KR890017780A - 실리콘-니트라이드 게터링공정 - Google Patents
실리콘-니트라이드 게터링공정 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 기술구성을 단계적으로 나타내는 단면도이다.
Claims (1)
- 반도체 제조공정에 있어서, 웨이퍼의 양면에 기본 산화막을 성장시키고 앞면에만 포토레지스트를 성장시킨후 뒷면의 산화막을 제거하고 앞면의 포토레지스트를 제거하고 양면에 다시 실리콘-니트라이드막을 성장시켜 앞면을 국소산화 시키면서 뒷면의 기판의 실리콘 및 실리콘-니트라이드의 열팽창률차에 의해 미세한 균열을 발생시키는 실리콘-니트라이드 게터링 공정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880006512A KR890017780A (ko) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 실리콘-니트라이드 게터링공정 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880006512A KR890017780A (ko) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 실리콘-니트라이드 게터링공정 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890017780A true KR890017780A (ko) | 1989-12-18 |
Family
ID=68233500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880006512A KR890017780A (ko) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 실리콘-니트라이드 게터링공정 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890017780A (ko) |
-
1988
- 1988-05-31 KR KR1019880006512A patent/KR890017780A/ko not_active Application Discontinuation
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