KR900013589A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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KR900013589A
KR900013589A KR1019900001405A KR900001405A KR900013589A KR 900013589 A KR900013589 A KR 900013589A KR 1019900001405 A KR1019900001405 A KR 1019900001405A KR 900001405 A KR900001405 A KR 900001405A KR 900013589 A KR900013589 A KR 900013589A
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쥰조 아즈마
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 1실시에의 단면도,
제2도는 제1도에 도시된 플라즈마 처리장치에 사용된 슬롯판의 평면도,
제3도는 본 발명의 실시예의 실리콘 산화막의 에칭특성과 슬롯판사이의 관계를 도시한 도면,
제4도는 제3도의 분리판과 기판사이의 간격과 슬롯판의 슬롯의 직경사이의 관계에서 실리콘 산화막의 에칭특성(플라즈마 밀도 분포)을 도시한 도면,
제5도는 기판의 표면위치에 관하여 슬롯의 외측위치와 내측위치에서의 슬롯의 근방에서 발생된 플라즈마에서 일어나기 쉬운 이온의 상태를 도시한 평면도.

Claims (49)

  1. 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기 수단, 상기 마이크로파 발생기수단에 의해 발생된 마이크로파를 공급하는 도파관 수단, 상기 도파관 수단에 의해 공급된 마이크로파를 공진한 공동공진기 수단, 상기 공동 공진기수단에 결합되어 공진된 마이크로파를 수신하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마처리를 위해 기판을 유지하는 수단을 갖고, 플라즈마 처리가스를 플라즈마 처리실 수단으로 도입하고, 가스를 배기하는 플라즈마 처리실 수단, 상기 공동공진기수단과 상기 플라즈마 처리실수단을 분리하고, 상기 공동공진기 수단에 상기 플라즈마 처리실 수단으로 전달되는 공진된 마이크로파를 투과시키는 분리판 수단과 기판의 표면에 대향해서 상기 공동공진기 수단내에 배치되고, 상기 분리판 수단을 통하여 상기 플라즈마 처리실 수단으로 공진된 마이크로파의 방사를 실행하고, 적어도 1w/㎤의 전력밀도인 공지된 마이크로파의 방사를 실행하기 위해 원주 방향으로 연장한 슬롯의 적어도 하나의 세트를 갖는 슬롯판 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 슬롯판수단은 30∼50w/㎤의 전력밀도를 실행하는 플라즈마 처리장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 원주방향으로 슬롯을 연장하는 상기 적어도 하나의 세트는 임피던스 정합을 실행학 위해 5∼130cm의 슬롯의 단면적으로 규정하는 플라즈마 처리장치.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 원주방향으로 슬롯을 연장하는 상기 적어도 하나의 세트의 중심선의 직경 D1은 분리판수단과 기판사이의 분리간격 G와 소정의 관계를 갖는 플라즈마 처리장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 소정의 관계는 D1=(0.75∼3)G인 플라즈마 처리장치.
  6. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 소정의 관계는 D1=(1∼3)G인 플라즈마 처리장치.
  7. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 기판을 유지하는 상기 유지수단은 분리간격 G를 변화시키는 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  8. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 슬롯판 수단은 원주방향으로 연장한 슬롯의 여러개의 세트를 포함하고, 상기 슬롯의 여러개의 세트는 래디컬방향으로 서로 거리를 두고, 슬롯의 각 세트가 래티컬외부방향으로 단면적의 증가를 규정하고 슬롯의 각 세트에서 동일한 전력밀도의 공진된 마이크로파의 방사를 실행하는 플라즈마 처리장치.
  9. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 슬롯판 수단은 원주방향으로 연장한 슬롯의 여러개의 세트를 포함하고, 상기 슬롯의 여러개의 세트는 래디컬 방향으로 서로 거리를 두고, 슬롯의 내부세트가 기판표면의 위치에 대향해서 배치되고, 슬롯의 외부세트는 기판의 표면의 외부원주에 대하여 바깥쪽으로 배치된 위치에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  10. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 플라즈마 처리실 수단내에 배치되어 자장의 발생을 실행하는 자장수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 자장수단은 자석판 부재를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  12. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리실 수단은 공동공진기수단으로써 구성되는 플라즈마 처리장치.
