JPH04256393A - 混成集積回路基板の製造方法 - Google Patents

混成集積回路基板の製造方法

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Publication number
JPH04256393A
JPH04256393A JP1765491A JP1765491A JPH04256393A JP H04256393 A JPH04256393 A JP H04256393A JP 1765491 A JP1765491 A JP 1765491A JP 1765491 A JP1765491 A JP 1765491A JP H04256393 A JPH04256393 A JP H04256393A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
exposed
patterning
plating
circuit board
Prior art date
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Pending
Application number
JP1765491A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisaitsu Sekiyama
関山 寿逸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜の導体パターン形成
方法を改良した混成集積回路基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の薄膜の導体パターン形成方法を図
5の導体パターン形成の完成図を参照して説明する。ま
ず、基板のアルミナセラミックに金属膜2を付着後、1
回のフォトレジスト3の塗布を行ない、乾燥後にパター
ン化されたフォトマスクでフォトレジスト処理を施し、
部分めっき7及びフォトレジスト除去後めっき7以外の
金属膜をエッチングし導体パターンを形成していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の導体パ
ターン形成方法は、図5に示すように、基板面に金属被
膜付着させた後にフォトレジスト1〜2ミクロン厚で塗
布し、フォトマスクにより露光,現像と導体パターン化
し、そのパターン部に4〜5ミクロンのめっきを施して
いる。その後にフォトレジスト除去及びめっきをレジス
ト替りに下地の金属被膜を除去し、導体パターンを形成
するが、導体めっき厚がフォトレジスト厚み以上必要の
ために、めっきが2ミクロンを越えると、パターン以外
の部分にもめっきが広がって導体パターン精度にバラツ
キが生じる欠点がある。この導体精度のバラツキは電気
特性上悪影響がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の混成集積回路基
板の製造方法は基板面に金属被膜を付着後、ポジ型フォ
トレジストを塗布,乾燥し前記フォトレジスト全面に露
光を施す第1の工程と、前記露光したフォトレジスト面
にフォトレジスト塗布しパターン化されたフォトマスク
で被覆した後に露光し、現像する第2の工程と、パター
ン部を電気めっき法で部分めっきする第3の工程と、フ
ォトレジストを除去後前記部分めっき部以外の金属被膜
をエッチングする第4の工程とを有する。
【0005】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1〜図4は本発明の一実施例の各製造工程における
導体パターンの断面図である。図1(a)は基板である
アルミナセラミック1にスパッタ及び蒸着で金属被膜2
を付着したものである。図1(b)は一方面にポジ型フ
ォトレジスト3を2ミクロン塗布し、紫外光6で全面露
光したものである。図2(a)は露光したフォトレジス
ト3の面に、さらにフォトレジスト4を2ミクロン厚に
塗布し、導体パターン化されたフォトマスク5でマスク
アライニングし露光したものである。図2(b)は上部
フォトレジスト4及びフォトレジスト5がパターン部の
み現像されたものである。図3(a)はパターン化され
た部分が下地金属2で導通されていて、電気めっきによ
りパターン部にパターンレジスト厚を超えることなく4
ミクロンのめっき7を施した状態である。図3(b)は
めっき7後に、フォトレジスト3,4を除去したのもで
ある。図4はめっき7をレジスト替りにし被金属2をエ
ッチングし精度のよい導体パターンを形成した完成図で
ある。
【0006】
【発明の効果】以上説明したように本発明は導体パター
ン形成のフォトレジスト処理時にフォトレジストを塗布
して、露光した後に、再度フォトレジストを塗布し、パ
タニングすることで厚みのあるフォトレジストパタニン
グが可能となりフォトレジスト厚を超える横へのメッキ
のひろがりを防止でき、導体パターン精度が良くして電
気特性の向上をはかることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の第1の工程の断面図である
【図2】本実施例の第2の工程の断面図である。
【図3】本実施例の第3の工程の断面図である。
【図4】本実施例の第4の工程を完了した完成図である
【図5】従来の混成集積回路基板の製造方法である。
【符号の説明】
1    アルミナセラミック 2    金属被膜 3,4    フォトレジスト 7    めっき

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  基板面に金属被膜を付着後、ポジ型フ
    ォトレジストを塗布,乾燥し前記フォトレジスト全面に
    露光を施す第1の工程と、前記露光したフォトレジスト
    面にフォトレジスト塗布しパターン化されたフォトマス
    クで被覆した後に露光し、現像する第2の工程と、パタ
    ーン部を電気めっき法で部分めっきする第3の工程と、
    フォトレジストを除去後前記部分めっき部以外の金属被
    膜をエッチングする第4の工程とを有することを特徴と
    する混成集積回路基板の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003028970A1 (fr) * 2001-09-28 2003-04-10 Kuraray Co., Ltd. Procede de production d'un produit moule en resine

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WO2003028970A1 (fr) * 2001-09-28 2003-04-10 Kuraray Co., Ltd. Procede de production d'un produit moule en resine

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