Claims (4)
콘택홀 형성 방법에 있어서, 하층 도전층 상부에 절연층을 형성하고, 절연층 상부에 콘택홀용 제1감광막 패턴을 형성하고, 1차 웬에치와 1차 드라이에치로 절연층의 소정 두께를 순차적으로 소정 두께식 식각하여 상부가 라운드된 홈을 형성하는 단계와, 상기 제1 감광막 패턴을 제거한 다음, 다시 상기 절연층 상부에 콘택홀용 제2감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2감광막 패턴을 마스크로 이용하여 2차 웬에치와 2차 드라이에치로 노출되는 절연층을 각각 소정 두께 식각하여 하부 도전층이 노출된 콘택홀을 형성하되 2단계로 라운드된 측벽을 갖는 콘택홀로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.In the contact hole forming method, an insulating layer is formed on the lower conductive layer, a first photoresist pattern for the contact hole is formed on the insulating layer, and a predetermined thickness of the insulating layer is sequentially formed by the first ween etch and the first dry etch. Forming a groove having a rounded upper portion by etching a predetermined thickness, removing the first photoresist pattern, and again forming a second photoresist pattern for a contact hole on the insulating layer, and forming the second photoresist pattern Etching the insulating layers exposed by the secondary wench and the secondary dry etch using a mask to a predetermined thickness, respectively, to form a contact hole having the lower conductive layer exposed thereto, and forming a contact hole having a sidewall rounded in two steps. Contact hole forming method comprising a.
제1항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성한 다음, 열처리 공정을 실시하여 콘택홀의 측벽이 완만하게 라운드되도록 하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein after forming the contact hole, a heat treatment process is performed to smoothly round the sidewalls of the contact hole.
콘택홀을 제조하는 방법에 있어서, 하부 도전층 상부에 절연층을 형성하고 절연층 상부에 콘택홀용 제1감광막 패턴을 형성하고, 제1차 웬에치 및 제1차 드라이에치로 절연층의 소정 두께를 순차적으로 식각하여 홈을 형성하는 단계와, 2차 웬에치와 2차 드라이에치로 절연층의 소정 두께를 순차적으로 식각하여 하부 도전층이 노출된 콘택홀을 형성하되, 2단계로 라운드된 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 콘택홀 형성 방법.In the method for manufacturing a contact hole, an insulating layer is formed on the lower conductive layer, a first photoresist pattern for the contact hole is formed on the insulating layer, and the first wen etch and the first dry etch are used to define the insulating layer. Etching the thickness sequentially to form a groove, and sequentially etching a predetermined thickness of the insulating layer using a secondary ween etch and a secondary dry etch to form a contact hole exposing the lower conductive layer, and rounding in two steps Forming a contact hole comprising the step of forming a contact hole.
제3항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계후에 열처리 공정을 실시하여 콘택홀이 측벽이 완만하게 라운드되도록 하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법.The method of claim 3, wherein after the forming of the contact hole, a heat treatment is performed to smoothly round the sidewalls of the contact hole.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
제3항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계후에 열처리 공정을 실시하여 콘택홀이 측벽이 완만하게 라운드 되도록 하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법.The method of claim 3, wherein after the forming of the contact hole, a heat treatment is performed to smoothly round the sidewalls of the contact hole.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.