KR950002137A - 모듈레이터 직접 분포형 귀환 레이저 다이오드 모듈 및 이를 사용한 장치 - Google Patents

모듈레이터 직접 분포형 귀환 레이저 다이오드 모듈 및 이를 사용한 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 전송속도와 전송거리를 개선하기 위하여 출력 광 파장의 확장을 최소화시킬 수 있는 MI-DRF-LD를 포함하는 광 반도체 장치 회로를 실현하는데 있다. 광 장치 회로는 반도체 레이저 다이오드 1, 반도체 레이저 다이오드 1의 출력광을 변조하는 광 모듈레이터 2, 레이저 다이오드 1에 접속되고 고주파수 범위내에서 저항으로서 동작하는 저항 수단 5, 반도체 레이저 다이오드 1과 광 모듈레이터 2에 공통으로 접속된 공통 접속수단, 공통 접속수단 3에 접속된 임피던스 수단 또는 신호 반사 수단 8, 및 임피던스 수단 또는 신호 반사 수단에 접속된 접지수단으로 구성된다.

Description

모듈레이터 직접 분포형 귀환 레이저 다이오드 모듈 및 이를 사용한 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 제1향상에 따른 광 반도체 장치의 원리와 구성도, 제8도는 본 발명의 제2향상에 따른 광 반도체 장치의 원리와 구성도, 제9도는 본 발명의 제1실시예의 회로도.

Claims (34)

