KR870007517A - 반도체 기억장치 - Google Patents
반도체 기억장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR870007517A KR870007517A KR870000302A KR870000302A KR870007517A KR 870007517 A KR870007517 A KR 870007517A KR 870000302 A KR870000302 A KR 870000302A KR 870000302 A KR870000302 A KR 870000302A KR 870007517 A KR870007517 A KR 870007517A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor memory
- memory device
- pair
- bit lines
- transistor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4094—Bit-line management or control circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관계되는프리챠지 방식 다이니믹형의 일부를 나타낸 회로도,
1…재저장(restore)회로 2…센스증폭기
BL,BL…비트선 T1,T2…장벽트랜지스터
Claims (5)
1쌍의 비트선(BL)(BL)과, 이 1쌍의 비트선선(BL)(BL)에 접속되는 비트선 센스증폭기(2) 상기 1쌍의 비트선선(BL)(BL)에 접속되는 재저장회로(1) 및 상기 1쌍의 비트선(BL)(BL)과 상기 비트선 센스증폭기(2) 사이에 설치되는 장벽트랜지스터(T1)(T2)를 구비하여서 된 반도체 기억장치에 있어서, 상기 장벽트랜지스터(T1)(T2)의 게이트에 일정한 전위가 부여되면서 직접적으로 상기 1쌍의 비트선(BL)(BL)에 재저장회로(1)가 접속되도록 된 반도체 기억장치.
제1항에 있어서, 상기 장벽트랜지스터(T1)(T2)는 상기 센스증폭기(2)를 구성하는 MOS형 트랜지스터와 같은 도전형으로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 장벽트랜지스터(T1)(T2)는 N챈널형 트랜지스터가 사용되면서 기 게이트에 Vcc전원 전위가 공급되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 장벽트랜지스터(T1)(T2)는 P챈널형 트랜지스터로서 그 게이트에 접지전위가 공급되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
제1항에 있어서, 상기 반도체 기억장치가프리챠지 방식으로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019910011869U KR920001051Y1 (ko) | 1986-01-17 | 1991-07-26 | 장벽트랜지스터를 갖춘 반도체기억장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61007271A JPS62165787A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体記憶装置 |
JP61-7271 | 1986-01-17 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR91011869U Division KR970001765Y1 (en) | 1987-01-20 | 1991-07-26 | Vessel cover |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR870007517A true KR870007517A (ko) | 1987-08-19 |
Family
ID=11661364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR870000302A KR870007517A (ko) | 1986-01-17 | 1987-01-16 | 반도체 기억장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0230385B1 (ko) |
JP (1) | JPS62165787A (ko) |
KR (1) | KR870007517A (ko) |
DE (1) | DE3788573T2 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3061060B2 (ja) * | 1989-09-05 | 2000-07-10 | 株式会社東芝 | マルチポートメモリ |
JP2640543B2 (ja) * | 1989-11-01 | 1997-08-13 | 日鉄セミコンダクター株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH03160684A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP3101298B2 (ja) * | 1990-03-30 | 2000-10-23 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS586233B2 (ja) * | 1977-10-31 | 1983-02-03 | 株式会社日立製作所 | メモリ |
US4291392A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-22 | Mostek Corporation | Timing of active pullup for dynamic semiconductor memory |
JPS6045499B2 (ja) * | 1980-04-15 | 1985-10-09 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPS5771581A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-04 | Toshiba Corp | Active boosting circuit |
JPS58189898A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | ダイナミツク記憶装置 |
JPS5945692A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-14 | Nec Corp | メモリ回路 |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP61007271A patent/JPS62165787A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-16 EP EP87300389A patent/EP0230385B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-16 KR KR870000302A patent/KR870007517A/ko not_active Application Discontinuation
- 1987-01-16 DE DE3788573T patent/DE3788573T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62165787A (ja) | 1987-07-22 |
JPH054753B2 (ko) | 1993-01-20 |
DE3788573T2 (de) | 1994-05-26 |
DE3788573D1 (de) | 1994-02-10 |
EP0230385B1 (en) | 1993-12-29 |
EP0230385A2 (en) | 1987-07-29 |
EP0230385A3 (en) | 1989-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR870011616A (ko) | 센스 앰프 | |
KR870007509A (ko) | 집적회로에서의 버퍼회로 | |
KR900019038A (ko) | 다이나믹형 랜덤억세스메모리 | |
KR900019019A (ko) | 고밀도 반도체 메모리장치의 전원 공급전압 변환회로 | |
KR870008320A (ko) | 상이형 메모리셀로 구성되는 반도체 메모리장치 | |
KR870002593A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
KR900000906A (ko) | 메모리장치의 센스 앰프 분할 제어회로 | |
KR840008091A (ko) | Mos트랜지스터 증폭기 | |
KR860008562A (ko) | 비트선 구동기 및 트랜지스터 조합체 | |
KR900019040A (ko) | 다이나믹형 랜덤억세스메모리 | |
KR870007510A (ko) | 반도체 메모리 소자의 데이타 판독회로 | |
KR870007517A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR890013769A (ko) | 중간전위생성회로 | |
KR910010512A (ko) | 이중 파워라인(power line)을 갖는 다이나믹램의 센스증폭기 | |
KR910006994A (ko) | 센스 앰프회로 | |
KR920001520A (ko) | 반도체 메모리 셀 | |
KR920006984A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR940026953A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR900018823A (ko) | 비트라인 안정화를 위한 전원전압 추적회로 | |
KR870007511A (ko) | 데이타 판독회로 | |
KR900005467A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
KR910013278A (ko) | 감도조정이 가능한 감지증폭기를 갖춘 반도체메모리 장치 | |
KR880003334A (ko) | 스태틱형 반도체 기억장치 | |
JPH0415558B2 (ko) | ||
KR870003623A (ko) | 슈미트 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
WICV | Withdrawal of application forming a basis of a converted application |