KR960024602A - 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
이 발명은 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 제조방법에 관한 것으로서, 스토리지 캐패시터를 복층화시키기 위한, 유리판 위에 각 화소에 독립된 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와 ; 상부 배선간의 쇼트를 방지하기 위하여 절연막을 형성하는 단계와 ; 양극 산화가 가능한 물질로 게이트메탈을 형성하는 단계와 ; 1차 양극 산화막을 형성하는 단계와 ; 아몰퍼스 실리콘층 및 n+아몰퍼스 실리콘층을 연속적으로 적층하는 단계와 ; 액티브 패턴을 형성하는 단계와 ; 컨택트 패턴을형성하는 단계와 ; 소오스/드레인 메탈을 형성하는 단계와 ; 소오스/드레인 패턴을 형성하는 단계와 ; n+아몰퍼스실리콘층을 소오스/드레인 패턴 마스크로 하여 식각하는 단계와 ; 상기 소오스 메탈을 포토 레지스트로 마스킹하고 양극 산화하는 단계와 ; 화소 전극을 형성하는 단계와 ; 상기 화소전극을 사진 및 식각 기법으로 화소 전극 패턴을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이의 박막트랜지스터 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 화소를 나타낸 평면도이고, 제4도의 (가)∼(자) 는 이 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 공정 순서도이다.
Claims (7)
- 유리판 위에 각 화소에 독립된 블랙매트릭스를 형성하는 단계와 ; 상기 독립된 블랙매트릭스와 상부 배선간의 쇼트를 방지하기 위하여 절연막을 형성하는 단계와 ;상기 절연막 위에 양극 산화가 가능한 물질로 게이트메탈을 형성하는 단계와 ; 상기 게이트메탈 위에 1차 양극 산화막을 형성하는 단계와 ; 상기 1차 양극산화막 위에 아몰퍼스실리콘층, n+아몰퍼스실리콘층을 연속적으로 적층하는 단계와 ; 상기 아몰퍼스실리콘층을 사진 및 식각 기법으로 액티브패턴을형성하는 단계와 ; 상기 독립된 블랙매트릭스와 연결하기 위해서 사진 및 식각 기법으로 콘택패턴을 형성하는 단계와 ;상기 n+아몰퍼스실리콘층 위에 소오스/드레인 메탈을 형성하는 단계와 ; 상기 소오스/드레인 메탈을 사진 및 식각 기법으로 소오스/드레인 패턴을 형성하는 단계와 ; 상기 n+아몰퍼스실리콘층을 소오스/드레인 패턴 마스크로하여 식각하는 단계와 ; 상기 소오스/드레인 메탈을 포토 레지스트로 마스킹하고 소오스/드레인 양극산화막을 형성하는 단계와 ; 상기 소오스/드레인 메탈 위에 화소전극을 형성하는 단계와 ; 상기 화소전극을 사진 및 식각 기법으로 화소전극 패턴을 형성하는단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이의 박막트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 블랙매트릭스는 크롬 또는 광차단 효과가 뛰어난 금속으로 이루어진 것을 특징으로하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 블랙매트릭스 절연막은 SiNx, 또는 TaOx, SiOx 등으로 이루어진 것을 특징으로 하는박막트랜지스터 액정 디스플레이 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트메탈은 알루미늄(Al)등으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 아몰퍼스 실리콘층 및 n+아몰퍼스실리콘층은 플라즈마 화학 기상 성장기법(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition : PE CVD)으로 적층되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 제조방법.
- 블랙매트릭스와, 상기 블랙매트릭스 위에 형성된 블랙매트릭스 절연막과, 블랙매트릭스 절역막위에 형성된게이트 메탈과, 상기 게이트메탈 위에 형성된 1차 양극산화막과, 상기 1차 양극 산화막 위에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위에 형성되고, 상기 게이트메탈과 콘택되는 아몰퍼스실리콘층 및 n+아몰퍼스 실리콘층과,상기 n+아몰퍼스 실리콘층 위에 형성되고 게이트 메탈의 게이트라인에 직교되게 형성된 소오스/드레인 메탈과, 상기 소오스/드레인 메탈 위에 형성된 소오스/드레인 양극 산화막과 상기 소오스/드레인 양극 산화막 위에 형성된 화소전극을 포함하고, 상기 게이트메탈과 블랙매트릭스의 사이에 캐패시터가 형성되고 상기 게이트메탈과 화소전극 사이에 캐패시터가형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 캐패시터는 전단게이트 접지방식을 취한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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