KR950004573A - 밀착형 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

밀착형 이미지 센서 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950004573A
KR950004573A KR1019930013815A KR930013815A KR950004573A KR 950004573 A KR950004573 A KR 950004573A KR 1019930013815 A KR1019930013815 A KR 1019930013815A KR 930013815 A KR930013815 A KR 930013815A KR 950004573 A KR950004573 A KR 950004573A
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KR1019930013815A
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이은영
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이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 밀착형 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 밀착형 이미지 센서의 수광소자는 광도전층위에 투명전극을 적층시킨 후 이를 동시에 패터닝하여 수광소자를 형성하게 됨으로써 고해상도로 갈수록 수광소자의 면적이 줄어 광전하 형성이 작아지기 때문에 출력신호가 줄어드는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 광전도층 표면을 요철형태로 형성하여 수광소자의 표면적을 넓어지게 하고, 입사광의 반사를 줄이게 되므로 광전하발생을 높여 광전류가 커지기 때문에 이미지센서의 출력신호를 커지게 하며, 광도전층 표면의 요철형성이 광도전층과 투명전극을 연속증착된 후 이루어지기 때문에 공정수를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 광도전층과 투명전극 사이의 계면특성을 향상시킬 수 있도록 하는 밀착형 이미지센서 및 그 제조방법을 창안한 것이다.

Description

밀착형 이미지 센서 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4 도의 (가)는 본 발명 밀착형 이미지 센서의 평면 구조도, (나)는 (가)에 대한 부분사시도, 제 5 도의 제 4 도에 대한 단면구조도, 제 6 도의 (가)는 본 발명 밀착형 이미지 센서의 다른 실시 평면구조도, (나)는 제 6 도에 대한 부분사시도.

Claims (3)

  1. 기판위에 하부전극 광도전층, 투명전극이 차례로 형성되는 이미지센서의 수광소자에 있어서, 상기 광도전층 상부가 요철(凹凸)형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서.
  2. 스위칭소자와 수광소자를 형성하는 이미지센서에 있어서, 상기 수광소자를 기판위에 하부전극을 형성하는 단계와, 광도전층을 증착하는 단계와, 상기 광도전층 표면을 요철형태로 형성하는 단계와, 상기 광도전층위에 투명전극을 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 요철형성 단계를 상기 광도전층위에 투명전극을 증착한 후에 하는 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930013815A 1993-07-21 1993-07-21 밀착형 이미지 센서 및 그 제조방법 KR950004573A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100383253B1 (ko) * 1997-12-31 2003-08-14 고려화학 주식회사 F.r.p 절연봉 인발성형용 비닐에스테르 수지와 이를 이용한인발성형품의 제조방법
KR100383254B1 (ko) * 1995-12-29 2003-08-14 고려화학 주식회사 오닉스 마블 제조용 비닐에스테르 수지의 제조방법

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KR100383254B1 (ko) * 1995-12-29 2003-08-14 고려화학 주식회사 오닉스 마블 제조용 비닐에스테르 수지의 제조방법
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