KR950001374A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 그 구성은 표면위에 실리콘층을 갖는 제1기판과; 상기 실리콘층에 대향하도록 배치된 투명한 제2기판과; 상기 제1기판과 제2기판사이에 끼워져 있는 액정층을 구비하고, 상기 제1기판은 상기 실리콘층내에 형성된 복수의 스위칭소자와, 상기 스위칭소자를 덮기 위하여 상기 제1기판의 표면위에 형성된 보호층과, 상기 보호층위에서 간격을 갖고 매트리스로 형성된 복수의 화소전극 및, 그 간격을 채우는 충진물을 구비하며, 상기 충진물의 표면은 상기 화소전극의 표면레벨과 동일한 레벨에 있도록 형성되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 일예를 보여주는 단면도, 제2A도 내지 제2G도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법의 일실시예를 보여주는 단면도, 제3A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법의 제2실시예를 보여주는 단면도, 제4A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법의 제3실시예를 보여주는 단면도.
Claims (14)
- 표면위에 실리콘층을 갖는 제1기판과; 상기 실리콘층에 대향하도록 배치된 투명한 제2기판과; 상기 제1기판과 제2기판사이에 끼워져 있는 액정층을 구비하고, 상기 제1기판은 상기 실리콘층내에 형성된 복수의 스위칭소자와, 상기 스위칭소자를 덮기 위하여 상기 제1기판의 표면위에 형성된 보호층과, 상기 보호층위에서 간격을 갖고 매트릭스로 형성된 복수의 화소전극 및, 그 간격을 채우는 충진물을 구비하며, 상기 충진물의 표면은 상기 화소전극의 표면레벨과 동일한 레벨에 있도록 형성된 액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1기판은 단결정실리콘기판인 액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 화소전극은 주성분으로서 알루미늄을 함유한 금속으로 이루어진 액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층진물은 유기물 또는 무기물중의 하나인 액정표시장치.
- 제4항에 있어서, 상기 유기물은 폴리이미드(polyimide)인 액정표시장치.
- 표면위에 실리콘층을 갖는 제1기판과; 상기 실리콘층에 대향하도록 배치된 투명한 제2기판과; 상기 제1기판과 제2기판사이에 끼워져 있는 액정층을 구비하고, 상기 제1기판은 상기 실리콘층내에 형성된 복수의 스위칭소자와, 상기 스위칭소자를 덮기 위하여 상기 제1기판의 표면위에 형성된 보호층과, 상기 보호층위에서 간격을 갖고 매트리스로 형성된 복수의 화소전극 및, 상기 화소전극을 덮기 위하여 상기 제1기판의 전체표면위에 형성된 간격을 채우는 층진물을 구비하며, 상기 층진물의 표면은 평탄한 액정표시장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1기판은 단결정실리콘기판인 액정표시장치.
- 제6항에 있어서, 상기 화소전극은 주성분으로서 알루미늄을 함유한 금속으로 이루어진 액정표시장치.
- 제6항에 있어서, 상기 층진물은 유기물 또는 무기물중의 하나인 액정표시장치.
- 제9항에 있어서, 상기 유기물은 폴리이미드(polyimide)인 액정표시장치.
- 제1항 내지 제10항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 화소전극의 표면은 경면처리된 액정표시장치.
- 제1항 내지 제11항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 화소전극과 충진물의 표면의 요철이 0.2㎛이하인 액정표시장치.
- 표면위에 실리콘층을 갖는 제1기판과; 상기 실리콘층에 대향하도록 배치된 투명한 제2기판과; 상기 제1기판과 제2기판사이에 끼워져 있는 액정층을 구비하고, 상기 제1기판은 상기 실리콘층내에 형성된 복수의 스위칭소자와, 상기 스위칭소자를 덮기 위하여 상기 제1기판의 표면위에 형성된 보호층과, 상기 보호층위에서 간격을 갖고 매트리스로 형성된 복수의 화소전극 및, 그 간격을 채우는 충진물을 구비하고, 상기 충진물의 표면은 상기 화소전극의 표면레벨과 동일한 레벨에 있도록 형성된 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 보호층위에 도전막을 형성하는 공정과; 상기 복수의 화소전극을 매트릭스로 형성하기 위하여 상기 도전막위에 상기 간격을 형성하는 공정과; 상기 간격을 채우고 그리고 상기 화소전극을 덮기 위하여 상기 제1기판의 전체표면을 상기 층진물로 도포하는 공정과; 상기 화소전극의 표면이 상기 층진물의 표면레벨과 동일한 레벨에 있도록 상기 층진물을 연마하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 표면위에 실리콘층을 갖는 제1기판과; 상기 실리콘층에 대향하도록 배치된 투명한 제2기판과; 상기 제1기판과 제2기판사이에 끼워져 있는 액정층을 구비하고, 상기 제1기판은 상기 실리콘층내에 형성된 복수의 스위칭소자와, 상기 스위칭소자를 덮기 위하여 상기 제1기판의 표면위에 형성된 보호층과, 상기 보호층위에서 간격을 갖고 매트리스로 형성된 복수의 화소전극 및, 상기 화소전극을 덮기 위하여 상기 제1기판의 전체 표면위에 형성된 간격을 채우는 층진물을 구비하고, 상기 층진물의 표면은 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 보호층위에 도전막을 형성하는 공정과; 상기 도전막의 표면을 경면처리하기 위하여 상기 도전막을 연마하는 공정과; 상기 복수의 화소전극을 매트릭스로 형성하기 위하여 상기 도전막위에 상기 간격을 형성하는 공정과; 상기 간격을 채우고 그리고 상기 화소전극을 덮기 위하여 상기 제1기판의 전체표면을 상기 충진물로 도포하는 공정과; 상기 충진물위에서 평탄화처리와 배향처리를 동시에 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6975296B1 (en) * | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
KR100294196B1 (ko) * | 1994-06-02 | 2002-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평활막을구비한액정표시소자및그형성방법 |
US6337232B1 (en) | 1995-06-07 | 2002-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabrication of a crystalline silicon thin film semiconductor with a thin channel region |
JPH07335906A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜状半導体装置およびその作製方法 |
JP3256834B2 (ja) * | 1995-06-01 | 2002-02-18 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3108861B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2000-11-13 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス基板、該基板を用いた表示装置、及びこれらの製造方法 |
JPH09127495A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
TW439003B (en) * | 1995-11-17 | 2001-06-07 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
JP3332773B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JPH1031231A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Sony Corp | 反射型ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3249077B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2002-01-21 | キヤノン株式会社 | マトリクス基板と液晶装置 |
JP3758768B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2006-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
JPH10172762A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置 |
US6163055A (en) * | 1997-03-24 | 2000-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4302194B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3390633B2 (ja) | 1997-07-14 | 2003-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3249079B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2002-01-21 | キヤノン株式会社 | マトリクス基板と液晶表示装置と投写型液晶表示装置 |
US6512566B1 (en) * | 1997-10-24 | 2003-01-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Matrix substrate, liquid crystal display device using it, and method for producing the matrix substrate |
JP3199312B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2001-08-20 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
US7202497B2 (en) * | 1997-11-27 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4014710B2 (ja) | 1997-11-28 | 2007-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2918875B1 (ja) * | 1998-03-02 | 1999-07-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 反射型液晶素子、製造方法およびプロジェクション表示装置 |
US6017780A (en) * | 1998-07-06 | 2000-01-25 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Passivation scheme for LCD and other applications |
US6670209B1 (en) | 1998-09-11 | 2003-12-30 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Embedded metal scheme for liquid crystal display (LCD) application |
EP1152886B1 (en) * | 1998-12-23 | 2009-10-07 | Aurora Systems, Inc. | Planar reflective light valve backplane and method for manufacturing the same |
TW525305B (en) | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
JP4643786B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2011-03-02 | インテレクチュアル ベンチャーズ ホールディング 45 リミティド ライアビリティ カンパニー | 反射型液晶表示装置用モジュール、その製造方法及び反射型液晶表示装置 |
JP4896318B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2012-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
TWI291729B (en) * | 2001-11-22 | 2007-12-21 | Semiconductor Energy Lab | A semiconductor fabricating apparatus |
KR100967824B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2010-07-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제작방법 |
US7133737B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Program for controlling laser apparatus and recording medium for recording program for controlling laser apparatus and capable of being read out by computer |
US7214573B2 (en) * | 2001-12-11 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device that includes patterning sub-islands |
JP3992976B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2007-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4030758B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2008-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP1457865B1 (fr) * | 2003-03-12 | 2017-11-08 | Asulab S.A. | Substrat à électrodes transparent et son procédé de fabrication |
JP4869601B2 (ja) | 2003-03-26 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
US7061570B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7202155B2 (en) * | 2003-08-15 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device |
TWI262344B (en) * | 2004-02-27 | 2006-09-21 | Au Optronics Corp | Pixel structure and fabricating method thereof |
JP2006330081A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
EP1887419A4 (en) * | 2005-06-02 | 2008-09-17 | Konica Minolta Holdings Inc | DISPLAY ELEMENT |
KR100959131B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP5144055B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2013-02-13 | 三星電子株式会社 | 表示基板及びこれを有する表示装置 |
CN105185816A (zh) | 2015-10-15 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
US11600234B2 (en) | 2015-10-15 | 2023-03-07 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display substrate and driving method thereof |
WO2021035414A1 (zh) | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及驱动方法、显示基板及驱动方法、显示装置 |
EP4020575A4 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-14 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING IT |
CN112740421A (zh) | 2019-08-23 | 2021-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
CN112840461A (zh) | 2019-08-23 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
US11404451B2 (en) | 2019-08-27 | 2022-08-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electronic device substrate, manufacturing method thereof, and electronic device |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2751131A1 (de) * | 1976-12-09 | 1978-06-15 | Hughes Aircraft Co | Fluessigkristall-bildschirm mit matrix-ansteuerung |
JPS5683781A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image display unit and production thereof |
JPS6027967B2 (ja) * | 1980-06-26 | 1985-07-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子 |
JPS602650B2 (ja) * | 1980-06-26 | 1985-01-23 | シャープ株式会社 | 液晶セル |
US4382658A (en) * | 1980-11-24 | 1983-05-10 | Hughes Aircraft Company | Use of polysilicon for smoothing of liquid crystal MOS displays |
US4602850A (en) * | 1984-03-08 | 1986-07-29 | Vidium, Inc. | Light valve display having integrated driving circuits and shield electrode |
NL8801164A (nl) * | 1987-06-10 | 1989-01-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting voor gebruik in reflectie. |
JPH0227318A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Seiko Epson Corp | 透明電極の平坦化方法 |
US5042918A (en) * | 1988-11-15 | 1991-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
JPH02148021A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-06 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
US5056895A (en) * | 1990-05-21 | 1991-10-15 | Greyhawk Systems, Inc. | Active matrix liquid crystal liquid crystal light valve including a dielectric mirror upon a leveling layer and having fringing fields |
KR970001735B1 (en) * | 1991-04-05 | 1997-02-14 | Sharp Kk | A liquid crystal display device and a liquid crystal display system using the liquid crystal display device |
JP2804198B2 (ja) * | 1991-04-05 | 1998-09-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2829149B2 (ja) * | 1991-04-10 | 1998-11-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH05273522A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示デバイスおよびそれを用いた表示装置 |
-
1993
- 1993-06-07 JP JP13622893A patent/JP2860226B2/ja not_active Expired - Fee Related
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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