JPH031530A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH031530A JPH031530A JP13519089A JP13519089A JPH031530A JP H031530 A JPH031530 A JP H031530A JP 13519089 A JP13519089 A JP 13519089A JP 13519089 A JP13519089 A JP 13519089A JP H031530 A JPH031530 A JP H031530A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体や電子部品の製造に使用される高分子
有機膜灰化装置、特にドライエツチング装置に関する。
有機膜灰化装置、特にドライエツチング装置に関する。
（従来の技術）
高分子有機膜の灰化方法としては、Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２０
２によるウェット法と、ドライエツチング装置により発
生させた酸素ガス（０２）プラズマを使用するドライ法
とがある。
２によるウェット法と、ドライエツチング装置により発
生させた酸素ガス（０２）プラズマを使用するドライ法
とがある。
前者はＨ２ＳＯ４を使用しているためＡＩのような金属
膜には適用できないという欠点があり、専ら後者の方法
が用いられている。
膜には適用できないという欠点があり、専ら後者の方法
が用いられている。
第２図は、高分子有機膜の灰化に際して、現在数も多く
使用されているバレル型のドライエツチング装置を例示
している。
使用されているバレル型のドライエツチング装置を例示
している。
同図の装置において、真空容器からなる反応室１内の載
置台２上に、被処理物３を載置し、ガス導入管４より反
応室１内に酸素ガスを導入する。
置台２上に、被処理物３を載置し、ガス導入管４より反
応室１内に酸素ガスを導入する。
反応室１の上下に配置した電極５．６間に、高周波電源
７より高周波電圧を印加し、酸素ガスを励起させて０２
プラズマを発生させる。
７より高周波電圧を印加し、酸素ガスを励起させて０２
プラズマを発生させる。
この０２プラズマは、被処理物３上の高分子有機膜の主
成分である炭素と反応して炭酸ガスまたは−酸化炭素と
なり、高分子有機膜の剥離が行われる。このようにして
発生したガスはガス排気管８を通して排出される。
成分である炭素と反応して炭酸ガスまたは−酸化炭素と
なり、高分子有機膜の剥離が行われる。このようにして
発生したガスはガス排気管８を通して排出される。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来のバレル型ドライエツチング装置において
は、処理中にプラズマ、反応熱あるいはヒーターからの
熱によって被処理物の温度か上昇し、高分子有機膜が変
質したり、硬化したりする危険性があり、また高分子有
機膜を完全に除去しきれずに、第３図に示すように被処
理物３の表面に残さ１０として残ることがある。
は、処理中にプラズマ、反応熱あるいはヒーターからの
熱によって被処理物の温度か上昇し、高分子有機膜が変
質したり、硬化したりする危険性があり、また高分子有
機膜を完全に除去しきれずに、第３図に示すように被処
理物３の表面に残さ１０として残ることがある。
なお、第３図において、１１はＳｉ基板、１２は５ｉ０
２膜、１３はＡｌ−８ｉ−Ｃｕのスパッタ層を示す。
２膜、１３はＡｌ−８ｉ−Ｃｕのスパッタ層を示す。
また、被処理物３が直接プラズマに曝されるため、被処
理物３中に汚染物が打込まれ、損傷を引起こしやすくな
るという欠点がある。
理物３中に汚染物が打込まれ、損傷を引起こしやすくな
るという欠点がある。
（発明の目的）
本発明は従来技術における上述のごとき欠点を解決すべ
くなされたもので、被処理物が直接プラズマに曝されな
いようにするとともに、処理中の被処理物の温度を１２
０℃以下に制御することにより、損傷が少なく、しかも
高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング装置を
提供することを目的とするものである。
くなされたもので、被処理物が直接プラズマに曝されな
いようにするとともに、処理中の被処理物の温度を１２
０℃以下に制御することにより、損傷が少なく、しかも
高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング装置を
提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明のドライエツチング装置は、上記目的を達成する
ため、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けた高分
子有機膜灰化装置において、高分子有機膜灰化時の被処
理物を冷却する被処理物冷却装置と、前記被処理物の温
度を測定する温度測定手段と、この温度測定手段からの
出力に基づいて前記被処理物の高分子有機膜灰化時の温
度を１２０℃以下に制御する温度制御装置とを具備する
ことを特徴とするものである。
ため、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けた高分
子有機膜灰化装置において、高分子有機膜灰化時の被処
理物を冷却する被処理物冷却装置と、前記被処理物の温
度を測定する温度測定手段と、この温度測定手段からの
出力に基づいて前記被処理物の高分子有機膜灰化時の温
度を１２０℃以下に制御する温度制御装置とを具備する
ことを特徴とするものである。
（作 用）
上述のように本発明のドライエツチング装置においては
、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けるとともに
、高分子有機膜灰化時における被処理物の温度を１２０
℃以下に制御するようにしたので、被処理物を低損傷で
