KR950004004Y1 - 웨이퍼 에지 부위의 sog 제거장치 - Google Patents

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문정환
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Abstract

내용 없음.

Description

웨이퍼 에지 부위의 SOG 제거장치
제 1 도는 종래 SOG공정을 설명하기 위한 단면도.
제 2 도는 종래 공정완료 후 웨이퍼 상태를 나타낸 도면.
제 3 도는 본 고안의 SOG공정과 공정 완료후 SOG를 제거하기 위한 장치의 단면도.
제 4 도는 본 고안의 공정 완료후 웨이퍼 상태를 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 로보트암
3 : 제 1 분출구 4 : SOG
5 : 제 2 분출구
본 고안은 반도체 공정중 SOG(Spin On Glass)공정에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 에지(Edge) 부위의 SOG를 제거하기에 적당하도록 한 것이다.
종래의 SOG공정은 반도체 공정중 단차가 심한 경우에 사용하여 웨이퍼를 평탄화시켜주는 공정으로 제 1 도와 같은 공정으로 진행한다.
먼저 제 1(a) 도와 같이 웨이퍼(1)가 정지된 상태에서 로보트암(2)의 제1분출구(3)를 통하여 웨이퍼(1)의 중앙부분에 SOG(4)를 분출시킨다.
다음에 제 1(b) 도와 같이 웨이퍼(1)를 회전시켜 SOG(4)가 웨이퍼(1) 전면에 골고루 퍼져 코팅되게 한다.
그리고 제 1(c) 도와 같이 웨이퍼(1)를 회전시키면서 웨이퍼(1) 뒷면으로 용매를 분출시킨다.
이때 용매는 분출 압력과 모세현상에 의해 웨이퍼(1)의 옆면과 주변부에 존재하는 SOG(4)를 제거시킨다.
그러나, 상기와 같은 종래의 SOG공정에 있어서는 웨이퍼(1) 뒷면에서 용매를 분출하므로 분출압력에 영향을 많이 받게되어 균일하게 SOG막을 제거할 수 없다.
또한, 제2도와 같이 에지 커팅된 부위에서도 SOG막이 남아있기 쉬워 SOG 열처리시의 웨이퍼(1) 주변부막에서 갈라지는 현상이나 막이 들뜨는 현상이 발생하여 칩에 나쁜 영향을 주게 되며 SOG공정 이후에 플라즈마 옥사이드 형성시 압력에 의해 웨이퍼가 갈라지기 쉬운 결점이 있다.
본 고안은 이와 같은 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로 웨이퍼 주변의 SOG를 균일하게 제거할 수 있는 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이하에서 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 제 3 도는 본 고안의 장치를 사용하여 웨이퍼 에지의 SOG를 제거하는 공정을 나타낸 것으로 본 고안의 장치는 SOG(4)를 분출하는 제1분출구(3)를 가진 로보트암(2)과, 상기 로보트암(2)의 소정부위에 설치되어 웨이퍼(1) 주변부의 SOG(4)를 제거할 수 있는 용매를 분출하는 제2분출구(5)를 구비하여 구성된 것이다.
이와 같이 구성된 본 고안은 제3(a)도와 같이 웨이퍼(1)가 정지된 상태에서 로보트암(2)의 제1분출구(3)를 통하여 웨이퍼(1) 중앙부분에 SOG(4)를 분출시키고 제3(b)도와 같이 웨이퍼(1)를 회전시켜 웨이퍼(1) 전면에 SOG(4)가 코팅되게 한 후 제2분출구(5)를 통하여 용매를 분출한다.
따라서, 제2분출구(5)로부터 분출된 용매에 의하여 웨이퍼(1) 주변의 SOG(4)가 제4도와 같이 균일하게 제거된다.
이상에서 설명한 바와 같은 고안은 웨이퍼(1) 주변부위의 SOG(4)를 제2분출구(5)로부터 분출되는 용매에 의하여 균일하게 제거할 수 있어 SOG(4)가 가열시 들뜨는 현상을 제거할 수 있고, SOG공정 후 플라즈마에 의한 공정을 진행할 때 플라즈마에 의한 압력의 영향을 극소화 사칼 수 있는 장점이 있다.

Claims (1)

  1. 웨이퍼(1) 상방으로 이동 가능하게 설치된 로보트암(2)과, 상기 로보트암(2)의 끝부분에 설치되어 SOG액을 웨이퍼(1) 중앙에 분출하는 제1분출구(3)와, 상기 로보트암(2)의 분출구(3) 일측에 설치된어 웨이퍼 주변부의 SOG를 제거할 수 있는 용매를 분출하는 용매를 분출하는 제2분출구(5)를 구비하여 구성함을 특징으로 하는 웨이퍼 에지부위의 SOG제거장치.
KR92013354U 1992-07-20 1992-07-20 웨이퍼 에지 부위의 sog 제거장치 KR950004004Y1 (ko)

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