KR960002487B1 - 자기저항 소자의 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

자기저항 소자의 제조방법

제1a~e도는 종래 기술에 따른 자기저항 소자의 제조 공정도.

제2a~c도는 본 발명에 따른 자기저항 소자의 제조공정도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 자성막

3,6,8 : 감광막 4,7,7A,9 : 창

5 : 전기도금층 10 : 전기도금층

PR₁,PR₂: 감광막

본 발명은 자기저항 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 자기저항 소자의 전극부를 위한 1개의 감광막창을 이용하여 서로 다른 2층의 전기도금층을 형성함으로써 복잡한 사진 공정의 회수를 줄여 공정을 단순화시키는 자기저항 소자의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 자기저항 소자는 자계의 변화에 따라 저항값이 가변되는 소자로서, 좀더 상세히 언급하면 자화각도에 따라 변화하는 저항값을 이용하는 소자라 할 수 있다.

상기 자기저항 소자의 대표적인 재료로는 NiCo, NiFe등을 들 수 있으며 모타의 회전속도를 검출하는데 주로 사용되고 있다.

즉, 모타에 설치되어 있는 마그네틱의 회전에 따라 자계가 변화하여 저항값이 가변되고, 저항값의 변화에 따라 출력 AC 전압 파형의 주기 및 위상으로 부터 모타의 회전속도를 검출하는 경우에 주로 사용된다.

이러한 자기저항 소자는 하나의 자기저항 칩과 상기 칩을 고정하는 홀더로 구성된다. 그리고 상기 자기저항 소자는 모타에 조립될때 모타의 FG(frequency generator) 자석면과 상기 자기저항 소자의 표면 사이의 간격이 통상 40~300㎛로 조립되면 상기 자기저항 소자의 출력은 최대값을 갖게 된다.

한편, 종래의 자기저항 소자는 제1a도에 도시한 바와같이 유리 기판 또는 실리콘 기판의 기판(1) 표면상에 NiCo 또는 NiFe의 자성막(2)이 형성된다. 이때 상기 자성막(2)은 200~400℃의 온도에서 진공증착되거나 통상의 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성된다.

이후 통상의 사진 공정에 의해 상기 자성막(2)의 상부에 감광막(3)이 도포되고 이어서 전극부를 위한 영역의 감광막(3)이 제거되어 창(4)이 형성된다.

그리고 제1b도에 도시한 바와같이, 통상의 전기도금공정에 의하여 1~3㎛두께로 전기도금되는 Ni 또는 Cu의 전기도금층(5)이 상기 창(4)을 통하여 자성막(2)의 상부에 형성된다.

이어서, 제1c도에 도시한 바와같이, 상기 감광막(3)이 제거되고, 사진공정에 의해 다른 감광막(6)이 전기 도금층(5)의 전극부와 자성막(2)이 형성된 기판의 전면에 도포된후 자기저항 소자의패턴을 위해 감광막(6)의 창(7),(7A)이 형성되고 이창(7)(7A)를 통하여 상기 자성막(2)이 식각된다.

계속하여 제1d도에 도시한 바와같이, 상기 감광막(6)이 제거되고 사진공정에 의해 또다른 감광막(8)이 전기도금층(5)의 전극부와 자성막(2)이 형성된 기판의 전면에 도포된 후 상기 전기 도금층(5)의 상부에 감광막(8)의 창(9)이 형성된다.

그리고, 제1e도에 도시한 바와같이, 통상의 도금공정에 의해 SuPb층(10)이 상기 창(9)을 통하여 전기 도금층(5)의 상부에 형성된다.

이후 상기 감광막(8)이 제거된다.

