KR920013751A - 박막 트랜지스터 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터의 단면도
Claims (5)
- 유리기판(1)상에 제1게이트전극(2)을 형성하고; 이 제1게이트전극(2)을 제1게이트 절연층(3)으로 포위 절연하고; 이 제1게이트 절연층(3)위로 채널층(4)을 포위 형성하고 있으며; 이 채널층(4)의 좌상 및 우상에 오믹콘택트층(9)을 형성하고; 이 각각의 오믹콘택트층(9)과 채널층(4)을 소스전극(5)과 드레인 전국(6)으로 포위하고 있으며; 이 소스전극(5)과 드레인전극(6)을 제2게이트 절연층(7)으로 포위형성하고; 이 제2게이트 절연층(7)의 중앙부에 제2게이트 전극(8)을 형성시킴을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제2게이트 전극(8)은 금속전극임을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제2게이트전극(8)은 차광재로 이루어짐으로써 차광과 동시에 정전차폐 기능을 수행함을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제2게이트전극(8)은 적절한 바이어스전압을 인가함으로써 부임계전압 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제2게이트 전극(8)및 상기 제2게이트 절연층(7)은 제1게이트전극(2)의 맞은 편에 설치함을 특징으로 하는 박막트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020983A KR920013751A (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 박막 트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020983A KR920013751A (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 박막 트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013751A true KR920013751A (ko) | 1992-07-29 |
Family
ID=67537712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900020983A KR920013751A (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 박막 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920013751A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525044B1 (ko) * | 1999-02-10 | 2005-10-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법 |
| US8704148B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-sensing apparatus having a conductive light-shielding film on a light-incident surface of a switch transistor and method of driving the same |
-
1990
- 1990-12-18 KR KR1019900020983A patent/KR920013751A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525044B1 (ko) * | 1999-02-10 | 2005-10-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법 |
| US8704148B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-sensing apparatus having a conductive light-shielding film on a light-incident surface of a switch transistor and method of driving the same |
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| A201 | Request for examination | ||
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| WITB | Written withdrawal of application |