KR950034732A - 마스크롬 제조방법 - Google Patents

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KR950034732A
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Inventor
김남용
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/27—ROM only
    • H10B20/30—ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
    • H10B20/38—Doping programmed, e.g. mask ROM
    • H10B20/387—Source region or drain region doping programmed

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  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크롬 제조방법에 관한 것으로, 한번의 이온주입으로 마스크롬의 커스템에 따른 코딩을 하기 위한 것이다.
본 발명은 P형 기판에 게이트 산화막과 게이트용 폴리실리콘을 차례로 형성하는 공정과, 상기 게이트용 폴리실리콘과 게이트 산화막을 패터닝하여 디플리션 및 인헨스먼트형 트랜지스터의 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 인헨스먼트형 트랜지스터의 게이트전극만을 감싸도록 선택적으로 마스킹하고 코드불순물을 주입한 다음 어닐링하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 이루어진다.

Description

마스크롬 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 마스크롬 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (3)

  1. P형 기판에 게이트 산화막과 게이트용 폴리실리콘을 차례로 형성하는 공정과, 상기 게이트용 폴리실리콘과 게이트 산화막을 패터닝하여 디플리션 및 인헨스먼트형 트랜지스터의 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 인헨스먼트형 트랜지스터의 게이트전극만을 감싸도록 선택적으로 마스킹하고 코드불순물을 주입한 다음 어닐링하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 코드불순물 이온주입은 As+이온을 주입함을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 어닐링 공정은 디플리션형 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역에서 사이드 디퓨전되도록 함을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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