KR880003404A - 다른 p-형 도팬트를 구비한 p-형 도팬트의 특성개량 - Google Patents

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KR880003404A
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아로노위츠 셀든
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넬슨 스톤
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Abstract

내용 없음

Description

다른 p-형 도팬트를 구비한 p-형 도팬트의 특성개량
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A-1E도는 본 발명에 따라 PMOS 트랜지스터를 형성하는 공정동안의 실리콘 웨이퍼의 단면측도,
제2A도는 발명의 실시예에서 붕소, 감륨 및 붕소와 갈륨의 조합 각각을 위한 관련 캐리어 농도를 설명하는 그래프,
제2B도는 본 발명에 따라 쌍을 이룰때 및 개별적으로 주입될때의 붕소 및 갈륨의 관련 이온농도를 설명하는 그래프.

Claims (12)

  1. 모놀리식 집적 회로장치에 p-형 영역을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 소정영역내로 제1 p-형 불순물의 이온을 주입하는 단계 ; 상기 영역내로 상기 제1 p-형 불순물과 다른 제2 p-형 불순물의 이온을 주입하는 단계 ; 및 상기 양 불순물이 상기 기판내로 함께 확산하도록 상기 기판을 어니일링하는 단계들로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주입단계들은 양 불순물용기판에서 대략 동일 깊이가 되도록 이온의 피크농도를 일으키는 각각의 전원레벨에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 불순물이 주입되는 영역의 에어리어는 상기 제1 불순물이 주입되는 영역의 에어리어보다 작은 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 불순물이 각각은 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. p-n 접합이 소망하는 전기적 특성을 제공하도록 형성되는 모놀리식 집적회로장치의 제조에 있어서, 상기 접합에 인접한 p-형 영역의 특성을 개량하는 방법은 양 상기 불순물의 간질성이온을 상기 영역에서 서로 끌어당기도록 상기 영역내에 2 다른 p-형 불순물을 동시에 확산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 확산단계는 상기 불순물의 각각의 이온을 주입하고 동시에 주입을 어니일링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 그 프로세스에 따른 물.
  8. 제6항에 있어서, 그 프로세스에 따른 물.
  9. 최소한 1 도우너 불순물로 도우핑되며, 각각이 상기 p-형 영역전역에 걸쳐 분포된 2 다른 어셉터 불순물 도우핑된 n-형 영역사이에 형성된 p-n접합을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적회로장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 어셉터 불순물의 각각은 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. n-형 반도체기판 ; 및 상기 기판에 형성된 2 다른 어셉터불순물의 원자와 도우핑 된 반도체를 포함하는 p-형 소오스 및 드레인영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트렌지스터.
  12. 제11항에 있어서, 상기 어셉터 불순물의 각각은 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870009163A 1986-08-28 1987-08-21 다른 p-형 도팬트를 구비한 p-형 도팬트의 특성개량 KR880003404A (ko)

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0359852A1 (de) * 1988-09-21 1990-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von flachen dotierten Bereichen mit niedrigem Schichtwiderstand in einem Siliziumsubstrat
EP0397014A3 (en) * 1989-05-10 1991-02-06 National Semiconductor Corporation Aluminium/boron p-well
TW399774U (en) * 1989-07-03 2000-07-21 Gen Electric FET, IGBT and MCT structures to enhance operating characteristics
JPH0797590B2 (ja) * 1989-11-21 1995-10-18 株式会社東芝 バイポーラトランジスタの製造方法
US5137838A (en) * 1991-06-05 1992-08-11 National Semiconductor Corporation Method of fabricating P-buried layers for PNP devices
US5192712A (en) * 1992-04-15 1993-03-09 National Semiconductor Corporation Control and moderation of aluminum in silicon using germanium and germanium with boron
US5825052A (en) * 1994-08-26 1998-10-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emmitting device
US6331458B1 (en) * 1994-10-11 2001-12-18 Advanced Micro Devices, Inc. Active region implant methodology using indium to enhance short channel performance of a surface channel PMOS device
US5970353A (en) * 1998-03-30 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Reduced channel length lightly doped drain transistor using a sub-amorphous large tilt angle implant to provide enhanced lateral diffusion
JP2002076332A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Hitachi Ltd 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法
US6660608B1 (en) * 2002-02-25 2003-12-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method for manufacturing CMOS device having low gate resistivity using aluminum implant
US6599831B1 (en) * 2002-04-30 2003-07-29 Advanced Micro Devices, Inc. Metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof
US20040121524A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for controlling diffusion
US7297617B2 (en) * 2003-04-22 2007-11-20 Micron Technology, Inc. Method for controlling diffusion in semiconductor regions
US8110469B2 (en) 2005-08-30 2012-02-07 Micron Technology, Inc. Graded dielectric layers
JP2008085355A (ja) * 2007-10-22 2008-04-10 Toshiba Corp イオン注入方法
US11362221B2 (en) * 2017-02-06 2022-06-14 Alliance For Sustainable Energy, Llc Doped passivated contacts
CN113178385B (zh) * 2021-03-31 2022-12-23 青岛惠科微电子有限公司 一种芯片的制造方法、制造设备和芯片

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3798079A (en) * 1972-06-05 1974-03-19 Westinghouse Electric Corp Triple diffused high voltage transistor
JPS5457861A (en) * 1977-10-17 1979-05-10 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5492183A (en) * 1977-12-29 1979-07-21 Fujitsu Ltd Manufacture of mis type semiconductor device
JPS55151349A (en) * 1979-05-15 1980-11-25 Matsushita Electronics Corp Forming method of insulation isolating region
JPS5673470A (en) * 1979-11-21 1981-06-18 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Manufacture of semiconductor device
JPS58106823A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Toshiba Corp イオン注入方法
JPS58111324A (ja) * 1981-12-25 1983-07-02 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US4512816A (en) * 1982-02-26 1985-04-23 National Semiconductor Corporation High-density IC isolation technique capacitors

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DE3779523D1 (de) 1992-07-09
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DE3779523T2 (de) 1993-01-21
JPS6362227A (ja) 1988-03-18
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EP0258148B1 (en) 1992-06-03

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