  13. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 공동공진기 수단으로 도입된 마이크로파를 변조하는 변조수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  14. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 변조수단은 상기 플라즈마 처리실 수단에 결합되어 플라즈마를 검출하는 검출수단, 검출된 출력에 따라서 상기 도파관 수단에서 공급된 마이크로파를 변조하기 위해 마이크로파 발생기 수단을 제어하는 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  15. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 도파관 수단에 결합되어 임피던스 정합을 실행하는 튜너수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  16. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리가스를 도입하는 수단은 기판의 외부원주에 대하여 바깥쪽으로 배치된 위치에서 플라즈마 처리실수단으로 균일한 피치로 배치된 여러개의 분출구를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  17. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 여러개의 분출구는 기판 표면의 앞뒤쪽중 하나에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  18. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 기판을 가열하는 수단, 또는 냉각시키는 수단중 하나의 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  19. 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기 수단, 상기 마이크로파 발생기수단에 의해 발생된 마이크로파를 공급하는 도파관 수단, 상기 도파관 수단에 의해 공급된 마이크로파를 공진하는 공동공진기 수단, 상기 공동 공진기 수단에 결합되어 공진된 마이크로파를 수신하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마처리를 위해 기판을 유지하는 수단을 갖고, 플라즈마 처리가스를 플라즈마 처리실 수단으로 도입하고, 가스를 배기하는 플라즈마 처리실 수단, 상기 공동공진기 수단과 상기 플라즈마 처리실 수단을 분리하고, 상기 공동공진기 수단에서 상기 플라즈마 처리실 수단으로 전달되는 공진된 마이크로파를 투과시키는 분리판 수단과 기판의 표면에 대향해서 상기 공동공진기 수단내에 배치되고, 상기 분리판 수단을 통하여 상기 플라즈마 처리실 수단으로 공진된 마이크로파의 방사를 실행하고, 임피던스 정합을 실행하기 위해 5∼130㎠의 슬롯의 단면적을 규정하는 슬롯을 원주방향으로 연장한 슬롯의 적어도 하나의 세트를 갖는 슬롯판 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  20. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 슬롯판 수단은 원주 방향으로 연장한 슬롯의 여러개의 세트를 포함하고, 상기 슬롯의 여러개의 세트는 래디컬 방향으로 서로 거리를 두고, 슬롯 내부 세트가 기판표면의 위치에 대향해서 배치되고, 슬롯 외부세트는 기판의 표면의 외부원주에 대하여 바깥쪽으로 배치된 위치에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  21. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 또 상기 플라즈마 처리실 수단내에 배치되어 자장의 발생을 실행하는 자장수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  22. 특허청구의 범위 제21항에 있어서, 상기 자장수단은 자석판 부재를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  23. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 플라즈마 처리실 수단은 공동공진기수단으로써 구성되는 플라즈마 처리장치.
  24. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 또 상기 공동공진기 수단으로 도입된 마이크로파를 변조하는 변조수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  25. 특허청구의 범위 제24항에 있어서, 상기 변조수단은 상기 플라즈마 처리실 수단에 결합되어 플라즈마를 검출하는 수단, 검출된 출력에 따라서 상기 도파관 수단에서 공급된 마이크로파를 변조하기 위해 마이크로파 발생기수단을 제어하는 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  26. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 또 상기 도파관 수단에 결합되어 임피던스 정합을 실행하는 튜너수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  27. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 플라즈마 처리가스를 도입하는 수단은 기판의 외부원주에 대하여 바깥쪽으로 배치된 위치에서 플라즈마 처리실 수단으로 균일한 피치로 배치된 여러개의 분출구를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  28. 특허청구의 범위 제27항에 있어서, 상기 여러개의 분출구는 기판표면의 앞뒤쪽중 하나에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  29. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 또 상기 기판을 가열하는 수단 또는 냉각시키는 수단중 하나의 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  30. 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기수단, 상기 마이크로파 발생기수단에 의해 발생된 마이크로파를 공급하는 도파관 수단, 상기 도파관 수단에 의해 공급된 마이크로파를 공진하는 공동공진기 수단, 상기 공동공진기 수단에 결합되어 공진된 마이크로파를 수신하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마처리를 위해 기판을 유지하는 수단을 갖고, 플라즈마 처리가스를 플라즈마 처리실 수단으로 도입하고, 가스를 배기하는 플라즈마 처리실 수단, 상기 공동공진기 수단과 상기 플라즈마 처리실 수단을 분리하고, 상기 공동공진기 수단에서 상기 플라즈마 처리실 수단으로 전달되는 공진된 마이크로파를 투과시키는 분리판 수단과 기판의 표면에 대향해서 상기 공동공진기 수단내에 배치되고, 상기 분리판 수단을 통하여 상기 플라즈마 처리실 수단으로 공진된 마이크로파의 방사를 실행하고, 원주방향으로 연장한 슬롯의 적어도 하나의 세트를 갖는 슬롯판 수단을 포함하고, 상기 원주방향으로 연장한 슬롯의 적어도 하나의 세트는 원주방향으로 연장한 슬롯의 적어도 하나의 세트의 중심선의 직경 D1을 갖고, 상기 분리판 수단과 기판사이의 분리간격 G와 소정의 관계를 갖는 슬롯판 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  31. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 상기 소정의 관계는 D1=(0.75∼3)G인 플라즈마 처리장치.
  32. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 상기 소정의 관계는 D1=(1∼3)G인 플라즈마 처리장치.
