JPH11121902A - 両面キャリアテープの製造方法 - Google Patents
両面キャリアテープの製造方法Info
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- JPH11121902A JPH11121902A JP9285168A JP28516897A JPH11121902A JP H11121902 A JPH11121902 A JP H11121902A JP 9285168 A JP9285168 A JP 9285168A JP 28516897 A JP28516897 A JP 28516897A JP H11121902 A JPH11121902 A JP H11121902A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 両面キャリアテープの製造における高密度化
と、微小孔径化ビアホールを形成する上で上記した問題
を解決し、容易かつ効率的に精度の高いビアホールの形
成が行える両面キャリアテープの製造方法を提供する。 【解決手段】 第１の導体層と、ポリイミドを主成分と
する絶縁性樹脂層と、第２の導体層とを積層してなる両
面キャリアテープの製造方法において、エッチングによ
り表面の導体層を孔明けし、次いでＱ−スイッチ化され
た炭酸ガスレーザにより絶縁性樹脂層を孔明けして開口
部の下にある導体層に達するビアホールを形成した後、
電解メッキ又は無電解メッキにより導体層を形成する両
面キャリアテープの製造方法。
と、微小孔径化ビアホールを形成する上で上記した問題
を解決し、容易かつ効率的に精度の高いビアホールの形
成が行える両面キャリアテープの製造方法を提供する。 【解決手段】 第１の導体層と、ポリイミドを主成分と
する絶縁性樹脂層と、第２の導体層とを積層してなる両
面キャリアテープの製造方法において、エッチングによ
り表面の導体層を孔明けし、次いでＱ−スイッチ化され
た炭酸ガスレーザにより絶縁性樹脂層を孔明けして開口
部の下にある導体層に達するビアホールを形成した後、
電解メッキ又は無電解メッキにより導体層を形成する両
面キャリアテープの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品として用
いられる両面キャリアテープの製造方法に関するもので
ある。
いられる両面キャリアテープの製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電子部品として用いられる両面キャリア
テープは、一般にインナーリード等の配線パターンをテ
ープ状絶縁体基板の表面に配置し、これらのパターンを
ビアホール、デバイスホールなどで基板裏面のグランド
パターンに接続する。
テープは、一般にインナーリード等の配線パターンをテ
ープ状絶縁体基板の表面に配置し、これらのパターンを
ビアホール、デバイスホールなどで基板裏面のグランド
パターンに接続する。
【０００３】ビアホールは絶縁体を貫通してリード部に
達する貫通孔であって、その壁面は銅メッキを形成して
表面のパターンと裏面とを電気的に導通させる役割を担
っている。このビアホールの加工方法にはウエットエッ
チング法が採用されており、その方法は銅箔面にフォト
レジストを形成し、所望のビアホールパターンをフォト
リソグラフィー技術を用いてパターンニングし、露出し
た銅箔をエッチングした後に、フォトレジストを剥離す
れば銅箔にビアホールパターンが形成されるので、所望
のビアホール形成位置に絶縁体が露出する。次いで、ビ
アホールパターンが形成された銅箔層をエッチングマス
クとして、基材を強アルカリ溶液に浸漬して、絶縁体露
出部をエッチングしてこの部分の絶縁体をパターンに至
るまで完全に除去し、貫通孔を形成することによって所
望のビアホールを得ることができる。
達する貫通孔であって、その壁面は銅メッキを形成して
表面のパターンと裏面とを電気的に導通させる役割を担
っている。このビアホールの加工方法にはウエットエッ
チング法が採用されており、その方法は銅箔面にフォト
レジストを形成し、所望のビアホールパターンをフォト
リソグラフィー技術を用いてパターンニングし、露出し
た銅箔をエッチングした後に、フォトレジストを剥離す
れば銅箔にビアホールパターンが形成されるので、所望
のビアホール形成位置に絶縁体が露出する。次いで、ビ
アホールパターンが形成された銅箔層をエッチングマス
クとして、基材を強アルカリ溶液に浸漬して、絶縁体露
出部をエッチングしてこの部分の絶縁体をパターンに至
るまで完全に除去し、貫通孔を形成することによって所
望のビアホールを得ることができる。
【０００４】しかしながら、表面に形成されている配線
部分は、高密度化の要求が高まるにつれてパターン幅の
狭い多ピン化が進められており、例えばパターン幅３０
μｍに対してパターンギャップが３０μｍであるような
狭いピッチの製品も製作されているので、ビアホールも
このような極めて幅の狭いパターン上に形成しなければ
ならない。そして、ビアホールはパターンからはみ出し
て形成することは許されないので、絶縁体のエッチング
加工を行うに当たっては、表面と裏面との位置合わせの
精度を考慮すれば、パターン上の絶縁体の溶解除去によ
り得られるビアホールの孔径をパターン幅よりも小さく
形成する必要がある。
部分は、高密度化の要求が高まるにつれてパターン幅の
狭い多ピン化が進められており、例えばパターン幅３０
μｍに対してパターンギャップが３０μｍであるような
狭いピッチの製品も製作されているので、ビアホールも
このような極めて幅の狭いパターン上に形成しなければ
ならない。そして、ビアホールはパターンからはみ出し
て形成することは許されないので、絶縁体のエッチング
加工を行うに当たっては、表面と裏面との位置合わせの
精度を考慮すれば、パターン上の絶縁体の溶解除去によ
り得られるビアホールの孔径をパターン幅よりも小さく
形成する必要がある。
【０００５】ところが、従来のウエットエッチング法で
は、サイドエッチングと呼ばれる横方向へのエッチング
も同時に進行するために、開口部の壁面が垂直に形成さ
れずテーパーを形成してすり鉢状になるので、絶縁体表
面の開口径が底部の径よりも大きくなってしまう。配線
パターンの高密度化に伴い、ビアホールも高密度化され
なければならないが、隣接するビアホールの距離も当然
小さくなるために、上記したサイドエッチングによる絶
縁体表面部の開口径の拡大はビアホール高密度化の阻害
要因となる。これに加えて、エッチング液は絶縁体の溶
解量が増えることで老化し、エッチング能力が低下する
ために、ビアホールの加工寸法の経時的な変化が避けら
れず、加工精度に微妙な影響を与えるのでエッチング時
間をコントロールする必要があり、これもビアホールの
高密度化、微小孔径化の障害となっていた。
は、サイドエッチングと呼ばれる横方向へのエッチング
も同時に進行するために、開口部の壁面が垂直に形成さ
れずテーパーを形成してすり鉢状になるので、絶縁体表
面の開口径が底部の径よりも大きくなってしまう。配線
パターンの高密度化に伴い、ビアホールも高密度化され
なければならないが、隣接するビアホールの距離も当然
小さくなるために、上記したサイドエッチングによる絶
縁体表面部の開口径の拡大はビアホール高密度化の阻害
要因となる。これに加えて、エッチング液は絶縁体の溶
解量が増えることで老化し、エッチング能力が低下する
ために、ビアホールの加工寸法の経時的な変化が避けら
れず、加工精度に微妙な影響を与えるのでエッチング時
間をコントロールする必要があり、これもビアホールの
高密度化、微小孔径化の障害となっていた。
【０００６】一方、炭酸ガスレーザを用いて回路基板に
孔明けする方法は、特開平５−５５７２４号公報、特開
平３−２１０９８４号公報などにより公知である。通常
の炭酸ガスレーザでは、数十ｔｏｏｒに圧力調整した炭
酸ガス等のレーザガス中で放電励起を行い、放電励起の
開始後数十μｓ以内に利得が発振しきい値に達したとこ
ろで発振が始まる。それゆえ、炭酸ガスレーザにおける
発振は、自然の成り行きまかせでしかなく、発振のタイ
ミングやレーザ強度が不規則なものであった。
孔明けする方法は、特開平５−５５７２４号公報、特開
平３−２１０９８４号公報などにより公知である。通常
の炭酸ガスレーザでは、数十ｔｏｏｒに圧力調整した炭
酸ガス等のレーザガス中で放電励起を行い、放電励起の
開始後数十μｓ以内に利得が発振しきい値に達したとこ
ろで発振が始まる。それゆえ、炭酸ガスレーザにおける
発振は、自然の成り行きまかせでしかなく、発振のタイ
ミングやレーザ強度が不規則なものであった。
【０００７】一般に、レーザによる樹脂の孔明け加工で
は、レーザ光のピーク出力の大きさとパルスの繰り返し
周波数が重要なファクターとなる。すなわち、樹脂孔明
けの際の樹脂除去は、パルスレーザ光吸収による急速加
熱と蒸発及び蒸発ガスの反発力により行われるので、レ
ーザパルスの立ち上がりが速いものが好ましく、そのた
めにはピーク出力が大きいものが望ましい。しかしなが
ら、従来の炭酸ガスレーザは、樹脂の孔明け加工に適し
た十分なピーク出力や条件を有するものではなく、超精
密加工には難点があった。
は、レーザ光のピーク出力の大きさとパルスの繰り返し
周波数が重要なファクターとなる。すなわち、樹脂孔明
けの際の樹脂除去は、パルスレーザ光吸収による急速加
熱と蒸発及び蒸発ガスの反発力により行われるので、レ
ーザパルスの立ち上がりが速いものが好ましく、そのた
めにはピーク出力が大きいものが望ましい。しかしなが
ら、従来の炭酸ガスレーザは、樹脂の孔明け加工に適し
た十分なピーク出力や条件を有するものではなく、超精
密加工には難点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、両面キャリアテープの製造における高密度化
と、微小孔径化ビアホールを形成する上で上記した問題
を解決し、容易かつ効率的に精度の高いビアホールの形
成が行える両面キャリアテープの製造方法を提供するこ
とにある。
目的は、両面キャリアテープの製造における高密度化
と、微小孔径化ビアホールを形成する上で上記した問題
を解決し、容易かつ効率的に精度の高いビアホールの形
成が行える両面キャリアテープの製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決するために鋭意検討した結果、両面キャリアテー
プの製造において、レーザ加工装置として、Ｑスイッチ
化された炭酸ガスレーザを用いることにより、高いピー
ク出力を有し、かつ規則性のある繰り返しパルスが得ら
れ、樹脂の微小孔化ビアホールの形成に適していること
を見いだし、本発明に到達した。
を解決するために鋭意検討した結果、両面キャリアテー
プの製造において、レーザ加工装置として、Ｑスイッチ
化された炭酸ガスレーザを用いることにより、高いピー
ク出力を有し、かつ規則性のある繰り返しパルスが得ら
れ、樹脂の微小孔化ビアホールの形成に適していること
を見いだし、本発明に到達した。
【００１０】すなわち、本発明は、第１の導体層と、ポ
リイミドを主成分とする絶縁性樹脂層と、第２の導体層
とを積層してなる両面キャリアテープの製造方法におい
て、エッチングにより表面の導体層を孔明けし、次いで
Ｑ−スイッチ化された炭酸ガスレーザにより絶縁性樹脂
層を孔明けして開口部の下にある導体層に達するビアホ
ールを形成した後、電解メッキ又は無電解メッキにより
導体層を形成することを特徴とする両面キャリアテープ
の製造方法である。
リイミドを主成分とする絶縁性樹脂層と、第２の導体層
とを積層してなる両面キャリアテープの製造方法におい
て、エッチングにより表面の導体層を孔明けし、次いで
Ｑ−スイッチ化された炭酸ガスレーザにより絶縁性樹脂
層を孔明けして開口部の下にある導体層に達するビアホ
ールを形成した後、電解メッキ又は無電解メッキにより
導体層を形成することを特徴とする両面キャリアテープ
の製造方法である。
【００１１】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の両面キャリアテープの製造方法は、絶縁性樹脂層
に孔明けしてビアホール形成する際に、レーザ加工装置
として、Ｑ−スイッチ化された炭酸ガスレーザを用いる
ことにより、精密加工と高速加工を可能にしたものであ
る。
発明の両面キャリアテープの製造方法は、絶縁性樹脂層
に孔明けしてビアホール形成する際に、レーザ加工装置
として、Ｑ−スイッチ化された炭酸ガスレーザを用いる
ことにより、精密加工と高速加工を可能にしたものであ
る。
【００１２】このＱ−スイッチ化された炭酸ガスレーザ
は、Ｑスイッチ装置を備えた炭酸ガスレーザであり、以
下のように作動する。先ず、放電励起が始まってもしば
らくの間はレーザ発振が起こらないようにレーザ共振器
のＱ値を下げておく。レーザガスに十分エネルギーがた
まった後に急速にＱ値をあげると、レーザパルスが爆発
的に立ち上がり、それまで蓄積されたエネルギーを一挙
に引き出す形で終了する。そのパルスの時間幅は数十〜
数百ｎｓであり、超短時間内に光エネルギーが詰め込ま
れるので、そのピーク出力は数十ｋｗ〜数百Ｍｗにも達
する。Ｑ−スイッチ発振開始のタイミングは人為的に制
御可能であり、規則性のある繰り返しパルスが得られ
る。パルスの繰り返し周波数は放電電源に依存せず、Ｑ
−スイッチ装置の繰り返し周波数に依存する。例えば、
回転チョッパ式スイッチでは、数百ＫＨｚ程度のパルス
繰り返し周波数も可能である。
は、Ｑスイッチ装置を備えた炭酸ガスレーザであり、以
下のように作動する。先ず、放電励起が始まってもしば
らくの間はレーザ発振が起こらないようにレーザ共振器
のＱ値を下げておく。レーザガスに十分エネルギーがた
まった後に急速にＱ値をあげると、レーザパルスが爆発
的に立ち上がり、それまで蓄積されたエネルギーを一挙
に引き出す形で終了する。そのパルスの時間幅は数十〜
数百ｎｓであり、超短時間内に光エネルギーが詰め込ま
れるので、そのピーク出力は数十ｋｗ〜数百Ｍｗにも達
する。Ｑ−スイッチ発振開始のタイミングは人為的に制
御可能であり、規則性のある繰り返しパルスが得られ
る。パルスの繰り返し周波数は放電電源に依存せず、Ｑ
−スイッチ装置の繰り返し周波数に依存する。例えば、
回転チョッパ式スイッチでは、数百ＫＨｚ程度のパルス
繰り返し周波数も可能である。
【００１３】本発明において、基材として絶縁体樹脂層
の両面に導体層を有する積層体を用いる。この絶縁体樹
脂としては、ポリイミドを主成分とするものであればよ
く、例えばポリイミド又は変性ポリイミド樹脂などが挙
げられる。そして、加工後の寸法安定性を考慮し、熱膨
張係数が３×１０-5／℃以下であることが好ましい。熱
膨張係数がこれより大きいと導体層と熱膨張係数の差が
大きくなり、導体層を加工した後に反りなどが発生する
原因となる。絶縁体樹脂層の厚みは５〜１００μｍであ
り、レーザによる加工性と絶縁性のバランスを考慮する
と好ましくは１０〜５０μｍである。
の両面に導体層を有する積層体を用いる。この絶縁体樹
脂としては、ポリイミドを主成分とするものであればよ
く、例えばポリイミド又は変性ポリイミド樹脂などが挙
げられる。そして、加工後の寸法安定性を考慮し、熱膨
張係数が３×１０-5／℃以下であることが好ましい。熱
膨張係数がこれより大きいと導体層と熱膨張係数の差が
大きくなり、導体層を加工した後に反りなどが発生する
原因となる。絶縁体樹脂層の厚みは５〜１００μｍであ
り、レーザによる加工性と絶縁性のバランスを考慮する
と好ましくは１０〜５０μｍである。
【００１４】また、導体層に用いられる金属としては、
例えば銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケ
ル、クロム、モリブデン、タングステン又はそれらの合
金などを挙げることができ、好ましくは銅である。
例えば銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケ
ル、クロム、モリブデン、タングステン又はそれらの合
金などを挙げることができ、好ましくは銅である。
【００１５】本発明においては、片側の導体層をあらか
じめウエットエッチングなどにより加工しておき、次の
ビアホール形成用貫通孔作製のためのメタルマスタとし
て使用する。
じめウエットエッチングなどにより加工しておき、次の
ビアホール形成用貫通孔作製のためのメタルマスタとし
て使用する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図７は本発明に用いるレーザ加工
装置の一例を模式的に示す図であり、図８はＱスイッチ
の部分拡大図であり、図９はチョッパディスクの正面図
である。炭酸ガスレーザ１１の共振器の内部にレンズ１
３とリアミラー１４（全反射ミラー）を用いてテレスコ
ープレンズ１５を形成し、テレスコープレンズ１５の中
間にビームウェスト１６を設ける。そして、ビームウェ
スト１６の位置に回転チョッパ１７を設置してＱスイッ
チ化する。回転チョッパ１７は、チョッパディスク１８
と回転駆動装置１９とで構成され、回転駆動装置１９を
所定の回転数で回転させ、所定の繰り返し周波数でチョ
ッピングを行うことにより、Ｑスイッチパルス発振が得
られる。Ｑスイッチパルスは、時間幅２００ｎｓ〜１μ
ｓ、ピークパワー５〜１００ｋｗの初期スパイク成分
と、それに続く時間幅０．９〜２９μｓ、ピークパワー
２〜５ｋｗのテール成分とからなる。Ｑスイッチパルス
発振による高いピーク出力のレーザ光は樹脂の急速加熱
に有利に寄与する。
装置の一例を模式的に示す図であり、図８はＱスイッチ
の部分拡大図であり、図９はチョッパディスクの正面図
である。炭酸ガスレーザ１１の共振器の内部にレンズ１
３とリアミラー１４（全反射ミラー）を用いてテレスコ
ープレンズ１５を形成し、テレスコープレンズ１５の中
間にビームウェスト１６を設ける。そして、ビームウェ
スト１６の位置に回転チョッパ１７を設置してＱスイッ
チ化する。回転チョッパ１７は、チョッパディスク１８
と回転駆動装置１９とで構成され、回転駆動装置１９を
所定の回転数で回転させ、所定の繰り返し周波数でチョ
ッピングを行うことにより、Ｑスイッチパルス発振が得
られる。Ｑスイッチパルスは、時間幅２００ｎｓ〜１μ
ｓ、ピークパワー５〜１００ｋｗの初期スパイク成分
と、それに続く時間幅０．９〜２９μｓ、ピークパワー
２〜５ｋｗのテール成分とからなる。Ｑスイッチパルス
発振による高いピーク出力のレーザ光は樹脂の急速加熱
に有利に寄与する。
【００１７】Ｑスイッチに用いるチョッパディスク１８
の素材は金属が好ましいが、その種類は特に限定するも
のではない。チョッパディスク１８の形状としては所定
の幅を有するスリットを周上に配置した円盤を用いるこ
とができる。チョッパディスク１８の回転駆動装置１９
には高速スピンドルモータなどを用いることでよい。チ
ョッパディスク１８をビームウェスト１６に配置する際
は、レーザの発振光軸に対して正反射とならないように
やや角度をつけておくことが好ましい。また、フロント
ミラー１２（部分反射ミラー）、リアミラー１４、レン
ズ１３の素材としてはＺｎ、Ｓｅなどの他Ｇｅなどを用
いることもできる。
の素材は金属が好ましいが、その種類は特に限定するも
のではない。チョッパディスク１８の形状としては所定
の幅を有するスリットを周上に配置した円盤を用いるこ
とができる。チョッパディスク１８の回転駆動装置１９
には高速スピンドルモータなどを用いることでよい。チ
ョッパディスク１８をビームウェスト１６に配置する際
は、レーザの発振光軸に対して正反射とならないように
やや角度をつけておくことが好ましい。また、フロント
ミラー１２（部分反射ミラー）、リアミラー１４、レン
ズ１３の素材としてはＺｎ、Ｓｅなどの他Ｇｅなどを用
いることもできる。
【００１８】炭酸ガスレーザには、１０．６μｍ（波数
〜９４０ｃｍ-1）付近、１０．３μｍ（波数〜９７０ｃ
ｍ-1）付近、９．６μｍ（波数〜１０４０ｃｍ-1）付近
及び９．３μｍ（波数〜１０７５ｃｍ-1）付近に合わせ
て１００本近い発振線を有する。一方、絶縁性樹脂、特
にポリイミド樹脂を含有する樹脂（例：商品名エスパネ
ックス、新日鐵化学株式会社製）は図１０に示すよう
に、９．３μｍ付近及びそれより短波長側で強い吸収を
示す。したがって、炭酸ガスレーザの発振波長を樹脂の
高吸収帯に合わせることで、効率的にかつ局所的に急速
加熱することができるため、低出力のレーザで熱だれの
ない美しい加工断面仕上がりが得られる。これは後のメ
ッキ工程の生産性向上にも有利に寄与する。
〜９４０ｃｍ-1）付近、１０．３μｍ（波数〜９７０ｃ
ｍ-1）付近、９．６μｍ（波数〜１０４０ｃｍ-1）付近
及び９．３μｍ（波数〜１０７５ｃｍ-1）付近に合わせ
て１００本近い発振線を有する。一方、絶縁性樹脂、特
にポリイミド樹脂を含有する樹脂（例：商品名エスパネ
ックス、新日鐵化学株式会社製）は図１０に示すよう
に、９．３μｍ付近及びそれより短波長側で強い吸収を
示す。したがって、炭酸ガスレーザの発振波長を樹脂の
高吸収帯に合わせることで、効率的にかつ局所的に急速
加熱することができるため、低出力のレーザで熱だれの
ない美しい加工断面仕上がりが得られる。これは後のメ
ッキ工程の生産性向上にも有利に寄与する。
【００１９】図１０に示すように、波長９．３μｍ以下
でポリイミド樹脂の吸光率は更に増加する傾向がある。
しかし、炭酸ガスレーザの９．３μｍ帯の発振線では、
波長９．２２〜９．３３μｍ（波数１０７１．８７〜１
０８４．６３ｃｍ-1）の範囲が最も発振効率が高く、そ
れを考慮すると波長９．２２〜９．３３μｍの範囲が加
工には最適である。なお、ここではポリイミド系の絶縁
性樹脂を例に挙げて最適発振波長について説明したが、
加工対象となる樹脂の種類によっては波長吸収特性が若
干異なるため、その際は同様に樹脂の吸光特性を調査
し、最適なレーザ波長を選択することが望ましい。
でポリイミド樹脂の吸光率は更に増加する傾向がある。
しかし、炭酸ガスレーザの９．３μｍ帯の発振線では、
波長９．２２〜９．３３μｍ（波数１０７１．８７〜１
０８４．６３ｃｍ-1）の範囲が最も発振効率が高く、そ
れを考慮すると波長９．２２〜９．３３μｍの範囲が加
工には最適である。なお、ここではポリイミド系の絶縁
性樹脂を例に挙げて最適発振波長について説明したが、
加工対象となる樹脂の種類によっては波長吸収特性が若
干異なるため、その際は同様に樹脂の吸光特性を調査
し、最適なレーザ波長を選択することが望ましい。
【００２０】波長９．２２〜９．３３μｍの範囲のレー
ザを選択的に照射するためには、フロントミラー１２の
反射率を波長１０．６μｍ付近において２％以下とし、
リアミラー１４の反射率を上記９．２２〜９．３３μｍ
の範囲において全反射、９．６μｍ以下において４０％
以下とする。さらに、レンズ１３の両面には９．２２〜
９．３３μｍの範囲における無反射膜を施す。
ザを選択的に照射するためには、フロントミラー１２の
反射率を波長１０．６μｍ付近において２％以下とし、
リアミラー１４の反射率を上記９．２２〜９．３３μｍ
の範囲において全反射、９．６μｍ以下において４０％
以下とする。さらに、レンズ１３の両面には９．２２〜
９．３３μｍの範囲における無反射膜を施す。
【００２１】両面キャリアテープの加工の際には、両面
キャリアテープの片側の導体層の表面にスクリーン印刷
あるいは感光性樹脂等によりマスクパターンを形成し、
これをエッチングマスクとして適当なエッチング液によ
り導体層を選択的に除去したのち、マスクパターンを除
去し、片側の導体層に開口部を形成させる。次に、開口
が形成された導体層をメタルマスクとして、炭酸ガスレ
ーザを開口が形成された側の全面に照射する。上記メタ
ルマスクの開口部を通過したレーザを絶縁性樹脂が吸収
し、急激に加熱され蒸発することにより、開口部の絶縁
性樹脂が除去され、反対面の導体層が露出し、ビアホー
ル形成用の孔が形成される。
キャリアテープの片側の導体層の表面にスクリーン印刷
あるいは感光性樹脂等によりマスクパターンを形成し、
これをエッチングマスクとして適当なエッチング液によ
り導体層を選択的に除去したのち、マスクパターンを除
去し、片側の導体層に開口部を形成させる。次に、開口
が形成された導体層をメタルマスクとして、炭酸ガスレ
ーザを開口が形成された側の全面に照射する。上記メタ
ルマスクの開口部を通過したレーザを絶縁性樹脂が吸収
し、急激に加熱され蒸発することにより、開口部の絶縁
性樹脂が除去され、反対面の導体層が露出し、ビアホー
ル形成用の孔が形成される。
【００２２】
実施例１ まず、図１の基材１には新日鐵化学株式会社製無接着銅
張り積層板エスパネックスＳＢ１８−５０−１８ＷＥ
（商品名）を用いた。基材１のＡ面側銅箔に感光性ドラ
イフィルムをラミネートし、マスクパターンを介して紫
外線を照射してこれを感光させ、現像した。次に、現像
した基材を塩化第二鉄液によりエッチングした後、エッ
チング時に用いたドライフィルムを除去し、図２に示す
開口部２を形成した。
張り積層板エスパネックスＳＢ１８−５０−１８ＷＥ
（商品名）を用いた。基材１のＡ面側銅箔に感光性ドラ
イフィルムをラミネートし、マスクパターンを介して紫
外線を照射してこれを感光させ、現像した。次に、現像
した基材を塩化第二鉄液によりエッチングした後、エッ
チング時に用いたドライフィルムを除去し、図２に示す
開口部２を形成した。
【００２３】さらに、開口部２が形成された基材１の全
面に、炭酸ガスレーザを照射した。図３に示すように、
開口部を通過したレーザビーム３により、絶縁体に孔明
けすることでビアホール形成用孔４が形成できる。この
時のレーザ加工条件は、Ｑスイツチパルス炭酸ガスレー
ザを用いて、パルスレーザのピーク出力は６．４ｋｗ、
パルスエネルギーは３０ｍＪ、パルス時間幅は２０μ
ｓ、パルス繰り返し周波数は１２ｋＨｚである。レーザ
波長は９．３μｍを用い、集光径は直径５００μｍに集
光した。同一点への照射パルス数は約４パルスである。
面に、炭酸ガスレーザを照射した。図３に示すように、
開口部を通過したレーザビーム３により、絶縁体に孔明
けすることでビアホール形成用孔４が形成できる。この
時のレーザ加工条件は、Ｑスイツチパルス炭酸ガスレー
ザを用いて、パルスレーザのピーク出力は６．４ｋｗ、
パルスエネルギーは３０ｍＪ、パルス時間幅は２０μ
ｓ、パルス繰り返し周波数は１２ｋＨｚである。レーザ
波長は９．３μｍを用い、集光径は直径５００μｍに集
光した。同一点への照射パルス数は約４パルスである。
【００２４】次いで、無電解鋼メッキ液を用いてビアホ
ール形成用孔４の壁面を含む全面に銅被膜を形成し、図
４のブラインドスルーホール５を形成した。さらに、そ
の銅被膜を陰極として電解メッキ液を用い、電流密２Ａ
／ｄｃｍ2 で電気銅メッキを施してた。この時の銅メッ
キ厚みは、１０μｍであった。
ール形成用孔４の壁面を含む全面に銅被膜を形成し、図
４のブラインドスルーホール５を形成した。さらに、そ
の銅被膜を陰極として電解メッキ液を用い、電流密２Ａ
／ｄｃｍ2 で電気銅メッキを施してた。この時の銅メッ
キ厚みは、１０μｍであった。
【００２５】次に、基材両面に感光性ドライフィルムを
ラミネートし、表面のインナーリード、アウターリード
などの信号線、裏面にはグランドパターンを備えた、両
面パターンマスクを介して紫外線を照射してこれを感光
させ現像した後に、現像した基材を塩化第二鉄液により
両面エッチングし、エッチング時に用いたドライフィル
ムを除去して、図５の両面キャリアテープの回路パター
ンを得た。
ラミネートし、表面のインナーリード、アウターリード
などの信号線、裏面にはグランドパターンを備えた、両
面パターンマスクを介して紫外線を照射してこれを感光
させ現像した後に、現像した基材を塩化第二鉄液により
両面エッチングし、エッチング時に用いたドライフィル
ムを除去して、図５の両面キャリアテープの回路パター
ンを得た。
【００２６】次に、両面の回路パターンの表面の配線リ
ード部より、保護レジストをスクリーン印刷により塗布
し、保護レジストを乾燥した後に、裏面のグランドパタ