、しかも高分子有機膜を完全に灰化することができる。
、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けるとともに
、高分子有機膜灰化時における被処理物の温度を１２０
℃以下に制御するようにしたので、被処理物を低損傷で
、しかも高分子有機膜を完全に灰化することができる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。なお、
第２図におけると同一部分には同一の符号を付しである
。
第２図におけると同一部分には同一の符号を付しである
。
第１図は本発明のドライエツチング装置の一例を示すも
ので、反応室１内には被処理物３を搭載する載置台２が
設けられている。裁置台２は静電吸着装置２０を備えて
おり、高電圧発生装置２１から高電圧を印加すると、被
処理物３は静電吸着装置２０に静電的に吸着され、密着
する。
ので、反応室１内には被処理物３を搭載する載置台２が
設けられている。裁置台２は静電吸着装置２０を備えて
おり、高電圧発生装置２１から高電圧を印加すると、被
処理物３は静電吸着装置２０に静電的に吸着され、密着
する。
載置台２には冷凍機等の被処理物冷却装置２２が連結さ
れており、載置台２上の静電吸着装置２０に密着してい
る被処理物３を冷却する。また、載置台２には被処理物
３の温度を測定する熱雷対などの温度測定手段（図示せ
ず）が取付けられている。この温度測定手段から引出さ
れたリード線２３は温度制御装置２４に接続されている
。
れており、載置台２上の静電吸着装置２０に密着してい
る被処理物３を冷却する。また、載置台２には被処理物
３の温度を測定する熱雷対などの温度測定手段（図示せ
ず）が取付けられている。この温度測定手段から引出さ
れたリード線２３は温度制御装置２４に接続されている
。
温度制御装置２４は前記温度測定手段によって計測され
た温度信号に基づいて、被処理物冷却装置２２を制御し
、被処理物３の温度が、処理時間中、常に１２０℃以下
となるようにフィードバック制御する。
た温度信号に基づいて、被処理物冷却装置２２を制御し
、被処理物３の温度が、処理時間中、常に１２０℃以下
となるようにフィードバック制御する。
反応室１の上方部には、ガス導入管４が接続されており
、このガス導入管の途中にはプラズマ発生装置２５が介
挿されている。
、このガス導入管の途中にはプラズマ発生装置２５が介
挿されている。
プラズマ発生装置２５は、石英製の放電管２６と、その
外側に設置された導波管２７とから構成されており、導
波管２７を介してマイクロ波を印加することにより、放
電管２６内を流れる反応性ガスは活性化され、ｏ２プラ
ズマとなって反応室１に流込み、被処理物３をケミカル
エツチングする。
外側に設置された導波管２７とから構成されており、導
波管２７を介してマイクロ波を印加することにより、放
電管２６内を流れる反応性ガスは活性化され、ｏ２プラ
ズマとなって反応室１に流込み、被処理物３をケミカル
エツチングする。
反応室１の底壁にはエツチング後のガスを排出するガス
排気管８が接続されており、このガス排気管には真空ポ
ンプ（図示せず）が接続されている。
排気管８が接続されており、このガス排気管には真空ポ
ンプ（図示せず）が接続されている。
第４図は被処理物３を例示するもので、Ｓｉ基板１１上
には、熱酸化法により、５ｉ０２膜１２が形成されてお
り、その上にはＡ Ｉ −Ｓ ｉ −Ｃｕのスパッタ層
１３が設けられている。このスパッタ層１３は、その上
にマスク形成されたポジ型レジスト（高分子有機膜）１
４によりマスキングされ、所定のパターンにエツチング
されている。
には、熱酸化法により、５ｉ０２膜１２が形成されてお
り、その上にはＡ Ｉ −Ｓ ｉ −Ｃｕのスパッタ層
１３が設けられている。このスパッタ層１３は、その上
にマスク形成されたポジ型レジスト（高分子有機膜）１
４によりマスキングされ、所定のパターンにエツチング
されている。
このような構成の被処理物３を第１図に示した本発明の
ドライエツチング装置の反応室１内の静電吸着装置２０
に密着させ、プラズマ発生装置２６から反応性ガスを反
応室１内に送り込み、高分子有機膜を灰化させた。この
場合、反応性ガスとしてＣＦ４ ＋０２の混合ガスを用
い、温度制御装置２４により被処理物冷却装置２２をフ
ィードバック制御して被処理物３の温度を１２０℃以下
に保持した。その結果、得られた被処理物３は第５図に
示すように、ポジ型レジスト１４は完全に灰化除去され
、またレジスト１４の変質、硬化も発生していなかった
。
ドライエツチング装置の反応室１内の静電吸着装置２０
に密着させ、プラズマ発生装置２６から反応性ガスを反
応室１内に送り込み、高分子有機膜を灰化させた。この
場合、反応性ガスとしてＣＦ４ ＋０２の混合ガスを用
い、温度制御装置２４により被処理物冷却装置２２をフ
ィードバック制御して被処理物３の温度を１２０℃以下
に保持した。その結果、得られた被処理物３は第５図に
示すように、ポジ型レジスト１４は完全に灰化除去され
、またレジスト１４の変質、硬化も発生していなかった
。
次に、本発明の他の適用例として、Ｓｉ基板上に熱酸化
法により５ｉ０２膜を形成し、その上に気相成長法によ
り多結晶Ｓｔ層を堆積させ、ポジ型レジストによりマス
キングした後、エツチングを行った。
法により５ｉ０２膜を形成し、その上に気相成長法によ
り多結晶Ｓｔ層を堆積させ、ポジ型レジストによりマス
キングした後、エツチングを行った。
第６図はその性能を耐圧特性で示すもので、曲線■は本
発明装置による場合を、曲線■は第２図のバレル型装置
による場合を、また曲線■はＨ２ＳＯ４／Ｈ２０２を用
いたウェットエツチングによる場合を示している。
発明装置による場合を、曲線■は第２図のバレル型装置
による場合を、また曲線■はＨ２ＳＯ４／Ｈ２０２を用
いたウェットエツチングによる場合を示している。
この図から明らかなように、曲線■の本発明装置による
場合は、低電界域において、曲線■て示す従来のバレル
型装置による場合よりも素箔不良率が大幅に低下してい
る。また、曲線■と曲線■とを対比すれば明らかなよう
に、本発明による場合は、ウェットエツチングによる場
合とほぼ同様に、低い不良率に収まっている。
場合は、低電界域において、曲線■て示す従来のバレル
型装置による場合よりも素箔不良率が大幅に低下してい
る。また、曲線■と曲線■とを対比すれば明らかなよう
に、本発明による場合は、ウェットエツチングによる場
合とほぼ同様に、低い不良率に収まっている。
なお、上述の例では、温度測定手段として熱電対を使用
した例につき述べたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば赤外線温度計や蛍光温度計を用いても
よい。
した例につき述べたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば赤外線温度計や蛍光温度計を用いても
よい。
以上説明したように、本発明によれば、損傷が少なく、
しかも高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング
装置を得ることができる。
しかも高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング
装置を得ることができる。
被処理物冷却装置、２３・・・リード線、２４・・・温
度制御装置、２５・・・プラズマ発生装置、２６・・・
放電管、２７・・・導波管。
度制御装置、２５・・・プラズマ発生装置、２６・・・
放電管、２７・・・導波管。
第１図は本発明のドライエツチング装置を例示する概略
図、第２図は従来のドライエツチング装置を例示する概
略図、第３図は従来方法によりエツチング処理された被
処理物を例示する断面図、第４図は本発明方法が適用さ
れる被処理物を例示する断面図、第５図は本発明装置に
よりエツチング処理された被処理物を例示する断面図、
第６図は本発明および従来装置の効果を説明するグラフ
である。
図、第２図は従来のドライエツチング装置を例示する概
略図、第３図は従来方法によりエツチング処理された被
処理物を例示する断面図、第４図は本発明方法が適用さ
れる被処理物を例示する断面図、第５図は本発明装置に
よりエツチング処理された被処理物を例示する断面図、
第６図は本発明および従来装置の効果を説明するグラフ
である。
Claims (1)
- プラズマ発生装置を反応室と分離して設けた高分子有機
膜灰化装置において、高分子有機膜灰化時の被処理物を
冷却する被処理物冷却装置と、前記被処理物の温度を測
定する温度測定手段と、この温度測定手段からの出力に
基づいて前記被処理物の高分子有機膜灰化時の温度を１
２０℃以下に制御する温度制御装置とを具備することを
特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13519089A JPH031530A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13519089A JPH031530A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031530A true JPH031530A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15145945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13519089A Pending JPH031530A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334251A (en) * | 1990-04-09 | 1994-08-02 | Anelva Corporation | Method of and apparatus for controlling temperature in the processing of a substrate |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62208636A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-09-12 | Fujitsu Ltd | レジスト剥離方法 |
| JPS62281423A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法及び装置 |
| JPS6459819A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Tokuda Seisakusho | Dry etching |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13519089A patent/JPH031530A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62208636A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-09-12 | Fujitsu Ltd | レジスト剥離方法 |
| JPS62281423A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法及び装置 |
| JPS6459819A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Tokuda Seisakusho | Dry etching |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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