JPH031530A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH031530A JPH031530A JP13519089A JP13519089A JPH031530A JP H031530 A JPH031530 A JP H031530A JP 13519089 A JP13519089 A JP 13519089A JP 13519089 A JP13519089 A JP 13519089A JP H031530 A JPH031530 A JP H031530A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体や電子部品の製造に使用される高分子
有機膜灰化装置、特にドライエツチング装置に関する。
有機膜灰化装置、特にドライエツチング装置に関する。
(従来の技術)
高分子有機膜の灰化方法としては、H2SO4/H20
2によるウェット法と、ドライエツチング装置により発
生させた酸素ガス(02)プラズマを使用するドライ法
とがある。
2によるウェット法と、ドライエツチング装置により発
生させた酸素ガス(02)プラズマを使用するドライ法
とがある。
前者はH2SO4を使用しているためAIのような金属
膜には適用できないという欠点があり、専ら後者の方法
が用いられている。
膜には適用できないという欠点があり、専ら後者の方法
が用いられている。
第2図は、高分子有機膜の灰化に際して、現在数も多く
使用されているバレル型のドライエツチング装置を例示
している。
使用されているバレル型のドライエツチング装置を例示
している。
同図の装置において、真空容器からなる反応室1内の載
置台2上に、被処理物3を載置し、ガス導入管4より反
応室1内に酸素ガスを導入する。
置台2上に、被処理物3を載置し、ガス導入管4より反
応室1内に酸素ガスを導入する。
反応室1の上下に配置した電極5.6間に、高周波電源
7より高周波電圧を印加し、酸素ガスを励起させて02
プラズマを発生させる。
7より高周波電圧を印加し、酸素ガスを励起させて02
プラズマを発生させる。
この02プラズマは、被処理物3上の高分子有機膜の主
成分である炭素と反応して炭酸ガスまたは−酸化炭素と
なり、高分子有機膜の剥離が行われる。このようにして
発生したガスはガス排気管8を通して排出される。
成分である炭素と反応して炭酸ガスまたは−酸化炭素と
なり、高分子有機膜の剥離が行われる。このようにして
発生したガスはガス排気管8を通して排出される。
(発明が解決しようとする課題)
上述した従来のバレル型ドライエツチング装置において
は、処理中にプラズマ、反応熱あるいはヒーターからの
熱によって被処理物の温度か上昇し、高分子有機膜が変
質したり、硬化したりする危険性があり、また高分子有
機膜を完全に除去しきれずに、第3図に示すように被処
理物3の表面に残さ10として残ることがある。
は、処理中にプラズマ、反応熱あるいはヒーターからの
熱によって被処理物の温度か上昇し、高分子有機膜が変
質したり、硬化したりする危険性があり、また高分子有
機膜を完全に除去しきれずに、第3図に示すように被処
理物3の表面に残さ10として残ることがある。
なお、第3図において、11はSi基板、12は5i0
2膜、13はAl−8i−Cuのスパッタ層を示す。
2膜、13はAl−8i−Cuのスパッタ層を示す。
また、被処理物3が直接プラズマに曝されるため、被処
理物3中に汚染物が打込まれ、損傷を引起こしやすくな
るという欠点がある。
理物3中に汚染物が打込まれ、損傷を引起こしやすくな
るという欠点がある。
(発明の目的)
本発明は従来技術における上述のごとき欠点を解決すべ
くなされたもので、被処理物が直接プラズマに曝されな
いようにするとともに、処理中の被処理物の温度を12
0℃以下に制御することにより、損傷が少なく、しかも
高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング装置を
提供することを目的とするものである。
くなされたもので、被処理物が直接プラズマに曝されな
いようにするとともに、処理中の被処理物の温度を12
0℃以下に制御することにより、損傷が少なく、しかも
高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング装置を
提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明のドライエツチング装置は、上記目的を達成する
ため、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けた高分
子有機膜灰化装置において、高分子有機膜灰化時の被処
理物を冷却する被処理物冷却装置と、前記被処理物の温
度を測定する温度測定手段と、この温度測定手段からの
出力に基づいて前記被処理物の高分子有機膜灰化時の温
度を120℃以下に制御する温度制御装置とを具備する
ことを特徴とするものである。
ため、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けた高分
子有機膜灰化装置において、高分子有機膜灰化時の被処
理物を冷却する被処理物冷却装置と、前記被処理物の温
度を測定する温度測定手段と、この温度測定手段からの
出力に基づいて前記被処理物の高分子有機膜灰化時の温
度を120℃以下に制御する温度制御装置とを具備する
ことを特徴とするものである。
(作 用)
上述のように本発明のドライエツチング装置においては
、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けるとともに
、高分子有機膜灰化時における被処理物の温度を120
℃以下に制御するようにしたので、被処理物を低損傷で
、しかも高分子有機膜を完全に灰化することができる。
、プラズマ発生装置を反応室と分離して設けるとともに
、高分子有機膜灰化時における被処理物の温度を120
℃以下に制御するようにしたので、被処理物を低損傷で
、しかも高分子有機膜を完全に灰化することができる。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。なお、
第2図におけると同一部分には同一の符号を付しである
。
第2図におけると同一部分には同一の符号を付しである
。
第1図は本発明のドライエツチング装置の一例を示すも
ので、反応室1内には被処理物3を搭載する載置台2が
設けられている。裁置台2は静電吸着装置20を備えて
おり、高電圧発生装置21から高電圧を印加すると、被
処理物3は静電吸着装置20に静電的に吸着され、密着
する。
ので、反応室1内には被処理物3を搭載する載置台2が
設けられている。裁置台2は静電吸着装置20を備えて
おり、高電圧発生装置21から高電圧を印加すると、被
処理物3は静電吸着装置20に静電的に吸着され、密着
する。
載置台2には冷凍機等の被処理物冷却装置22が連結さ
れており、載置台2上の静電吸着装置20に密着してい
る被処理物3を冷却する。また、載置台2には被処理物
3の温度を測定する熱雷対などの温度測定手段(図示せ
ず)が取付けられている。この温度測定手段から引出さ
れたリード線23は温度制御装置24に接続されている
。
れており、載置台2上の静電吸着装置20に密着してい
る被処理物3を冷却する。また、載置台2には被処理物
3の温度を測定する熱雷対などの温度測定手段(図示せ
ず)が取付けられている。この温度測定手段から引出さ
れたリード線23は温度制御装置24に接続されている
。
温度制御装置24は前記温度測定手段によって計測され
た温度信号に基づいて、被処理物冷却装置22を制御し
、被処理物3の温度が、処理時間中、常に120℃以下
となるようにフィードバック制御する。
た温度信号に基づいて、被処理物冷却装置22を制御し
、被処理物3の温度が、処理時間中、常に120℃以下
となるようにフィードバック制御する。
反応室1の上方部には、ガス導入管4が接続されており
、このガス導入管の途中にはプラズマ発生装置25が介
挿されている。
、このガス導入管の途中にはプラズマ発生装置25が介
挿されている。
プラズマ発生装置25は、石英製の放電管26と、その
外側に設置された導波管27とから構成されており、導
波管27を介してマイクロ波を印加することにより、放
電管26内を流れる反応性ガスは活性化され、o2プラ
ズマとなって反応室1に流込み、被処理物3をケミカル
エツチングする。
外側に設置された導波管27とから構成されており、導
波管27を介してマイクロ波を印加することにより、放
電管26内を流れる反応性ガスは活性化され、o2プラ
ズマとなって反応室1に流込み、被処理物3をケミカル
エツチングする。
反応室1の底壁にはエツチング後のガスを排出するガス
排気管8が接続されており、このガス排気管には真空ポ
ンプ(図示せず)が接続されている。
排気管8が接続されており、このガス排気管には真空ポ
ンプ(図示せず)が接続されている。
第4図は被処理物3を例示するもので、Si基板11上
には、熱酸化法により、5i02膜12が形成されてお
り、その上にはA I −S i −Cuのスパッタ層
13が設けられている。このスパッタ層13は、その上
にマスク形成されたポジ型レジスト(高分子有機膜)1
4によりマスキングされ、所定のパターンにエツチング
されている。
には、熱酸化法により、5i02膜12が形成されてお
り、その上にはA I −S i −Cuのスパッタ層
13が設けられている。このスパッタ層13は、その上
にマスク形成されたポジ型レジスト(高分子有機膜)1
4によりマスキングされ、所定のパターンにエツチング
されている。
このような構成の被処理物3を第1図に示した本発明の
ドライエツチング装置の反応室1内の静電吸着装置20
に密着させ、プラズマ発生装置26から反応性ガスを反
応室1内に送り込み、高分子有機膜を灰化させた。この
場合、反応性ガスとしてCF4 +02の混合ガスを用
い、温度制御装置24により被処理物冷却装置22をフ
ィードバック制御して被処理物3の温度を120℃以下
に保持した。その結果、得られた被処理物3は第5図に
示すように、ポジ型レジスト14は完全に灰化除去され
、またレジスト14の変質、硬化も発生していなかった
。
ドライエツチング装置の反応室1内の静電吸着装置20
に密着させ、プラズマ発生装置26から反応性ガスを反
応室1内に送り込み、高分子有機膜を灰化させた。この
場合、反応性ガスとしてCF4 +02の混合ガスを用
い、温度制御装置24により被処理物冷却装置22をフ
ィードバック制御して被処理物3の温度を120℃以下
に保持した。その結果、得られた被処理物3は第5図に
示すように、ポジ型レジスト14は完全に灰化除去され
、またレジスト14の変質、硬化も発生していなかった
。
次に、本発明の他の適用例として、Si基板上に熱酸化
法により5i02膜を形成し、その上に気相成長法によ
り多結晶St層を堆積させ、ポジ型レジストによりマス
キングした後、エツチングを行った。
法により5i02膜を形成し、その上に気相成長法によ
り多結晶St層を堆積させ、ポジ型レジストによりマス
キングした後、エツチングを行った。
第6図はその性能を耐圧特性で示すもので、曲線■は本
発明装置による場合を、曲線■は第2図のバレル型装置
による場合を、また曲線■はH2SO4/H202を用
いたウェットエツチングによる場合を示している。
発明装置による場合を、曲線■は第2図のバレル型装置
による場合を、また曲線■はH2SO4/H202を用
いたウェットエツチングによる場合を示している。
この図から明らかなように、曲線■の本発明装置による
場合は、低電界域において、曲線■て示す従来のバレル
型装置による場合よりも素箔不良率が大幅に低下してい
る。また、曲線■と曲線■とを対比すれば明らかなよう
に、本発明による場合は、ウェットエツチングによる場
合とほぼ同様に、低い不良率に収まっている。
場合は、低電界域において、曲線■て示す従来のバレル
型装置による場合よりも素箔不良率が大幅に低下してい
る。また、曲線■と曲線■とを対比すれば明らかなよう
に、本発明による場合は、ウェットエツチングによる場
合とほぼ同様に、低い不良率に収まっている。
なお、上述の例では、温度測定手段として熱電対を使用
した例につき述べたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば赤外線温度計や蛍光温度計を用いても
よい。
した例につき述べたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば赤外線温度計や蛍光温度計を用いても
よい。
以上説明したように、本発明によれば、損傷が少なく、
しかも高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング
装置を得ることができる。
しかも高分子有機膜の残さが生じないドライエツチング
装置を得ることができる。
被処理物冷却装置、23・・・リード線、24・・・温
度制御装置、25・・・プラズマ発生装置、26・・・
放電管、27・・・導波管。
度制御装置、25・・・プラズマ発生装置、26・・・
放電管、27・・・導波管。
第1図は本発明のドライエツチング装置を例示する概略
図、第2図は従来のドライエツチング装置を例示する概
略図、第3図は従来方法によりエツチング処理された被
処理物を例示する断面図、第4図は本発明方法が適用さ
れる被処理物を例示する断面図、第5図は本発明装置に
よりエツチング処理された被処理物を例示する断面図、
第6図は本発明および従来装置の効果を説明するグラフ
である。
図、第2図は従来のドライエツチング装置を例示する概
略図、第3図は従来方法によりエツチング処理された被
処理物を例示する断面図、第4図は本発明方法が適用さ
れる被処理物を例示する断面図、第5図は本発明装置に
よりエツチング処理された被処理物を例示する断面図、
第6図は本発明および従来装置の効果を説明するグラフ
である。
Claims (1)
- プラズマ発生装置を反応室と分離して設けた高分子有機
膜灰化装置において、高分子有機膜灰化時の被処理物を
冷却する被処理物冷却装置と、前記被処理物の温度を測
定する温度測定手段と、この温度測定手段からの出力に
基づいて前記被処理物の高分子有機膜灰化時の温度を1
20℃以下に制御する温度制御装置とを具備することを
特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13519089A JPH031530A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13519089A JPH031530A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH031530A true JPH031530A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15145945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13519089A Pending JPH031530A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH031530A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5334251A (en) * | 1990-04-09 | 1994-08-02 | Anelva Corporation | Method of and apparatus for controlling temperature in the processing of a substrate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62208636A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-09-12 | Fujitsu Ltd | レジスト剥離方法 |
JPS62281423A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法及び装置 |
JPS6459819A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Tokuda Seisakusho | Dry etching |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13519089A patent/JPH031530A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62208636A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-09-12 | Fujitsu Ltd | レジスト剥離方法 |
JPS62281423A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法及び装置 |
JPS6459819A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Tokuda Seisakusho | Dry etching |
Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
US5334251A (en) * | 1990-04-09 | 1994-08-02 | Anelva Corporation | Method of and apparatus for controlling temperature in the processing of a substrate |
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