emitting portion 130 for etching blocking.
그리고, 상기 에칭저지용투광부(123)에 연결되는 연결용투광부(130)는, 180도 방향으로 두개가 형성되는 상태를 보이고 있으나, 필요하다면, 90도 각도로 네개를 형성하는 것과 같이 갯수를 증감하는 것이 가능하다.In addition, although two connection projection parts 130 connected to the etching preventing projection part 123 are shown in a state in which two are formed in a 180 degree direction, if necessary, increase or decrease the number, such as forming four at a 90 degree angle. It is possible to do
이와 같이 구성된 포토에칭원판(120)을 가지고서 리드프레임(10)을 에칭하는 상태를 도 6(b)를 참조하여 살펴보면, 상기 리드프레임부재(10)의 상부면에 감광막 (15)을 적층한 후에 본 고안에 따른 연결용투광부(130)를 갖는 포토에칭원판(120)을 적층하도록 한다.Referring to FIG. 6 (b), a state in which the lead frame 10 is etched using the photoetching disc 120 configured as described above is obtained by laminating the photosensitive film 15 on the upper surface of the lead frame member 10. The photoetching original plate 120 having the connection light transmitting unit 130 according to the present invention is to be laminated.
그리고, 광을 투과하게 되면, 차단부(128)에 의하여 광이 차단부분의 감광막 (15)은 변화하지 않은 상태로 있으며, 상기 투광부(124), 에칭저지용투광부(123) 및 연결용투광부(130)로는 레이저광이 투과되어서 감광막(15)이 굳어지게 된다.When the light is transmitted, the photosensitive film 15 of the light blocking portion is not changed by the blocking portion 128, and the light transmitting portion 124, the etching preventing light transmitting portion 123, and the connecting light transmitting portion The laser beam is transmitted to the 130 to harden the photosensitive film 15.
이러한 상태에서 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 포토에칭원판(120)을 분리시킨 후에 감광막(15)이 변화하지 않은 부분을 소정의 현상용액으로 제거하게 되면, 리드프레임부재(10) 상에 개방부위(19)를 갖는 감광막(15)이 잔류되어진다.In this state, as shown in FIG. 6 (c), when the photo-etching disc 120 is separated and the portion where the photosensitive film 15 is not changed is removed with a predetermined developing solution, the lead frame member 10 may be disposed on the lead frame member 10. The photosensitive film 15 having the open portion 19 is left.
그리고 계속하여 에칭용액을 사용하여 개방부위(19)를 통하여 에칭공정을 진 행하여 리드프레임부재(10)에 딤플(13)을 형성하도록 한다.Subsequently, the etching process is continued through the open portion 19 using the etching solution. To form a dimple 13 in the lead frame member 10.
이 때, 상기 종래의 딤플(13)을 형성하기 위하여 리드프레임부재(10)를 식각하면서 에칭저지부(16)가 쉽게 분리되어서 이탈될 수 있으나 포토에칭원판(120)의 투광부(124)에 연결되어진 연결용투광부(130)에 의하여 감광막(15)에 형성된 에칭저지부연결부(16a)에 의하여 에칭저지부(16)의 이탈이 방지 되어지게 된다.At this time, while etching the lead frame member 10 to form the conventional dimple 13, the etching stop portion 16 can be easily separated and separated, but the light-transmitting portion 124 of the photoetching disc 120 The separation of the etching stopper 16 is prevented by the etching stopper connection part 16a formed on the photosensitive film 15 by the connection transmitting part 130 connected.
따라서, 본 고안에 따른 리드프레임 형성용 포토에칭 원판 구조를 이용하게 되면, 리드프레임의 중앙에 위치하는 패드부위의 딤플을 형성할 때, 딤플이 과도하게 식각되는 것을 방지하기 위한 에칭저지용투광부로 인하여 형성된 감광막의 에칭저지부가 식각도중에 분리되어서 딤플에 이상 식각이 발생되는 것을 방지하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 고안이다.Therefore, when using the photo-etching disc structure for forming the lead frame according to the present invention, when forming a dimple of the pad portion located in the center of the lead frame, the dimple is a light emitting part for preventing the etching to prevent excessive etching Due to the etching stop of the photosensitive film formed during the etching is very useful and effective to prevent the abnormal etching occurs in the dimple.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020000011119U KR200200909Y1 (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Photo Etching Plate Structure For Forming The Lead Frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020000011119U KR200200909Y1 (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Photo Etching Plate Structure For Forming The Lead Frame |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR200200909Y1 true KR200200909Y1 (en) | 2000-10-16 |
Family
ID=19652637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2020000011119U KR200200909Y1 (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Photo Etching Plate Structure For Forming The Lead Frame |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR200200909Y1 (en) |
-
2000
- 2000-04-19 KR KR2020000011119U patent/KR200200909Y1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05144823A (en) | High density bump forming method | |
KR200200909Y1 (en) | Photo Etching Plate Structure For Forming The Lead Frame | |
JP3430290B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US4581316A (en) | Method of forming resist patterns in negative photoresist layer using false pattern | |
KR0121882Y1 (en) | Photoetching disk for a lead frame manufacturing | |
KR0135695B1 (en) | Semiconductor device | |
KR100290588B1 (en) | Method for forming conductive film pattern in semiconductor device | |
KR20060086611A (en) | Method for forming fine patterns of semiconductor device | |
KR960002693Y1 (en) | Photo etching mask | |
KR100866681B1 (en) | Method for forming pattern of semiconductor device | |
KR101004513B1 (en) | A method for forming a contact hole of a semiconductor device | |
US7964325B2 (en) | Mask and method for forming a semiconductor device using the same | |
JPH0548928B2 (en) | ||
KR100326430B1 (en) | Method for forming photo resist in semiconductor device | |
KR100269235B1 (en) | Method of lead frame | |
KR100520156B1 (en) | Method for forming mask | |
KR20030092569A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
KR100480811B1 (en) | Exposure Mask and Exposure Method Using the Mask | |
KR100802296B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
KR100239436B1 (en) | Semiconductor manufacturing method | |
KR0137610B1 (en) | Method for forming a pattern for alignment measurement | |
KR100944330B1 (en) | Method for manufacturing a pattern of semiconductor device | |
JP4679115B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
KR0171168B1 (en) | Exposure mask | |
JPH06283416A (en) | Production of semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
REGI | Registration of establishment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20010728 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |