KR940704054A - 열처리 장치(Heat Treatment Apparatus) - Google Patents
열처리 장치(Heat Treatment Apparatus)Info
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 11
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- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
열처리 장치에 있어서, 반응실과 매니폴드와의 접합부의 진공 밀폐 부재의 열에 의한 열화에 기인한 반응실의 기밀성의 저하를 방지함과 동시에, 장치의 구성 부재의 가열에 의한 구성 부재 입자의 반응실 속으로의 혼입을 방지하기 위한 장치이다.
열처리 장치의 반응실 격벽의 전체 길이를 반응실의 주위에 배치된 히터의 하단으로부터 충분히 떨어진 곳까지 연장하고, 그 연장된 격벽 부분에 반응실을 배기하기 위한 배기구를 설치한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술의 열처리 장치의 일부 단면도이다, 제2도는 본 발명의 열처리 장치의 일부 단면도이다.
Claims (2)
- 화학 증착(CVD) 장치 등의 열처리 장치 부분으로서, 석영 등의 고 순도 재료로 된 반응실 격벽과, 이 반응실 격벽에 의해 형성된 반응실을 가열하기 위한 이 반응실 격벽의 주위에 배치된 히터와, 상기 반응실 격벽의 개구 단부에 접합된 매니폴드와, 이 매니폴드의 개구부를 차폐하는 플랜지로 구성되는 열처리 장치에 있어서, 반응실 내를 배기하기 위한 배기구가 상기 반응실 격벽에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배기구가 상기 히터와 상기 매니폴드와의 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP92-327616 | 1992-11-13 | ||
JP4327616A JPH06151340A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 熱処理装置 |
PCT/JP1993/001661 WO1994011899A1 (en) | 1992-11-13 | 1993-11-12 | Heat treatment apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940704054A true KR940704054A (ko) | 1994-12-12 |
Family
ID=18201048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940702405A KR940704054A (ko) | 1992-11-13 | 1993-11-12 | 열처리 장치(Heat Treatment Apparatus) |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5509967A (ko) |
EP (1) | EP0628990A4 (ko) |
JP (1) | JPH06151340A (ko) |
KR (1) | KR940704054A (ko) |
WO (1) | WO1994011899A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237789A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 遮蔽体および熱処理装置および熱処理方法 |
US8211235B2 (en) * | 2005-03-04 | 2012-07-03 | Picosun Oy | Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6481216A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Nec Corp | Vapor growth apparatus |
EP0308946B1 (en) * | 1987-09-22 | 1993-11-24 | Nec Corporation | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness |
JP2602265B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1997-04-23 | 国際電気株式会社 | 縦形炉 |
JP2677606B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP2654996B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP2691752B2 (ja) * | 1988-10-13 | 1997-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
US5048800A (en) * | 1988-12-27 | 1991-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical heat treatment apparatus |
US5015330A (en) * | 1989-02-28 | 1991-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method and film forming device |
JP3023967B2 (ja) * | 1989-12-22 | 2000-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5000682A (en) * | 1990-01-22 | 1991-03-19 | Semitherm | Vertical thermal processor for semiconductor wafers |
US5127365A (en) * | 1990-02-27 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical heat-treatment apparatus for semiconductor parts |
US5279670A (en) * | 1990-03-31 | 1994-01-18 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical type diffusion apparatus |
JPH0453125A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | 加熱装置及びこの加熱装置を用いた半導体製造装置 |
JP2932000B2 (ja) * | 1990-09-25 | 1999-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JPH04163912A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JP2998903B2 (ja) * | 1990-11-14 | 2000-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5225378A (en) * | 1990-11-16 | 1993-07-06 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a phosphorus doped silicon film |
JP3055797B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2000-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
KR940006667B1 (ko) * | 1991-02-18 | 1994-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 미 반응가스의 제거 및 반응 억제장치 |
US5308955A (en) * | 1991-07-11 | 1994-05-03 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Vertical heat treatment apparatus with vented heat insulation cover means |
JPH05157716A (ja) * | 1991-12-09 | 1993-06-25 | Fujita Corp | 臭気測定方法及び装置 |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP4327616A patent/JPH06151340A/ja active Pending
-
1993
- 1993-11-12 WO PCT/JP1993/001661 patent/WO1994011899A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1993-11-12 EP EP93924821A patent/EP0628990A4/en not_active Withdrawn
- 1993-11-12 KR KR1019940702405A patent/KR940704054A/ko not_active Application Discontinuation
- 1993-11-12 US US08/256,505 patent/US5509967A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5509967A (en) | 1996-04-23 |
JPH06151340A (ja) | 1994-05-31 |
EP0628990A1 (en) | 1994-12-14 |
WO1994011899A1 (en) | 1994-05-26 |
EP0628990A4 (en) | 1995-04-12 |
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