따라서, 종래에는 자기저항 소자를 형성하기 위하여 3번의 사진 식각 공정을 실시하게 되어 제조공정이 복잡하고 제조원가가 높게 되는 문제점을 갖고 있었다. 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 사진식각 공정의 회수를 줄여 자기저항 소자의 제조공정을 단순화하고자 하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 상기 한 목적을 달성하기 위하여 기판의 표면상에 형성된 자기저항 소자의 자성막을 자기저항 소자의 패턴으로 형성하는 단계와, 정해진 상기 자성막 패턴의 상부에 전극부를 위한 제1,2 전기도금층을 1개의 감광막을 이용하여 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

즉, 본 발명은 기판의 표면에 자기저항 소자 패턴을 갖는 자성막과, 상기 자성막 상에 제1전극층과 제2전극층이 순차적으로 형성하는 자기저항 소자의 제조방법에 있어서, 상기 기판(1)의 표면상에 통상의 진공층착 또는 스퍼터링에 의해 자기저항 소자의 자성막을 증착시킨 후, 통상의 사진식각에 의해 먼저 자기저항 소자의 패턴을 형성시키는 단계 ; 상기 자성막 패턴이 형성된 기판의 전면에 감광막을 도포한 다음 통상의 사진 식각에 의해 전극부를 위한 감광막창을 마련하고, 상기 창에 통상의 전기도금으로 제1도금층을 형성시키는 단계 ; 및 상기 감광막창을 그대로 이용하여 제1도금층상에 통상의 전기도금으로 제2도금층을 형성시키는 단계를 포함하는 자기저항 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이하, 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 제2a도를 참조하면, 유리기판 또는 실리콘 기판의 기판(1) 표면상에 전기도금에 의해 NiCo 또는 NiFe의 자성막(2)을 형성한다.

이후 통상의 사진 공정에 의해 상기 자성막(2)의 상부에 감광막(PR₁)을 도포하고 이어서 자기저항 소자의 패턴을 위해 상기 감광막(PR₁)의 창(7),(7A)을 형성한다. 그리고, 상기 감광막(PR₁)을 식각용 마스크로 하여 상기 창(7),(7A) 영역의 노출된 상기 자성막(2)을 식각한다.

제2b도를 참조하면, 상기 감광막(PR₁)을 제거하고 사진 공정에 의해 감광막(PR₂)을 자기저항 소자의 패턴을 갖는 자성막(2)이 형성된 기판의 전면에 도포한 후 전극부를 위한 영역의 감광막(PR₂)이 제거된 창(4)을 형성한다.

제2c도를 참조하면, 통상의 전기도금 공정에 의하여 1~3㎛ 두께로 되는 Ni 또는 Cu의 전기도금층(5)을 상기 창(4)이 형성된 영역의 자성막(2) 표면상에 형성한다. 이후 SnPb의 전기도금층(10)을 상기 창(4)이 형성된 영역의 전기도금층(5) 표면상에 형성한다. 이어서 상기 감광막(PR₂)을 제거한다.

따라서, 본 발명은 자기저항 소자의 전극부를 위한 1개의 감광막 창을 이용하여 서로 다른 2층의 전기도금층을 형성함으로써 복잡한 사진 공정의 회수를 3회에서 2회로 줄여 제조공정의 단순화를 이룩할 수 있고 이에 따라 제조원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 기판의 표면에 자기저항 소자 패턴을 갖는 자성막과, 상기 자성막상에 제1전극층과 제2전극층이 순차적으로 형성되는 자기저항소자의 제조방법에 있어서, 상기 기판(1)의 표면상에 통상의 진공증착 또는 스퍼터링에 의해 자기저항소자의 자성막(2)을 증착시킨 후 통상의 사진식각에 의해 먼저 자기 저항 소자의 패턴을 형성시키는 단계 ; 상기 자성막 패턴이 형성된 기판의 전면에 감광막(PR₂)을 도포한 다음 통상의 사진식각에 의해 전극부를 위한 감광막창(4)을 마련하고, 상기 창(4)에 통상의 전기도금으로 제1도금층(5)을 형성시키는 단계; 및 상기 감광막창(4)을 그대로 이용하여 제1도금층(5)상에 통상의 전기도금으로 제2도금층(6)을 형성시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 자기저항 소자의 제조방법.