KR940016874A - 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940016874A
KR940016874A KR1019920024010A KR920024010A KR940016874A KR 940016874 A KR940016874 A KR 940016874A KR 1019920024010 A KR1019920024010 A KR 1019920024010A KR 920024010 A KR920024010 A KR 920024010A KR 940016874 A KR940016874 A KR 940016874A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
emitter
oxide film
thermal oxide
tip
exposed
Prior art date
Application number
KR1019920024010A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950008758B1 (ko
Inventor
이강옥
이천규
Original Assignee
박경팔
삼성전관 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박경팔, 삼성전관 주식회사 filed Critical 박경팔
Priority to KR1019920024010A priority Critical patent/KR950008758B1/ko
Priority to US08/163,818 priority patent/US5527200A/en
Priority to JP34091293A priority patent/JPH06223707A/ja
Publication of KR940016874A publication Critical patent/KR940016874A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950008758B1 publication Critical patent/KR950008758B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

본 발명은 고농도 실리콘기판과, 상기 고농도 실리콘기판 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 내에 형성된 공동부와, 상기 공동부내의 상기 실리콘기판 상에 기판과 일체로 형성된 에미터와, 상기 절연막 상에 형성된 게이트전극으로 구성되고, 상기 절연막이 4000Å 두께의 열산화막으로 이루어지고, 상기 게이트전극이 상기 에미터 선단 주위를 둘러싸는 구조로 이루어져 궁극적으로 생산성 향상 및 제조원가 절하에 기여할 수 있다.

Description

실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A-3E도는 본 발명에 의한 실리콘 전계방출소자를 제조하기 위한 공정단면도이다.

Claims (4)

  1. 불순물이 고농도로 도핑된 도전성 기판, 상기 기판과 일체로 원추형 구조로 형성된 에미터, 상기 기판위에 상기 원추형 에미터를 둘러싸도록 형성되나 에미터 선단이 노출되도록 형성된 SiO2열산화막, 및 상기 열산화막 위에 형성되며 상기 노출된 에미터의 대략 동등한 높이로 상기 노출된 에미터와의 사이에 공동이 형성되도록 노출된 에미터를 둘러싸는 게이트 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 전계방출소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 SiO2열산화막의 두께가 4000Å인 것을 특징으로 하는 실리콘 전계방출소자.
  3. 불순물이 고농도로 도포된 실리콘 기판표면을 산화시킨 후, 사진식각하여 열산화 마스크를 형성하는 마스크 형성 공정, 상기 산화막을 마스크로 이용하여 원추형상의 에미터를 형성하기 위한 실리콘 기판의 배향의존에칭 공정, 평면선단을 갖는 상기 에미터를 날카로운 팁으로 형성함과 동시에 절연층 역할을 하는 박형의 열산화막을 형성하기 위한 열산화 공정, 상기 열산화막 위에 게이트 금속을 스퍼터링 증착하여 상기 에미터 선단을 둘러싸는 구조가 되도록 게이트전극을 형성하는 게이트 증착 공정, 상기 열산화 마스크를 식가하여 원뿔형 에미터 선단을 노출시키기 위한 리프트-오프(lift-off) 공정으로 이루어지는 실리콘 전계방출소자의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 열산화 공정을 통하여 형성된 박형의 열산화막 두께가 4000Å인 것을 특징으로 하는 실리콘 전계방출소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920024010A 1992-12-11 1992-12-11 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법 KR950008758B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920024010A KR950008758B1 (ko) 1992-12-11 1992-12-11 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법
US08/163,818 US5527200A (en) 1992-12-11 1993-12-08 Method for making a silicon field emission emitter
JP34091293A JPH06223707A (ja) 1992-12-11 1993-12-10 シリコン電界放出素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920024010A KR950008758B1 (ko) 1992-12-11 1992-12-11 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940016874A true KR940016874A (ko) 1994-07-25
KR950008758B1 KR950008758B1 (ko) 1995-08-04

Family

ID=19345321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920024010A KR950008758B1 (ko) 1992-12-11 1992-12-11 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5527200A (ko)
JP (1) JPH06223707A (ko)
KR (1) KR950008758B1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2709206B1 (fr) * 1993-06-14 2004-08-20 Fujitsu Ltd Dispositif cathode ayant une petite ouverture, et son procédé de fabrication.
US5869169A (en) * 1996-09-27 1999-02-09 Fed Corporation Multilayer emitter element and display comprising same
US6022256A (en) * 1996-11-06 2000-02-08 Micron Display Technology, Inc. Field emission display and method of making same
US6144145A (en) * 1997-07-11 2000-11-07 Emagin Corporation High performance field emitter and method of producing the same
US6259937B1 (en) * 1997-09-12 2001-07-10 Alfred E. Mann Foundation Implantable substrate sensor
JP3019041B2 (ja) * 1997-09-26 2000-03-13 日本電気株式会社 電界放出型陰極及びその製造方法
US6080032A (en) * 1997-10-10 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Process for low temperature semiconductor fabrication
US6465941B1 (en) * 1998-12-07 2002-10-15 Sony Corporation Cold cathode field emission device and display
GB2372146B (en) * 2001-02-09 2003-03-26 Leica Microsys Lithography Ltd Cathode
US6822379B2 (en) * 2002-10-01 2004-11-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Emission device and method for forming
KR20050113505A (ko) * 2004-05-29 2005-12-02 삼성에스디아이 주식회사 전계방출 표시장치 및 그 제조방법
US20050269286A1 (en) * 2004-06-08 2005-12-08 Manish Sharma Method of fabricating a nano-wire
US7701128B2 (en) * 2005-02-04 2010-04-20 Industrial Technology Research Institute Planar light unit using field emitters and method for fabricating the same
US7564178B2 (en) * 2005-02-14 2009-07-21 Agere Systems Inc. High-density field emission elements and a method for forming said emission elements
US9196447B2 (en) 2012-12-04 2015-11-24 Massachusetts Institutes Of Technology Self-aligned gated emitter tip arrays
US9748071B2 (en) 2013-02-05 2017-08-29 Massachusetts Institute Of Technology Individually switched field emission arrays
WO2017112937A1 (en) 2015-12-23 2017-06-29 Massachusetts Institute Of Technology Electron transparent membrane for cold cathode devices

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7604569A (nl) * 1976-04-29 1977-11-01 Philips Nv Veldemitterinrichting en werkwijze tot het vormen daarvan.
JP3033179B2 (ja) * 1990-10-30 2000-04-17 ソニー株式会社 電界放出型エミッタ及びその製造方法
US5312514A (en) * 1991-11-07 1994-05-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter device using randomly located nuclei as an etch mask
JP2550798B2 (ja) * 1991-04-12 1996-11-06 富士通株式会社 微小冷陰極の製造方法
US5266530A (en) * 1991-11-08 1993-11-30 Bell Communications Research, Inc. Self-aligned gated electron field emitter
KR960009127B1 (en) * 1993-01-06 1996-07-13 Samsung Display Devices Co Ltd Silicon field emission emitter and the manufacturing method
KR0176423B1 (ko) * 1993-07-26 1999-05-15 박경팔 전계 방출 어레이 및 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06223707A (ja) 1994-08-12
KR950008758B1 (ko) 1995-08-04
US5527200A (en) 1996-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940016874A (ko) 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법
KR940018911A (ko) 실리콘 전계방출에미터 및 그 제조방법
KR890007364A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR960026078A (ko) 저전압구동형 전계방출어레이의 제조방법
KR960042876A (ko) 원추형 이미터 전극이 있는 전계 방출형 냉음극 장치 및 그의 제조방법
KR960032060A (ko) 폴리실리콘 박막트랜지스터 액정디스플레이 화소부분의 엘디디 구조 및 그 제조방법
KR920017236A (ko) 폴리실리콘층을 이용한 자기정렬콘택 제조방법
JPS60177676A (ja) 薄膜トランジスタ素子およびその製造方法
KR960005662A (ko) 전계 방출 냉음극 및 그 제조 방법
KR970030066A (ko) 전계방출소자 및 그 제조방법
KR920007124A (ko) 폴리 에미터 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
KR950009786A (ko) 전계방사형 음극 구조체의 제조방법
KR970023815A (ko) 습식 식각을 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
JPS60192330A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100186250B1 (ko) Fed의 전계 방출 소자 제조방법
KR970030083A (ko) 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 fea 제조방법
KR970008265A (ko) 금속이 코팅된 3극 필드 에미터 제조방법
SU526221A1 (ru) Способ изготовлени транзисторных структур
KR980006514A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR950030396A (ko) 캐패시터 제조방법
KR970030089A (ko) 이중 게이트 산화막을 갖는 fed 장치의 제조방법
JPS56134761A (en) Manufacturing of semiconductor device
KR970030055A (ko) Locos에 의한 실리콘 fea 제조방법
KR910008831A (ko) 반도체 소자와 그 제조방법
KR970054471A (ko) 박막 바이폴라 트랜지스터 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020730

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee