KR870002664A - 집적회로내의 mos 전계효과 트랜지스터 제조방법 - Google Patents

집적회로내의 mos 전계효과 트랜지스터 제조방법 Download PDF

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KR870002664A
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Abstract

내용 없음

Description

집적회로내의 MOS 전계효과 트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제8도는 본 발명의 기술을 이용한 MOS 전계효과 트랜지스터의 여러가지 제조단계를 보인 집적회로 구조물의 횡단부에 대한 도해도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명
10 : 집적회로 구조물 12 : P형 기판 14 : 에피텍셜층
18 : 게이트 산화물층 22,60 : 플리실리콘층 또는 비결정 실리콘층
24 : 실리콘 질화물층 30 : 게이트 31 : 측벽
32 : 실리콘 질화물 캡 40 : 이격 산화물 42, 44 : 소오스 영역
44,48 : 드레인 영역 56 : 굴절급속층 또는 텅스텐층 62 : 실리콘 산화물층

Claims (5)

  1. 표면과 이 표면상에 배치되는 산화물 게이트층을 가진 반도체 구조물내의 집적회로의 MOS 전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법이 (a) 상부면고 한쌍의 측벽을 가진 상기 게이트 산화물 상에 비도우프된 실리콘 게이트를 형성하고, (b) 상기 측벽의 한 부분에 인접한 구조물과 상기 측벽의 다른부에 인접한 구조물내에 소오스 영역을 형성하며, (c) 상기 측벽을 포함하는 상기 실리콘 게이트상에 실리콘 산화물층을 형성하고, (d) 상기 각각의 소오스 및 드레인 영역과 상기 비도우프된 실리콘 게이트상에 노출된 실리콘 표면을 남기도록 상기 측벽상에만 실리콘 산화물을 남기는 상기 실리콘 산화물층을 부분을제거하며, (e) 상기 노출된 표면에만 굴절금속층을 형성하고, (f) 상기 굴절금속층에 폴리실리콘층을 형성하며,(g) 상기 각각의 노출된 표면에서 금속 규소화를 형성하도록 산소 대기압내에서 상기 굴절금속층 및 상기 폴리실리콘층과 상기 구조물을 가열하는 단계들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로내의 MOS 전계효과 트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단계(d)로 상기 리콘산화물층 부분을 제거하는 것이 비등방성 식각을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 집적회로내의 MOS 전계효과 트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 단계(g)가 상기 폴리실리콘층을 완전히 산화시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로내의 전계효과 트랜지스터 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 굴절금속이 텅스텐이 것을 특징으로 하는 집적 회로내의 MOS 전게효과 트랜지스터 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 단계(a) 및 (b)가 (i) 상기 게이트 산화물상에 비도우프된 실리콘층을 형성하고, (ii)상기 비도우프된 실리콘층상에 실리콘 질소화층을 형성하며, (iii) 상기 한쌍의 측벽과 실리콘 질화물 캡을 가진 비도우프된 실리콘 게이트를 형성하기 위하여 상기 실리콘 질화물층 및 비도우프된 실리콘층 부분을 제거하고, (iv) 상기 소오스 및 드레인 영역을 형성하며,(v) 상기 실리콘 질화물 캡을 제거하는 절차를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로내의 MOS 전계효과 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860006624A 1985-08-12 1986-08-12 집적회로내의 mos전계효과 트랜지스터 제조방법 KR950001950B1 (ko)

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