KR100196508B1 - 반도체 장치의 폴리실리콘막 세정방법 - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야

반도체 장치의 제조방법.

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제

베리드 폴리실리콘막 세정 공정에서 HF 세정단계를 거친 후 표면의 소수성 특성으로 인하여 원형 결함이 베리드 폴리실리콘막 표면에 흡착되는데, 이러한 원형 결함은 이후의 HCI 처리후에도 제거되지 않고 남게되어 반도체 장치의 동작 특성을 저하시키는 문제점이 있었음.

3. 발명의 해결방법의 요지

NH₄OH 세정단계를 추가하므로서 원형 결함을 제거하는 반도체 장치의 베리드 폴리실리콘막 세정방법을 제공하고자 함.

4. 발명의 중요한 용도

반도체 장치 제조공정 중, 베리드 폴리실리콘막을 사용하는 폴리실리콘막 형성시에 이용됨.

Description

반도체 장치의 폴리실리콘막 세정방법

본 발명은 반도체 장치 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 장치의 콘택부위에 사용되는 베리드(Buried) 폴리실리콘막 세정방법에 관한 것이다.

통상적으로, SRAM 등의 반도체 장치에서 폴리실리콘층과 실리콘 기판과의 콘택공정에서 폴리실리콘막 증착 전에 500Å 두께로 증착하는 베리드 폴리실리콘막의 세정은 H₂SO₄, HF, HCl을 차례로 사용하여 이루어 진다. 역기서, H₂SO₄는 유기물 제거 작용을 하고, HF는 산화막을 식각하는 에천트(Etchant) 역할을 하며, HCl은 금속에 의한 오염물을 제거하게 된다.

그러나, HF 세정단계를 거친 후 표면의 소수성 특성으로 인하여 원형 결함이 베리드 폴리실리콘막 표면에 흡착된다. 이러한 원형 결함은 이후의 HCl 처리후에도 제거되지 않고, 베리드 폴리실리콘막 상부에 폴리실리콘막을 증착한 후에도 남게되어 반도체 장치의 동작 특성을 저하시키는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 HF 세정후에 NH₄OH 처리하므로서 베리드 폴리실리콘막 표면에 발생하는 결함을 제거하는 반도체 장치의 베리드 폴리실리콘막 세정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 장치의 폴리실리콘막 세정방법에 있어서, HF 용액을 이용하여 세정하는 단계와, NH₄OH 용액을 이용하여 세정하는 단계, 및 HCl 용액을 이용하여 세정하는 단계를 포함하여 이루어진다.

이하, 본 발명에 따른 베리드 폴리실리콘막 세정방법의 일실시예를 상술한다.

먼저, 베리드 폴리실리콘막을 HF 용액 처리한다. HF는 산화막의 에천트로서 H₂SO₄의 유기물 제거 역할도 어느정도 수행하게 되고, 또한 이후의 세정 단계에서 유기물 제거 효과를 얻을 수 있으므로 H₂SO₄처리를 하지 않고 곧바로 HF 처리한다. 이때, 이러한 HF 처리에 의해 베리드 폴리실리콘막 표면에 원형 결함이 발생하게 된다.

다음으로, NH₄OH 용액 처리한다. NH₄OH는 약간의 폴리실리콘막 및 산화막 식각 효과가 있으며, 경유기물(Light Organic)과 파티클 등을 제거하는 효과가 있다. 특히, 본 발명에서는 NH₄OH가 약간의 베리드 폴리실리콘막 표면을 식각하는 효과에 의해, HF 처리에 의한 원형 결함을 제거할 수 있게 되는 것이다. 이때, NH₄OH 용액은 NH₄OH : H₂O₂: 순수의 조성비를 1 : 2 : 10 으로하여 사용한다.

끝으로, HCl 용액 처리하여 금속 오염물 등을 제거함으로써 반도체 장치의 베리드 폴리실리콘막 세정 공정을 완료하게 된다.

상기와 같이 본 발명은 반도체 장치 제조시 베리드 폴리실리콘막 세정 공정에서 발생하는 원형 결함 등을 효과적으로 제거하므로서 반도체 장치의 동작 특성을 개선하고, 제조 공정상의 수율을 향상시키는 효과가 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나기 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (3)

1. 반도체 장치 제조방법에 있어서, HF 용액을 이용하여 세정하는 단계와, NH₄OH 용액을 이용하여 세정하는 단계, 및 HCl 용액을 이용하여 세정하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 폴리실리콘막 세정방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 HF 처리하는 단계전에 H₂SO₄처리하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 폴리실리콘막 세정방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 NH₄OH 용액을 이용하여 세정하는 단계는 NH₄OH : H₂O₂: 순수의 조성비를 1 : 2 : 10 인 용액을 이용하여 세정하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 폴리실리콘막 세정방법.