KR910020496A - 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents

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KR910020496A
KR910020496A KR1019910008126A KR910008126A KR910020496A KR 910020496 A KR910020496 A KR 910020496A KR 1019910008126 A KR1019910008126 A KR 1019910008126A KR 910008126 A KR910008126 A KR 910008126A KR 910020496 A KR910020496 A KR 910020496A
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KR
South Korea
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resist composition
positive resist
molecular weight
soluble resin
gpc
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Application number
KR1019910008126A
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English (en)
Inventor
야스노리 우에따니
Original Assignee
모리 히데로
스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

포지티브 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 알칼리-용해성 수지, 감방사선 성분으로서의 퀴논 디아지드 화합물 및 하기식 (Ⅰ)의 화합물을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물.
    〔식중 R1∼R9는 동일하거나 상이하며 각각 수소원자, 알킬기, 할로겐 원자 또는 히드록실기이다. 단 R1∼R9중 하나 이상은 히드록시기이다.〕
  2. 제1항에 있어서, 전술한 알칼리-용해성 수지가, 분자량을 UV광(254nm)검출기를 가진 GPC로 측정할 때 폴리스티렌으로 환산된 분자량이 900이하인 범위의 면적비가 전체 GPC패턴 면적의 25%를 초과하지 않는 포지티브 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910008126A 1990-05-24 1991-05-18 포지티브 레지스트 조성물 KR910020496A (ko)

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