ーン側にも同様の工程で保護レジストを塗布し、最後に
配線リード部に金メッキ又は錫メッキなどによる表面処
理を施して図６の両面キャリアテープを完成した。
ード部より、保護レジストをスクリーン印刷により塗布
し、保護レジストを乾燥した後に、裏面のグランドパタ
ーン側にも同様の工程で保護レジストを塗布し、最後に
配線リード部に金メッキ又は錫メッキなどによる表面処
理を施して図６の両面キャリアテープを完成した。
【００２７】
【発明の効果】以上、説明した本発明の方法によれば、
極めて高い精度でビアホールの形成を行うことができ、
両面キャリアテープの多ピン化に伴うビアホールの高密
度化、微小孔径化を容易に達成することができ、付加価
値の高い両面キャリアテープが提供できる。また、Ｑス
イッチ化された炭酸ガスレーザを用いることにより、レ
ーザパルスの繰り返し周波数を高くすることができ、加
工を高速度で行うことが可能となった。
極めて高い精度でビアホールの形成を行うことができ、
両面キャリアテープの多ピン化に伴うビアホールの高密
度化、微小孔径化を容易に達成することができ、付加価
値の高い両面キャリアテープが提供できる。また、Ｑス
イッチ化された炭酸ガスレーザを用いることにより、レ
ーザパルスの繰り返し周波数を高くすることができ、加
工を高速度で行うことが可能となった。
【図１】本発明で用いる無接着剤銅張積層板の側面断面
図である。
図である。
【図２】銅箔部の開口をエッチングした無接着剤銅張積
層板の側面断面図である。
層板の側面断面図である。
【図３】炭酸ガスレーザ加工により、絶縁体にビアホー
ルを形成した無接着剤銅張積層板の側面断面図である。
ルを形成した無接着剤銅張積層板の側面断面図である。
【図４】メッキによりブラインドホールを形成した無接
着剤銅張積層板の側面断面図である。
着剤銅張積層板の側面断面図である。
【図５】回路加工でパターンを形成した両面キャリアテ
ープの側面断面図である。
ープの側面断面図である。
【図６】回路加工した両面キャリアパターンの平面図で
ある。
ある。
【図７】レーザ加工装置の構成を示す略図である。
【図８】Ｑスイッチの部分拡大図である。
【図９】チョッパディスクの正面図である。
【図１０】ポリイミドを含有する樹脂の吸光特性を示す
グラフである。
グラフである。
１ ： 基材 ２ ： 銅箔開口部 ３ ： 炭酸ガスレーザビーム ４ ： ビアホール形成用孔 ５ ： ブラインドスルホール ６ ： 両面キャリアテープ １１ ： 炭酸ガスレーザ １２ ： フロントミラー １３ ： レンズ １４ ： リアミラー １５ ： テレスコープレンズ １６ ： ビームウェスト １７ ： 回転チョッパ １８ ： チョッパディスク １９ ： 回転駆動装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南田 勝宏 千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 (72)発明者 坂井 辰彦 千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の導体層と、ポリイミドを主成分と
する絶縁性樹脂層と、第２の導体層とを積層してなる両
面キャリアテープの製造方法において、エッチングによ
り表面の導体層を孔明けし、次いでＱ−スイッチ化され
た炭酸ガスレーザにより絶縁性樹脂層を孔明けして開口
部の下にある導体層に達するビアホールを形成した後、
電解メッキ又は無電解メッキにより導体層を形成するこ
とを特徴とする両面キャリアテープの製造方法。 - 【請求項２】 Ｑ−スイッチ化された炭酸ガスレーザ
が、時間幅２００ｎｓ〜１μｓ、ピークパワー５〜１０
０ｋｗの初期スパイク成分と、時間幅０．９〜２９μ
ｓ、ピークパワー２〜５ｋｗのテールスパイク成分とか
らなるレーザパルスを発生する請求項１記載の両面キャ
リアテープの製造方法。 - 【請求項３】 炭酸ガスレーザが、９．２２〜９．３３
μｍの発振波長の炭酸ガスレーザである請求項１又は２
記載の両面キャリアテープの製造方法。 - 【請求項４】 絶縁体樹脂層が、３×１０-5／℃以下の
熱膨張係数を有するポリイミド又は変性ポリイミド樹脂
である請求項１〜３のいずれかに記載の両面キャリアテ
ープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285168A JPH11121902A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 両面キャリアテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285168A JPH11121902A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 両面キャリアテープの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121902A true JPH11121902A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17687986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9285168A Withdrawn JPH11121902A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 両面キャリアテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121902A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000072645A1 (fr) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Usinage au laser de films plastiques d'une carte a circuits, et procede de fabrication d'une telle carte a circuit |
| CN103117241A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-05-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种物理刻蚀工艺中的贴片方法 |
| KR102367448B1 (ko) * | 2020-09-29 | 2022-02-25 | 이노포토닉스 주식회사 | 레이저 드릴링을 이용하는 캐리어 테입 홀 가공장치 |
| KR20220146783A (ko) * | 2021-04-26 | 2022-11-02 | 이노포토닉스 주식회사 | 캐리어 테이프 제조 시스템 |
-
1997
- 1997-10-17 JP JP9285168A patent/JPH11121902A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000072645A1 (fr) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Usinage au laser de films plastiques d'une carte a circuits, et procede de fabrication d'une telle carte a circuit |
| US6492616B1 (en) | 1999-05-24 | 2002-12-10 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Processes for laser beam machining of resin film for wiring boards and manufacture of wiring boards |
| CN103117241A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-05-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种物理刻蚀工艺中的贴片方法 |
| KR102367448B1 (ko) * | 2020-09-29 | 2022-02-25 | 이노포토닉스 주식회사 | 레이저 드릴링을 이용하는 캐리어 테입 홀 가공장치 |
| KR20220043924A (ko) * | 2020-09-29 | 2022-04-05 | 이노포토닉스 주식회사 | 레이저 드릴링을 이용하는 캐리어 테입 홀 가공장치 |
| WO2022071728A1 (ko) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 | 이노포토닉스 주식회사 | 레이저 드릴링을 이용하는 캐리어 테입 홀 가공장치 |
| KR20220146783A (ko) * | 2021-04-26 | 2022-11-02 | 이노포토닉스 주식회사 | 캐리어 테이프 제조 시스템 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |