KR950010101A - 박막 트랜지스터의 축전 개패시터 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 디스플레이의 농등 소자로서 사용되는 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 액정 디스플레이의 개율(aperture ratio)을 증가시킬수 있도록 작은 면적에 형성가능하게한 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형성방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터의 기생용량에 의한 소오스 전압의 강하를 보상하기 위해서는 축전 캐패시턴스를 증가시켜 주어야 하는데, 축전 캐패시터는 불투명 금속막으로 ITO(Indium Tin Oxide)와 평행하게 제작되므로 축전 캐패시턴스를 증대시키기 위해 축전 캐패시터를 크게 제작하면 광을 통과시키는 영역을 감소시키게 되어 액정 디스프레이의 개구율을 감소시켜 액정 디스플레이의 화질을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 축전 캐패시터 라인(4, 14)상에 알루미늄등의 금속막을 입힌후 스트립 형태나 모자이크 형태로 정교하게 테이프 에칭하여 축전 캐패시터(5, 15)를 형성하고 축전 캐패시터(5, 15)상에 절연막(6, 16)을 형성한후 ITO(3, 13)를 증착하므로, 축전 캐패시터(5, 15) 간의 요철에 기인하여 절연막(6, 16)의 면적이 증가되어 축전 캐패시터(5, 15)의 캐패시턴스를 증가시킬 수 있다. 따라서, 축전 캐패시터(5, 15)의 면적을 감소시키면서도 캐패시턴스를 증가시킬 수 있어 액정 디스플레이의 개구율을 증가시킬수 있게된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터를 도시한 도면으로, (a)는 박막 트랜지스터 단일소자의 평면도, (b)는 축전 캐패시터의 단면도,
제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터를 도시한 도면으로, (a)는 박막 트랜지스터 단일소자의 평면도, (b)는 축전 캐패시터의 단면도.
Claims (6)
- 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형상방법에 있어서, 유리기판(7)상의 독립된 축전 캐패시터 라인(4)상에 금속막을 입힌후 테이프 에칭하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 추전 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막을 테이프 에칭하는 경우 스트립 형태로 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막을 테이프 에칭하는 경우 모자이크 형태로 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형성방법.
- 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형성방법에 있어서, 유리기판(17)상에 게이트 라인(11)을 이용한 축전 캐패시터 라인(14)상에 금속막을 입힌후 테이프 에칭하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 금속막을 테이프 에칭하는 경우 스트립 형태로 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 금속막을 테이프 에칭하는 경우 모자이크 형태로 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 축전 캐패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019930020201A KR0150018B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 박막 트랜지스터의 축전 개패시터 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019930020201A KR0150018B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 박막 트랜지스터의 축전 개패시터 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010101A true KR950010101A (ko) | 1995-04-26 |
| KR0150018B1 KR0150018B1 (ko) | 1998-10-01 |
Family
ID=19364986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019930020201A KR0150018B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 박막 트랜지스터의 축전 개패시터 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0150018B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409259B1 (ko) * | 2000-07-24 | 2003-12-18 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020201A patent/KR0150018B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR100409259B1 (ko) * | 2000-07-24 | 2003-12-18 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0150018B1 (ko) | 1998-10-01 |
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