KR890001177A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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야코부스 마리아 요스컨 빌헬무스
린데만 헨드리쿠스
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이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체장치 일부분의 단면도.
제2도는 내지 제3도는 제1도에서 도시된 반도체장치 제조의 연차단계 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체장치가 적어도 하나의 반도체회로소자를 갖고 있는 반도체 바디를 포함하고 상기 반도체 본체의 표면은 실리콘산화화물층, 그 위에 배치된 형광체 글라스층, 및 그 위에 배치된 전기적 절연 덮개층으로 구성되어 실리콘산화물층보다 훨씬 작은 두께를 갖고 있는 표면 안정화층으로 코팅되는 이러한 반도체장치에서, 상기 장치는 전기적 절연층상에 배치된 실리콘층을 포함하고, 형과체 글라스층은 덮개층과 함께 적어도 실리콘층의 일부에 배치되고, 금속층은 덮개판에 제공되는 한편, 실리콘층은 플레이트를 구성하고, 형광체 글라스층은 덮개판과 함께 캐패시터의 유전체를 구성하는 것을 특성으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 본체는 실리콘으로 구성되고, 상기 전기적 절연층은 국부적 산화에 의해 얻어져 적어도 실리콘내에 일부가 잠기는 실리콘산화물층인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1또는 2항에 있어서, 실리콘산화물층은 최소 250[㎚]와 최대 750[㎚]의 두께를 가지며, 덮개층은 최소 25[㎚]와 최대100[㎚]의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 상기 항중 임의의 한 항에 청구된 바와같은 반도체장치를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 본체의 표면의 일부에는 전기적 절연층이 제공되고, 실리콘층은 상기 격리층상에 제공되고, 실리콘산화물층은 그후 어셈블리상에 배치되고, 상기 실리콘산화물층은 실리콘층 표면의 일부로부터 제거되고, 그 위에 형광체 용착이 행해지고, 그후 어셈블리는 실리콘산화물층보다 훨씬 작은 두께를 갖는 전기적 절연 덮개층으로 코우팅되고, 그후에 불필요한 불순물을 제거하기 위해서 온도처리가 실행되고, 이때 금속층은 실리콘층 위의 덮개층상에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 실리콘산화물층은 테트라에톡시실란의 저압(LPCVD)에서 화학적 용착에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 실리콘산화물층을 10[분]동안 약950[℃]에서 가열하여 밀도가 조밀하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  7. 제4, 5 또는 6항에 있어서, 형광체 글라스는 포스핀이 10[분]동안 약 850[℃]에서 분해되므로서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  8. 제4, 5, 6 또는 7항에 있어서, 상기 온도처리는 60[분]동안 약950[℃]의 온도에서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007043A 1987-06-11 1988-06-11 반도체장치 및 그 제조방법 KR970004847B1 (ko)

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