  33. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 기판을 유지하는 상기 유지수단은 분리간격 G를 변화시키는 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  34. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 또 상기 도파관 수단에 결합되어 임피던스 정합을 실행하는 튜너수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  35. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 상기 플라즈마 처리가스를 도입하는 수단은 기판의 외부원주에 대하여 바깥쪽으로 배치된 위치에서 플라즈마 처리실 수단으로 균일한 피치로 배치된 여러개의 분출구를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  36. 특허청구의 범위 제35항에 있어서, 상기 여러개의 분출구는 기판표면의 앞뒤쪽중 하나에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  37. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 상기 슬롯판 수단은 원주방향으로 연장한 슬롯의 여러개의 세트를 포함하고, 상기 슬롯의 여러개의 세트는 래디컬 방향으로 서로 거리를 두고 있는 플라즈마 처리장치.
  38. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 또 원주방향으로 연장한 슬롯의 적어도 하나의 세트의 적어도 일부분을 차폐시키는 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  39. 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기 수단에 의해 발생된 마이크로파를 공급하는 도파관 수단, 상기 도파관 수단에 의해 공급된 마이크로파를 공진하는 공동공진기 수단, 상기 공동공진기 수단에 결합되어 공진된 마이크로파를 수신하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 처리를 위해 기판을 유지하는 수단을 갖고, 플라즈마 처리가스를 플라즈마 처리실 수단으로 도입하고, 가스를 배기하는 플라즈마 처리실 수단, 상기 공동공진기 수단과 상기 플라즈마처리실 수단을 분리하고, 상기 공동공진기 수단에서 상기 플라즈마 처리실 수단으로 전달된 공진된 마이크로파를 투과시키는 분리판 수단과 기판의 표면에 대향해서 상기 공동공진기 수단내에 배치되고, 상기 분리판 수단을 통하여 상기 플라즈마 처리실 수단으로 공진된 마이크로파의 방사를 실행하고, 원주방향으로 연장한 슬롯의 여러개의 세트를 포함하고, 상기 슬롯의 여러개의 세트는 래디컬 방향으로 서로 거리를 두고, 슬롯의각 세트가 래디컬 외부방향으로 단면적의 증가를 규정하여 슬롯의 각 세트에서 동일한 전력밀도의 공진된 마이크로파의 방사를 실행하는 플라즈마 처리장치.
  40. 특허청구의 범위 제39항에 있어서, 상기 슬롯판 수단은 원주 방향으로 연장한 슬롯의 여러개의 세트를 포함하고, 상기 슬롯의 여러개의 세트는 래디컬 방향으로 서로 거리를 두고, 슬롯의 내부세트가 기판 표면의 위치에 대향해서 배치되고, 슬롯의 외부세트는 기판의 표면의 외부원주에 대하여 바깥쪽으로 배치된 위치에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  41. 특허청구의 범위 제39항에 있어서, 또 상기 도파관 수단에 결합되어 임피던스 정합을 실행하는 튜너수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  42. 특허청구의 범위 제39항에 있어서, 상기 플라즈마 처리가스를 도입하는 수단은 기판의 외부원주에 대하여 바깥쪽으로 배치된 위치에서 플라즈마 처리실 수단으로 균일한 피치로 배치된 여러개의 분출구를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  43. 특허청구의 범위 제42에 있어서, 상기 여러개의 분출구는 기판표면의 앞뒤쪽 중 하나에 배치되는 플라즈마 처리장치.
  44. 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기 수단, 상기 마이크로파 발생기수단에 의해 발생된 마이크로파를 공급하는 도파관 수단, 상기 도파관 수단에 의해 공급된 마이크로파를 공진하는 공동공진기 수단, 상기 공동공진기 수단에 결합되어 공진된 마이크로파를 수신하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 처리를 위해 기판을 유지하는 수단을 갖고, 플라즈마 처리가스를 플라즈마 처리실 수단으로 도입하고, 가스를 배기하는 플라즈마 처리실 수단, 상기 공동공진기 수단과 상기 플라즈마 처리실수단을 분리하고, 상기 공동공진기 수단에서 상기 플라즈마처리실 수단으로 전달되는 공진된 마이크로파를 투과시키는 분리판 수단과 상기 공동공진기 수단으로 도입된 마이크로파를 변조하는 변조수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  45. 특허청구의 범위 제44항에 있어서, 상기 변조수단은 상기 플라즈마 처리실 수단에 결합되어 플라즈마를 검출하는 수단, 검출된 출력에 따라서 상기 도파관 수단에서 공급된 마이크로파를 변조하기 위해 마이크로파 발생기 수단을 제어하는 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  46. 특허청구의 범위 제44항에 있어서, 또 상기 도파관 수단에 결합되어 임피던스 정합을 실행하는 튜너수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  47. 특허청구의 범위 제44항에 있어서, 또 상기 플라즈마 처리실 수단내에 배치되어 자장의 발생을 실행하는 자장수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  48. 특허청구의 범위 제44항에 있어서, 상기 자장수단은 바장판 부재를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  49. 특허청구의 범위 제44항에 있어서, 또 상기 공동공진기 수단내에 배치되어 분리판 수단을 통하여 상기 플라즈마 처리실 수단으로 방사된 마이크로파의 방사를 실행하고, 원주방향으로 연장한 슬롯의 적어도 하나의 세트를 포함하는 슬롯판 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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