KR860000695A - 수직양방향 퇴적 전력전계효과 트랜지스터 - Google Patents

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제임스 안소니이 벤자민 (외 2)
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프랑크 엠 사죠벡
이턴 코오포레이숀
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Abstract

내용 없음

Description

수직양방향 퇴적 전력전계효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 수직양방향 FET 구조를 표시하는 개략단면도. 제3도는 게이트장치를 표시하는 제2도와 같은 도면.
* 도면의 주요부분의 부호의 설명
40:FET 42:반도체몸체 44:정부주면 46:바닥주면 48:퇴적 49-54:채널함유영역 55-61-소오스영역 49a-54a:전도채널 62:게이트수단 63:좌주전극 64:우주전극 66:바닥전극 68:게이트전극 70:노치 72:유전체절연 75:게이트관계단자 78:게이트관계전극 80:노치 84:게이트바이어스전위 86:부하 88:교류전원 T1T2:주단자 G:게이트단자.

Claims (8)

  1. 수직양방향 다중채널 퇴적전력 FET가 정부 및 바닥주면을 가진 반도체몸체와 상기 정부 및 바닥면간에 수직으로 퇴적되고 옆으로 수평으로 연장하는 다수의 교번의 전도성형의 층을 가지고, 상기퇴적이 다수의 소오스영역에 삽입된 다수의 채널 함유영역을 가지고, 채널 함유영역의 전도성의 형을 역전하기 위한 게이트 수단이 정부 및 바닥면간의 전류전도의 양방향 전계효과를 가능하게 하고 소오스영역간에 전도채널을 유도하는 것을 특징으로하는 수직 양방향 퇴적전력 전계효과 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 충돌은 바닥주면의 바닥소오스 영역과 정부주면의 정부소오스영역간에 퇴적되고, 정부주면에 따라 정부소오스영역에 접촉하는 정부주단자와 바닥주면에 따라 바닥소오스영역에 접촉하는 바닥주단자와 다수의 퇴적된층을 통하여 연속적으로 관통하는 상기 주단자들간의 전류전도통로를 가지는 것.
  3. 제2항에 있어서, 소오스영역은 한 전도성형의 반도체물질이고, 채널함유 영역은 반대전도성형의 반도체물질이고, 게이트수단이 한전도성형의 다수의 소오스영역에 삽입된 한전도성형의 다수의 전도채널을 통하여 연속적으로 양방향의 전류흐름을 가능하게 하기 위하여 한 전도성형에 채널함유 영역의 전도성을 역전하게 전계를 적용하기 위한 게이트전극수단을 채널함유 영역바로 앞에 가지는 것.
  4. 제3항에 있어서, 정부주면부터 하방으로 바닥소오스 영역으로 연장하고 퇴적된 충돌을 좌 및 우부분으로 옆으로 분리하는 반도체몸체의 노치수단을 가지고, 여기에서 정부주단자가 정부주면에 따라 노치수단의 좌 및 우측의 좌 및 우정부 소오스영역에 각기 접촉하는 좌 및 우주전극을 가지고, 게이트수단이 노치 수단의 내부면에 따라 절연층을 가지고, 게이트 전극수단이 절연층에 따라 노치수단에 배치되고, 주단자들간의 전류통로가 일반적으로 수직으로 노치수단밑의 바닥소오스영역을 통하여 관통하고, 노치수단의 각축에 수직으로 퇴적된 다수의 전도채널을 포함하는 좌 및 우퇴적을 통하여 노치수단의 좌 및 우측을 따라 관통하는 것.
  5. 제4항에 있어서, FET가 게이트 전개의 결여에서 오프상태를 가지고, 채널 함유영역과 그 밑의 각기인접의 소오스영역간의 접합의 세트를 가지고 한방향의 전류흐름을 지지하고, 채널 함유영역과 그들위의 각기 인접의 소오스영역의 교번의 세트를 가지고 반대방향의 전류흐름을 지지하고, 주단자간의 오프상태의 전압이 직렬의 접합의 각기 세트를 건너 각각의 방향에서 강하되어 다수의 접합부터 확장하는 공핍영역이 파괴에 앞서 수직으로 결합되고, 그것에 의하여 오프상태에서 양방향의 전압 지지능력을 향상시키는 것.
  6. 제5항에 있어서, 상기 퇴적에서 반대전도성형의 채널 함유영역에 접속되는 표시된 게이트관계 단자를 가지는 것.
  7. 제6항에 있어서, 게이트관계단자 수단이 관계 게이트층에 접촉하는 관계 게이트전극과, 퇴적의 층에 접촉하고 건너서 연장하는 반대전도성형의 반도체물질의 게이트관계층을 가지는 것.
  8. 제7항에 있어서, 퇴적으로 수직으로 노치된 게이트 관계홈을 가지고, 여기에서 반대전도성형의 반도체 물질의 관계게이트층이 퇴적의 층에 접촉하게 게이트관계홈의 내부면에 따라 연장하고, 관계게이트전극이 관계게이트층에 접촉되는 것.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850004038A 1984-06-08 1985-06-08 수직양방향 퇴적 전력전계효과 트랜지스터 KR860000695A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030070390A (ko) * 2002-02-25 2003-08-30 주식회사 하이닉스반도체 고전압용 반도체 트랜지스터 소자의 제조 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5034785A (en) * 1986-03-24 1991-07-23 Siliconix Incorporated Planar vertical channel DMOS structure
US4767722A (en) * 1986-03-24 1988-08-30 Siliconix Incorporated Method for making planar vertical channel DMOS structures
US5977569A (en) * 1996-09-24 1999-11-02 Allen-Bradley Company, Llc Bidirectional lateral insulated gate bipolar transistor having increased voltage blocking capability
TW406419B (en) * 1998-01-15 2000-09-21 Siemens Ag Memory-cells arrangement and its production method
JP4653704B2 (ja) * 1999-05-21 2011-03-16 関西電力株式会社 半導体装置
DE10026925C2 (de) * 2000-05-30 2002-04-18 Infineon Technologies Ag Feldeffektgesteuertes, vertikales Halbleiterbauelement

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133574A (en) * 1979-04-05 1980-10-17 Nec Corp Insulated gate field effect transistor
GB2089119A (en) * 1980-12-10 1982-06-16 Philips Electronic Associated High voltage semiconductor devices
EP0091686B1 (en) * 1982-04-12 1989-06-28 General Electric Company Semiconductor device having a diffused region of reduced length and method of fabricating the same
US4546367A (en) * 1982-06-21 1985-10-08 Eaton Corporation Lateral bidirectional notch FET with extended gate insulator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030070390A (ko) * 2002-02-25 2003-08-30 주식회사 하이닉스반도체 고전압용 반도체 트랜지스터 소자의 제조 방법

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