KR890015280A - 마스크 rom - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 1실시예에 따른 마스크 ROM의 전체 회로 구성을 나타낸 블럭도. 제 2 도는 제 1 도에 도시된 마스크 ROM의 회로구성에서 주요 부분에 대한 구체적인 구성을 나타낸 회로도.
Claims (2)
- 마스크를 이용해 정보를 기록하는 마스크 ROM에 있어서, 본체 메모리셀(11,12)에 발생된 불량을 구제하거나 ROM데이터의 일부를 치환시키거나 하기 위한 예비메모리셀로서 상기 본체 메모리셀(11,12)의 구조와는 다르면서, 그 본체메모리셀의 비트선 및 워드선을 공용하지 않는 ROM데이터의 기록이 가능한 예비메모리셀(20)이 설치된 것을 특징으로 하는 마스크 ROM.
- 마스크를 이용해서 정보를 기록하는 마스크 ROM에 있어서, 본체 메모리셀을 매트릭스형상으로 배치시킨 본체메모리셀블럭을 복수개 배치시킨 본체메모리셀어레이(11,12)와, 상기 본체 메모리셀에 기록되어 있는 ROM데이터의 일부를 치환시키기 위한 임의 ROM데이터의 기록이 가능한 예비메모리셀군(20), 정보의 기록이 가능한 소자로 이루어져 임의의 본체메모리셀에 대응되는 각 어드레스가 기록되는 어드레스기억수단(25), 정보의 기록이 가능한 소자로 이루어져 상기 본체메모리셀어레이에서의 복수의 메모리셀블럭중 어느 하나를 선택하기 위한 어드레스정보가 기록되는 블럭기억수단(28), 정보의 기록이 가능한 소자로 이루어져 상기 본체메모리셀어레이에서 출력비트의 어느 하나를 선택하기 위한 어드레스정보가 기록되는 출력비트기억수단(10), 상기 예비메모리셀군(20)과 어드레스기억수단(25), 블럭기억수단(28) 및 출력비트기억수단(10)의 각 기록가능한 기억소자에 ROM데이터와 어드레스정보를 기록해 주는 기록수단(144,152,158) 및, 본체메모리셀의 ROM데이터와 예비메모리셀의 ROM데이터의 어느 하나를 감지증폭회로에 전달해주는 ROM데이터전환회로(18,19)를 구비해서 ROM데이터의 독출시에 입력어드레스와 상기 어드레스입력수단에 기억되어 있는 어드레스를 비교해서 어드레스가 일치되는 경우에는 어드레스기억수단에 기억되어 있는 정보에 대응해서 상기 블럭기억수단 또는 출력비트기억수단에 기억되어 있는 정보로부터 메모리셀전환회로에 의해 임의의 본체메모리셀블럭에서 일부의 ROM데이터를 예비메모리셀의 임의 ROM데이터를 치환시키는 것을 특징으로 하는 마스크 ROM.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6653588 | 1988-03-18 | ||
JP63-66535 | 1988-03-18 | ||
JP88-66535 | 1988-03-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890015280A true KR890015280A (ko) | 1989-10-28 |
KR910008694B1 KR910008694B1 (ko) | 1991-10-19 |
Family
ID=13318685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890003384A KR910008694B1 (ko) | 1988-03-18 | 1989-03-18 | 마스크 rom |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5124948A (ko) |
EP (1) | EP0333207B1 (ko) |
KR (1) | KR910008694B1 (ko) |
DE (1) | DE68928112T2 (ko) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070927 Year of fee payment: 17 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |