KR950004654A - 고속원자빔을 이용한 처리장치 - Google Patents
고속원자빔을 이용한 처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950004654A KR950004654A KR1019940015981A KR19940015981A KR950004654A KR 950004654 A KR950004654 A KR 950004654A KR 1019940015981 A KR1019940015981 A KR 1019940015981A KR 19940015981 A KR19940015981 A KR 19940015981A KR 950004654 A KR950004654 A KR 950004654A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- vacuum container
- source
- high speed
- emitting
- speed atomic
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
- G21K5/04—Irradiation devices with beam-forming means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
본 발명은 고속원자빔에 추가하여 광에너지 공급원, 레이저빔 공급원, 라디칼 공급원, 전자빔 공급원, 엑스선 또는 방사선(알파선, 베타선 또는 감마선) 공급원, 이온 공급원중에서 선택된 적어도 하나를 가진 고속원자빔을 이용하여, 진공컨테이너내 또는 진공컨테이너 외부에 배치되는 처리대상물은 광에너지, 레이저빔, 전자빔, 엑스선 또는 방사선, 라디칼 입자 및 이온빔중에서 선택된 적어도 하나와의 조합으로 고속원자 빔에 의해 조사받음으로써 처리속도가 증가되는 처리장치에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 고속원자빔을 이용한 처리장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도이고, 제 2 도는 본 발명에 따른 고속원자빔을 이용한 처리장치의 다른 구성을 개략적으로 나타내는 도이며, 제 3 도는 고속원자빔을 이용한 종래의 처리장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도이다.
Claims (9)
- 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 광에너지를 방출하는 광에너지 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 광에너지 공급원으로부터 고속원자빔 및 광에너지를 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 레이저빔을 방출하는 레이저빔 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 레이저빔 공급원으로부터 고속원자빔 및 레이저빔을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 라디칼 입자를 방출하는 라디칼 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 라디칼 공급원으로부터 고속원자빔 및 라디칼 입자를 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 전자빔을 방출하는 전자빔 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물의 표면은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 전자빔 공급원으로부터 고속원자빔 및 전자빔을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 엑스선을 방출하는 엑스선 공급원 또는 방사선을 방출하는 방사선 공급원을 구비하며 ; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물은 상기 고속원자빔 공급원과 상기 엑스선 공급원 또는 방사선 공급원으로부터 고속원자빔과 엑스선 또는 방사선을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원과, 상기 진공컨테이너내로 이온빔을 방출하는 이온 공급원을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물은 상기 고속원자빔 공급원 및 상기 이온 공급원으로부터 고속원자빔 및 이온빔을 각각 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 진공컨테이너와, 상기 진공컨테이너내로 광에너지를 방출하는 광에너지 공급원과 상기 진공컨테이너내로 레이저빔을 방출하는 레이저빔 공급원과 상기 진공컨테이너내로 전자빔을 방출하는 레이저빔 공급원과 상기 진공컨테이너내로 엑스선을 방출하는 엑스선 공급원과 상기 진공컨테이너내로 방사선(알파선, 베타선 또는 감마선)을 방출하는 방사선 공급원과 상기 진공컨테이너내로 라디칼 입자를 방출하는 라디칼 공급원과 상기 진공컨테이너내로 이온 입자를 방출하는 이온 공급원과 상기 진공컨테이너내로 비교적 큰 운동에너지를 가진 원자 또는 분자의 고속원자빔을 방출하는 고속원자빔 공급원 중에서 선택된 적어도 두개의 공급원들 조합을 구비하며; 상기 진공컨테이너내에 배치되는 처리대상물은 상기 각 대응하는 공급원으로부터 방출되는 상기 광에너지, 레이저빔, 전자빔, 엑스선, 방사선, 라디칼 입자 및 이온 입자중에서 선택된 적어도 두개의 조합에 의해 조사받음으로써 상기 처리대상물이 처리되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 제 1 항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공컨테이너를 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 고속원자빔은 방전가스로서 비활성가스 또는 화학반응가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19207393A JP3432545B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 高速原子線を用いる加工装置 |
JP93-192073 | 1993-07-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950004654A true KR950004654A (ko) | 1995-02-18 |
KR100333429B1 KR100333429B1 (ko) | 2002-09-05 |
Family
ID=16285188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940015981A KR100333429B1 (ko) | 1993-07-05 | 1994-07-05 | 고속원자빔을이용한처리방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5563416A (ko) |
EP (1) | EP0633714B1 (ko) |
JP (1) | JP3432545B2 (ko) |
KR (1) | KR100333429B1 (ko) |
DE (1) | DE69421215T2 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6671034B1 (en) * | 1998-04-30 | 2003-12-30 | Ebara Corporation | Microfabrication of pattern imprinting |
US6465795B1 (en) * | 2000-03-28 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Charge neutralization of electron beam systems |
US6921722B2 (en) * | 2000-05-30 | 2005-07-26 | Ebara Corporation | Coating, modification and etching of substrate surface with particle beam irradiation of the same |
CN100369706C (zh) * | 2004-10-22 | 2008-02-20 | 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 | 一种薄壁钛合金组件的真空电子束焊接方法 |
US8801378B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-08-12 | Sikorsky Aircraft Corporation | Low offset hingeless rotor with pitch change bearings |
CN103084726B (zh) * | 2013-02-01 | 2015-04-08 | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 | 一种电子束表面微造型的动态加工方法 |
CN112570875B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-07-29 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种用于板式表面张力贮箱形变控制的焊接工艺方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL244946A (ko) * | 1959-08-17 | |||
SU886044A1 (ru) * | 1980-03-11 | 1981-11-30 | Каунасский Политехнический Институт Им. А.Снечкуса | Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки |
FR2555829B1 (fr) * | 1983-11-30 | 1986-03-28 | Lucas Georges | Emission conjuguee de lumiere coherente et de particules materielles chargees en energie, et dispositif pour la mise en oeuvre d'une telle emission |
US4624736A (en) * | 1984-07-24 | 1986-11-25 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Laser/plasma chemical processing of substrates |
US5108543A (en) * | 1984-11-07 | 1992-04-28 | Hitachi, Ltd. | Method of surface treatment |
KR960016218B1 (ko) * | 1987-06-05 | 1996-12-07 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 표면처리방법 및 그 장치 |
US4886570A (en) * | 1987-07-16 | 1989-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
EP0380667A4 (en) * | 1987-10-07 | 1991-04-24 | Terumo Kabushiki Kaisha | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
US4874459A (en) * | 1988-10-17 | 1989-10-17 | The Regents Of The University Of California | Low damage-producing, anisotropic, chemically enhanced etching method and apparatus |
EP0418540A3 (en) * | 1989-08-11 | 1991-08-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dry etching method |
JPH0724240B2 (ja) * | 1991-03-05 | 1995-03-15 | 株式会社荏原製作所 | 高速原子線源 |
US5286331A (en) * | 1991-11-01 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Supersonic molecular beam etching of surfaces |
JP2840502B2 (ja) * | 1992-06-03 | 1998-12-24 | 三洋電機株式会社 | 高機能材料膜形成方法 |
US5429730A (en) * | 1992-11-02 | 1995-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of repairing defect of structure |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP19207393A patent/JP3432545B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-04 EP EP94110368A patent/EP0633714B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-04 DE DE69421215T patent/DE69421215T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-05 US US08/267,741 patent/US5563416A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-05 KR KR1019940015981A patent/KR100333429B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5563416A (en) | 1996-10-08 |
EP0633714A1 (en) | 1995-01-11 |
JP3432545B2 (ja) | 2003-08-04 |
EP0633714B1 (en) | 1999-10-20 |
KR100333429B1 (ko) | 2002-09-05 |
DE69421215T2 (de) | 2000-05-31 |
JPH0716761A (ja) | 1995-01-20 |
DE69421215D1 (de) | 1999-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3582650A (en) | Support structure for electron accelerator with deflecting means and target and cooperating patient support | |
DE3572082D1 (en) | X-ray application system | |
EP0244504B1 (en) | X-ray source | |
CA2033399A1 (en) | Sources of coherent short wavelength radiation | |
KR950004654A (ko) | 고속원자빔을 이용한 처리장치 | |
US2785313A (en) | Method and apparatus for sterilizing by electron bombardment | |
US4484339A (en) | Providing X-rays | |
KR950004655A (ko) | 고속원자빔을 이용한 처리방법 | |
JP2002107494A (ja) | 核反応の誘起方法および核反応誘起装置 | |
Garmatina et al. | X-ray generation under interaction of a femtosecond fiber laser with a target and a prospective for laser-plasma X-ray microscopy | |
JPS56104438A (en) | X-ray lithographic device | |
US8280004B2 (en) | System and method for non-destructive decontamination of sensitive electronics using soft x-ray radiation | |
ATE133315T1 (de) | Schnelle atomstrahlquelle | |
US5250257A (en) | Process for the sterilization of implants | |
EP0105261A1 (en) | X-RAY PRODUCTION. | |
JP2847601B2 (ja) | 低速陽電子ビーム発生装置 | |
US3287592A (en) | Particle accelerator assembly having a beryllium-tritium composite target | |
JP3751650B2 (ja) | 静電気中和装置 | |
JPS58225636A (ja) | X線を対象物に照射する装置 | |
JPS56111223A (en) | X-ray exposuring device | |
JPH0716286A (ja) | 電子線を用いた殺菌方法 | |
JPS62117246A (ja) | 高輝度x線発生用標的 | |
US1982028A (en) | Activation of materials | |
Yagi et al. | Laser plasma X-ray for non-destructive inspection | |
GB2212653A (en) | High energy laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050322 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |