KR950034865A - 주입형 발광 다이오드 어레이 및 그 제조방법 - Google Patents

주입형 발광 다이오드 어레이 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

LED 어레이의 제조방법은 기판상에 도전층, 제1캐리어 한정층, 활성층, 제2캐리어 한정층, 및 도전캡을 에피택셜 성장하는 스텝과, 상기 도전캡을 선택적으로 에칭하여 행과 열에어리어를 한정하는 노출된 표면 에어리어에 행렬로 놓여진 다이오드의 매트릭스를 설치하는 스텝과, 열에어리어에 제1 불순물을 주입하여 제2캐리어 한정층, 활성층, 및 제1캐리어 한정층을 형성하고 표면 접촉부를 각 다이오드에 설치하는 스텝과, 제2불순물을 제2캐리어 한정층과 활성층을 통해 행과 열 에어리어에 주입하여 각 다이오드 주위에 분리 저항 체적을 형성하는 스텝과, 제3불순물을 제2캐리어 한정층, 활성층, 제1캐리어 한정층을 통해 행에어리어에 주입하여 다이오드의 각행 사이에서 분리 저항 체적을 형성하는 스텝을 포함한다.

Description

주입형 발광 다이오드 어레이 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 주입형 발광 다이오드 어레이의 순차 제조 스텝을 설명하기 위한 개략 단면도, 제6도는 완성 주입형 발광 다이오드 어레이의 평면도.

Claims (5)

  1. 주입형 발광 다이오드 어레이의 제조 방법에 있어서, 비도전성 물질의 기판에 주요 표면을 설치하는 스텝과, 상기 기판의 주요 표면상에 도전성 물질층을 형성하는 스텝과, 상기 도전성 물질층상에 제1캐리어 한정층을 형성하는 스텝과, 상기 제1캐리어 한정층상에 활성층을 형성하는 스텝과, 상기 활성층상에 제2캐리어 한정층을 형성하는 스텝과, 상기 제2캐리어 한정층상에 도전성 캡층을 형성하여 노출된 행에어리어와 노출된 열에어리어를 한정하는 상기 제2캐리어 한정층의 노출된 표면 에어리어에 행과 열 사이에 위치한 상기 도전성 캡층이 도포된 다이오드 발광 에어리어의 매트릭스를 설치하는 스텝과, 상기 노출된 행에어리어의 복수 위치에 제1불순물을 주입하여 활성층, 상기 제2캐리어 한정층, 및 적어도 부분적으로 상기 제1캐리어 한정층을 통해 복수의 수직 도체를 형성하고, 행표면 접축부를 상기 매트릭스의 다이오드에 설치하는 스텝과, 상기 제2캐리어 한정층과 상기 활성층을 통해 노출된 행에어리어 및 열에어리어에 제2불순물을 주입하여 다이오드 발광 에어리어 주위에 분리 저항성 체적을 형성하는 단계에서, 다이오드 주위의 상기 분리 저항성 체적이 상기 활성층 및 상기 제1캐리어 한정층과 상기 수직 도체를 분할 하도록 추가로 놓여지며, 상기 제2캐리어 한정층, 상기 활성층, 상기 제1캐리어 한정층, 및 기판내를 통해 상기 노출된 행에어리어에 제3불순물을 주입하여 각 열의 다이오드 발광 에어리어 사이에 분리 저항성 체적을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주입형 발광 다이오드 어레이의 제조방법.
  2. 주입형 발광 다이오드 어레이의 제조 방법에 있어서, 기판에 주요 표면을 설치하는 스텝과, 다수의 물질층을 상기 기판의 주요 표면에 의해 지지되는 도전성 물질층과, 상기 도전성 물질층상에 있는 제1캐리어 한정층과, 상기 제1캐리어 한정층상에 있는 활성층과, 상기 활성층상에 있는 제2캐리어 한정층을 포함하는 상기 기판상에 형성하는 스텝과, 상기 다수의 물질층에 불순물들을 주입하여 상기 다수의 물질층을 행과 열의 매트릭스에 위치한 다수의 분리된 발광 다이오드를 분할이고, 복수의 수직 도체를 형성하여, 표면 접촉부를 상기 매트릭스의 다이오드에 설치하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 주입형 발광 다이오드 어레이의 제조방법.
  3. 주입형 발광 다이오드 어레이의 제조 방법에 있어서, 비도전성 물질의 기판에 주요 표면을 설치하는 스텝과, 상기 기판의 주요 표면상에는 도전성 물질층을, 상기 도전성 물질층상에는 제1캐리어 한정층을 상기 제1캐리어 한정층상에는 활성층을, 상기 활성층상에는 제2캐리어 한정층을 에피택셜 성장하는 스텝과, 행 에어리어 및 열에어리어를 행과 열 사이에 위치한 다이오드 발광 에어리어의 매트릭스로 한정하는 스텝과, 상기 행에어리어의 복수 위치에 제1불순물을 주입하여 활성층, 상기 제2캐리어 한정층, 및 적어도 부분적으로 상기 제1캐리어 한정층을 통해 복수의 수직 도체를 형성하고, 행표면 접촉부를 상기 매트릭스의 다이오드에 설치하는 스텝과, 상기 제2캐리어 한정층과 상기 활성층을 통해 행에어리어 및 열에리어에 제2불순물을 주입하여 다이오드 발광 에어리어 주위에 분리 저항성 체적을 형성하는 단계에서, 다이오드 주위의 상기 분리 저항성 체적이 상기 활성층 및 상기 제1캐리어 한정층과 상기 수직 도체를 분할하도록 추가로 놓여지며, 상기 제2캐리어 한정층, 상기 활성층, 상기 제1캐리어 한정층, 및 기판내를 통해 상기 노출된 행에리어에 제3불순물을 주입하여 각 열의 다이오드 발광 에어리어의 각각의 행 사이에 분리 저항성 체적을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주입형 발광 다이오드 어레이의 제조방법.
  4. 주입형 발광 다이오드 어레이에 있어서, 주요 표면을 가진 기판과, 상기 기판의 주요 표면에 의해 지지되는 도전성 물질층과, 상기 도전성 물질층상의 제1캐리어 한정층과, 상기 제1캐리어 한정층상의 활성층과, 상기 활성층상의 제2캐리어 한정층을 포함하는 기판상에 형성된 다수의 물질층과, 상기 다수의 물질을 행과 열의 매트릭스에 위치한 다수의 발광 다이오드로 분할하고, 상기 다수의 물질층의 적어도 일부분을 통해 복수의 수직 도체를 형성하여, 표면 접촉부를 상기 매트릭스의 다이오드에 제공하도록 상기 다수의 물질층에 존재하는 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 주입형 발광 다이오드 어레이.
  5. 주입형 발광 다이오드 어레이에 있어서, 주요 표면을 사진 비도전성 물질의 기판과, 상기 기판의 주요 표면상의 도전성 물질층과, 상기 도전성 물질층상의 제1캐리어 한정층과, 상기 제1캐리어 한정층상의 활성층과, 상기 활성층상의 제2캐리어 한정층과, 상기 제2캐리어 한정층상에 한정된 행과 열 사이에 위치한 다이오드 발광 에어리어를 가진 행 및 열에어리어와, 상기 노출된 행에어리어의 복수 위치에 존재하며 활성층, 상기 제2캐리어 한정층 및 적어도 부분적으로 상기 제1캐리어 한정층을 통해 복수의 수직 도체를 형성케 하며, 행 표면 접촉부를 상기 매트릭스의 다이오드에 설치케하는 제1불순물과, 상기 제2캐리어 한정층과 상기 활성층을 통해 노출된 행에어리어 및 열에어리어에 존재하여 다이오드 발광 에어리어 주위에 분리 저항성 체적을 형성케 하는 제2불순물로, 상기 다이오드 주위의 상기 분리 저항성 체적이 상기 활성층 및 상기 제1캐리어 한정층과 상기 수직 수직 도체를 분할 하도록 추가로 놓여지는 상기 제2불순물과, 상기 제2캐리어 한정층, 상기 활성층, 상기 제1캐리어 한정층, 및 기판내를 통해 상기 노출된 행에어리어에 존재하여 다이오드 발광 에어리어의 각행 사이에 분리 저항성 체적을 형성하게는 제3불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 주입형 발광 다이오드 어레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291911B1 (ko) * 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641611A (en) * 1995-08-21 1997-06-24 Motorola Method of fabricating organic LED matrices
US5621225A (en) 1996-01-18 1997-04-15 Motorola Light emitting diode display package
US5940683A (en) 1996-01-18 1999-08-17 Motorola, Inc. LED display packaging with substrate removal and method of fabrication
US5955747A (en) * 1996-07-25 1999-09-21 Oki Electric Industry Co., Ltd. High-density light-emitting-diode array utilizing a plurality of isolation channels
JP3681236B2 (ja) * 1996-10-28 2005-08-10 沖電気工業株式会社 半導体装置
US5893721A (en) * 1997-03-24 1999-04-13 Motorola, Inc. Method of manufacture of active matrix LED array
US6606175B1 (en) * 1999-03-16 2003-08-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-segment light-emitting diode
DE19918651A1 (de) * 1999-04-16 2000-10-19 Friedrich Schiller Uni Jena Bu Lichtemittierende Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2003209280A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
JP2003282939A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Oki Degital Imaging:Kk 半導体発光装置及びその製造方法
US20040211972A1 (en) * 2003-04-22 2004-10-28 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode
DE102004025684A1 (de) * 2004-04-29 2005-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US7271420B2 (en) * 2004-07-07 2007-09-18 Cao Group, Inc. Monolitholic LED chip to emit multiple colors
EP2458652B1 (en) 2006-06-23 2023-08-02 LG Electronics Inc. Method of making light emitting diodes having vertical topology
JP2010517274A (ja) * 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法
CN102097559B (zh) * 2009-12-09 2014-07-16 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其制作方法
TWI453949B (zh) * 2009-12-30 2014-09-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體製作方法
CN102117872B (zh) * 2009-12-30 2014-11-05 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发光二极管制作方法
DE102010002204A1 (de) * 2010-02-22 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Halbleiterdiode und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdiode
DE102010014177A1 (de) * 2010-04-01 2011-10-06 Jenoptik Polymer Systems Gmbh Oberflächenemittierende Halbleiter-Leuchtdiode
US8603847B2 (en) 2012-01-16 2013-12-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Integration of current blocking layer and n-GaN contact doping by implantation
KR101452768B1 (ko) * 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US9974130B2 (en) 2015-05-21 2018-05-15 Infineon Technologies Ag Driving several light sources
US9781800B2 (en) 2015-05-21 2017-10-03 Infineon Technologies Ag Driving several light sources
US9918367B1 (en) 2016-11-18 2018-03-13 Infineon Technologies Ag Current source regulation
CN110504281A (zh) 2018-05-16 2019-11-26 财团法人工业技术研究院 显示阵列的制造方法
CN110957399B (zh) * 2018-09-26 2021-04-30 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体光电子器件的制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2079612A5 (ko) * 1970-02-06 1971-11-12 Radiotechnique Compelec
US4639999A (en) * 1984-11-02 1987-02-03 Xerox Corporation High resolution, high efficiency I.R. LED printing array fabrication method
US4707716A (en) * 1984-11-02 1987-11-17 Xerox Corporation High resolution, high efficiency I.R. LED printing array and fabrication method
JPS62243376A (ja) * 1986-04-15 1987-10-23 Sanyo Electric Co Ltd GaPモノリシツクデイスプレイ
JP2686764B2 (ja) * 1988-03-11 1997-12-08 国際電信電話株式会社 光半導体素子の製造方法
US4956683A (en) * 1988-03-14 1990-09-11 Polaroid Corporation Isolation of p-n junctions
KR910006705B1 (ko) * 1988-11-17 1991-08-31 삼성전자 주식회사 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
JP3290672B2 (ja) * 1990-08-20 2002-06-10 株式会社東芝 半導体発光ダイオード
JPH04162689A (ja) * 1990-10-26 1992-06-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置の製造方法
US5216263A (en) * 1990-11-29 1993-06-01 Xerox Corporation High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser-light emitting diode arrays
US5062115A (en) * 1990-12-28 1991-10-29 Xerox Corporation High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser/light emitting diode arrays
US5262658A (en) * 1991-12-24 1993-11-16 Xerox Corporation Thermally stabilized light emitting diode structure
US5376583A (en) * 1993-12-29 1994-12-27 Xerox Corporation Method for producing P-type impurity induced layer disordering

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291911B1 (ko) * 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자

Also Published As

Publication number Publication date
US5663581A (en) 1997-09-02
US5453386A (en) 1995-09-26
EP0683526A1 (en) 1995-11-22
TW359042B (en) 1999-05-21
JPH07306649A (ja) 1995-11-21

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