  1. 반도체 레이저 다이오드(1), 인가된 변조 신호에 응하여 상기 반도체 레이저 다이오드로 부터 출력된 광을 변조하는 광 모듈레이터(2), 바이어스 전류가 광을 발생하도록 입력되는 상기 반도체 레이저 다이오드의 전극에 접속되며, 적어도 고주파수에서 저항으로서 실제 동작하는 저항 수단(5), 상기 반도체 레이저 다이오드의 하나의 전극과 상기 광 모듈레이터의 하나의 전극에 접속된 공통 접속수단(3), 상기 공통 접속수단(3)에 접속된 임피던스 수단 또는 신호 반사 수단(8), 및 상기 임피던스 수단(8) 또는 상기 신호 반사 수단에 접속된 접지 수단으로 구성되는 광 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)를 일정하게 바이어스하는 전원으로 더 구성되는 광 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)과 상기 광 모듈레이터(2)가 패키지내에 설치되는 광 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 공통 접속수단(3)이 상기 패키지내에 설치되는 광 반도체 장치
  5. 제3항에 있어서, 상기 저항 수단(5)이 상기 반도체 레이저 다이오드(1)에 접속된 저항이고 상기 패키지내에 설치되는 광 반도체 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 저항수단(5)이 상기 반도체 레이저 다이오드(1)에 접속된 저항이고 상기 패키지내의 외부에 제공된 광 반도체 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 저항수단(5)이 직렬회로를 형성하도록 직렬로 용량소자(53)에 접속되는 저항소자(54)이고, 상기 직렬회로가 상기 전원에 접속된 상기 패키지의 단자와 상기 패키지의 외부에 접지사이에 접속되는 광 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저항 수단(5)이 반도체 레이저 다이오드(1)과 직렬로 접속된 유도소자(52)로 구성되는 광 반도체 장치.
  9. 제3항 내지 제8항중 어느 한항에 있어서, 상기 전원을 접속한 상기 반도체 레이저 다이오드(1)의 전극과 상기 공통 접속수단(3)에 각각 전극을 접속한 바이패스 캐퍼시터(9)로 더 구성되는 광 반도체 장치.
  10. 제3항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 적어도 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)의 온도를 일정한 값으로 유지하기 위해 상기 패키지내에 설치되는 온도 제어수단(105)으로 더 구성되는 광 반도체 장치.
  11. 반도체 레이저 다이오드(1), 인가된 변조신호에 응하여 상기 반도체 레이저 다이오드로 부터 출력된 광을 변조하는 광 모듈레이터(2), 상기 반도체 레이저 다이오드의 하나의 전극과 상기 광 모듈레이터의 하나의 전극에 접속된 공통 접속수단(3), 전원을 접속하는 상기 반도체 레이저 다이오드의 전극과 상기 공통접속수단(3)에 전극을 각각 접속하는 바이패스 캐퍼시터(9), 상기 공통 접속수단(3)에 접속된 임피던스 수단 또는 신호 반사 수단(8), 및 상기 임피던스 수단 또는 상기 신호 반사 수단(8)에 접속된 접지수단으로 구성되는 광 반도체 장치 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)를 일정하게 바이어스하는 전원으로 더 구성되는 광 반도체 장치 회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)가 패키지내에 설치되는 광 반도체 장치 회로.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한항에 있어서, 적어도 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)의 온도을 일정한 값으로 유지하는 상기 패키지내에 설치되는 온도 제어수단(105)으로 더 구성되는 광 반도체 장치 회로.
  15. 반도체 레이저 다이오드(1), 인가된 변조신호에 응하여 상기 반도체 레이저 다이오드로 부터 출력된 광을 변조하는 광 모듈레이터(2), 및 바이어스 전류가 광을 발생하도록 입력되는 상기 반도체 레이저 다이오드의 전극에 접속되며 적어도 고주파수에서 저항으로서 동작하는 저항수단(5)로 구성되는 광 모듈.
  16. 제15항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)의 하나의 전극과 상기 광 모듈레이터(2)의 하나의 전극을 접속하는 공통 도전성 소자로 더 구성되는 광 모듈.
  17. 제16항에 있어서, 상기 공통 도전성 소자가 임피던스(8)를 거쳐 접지 단자에 접속되는 광 모듈.
  18. 제17항에 있어서, 상기 임피던스 수단(8)이 본딩와이어 또는 도전성 브리지인 광 모듈.
  19. 제16항에 있어서, 상기 공통 도전성 소자가 신호 반사 수단을 거쳐 접지단자에 접속된 광 모듈.
  20. 제16항 내지 제19항중 어느 한항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)가 공통 반도체 기판(100)상에 집적되며, 상기 공통 도전성 소자가 상기 반도체 기판(100) 또는 상기 반도체 기판(100)에 접속된 기판전극중 어느 하나인 광 모듈.
  21. 제16항 내지 제19항 중 어느 한항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)가 독립칩으로서 실현되며, 상기 공통 도전성 소자가 상기 반도체 레이저 다이오드 칩과 상기 광 모듈레이터 칩에 공통으로 접속된 도전성 기저 기판인 광 모듈.
  22. 제15항에 있어서, 상기 저항 수단이 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 직렬로 접속되는 광 모듈.
  23. 제15항에 있어서, 상기 저항 수단이 용량 소자를 거쳐 상기 반도체 레이저 다이오드(1)에 접속되는 광 모듈.
  24. 제15항 내지 제23항 중 어느 한항에 있어서, 적어도 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)의 온도를 일정한 값으로 유지하는 상기 패키지내에 설치되는 온도 제어수단(105)으로 더 구성되는 광 모듈.
  25. 반도체 레이저 다이오드(1), 인가된 변조신호에 응하여 상기 반도체 레이저 다이오드의 출력 광을 변조하는 광 모듈레이터(2), 및 전원을 접속한 상기 반도체 레이저 다이오드(1)의 전극과 상기 모듈내에 상기 공통 접속수단(3)에 전극을 각각 접속한 바이패스 캐퍼시터(9)로 구성되는 광 모듈.
  26. 제25항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)의 하나의 전극과 상기 광 모듈레이터(2)의 하나의 전극을 접속하는 공통 도전성 소자로 더 구성되는 광 모듈.
  27. 제26항에 있어서, 상기 공통 도전성 소자가 임피던스 수단(8)을 거쳐 접지단자에 접속되는 광 모듈.
  28. 제27항에 있어서, 상기 임피던스 수단(8)이 본딩와이어 또는 도전성 브리지인 광 모듈.
  29. 제26항에 있어서, 상기 공통 도전성 소자가 신호 반사 수단을 거쳐 접지단자에 접속되는 광 모듈.
  30. 제26항 내지 제29항 중 어느 한항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)가 공통 반도체 기판(100) 상에 집적되며, 상기 공통 도전성 소자가 상기 반도체 기판(100) 또는 상기 반도체 기판(100)에 접속된 기판 전극중 어느 하나인 광 모듈.
  31. 제26항 내지 제29항 중 어느 한항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 공 모듈레이터(2)가 독립칩으로서 실현되며, 상기 공통 도전성 소자가 상기 반도체 레이저 다이오드 칩과 상기 광 모듈레이터 칩에 공통으로 접속된 도전성 기저 기판인 광 모듈.
  32. 제25항 내지 제31항 중 어느 한항에 있어서, 적어도 상기 반도체 레이저 다이오드(1)와 상기 광 모듈레이터(2)의 온도를 일정한 값으로 유지하는 상기 패키지내에 설치된 온도 제어수단(105)으로 더 구성되는 광 모듈.
  33. 전력을 반도체 레이저 다이오드(1)에 공급하는 출력단자와 직렬로 접속된 저항으로 구성되어, 반도체 레이저 다이오드(1)를 일정하게 바이어스하도록 전력을 공급하는 전원장치.
  34. 저항소자(54)와 용량소자(53)으로 이루어지고 상기 반도체 레이저 다이오드에 접속된 단자와 접지 단자사이에 접속된 직렬 회로로 구성되어, 반도체 레이저 다이오드(1)를 일정하게 바이어스하도록 전력을 공급하는 전원장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940015268A 1993-06-30 1994-06-29 모듈레이터 직접 분포형 귀환 레이저 다이오드 모듈 및 이를 사용한 장치 KR950002137A (ko)

