KR970024271A - 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970024271A KR970024271A KR1019950037203A KR19950037203A KR970024271A KR 970024271 A KR970024271 A KR 970024271A KR 1019950037203 A KR1019950037203 A KR 1019950037203A KR 19950037203 A KR19950037203 A KR 19950037203A KR 970024271 A KR970024271 A KR 970024271A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- metal
- salicide
- semiconductor substrate
- film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
반도체장치의 금속 샐리사이드를 형성하는 방법이 개시되어 있다.
본 발명의 방법은 반도체기판상에 한 물질층으로 된 게이트패턴을 식각 마스크로 폴리실리콘 게이트를 형성시킨 후 게이트에 스페이서 절연막을 형성하는 공정, 스페이서 절연막이 형성된 후 반도체기판의 노출된 실리콘막질에 산화막을 성장시키는 공정, 실리콘 산화막을 보호막으로 반도체기판상에서 상기 물질층 게이트패턴을 식각하여 제거하는 공정, 실리콘이 노출된 부분을 포함하는 반도체기판 상면에 금속막을 형성하여 실리콘과 금속의 샐리사이드를 형성시키는 공정 및 샐리사이드 형성 후 잔존하는 금속을 제거하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서, 게이트패턴과 같은 선폭의 금속 샐리사이드막을 형성할 수 있고 종래 기술에서 선폭보다 넓은 선폭의 샐리사이드가 형성되어 누설전류가 생기는 문제점을 제거하는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 6 도는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 샐리사이드 형성공정을 나타내는 단면도이다.
Claims (5)
- 반도체기판상에 한 물질층으로 된 게이트패턴을 식각마스크로 폴리실리콘 게이트를 형성시킨 후 상기 게이트에 스페이서 절연막을 형성하는 공정, 상기 스페이서 절연막이 형성된 후 반도체기판의 노출된 실리콘에 산화막을 성장시키는 공정; 실리콘 산화막을 보호막으로 반도체기판상에서 상기 물질층을 식각하여 제거하는 공정; 상기 물질층이 제거된 반도체기판 상면에 금속막을 형성하여 실리콘과 금속의 샐리사이드를 형성시키는 공정; 및 상기 샐리사이드 형성 후 잔존하는 금속을 제거하는 공정; 을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 샐리사이드 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 물질층은 실리콘 나이트라이드임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속이 티타늄인 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질층이 제거된 후 반도체기판에 상기 금속막을 형성하기 전에 반도체기판에서 상기 산화막을 제거하는 공정을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법.
- 제 4 항에 있어서 상기 게이트를 형성하는 공정에서 상기 물질층과 상기 폴리실리콘층 사이에 실리콘 산화막을 개입시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950037203A KR970024271A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950037203A KR970024271A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970024271A true KR970024271A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950037203A KR970024271A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970024271A (ko) |
-
1995
- 1995-10-25 KR KR1019950037203A patent/KR970024271A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970024271A (ko) | 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 | |
KR970054242A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
KR950021201A (ko) | 반도체 소자의 스페이서 형성방법 | |
KR970023737A (ko) | 반도체장치의 금속배선 형성방법 | |
KR920010827A (ko) | 반도체 장치의 소자격리 방법 | |
KR950021389A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성 방법 | |
KR960026174A (ko) | 반도체 메모리장치의 매몰접촉창 형성방법 | |
KR970051889A (ko) | 반도체 소자의 자기 정렬 마스크 형성방법 | |
KR970003937A (ko) | 금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 | |
KR960039420A (ko) | 3극 필드 에미터 제조방법 | |
KR970052785A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR970054433A (ko) | 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR960036142A (ko) | 박막트랜지스터 구조 및 제조방법 | |
KR970023736A (ko) | 반도체장치의 콘택부 형성방법 | |
KR950001908A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR960039214A (ko) | 모스 트랜지스터 제조 방법 | |
KR980003891A (ko) | 노광용 정렬 키 제조방법 | |
KR970053419A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR960019518A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 및 그의 형성방법 | |
KR970018072A (ko) | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR930020716A (ko) | Itldd 구조의 반도체장치의 제조방법 | |
KR960026610A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
KR970077456A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR960026568A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |