KR940003061A - 박막 적층형 축적 캐패시터 - Google Patents

박막 적층형 축적 캐패시터 Download PDF

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KR940003061A
KR940003061A KR1019920012639A KR920012639A KR940003061A KR 940003061 A KR940003061 A KR 940003061A KR 1019920012639 A KR1019920012639 A KR 1019920012639A KR 920012639 A KR920012639 A KR 920012639A KR 940003061 A KR940003061 A KR 940003061A
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KR
South Korea
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thin film
liquid crystal
electrode
capacitor
film stacked
Prior art date
Application number
KR1019920012639A
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English (en)
Inventor
김일호
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 박막 적층형 축적 캐패시터에 관한 것으로, 종래 박막 트랜지스터 액정표시소자는 오프시 리크전류에 의해 액정보유전압을 감소시키며 기생용량을 발생시켜 액정보유전압을 시프트시킨다. 따라서 보유용량을 부가해야 하나 부가용량을 증가시키면 개구율이 감소되고 구조도 복잡해져 결핍이 발생하는 문제점과 리크전류와 기생용량에 의한 전압강하에 따라 돌리커가 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 축적 캐패시터를 2중층 구조로 제조함으로써 축적 용량증가와 광유기 전류감소로 인한 액정의 전압보유율이 증가되고 투과율증가, 개구율의 향상으로 액정표시소자의 표시특성을 상당히 개선시키는 이점을 얻을 수 있다.

Description

박막 적층형 축적 캐패시터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도의 (가) 내지 (마)는 본 발명 박막 적층형 축적 캐패시터의 제조공정도.
제6도는 본 발명 박막 트랜지스터 액정표시소자의 등가회로도.
제7도는 본 발명 박막 적층형 축적 캐패시터의 단면도.

Claims (4)

  1. 유리기판(1) 위에 패턴이 형성된 게이트전극(2-1)과 제1전극(2-2)을 형성하고, 그 위에 게이트절연층(3)을 형성한 다음 패턴이 형성된 제1반도체층(4)과 제2반도체층(5)을 연속 형성하고 상기 게이트절연층(3)위에 화소로 사용되는 화소전극 (6)을 형성한 다음 상기 제2반도체층 (5)과 화소전극(6)에 겹 치는 부분을 갖는 패턴형성된 소오스, 드레인전극(7), (8)과 제2전극(9)을 형성하고, 상기 소오스, 드레인전극(7), (8)과 제2전극(7)위에 패턴이 형성된 보호층 (10)이 형성된 다음 그 위에 금속으로 패턴이 형성된 빛차단층 (11)과 제3전극 (12)이 형성되어 제조되는 박막 적층형 축적 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서, 화소전극(6) 위가 오픈(Open)됨을 특징으로 하는 박막 적층형 축적 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서. 캐패시터가 유전층인 게이트절연층(3)과 보호층(10)을 전극사이에 형성하여 캐패시터를 제조한 후 이를 수직으로 병렬연결하여 제조됨을 특징으로 하는 박막 적층형 축적 캐패시터
  4. 제1항에 또는 제3항에 있어서, 상기 유리기판(1)위에 패턴이 형성된 제4전극(13)과 게이트절연층(14)을 연속 형성하여 캐패시터의 유전층을 3중층으로 적층하여 수직으로 연결함을 특징으로 하는 박막 적층형 축적 캐패시터.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012639A 1992-07-15 1992-07-15 박막 적층형 축적 캐패시터 KR940003061A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100603361B1 (ko) * 2004-08-05 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치

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