KR960002657A - 실리사이드막 형성방법 - Google Patents
실리사이드막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960002657A KR960002657A KR1019940012748A KR19940012748A KR960002657A KR 960002657 A KR960002657 A KR 960002657A KR 1019940012748 A KR1019940012748 A KR 1019940012748A KR 19940012748 A KR19940012748 A KR 19940012748A KR 960002657 A KR960002657 A KR 960002657A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- film
- silicide film
- metal
- silicide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
반도체 제조공정 중 실리사이드막 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 절연막을 형성한 다음 상기 절연막을 선택식각하여 금속 콘택부위를 오픈하는 단계; 전체 구조 상부에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막에 실리콘 이온을 주입하는 단계; 열공정을 통하여 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리사이드막 형성방법에 관한 것으로, 균일한 실리사이드막 경계조건을 얻을 수 있는 누설전류 증가로 인한 반도체 소자의 열화를 감소시켜 수율 및 성능을 향상시키는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 방법에 따라 실리사이드막이 형성되는 과정을 나타낸 공정 단면도,
제2도는 본 발명의 일실시예에 따라 실리사이드막이 형성되는 과정을 나타낸 공정 단면도.
Claims (1)
- 반도체 제조공정 중 실리사이드막 형성방법에 있어서, 실리콘기판(10)상에 절연막(20)을 형성한 다음 상기 절연막(20)을 선택식각하여 금속 콘택부위를 오픈하는 단계; 전체 구조 상부에 금속막(30)을 형성하는 단계; 상기 금속막(30)에 금속막(30)을 이루는 원자와 1 내지 1.5배가 되도록 실리콘 이온을 주입하는 단계; 열공정을 통하여 실리사이드막(40)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리사이드막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012748A KR960002657A (ko) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 실리사이드막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012748A KR960002657A (ko) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 실리사이드막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002657A true KR960002657A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940012748A KR960002657A (ko) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 실리사이드막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002657A (ko) |
-
1994
- 1994-06-07 KR KR1019940012748A patent/KR960002657A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960002657A (ko) | 실리사이드막 형성방법 | |
| KR980006032A (ko) | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 | |
| KR960002580A (ko) | 금속배선 형성 방법 | |
| KR970054438A (ko) | 경사진 게이트 산화막을 갖는 전력용 모스 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR960026179A (ko) | 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 | |
| KR960043203A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960015733A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법 및 그 구조 | |
| KR960036142A (ko) | 박막트랜지스터 구조 및 제조방법 | |
| KR960002714A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR970003479A (ko) | 반도체 장치의 매복접촉 형성방법 | |
| KR970052785A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR910005441A (ko) | 실리사이드를 사용한 매설 접촉 형성방법 | |
| KR980005471A (ko) | 자연 산화막을 제거한 전극의 제조 공정 | |
| KR970024271A (ko) | 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 | |
| KR970053871A (ko) | 온도 특성을 향상하는 반도체 장치의 저항 제조 방법 | |
| KR910013508A (ko) | 텅스텐 실리사이드를 이용한 접속영역 형성방법 | |
| KR970054050A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960017940A (ko) | 폴리실리콘 전도막 형성 방법 | |
| KR950034526A (ko) | 고부하저항 제조방법 | |
| KR890001170A (ko) | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법 | |
| KR970023808A (ko) | 포토레지스터 에치 백 스텝의 안정화 방법 | |
| KR960039214A (ko) | 모스 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960039420A (ko) | 3극 필드 에미터 제조방법 | |
| KR950024332A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR960026165A (ko) | 반도체 소자 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |