KR930020656A - 멀티채널 박막트랜지스터 - Google Patents

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김철수
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터는 멀티채널 박막트랜지스터에 관한 것으로, 특히 소오스전극과 드레인전극 사이에 이들 전극과 각각 오믹콘택되는 반도체층을 개재하고, 게이트절연막을 개재해서 상기 반도체층에 인접되도록 게이트전극을 형성하여서 상기 게이트전극에 가해지는 게이트전압에 응답해서 상기 반도체층에 채널형성이 제어되는 박막트랜지스터에 있어서, 상기 서브반도체층은 상기 소오스전극과 드레인전극사이에서 병렬로 배열된 복수개의 반도체층으로 구성되고, 각 서브반도체층은 게이트절연막을 개재해서 상기 게이트전극으로 둘러싸인 구조로 형성되어 상기 게이트전극으로 둘러싸인 각 서브반도체층의 전표층이 채널영역으로 제공되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 TFT의 소요면적을 축소시킬 수 있으므로 고집적화를 달성할 수 있어서 LCD의 고해상도에 기여할 수 있다.

Description

멀티채널 박막트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 멀티채널 TFT의 평면도이다.
제5도는 제4도는 AㅡA′선 단면도이다.
제6도는 제4도의 BㅡB′선 단면도이다.

Claims (3)

  1. 소오스전극과 드레인전극 사이에 이들 전극과 각각 오믹콘택되는 반도체층을 개재하고, 게이트절연막을 개재해서 상기 반도체층에 인접되도록 게이트전극을 형성하여서 상기 게이트전극에 가해지는 게이트전압에 응답해서 상기 반도체층에 채널형성이 제어되는 박막트랜지스터에 있어서, 상기 반도체층은 상기 소오스전극과 드레인전극 사이에서 병렬로 배열된 복수개의 서브반도체층으로 구성되고, 각 서브반도체층은 게이트절연막을 개재해서 상기 게이트전극으로 둘러싸인 구조로 형성되어 상기 게이트전극으로 둘러싸인 각 서브반도체층의 전 표층이 채널영역으로 제공되는 것을 특징으로 하는 멀티채널 박막트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 서브반도체층의 두께는 채널두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 멀티채널 박막트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 서브반도체층의 두께는 채널두께보다 더 얇은 것을 특징으로 하는 멀티채널 박막트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920005291A 1992-03-30 1992-03-30 멀티채널 박막트랜지스터 KR950009802B1 (ko)

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