KR870003578A - Mos 트랜지스터 회로 - Google Patents

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마코토 세가와
쇼지 아리이즈미
다케오 콘도
후지오 마스오카
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와타리 스기이지로
가부시끼 가이샤 도오시바
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Abstract

내용 없음

Description

MOS 트랜지스터 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 MOS 트랜지스터 집적회로를 위한 종래의 입력보호회로의 회로도.
제4도는 본 발명의 1실시예에 따른 보호 MOS 트랜지스터의 집적회로를 나타내는 회로도.
제10도는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 것으로, 2개의 PN 접합다이오드를 갖는 보호 MOS 트랜지스터의 집적회로를 각각 나타내는 것이다.
10, 32…입력 MOS 트랜지스터 12, 36…입력단자 14, 20, 22…저항
16…MOS 트랜지스터 18…접속점 24…캐패시터
26…스위치 30…기능소자 34…보호회로
38A, 38B, 38C…저항 40A, 42A…저항 44, 46…접속점
50…n형확산영역 52…P형반도체기판 54A, 54B…n형확산영역
56…다결정실리콘층 58…필드산화막 60…PN 접합다이오드

Claims (10)

  1. 반도체기판과 기판전 위에 동등한 레벨로 설정되는 기준전위단자, 입력전압이 공급되는 입력단자 및 상기 반도체 기판 위에 절연되어 형성되는 게이트전극을 구비하는 입력 MOS 트랜지스터를 구비하도록 된 MOS 트랜지스터회로에 있어서, 상기 반도체기판 위에 절연되어 형성되는 상기 입력단자 및 입력 MOS트랜지스터의 게이트전극 사이에서 직렬로 접속되는 제1및 제2저항수단과, 상기 제2저항수단과 게이트전극의 접속점과 기준전위단자 사이에 역방향으로 접속되는 제1다이오수단 및 상기 제1저항수단과 제2저항수단의 접속점과 기준전위 단자 사이에 역방향으로 접속되는 제2다이오드수단을 구비한 것을 특징으로 하는 MOS트랜지스터회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2다이오드수단이 상기 제1다이오드수단보다도 높은 임계전압을 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 입력 MOS 트랜지스터가 상기 반도체기판내에 제1깊이로 형성되는 소오스 및 드레인 영역을 구비한 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2다이오드수단이 반도체기판 내에 상기 제1깊이보다도 크게 제2깊이로 형성된 확산영역을 구비하게 되는 PN 접합다이오드인 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1다이오드수단이 반도체기판 내에 상기 제2깊이로 형성된 확산층을 구비하게 되는 PN 접합다이오드인 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1다이오드수단이 상기 반도체기판 내에 제1깊이로 형성되는 소오스 및 드레인 영역과 상기 반도체기판 위에 절연되어 형성되는 기준전위단자에 접속되는 게이트전극을 구비하고 있는 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2저항수단과 입력 MOS 트랜지스터의 게이트전국 사이에 직렬로 접속되는 제3저항수단을 구비한 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1저항수단이 다결정실리콘층으로 구성된 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 내지 제3저항수단이 단일 다결정실리콘층으로 구성된 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 회로.
  10. 제4항에 있어서, 상기 제1지향수단은 500Ω∼1.5kΩ의 범위의 저항값으로 설정되고, 상기 제2저항수단은 100∼300Ω범위의 저항값으로 설정되며, PN 접합다이오드는 0.5㎛∼2.0㎛의 깊이의 확산영역을 구비하면 더불어 2000㎛2이상의 PN 접합면적을 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860008018A 1985-09-25 1986-09-25 Mos트랜지스터회로 KR910003834B1 (ko)

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