KR950006969A - 성막장치 및 성막방법 - Google Patents
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Abstract
성막장치는 성막면을 가지는 반도체웨이퍼를 수용하고, 그 중에서 반도체웨이퍼에 대하여 성막처리를 행하는 챔버와, 그 막을 형성하기 위한 처리가스를 반도체웨이퍼의 성막면으로 공급하는 처리가스 공급계와, 반도체웨이퍼를 가열하여 성막가스를 분해하고, 웨이퍼상에 막을 형성하기 위한 가열체와, 반도체웨이퍼의 성막면의 뒷면쪽으로부터 반도체웨이퍼의 둘레부로 향하여 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급계와, 반도체웨이퍼에 대하여 성막을 행할 때에, 막이 형성되는 면의 둘레부를 덮는 위치에 위치되고, 그 때에 그 바깥둘레가 상기 피처리체의 바깥둘레로부터 돌출하도록 설치되는 링부재를 구비하고 있다. 이 링부재에 의하여 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일형태에 관한 열 CVD 성막장치를 나타내는 단면도.
제4도는 피처리체로서의 반도체 웨이퍼의 일에를 나타내는 단면도.
Claims (17)
- 막이 형성되는 면을 가지는 피처리체를 수용하고, 그 안에서 피처리체에 대하여 성막처리를 하는 챔버와, 상기 막을 형성하기 위한 처리가스를 상기 피처리체에 있어서의 막이 형성될 면에 공급하는 처리가스 공급수단과, 상기 성막가스에 의하여 상기 피처리체의 막이 형성될 면이 성막을 하기 위한 성막수단과, 상기 피처리체에 있어서의 막이 형성될 면과 반대측으로부터 상기 피처리체의 테두리부를 향하여 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스공급수단과, 상기 피처리체에 대하여 성막을 할 때에, 막이 형성될 면의 테두리부를 덮는 위치에 위치되고, 그 때에 그 바깥 테두리가 상기 피처리체의 바깥 테두리로부터 돌출되도록 설치되는 링부재를 구비하며, 상기 링부재에 의하여 상기 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성되는 성막장치.
- 제1항에 있어서, 상기 성막수단은 상기 피처리체를 가열하는 가열체를 구비하고, 이것에 의하여 처리가스를 분해하여 상기 피처리체상으로 막이 형성되는 성막장치.
- 제1항에 있어서, 상기 링 형상 부재를 상기 피처리체에 접한 처리위치와, 상기 피처리체로부터 격리한 후퇴위치의 사이에서 이동하는 이동수단을 더욱 구비하고 있는 성막장치.
- 막이 형성되는 면을 가지는 피처리체를 챔버 내에 수용하는 공정과, 챔버 내의 피처리체의 막이 형성되는 면의 테두리부에 접하도록, 또 바깥 테두리가 피처리체의 바깥 테두리보다도 돌출하도록 링형상 부재를 배치하는 공정과, 상기 피처리체에 있어서의 막이 형성될 면에 대하여 상기 막을 형성하기 위한 처리가스를 공급하는 공정과, 상기 피처리체에 있어서의 막이 형성될 면과 반대측으로부터 상기 피처리체의 테두리부를 향하여 퍼지가스를 공급하는 공정을 구비하며, 상기 링형상부재에 의하여, 상기 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성되는 성막방법.
- 제4항에 있어서, 상기 피처리체를 가열함으로써, 상기 처리가스가 분해되어 피처리체에 막이 형성되는 방법.
- 막이 형성되는 면을 가지는 피처리체를 수용하고, 그 안에서 피처리체에 대하여 성막처리를 하는 챔버와, 상기 막을 형성하기 위한 처리가스를 상기 피처리체에 있어서의 막이 형성될 면에 공급하는 처리가스 공급수단과, 상기 성막가스에 의하여 상기 피처리체의 막이 형성될 면에 성막을 하기 위한 성막수단과, 상기 피처리체에 있어서의 막이 형성될 면과 반대측으로부터 상기 피처리체의 테두리부를 향하여 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스공급수단과, 상기 피처리체에 대하여 성막을 할 때에, 막이 형성될 면의 테두리부를 덮는 위치에 위치되고, 그 때에 그 바깥 테두리가 상기 피처리체의 바깥 테두리로부터 돌출되도록 설치되는 링부재를 구비하며, 상기 링부재에 의하여 상기 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성됨과 동시에 상기 링부재와 상기 피처리체 사이에 형성된 막과 상기 피처리체에 형성된 막이 연속하지 않을 정도의 폭의 간격이 형성되는 성막장치.
- 제6항에 있어서, 상기 성막수단은 상기 피처리체를 가열하는 가열체를 구비하고, 이것에 의하여 처리가스를 분해하여 상기 피처리체상에 막이 형성되는 성막장치.
- 제6항에 있어서, 상기 링형상부재를 상기 피처리체에 근접한 처리위치와, 상기 피처리체로부터 격리한 후퇴위치의 사이에서 이동하는 이동수단을 더욱 구비하고 있는 성막장치.
- 제6항에 있어서, 상기 링형상부재와 상기 피처리체의 사이의 간극은, 그 사이에 복수의 스페이서를 개재시킴으로써 형성되는 성막장치.
- 구멍이 형성되는 면을 가지는 피처리체를 챔버 내에 배치하고, 그 면에 처리가스를 공급하여 화학적 기상반응에 의하여 구멍이 형성된 면에 성막하는 성막방법으로서, 상기 피처리체를 제1온도로 가열하여, 상기 피처리체의 상기 면에 성막을 하는 제1공정과, 제1공정 후, 상기 피처리체를 제1온도보다도 높은 제2온도로 가열하여 다시 성막을 속행하는 제2공정을 포함하는 성막방법.
- 제10항에 있어서, 상기 피처리체는 얹어 놓은대의 위에 얹어놓인 상태로 가열되는 성막방법.
- 제11항에 있어서, 상기 피처리체는 얹어놓는대는, 그 얹어놓는 면이 상기 피처리체의 얹어놓는 면적과 대략 같은 면적을 가지는 성막방법.
- 제11항에 있어서, 상기 얹어놓는대는, 카본계재료, 또는 SiC로 형성되어 있는 성막방법.
- 제11항에 있어서, 상기 얹어놓는대로 0.5∼3㎜의 두께를 가지고 있는 성막방법.
- 제10항에 있어서, 상기 처리가스는 WF6를 함유하고 W막을 형성하는 성막방법.
- 제15항에 있어서, 제1의 공정 후, WF6의 유량을 변화시킴으로써, 제2의 온도를 형성하여 제2의 공정을 실시하는 성막방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1의 온도는 350∼450℃이며, 상기 제2의 온도는 400∼500℃인 성막방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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