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2827977B2 (ja) * 1995-07-14 1998-11-25 日本電気株式会社 半導体光変調器の変調回路
JP3553222B2 (ja) * 1995-09-20 2004-08-11 三菱電機株式会社 光変調器モジュール
JPH1051069A (ja) * 1996-07-29 1998-02-20 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
US6937637B1 (en) * 2000-02-01 2005-08-30 Research Investment Network, Inc. Semiconductor laser and associated drive circuit substrate
EP1184949B1 (en) * 2000-08-28 2004-07-21 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation Electroabsorption modulator integrated distributed feedback laser transmitter
US6593829B2 (en) * 2001-09-06 2003-07-15 Anritsu Company Microstrip dot termination usable with optical modulators
JP2003163403A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Mitsubishi Electric Corp 光素子モジュール
JP4046535B2 (ja) * 2002-03-29 2008-02-13 ユーディナデバイス株式会社 光半導体装置、光モジュール及び光半導体駆動回路
JP2003309330A (ja) 2002-04-12 2003-10-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子
US6941080B2 (en) * 2002-07-15 2005-09-06 Triquint Technology Holding Co. Method and apparatus for directly modulating a laser diode using multi-stage driver circuitry
JP2004172237A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Sharp Corp 光送信制御装置
US7463659B2 (en) * 2003-07-09 2008-12-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Can-type optical transmitting module utilizing a laser diode with impedance matching resistors
US7425726B2 (en) * 2004-05-19 2008-09-16 Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd. Electroabsorption modulators and methods of making the same
JP4578164B2 (ja) * 2004-07-12 2010-11-10 日本オプネクスト株式会社 光モジュール
DE102004038405A1 (de) * 2004-08-07 2006-03-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Quantenkaskadenlaser mit reduzierter Verlustleistung
US20060083520A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Peter Healey Communication by radio waves and optical waveguides
TWM272296U (en) * 2005-02-18 2005-08-01 Yun-Shiuan Ye Thin-type laser module
JP2007194365A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信回路
JP2009177030A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Opnext Japan Inc 光送信モジュール及び光伝送装置
US7968902B2 (en) * 2008-03-31 2011-06-28 Bridgelux, Inc. Light emitting devices with constant forward voltage
US10371499B2 (en) 2010-12-27 2019-08-06 Axsun Technologies, Inc. Laser swept source with controlled mode locking for OCT medical imaging
JP5768551B2 (ja) * 2011-07-13 2015-08-26 住友電気工業株式会社 外部変調型レーザ素子の駆動回路
US9441944B2 (en) 2012-05-16 2016-09-13 Axsun Technologies Llc Regenerative mode locked laser swept source for OCT medical imaging
JP6372511B2 (ja) * 2016-04-01 2018-08-15 住友大阪セメント株式会社 光変調器
WO2018074410A1 (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 日本電信電話株式会社 直接変調レーザ駆動回路
JP7160045B2 (ja) * 2017-11-02 2022-10-25 ソニーグループ株式会社 半導体レーザ駆動回路、距離測定装置及び電子機器
JP7073121B2 (ja) 2018-01-31 2022-05-23 日本ルメンタム株式会社 光送信サブアセンブリ及び光モジュール
WO2019226337A1 (en) * 2018-05-21 2019-11-28 Google Llc Wavelength drift suppression for burst-mode tunable eml transmitter
US11600965B2 (en) * 2018-05-21 2023-03-07 Google Llc Burst mode laser driving circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4177436A (en) * 1977-12-05 1979-12-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Circuit for controlling the differential output power of a semiconductor laser
FR2415332A1 (fr) * 1978-01-20 1979-08-17 Thomson Csf Dispositif d'alimentation de source lumineuse a semi-conducteur
JPS57145385A (en) * 1981-03-03 1982-09-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Method for generating light pulse train
JPH0218978A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザの駆動回路
JP2631716B2 (ja) * 1988-09-20 1997-07-16 富士通株式会社 半導体発光装置

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