KR930015073A - 반도체 장치 - Google Patents
반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930015073A KR930015073A KR1019920022017A KR920022017A KR930015073A KR 930015073 A KR930015073 A KR 930015073A KR 1019920022017 A KR1019920022017 A KR 1019920022017A KR 920022017 A KR920022017 A KR 920022017A KR 930015073 A KR930015073 A KR 930015073A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- semiconductor device
- collector region
- transistor
- collector
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 14
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
- H01L27/0711—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0716—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors in combination with vertical bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/10—SRAM devices comprising bipolar components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
반도체 장치는 제어 트랜지스터(7,8,9,10)를 통해 베이스 전류를 공급받는 베이스 영역(13)을 포함한 바이폴라 트랜지스터를 구비한 프로그램가능한 메모리 셀을 갖는다.
바이폴라 트랜지스터는 제1공급선(151)에 에미터 영역(12)을 갖고 부하(16)를 통해 제2공급선(152)에 접속된 콜렉터 영역(14)을 갖는다. 동작동안 두 공급선(151,152)간에 일정한 전위차가 유지된다. 콜렉터 영역(14)은 어떤 전압 도메인내에서 동작동안 에미터 영역(12) 및 콜렉터 영역간의 전압차 변화가 제어 트랜지스터를 통해 도통시 대향적으로 변화시키는 방식으로 전기적으로 절연되고 제어 트랜지스터로 피드백된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치의 제1실시예의 단면도,
제2도는 제1도에 도시된 장치의 등가 회로도,
제3도는 제1도에 도시된 장치에서 다양한 게이트 전압에서 콜렉터 전압의 기능으로서의 콜렉터 전류를 도시한 도면,
제4도는 제1도에 도시된 장치의 게이트 전압의 기능으로서의 콜렉터 전류를 도시한 도면.
Claims (7)
- 제어 트랜지스터를 통해 연결되어 동작동안 적어도 일시적으로 제어가능한 베이스 전류를 바이폴라 트랜지스터에 제공하는 제2대향 도전형의 베이스 영역에 의해 상호 분리된 제1공급선에 연결된 제1도전형의 에미터 영역 및 제2공급선에 연결된 콜렉터 영역을 갖는 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 반도체 장치에 있어서, 콜렉터 영역은 부하를 통해 제2공급선에 연결되고 콜렉터 영역은 트랜지스터에 피드백되어, 소정 전압 도메인내에서 동작동안 에미터 영역 및 콜렉터 영역간의 전위차 변화가 제어 트랜지스터를 통해 도통시 대향적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터는 스위치가능한 부하와 직렬로 접속되고 부하는 비교적 고값 및 저값간의 부하를 스위칭하기 위한 스위칭 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제어 트랜지스터가 제어가능한 채널 영역에 의해 상호 분리된 제2도전형의 소스존 및 드레인 존을 갖는 전계효과 트랜지스터를 구비하고 콜렉터 영역이 전계효과 트랜지스터의 채널 영역으로 피드백되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 채널 영역이 유전체층에 의해 게이트 전극으로부터 분리되고 콜렉터 영역은 채널 영역에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서, 채널 영역 및 콜렉터 영역은 제1도전형의 제1반도체 존에 의해 모두 형성되고 베이스 영역과 더불어 소스 존 또는 드레인 존중 하나의 존이 제2도전형의 제2반도체 존에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 반도체 장치가 유사한 추가 메모리 셀을 구비하며, 두 메모리 셀은 제2도전형의 표면에 결합되고 매립된 층상에 위치한 콜렉터 영역을 구비하며, 매립된 층은 두 셀에 공통적인 제1도전형의 에미터 영역상에 위치되고 셀들은 적어도 표면으로부터 에미터 영역으로 확장되는 구르부에 의해 상호 분리되고 두 셀에 공통적으로 게이트 전극이 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 선행항중 어느 한 항에 있어서, 콜렉터 영역은 동작동안 콜렉터 영역 및 기준 전위간의 전위차를 판독하기 위한 판독 출력 수단에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP91203306.5 | 1991-12-16 | ||
EP91203306 | 1991-12-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930015073A true KR930015073A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=8208075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920022017A KR930015073A (ko) | 1991-12-16 | 1992-11-23 | 반도체 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5471419A (ko) |
JP (1) | JP2538170B2 (ko) |
KR (1) | KR930015073A (ko) |
DE (1) | DE69220465T2 (ko) |
TW (1) | TW260816B (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0696050B1 (en) * | 1994-07-18 | 1998-10-14 | STMicroelectronics S.r.l. | EPROM and Flash-EEPROM non-volatile memory and method of manufacturing the same |
US5538908A (en) * | 1995-04-27 | 1996-07-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for manufacturing a BiCMOS semiconductor device |
US5731619A (en) * | 1996-05-22 | 1998-03-24 | International Business Machines Corporation | CMOS structure with FETS having isolated wells with merged depletions and methods of making same |
JPH11163278A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6545297B1 (en) * | 1998-05-13 | 2003-04-08 | Micron Technology, Inc. | High density vertical SRAM cell using bipolar latchup induced by gated diode breakdown |
US6229161B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-05-08 | Stanford University | Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches |
US6690038B1 (en) | 1999-06-05 | 2004-02-10 | T-Ram, Inc. | Thyristor-based device over substrate surface |
US6555871B1 (en) * | 2000-01-20 | 2003-04-29 | Agere Systems Inc. | Flash memory device having a bipolar transistor formed integral thereto and a method of manufacture therefor |
US6727528B1 (en) | 2001-03-22 | 2004-04-27 | T-Ram, Inc. | Thyristor-based device including trench dielectric isolation for thyristor-body regions |
US7456439B1 (en) | 2001-03-22 | 2008-11-25 | T-Ram Semiconductor, Inc. | Vertical thyristor-based memory with trench isolation and its method of fabrication |
US6804162B1 (en) | 2001-04-05 | 2004-10-12 | T-Ram, Inc. | Read-modify-write memory using read-or-write banks |
US6583452B1 (en) | 2001-12-17 | 2003-06-24 | T-Ram, Inc. | Thyristor-based device having extended capacitive coupling |
US6832300B2 (en) | 2002-03-20 | 2004-12-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods and apparatus for control of asynchronous cache |
US7112867B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-09-26 | Intel Corporation | Resistive isolation between a body and a body contact |
KR100812079B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2008-03-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터 및 그 제조 방법, 이를갖는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3401319A (en) * | 1966-03-08 | 1968-09-10 | Gen Micro Electronics Inc | Integrated latch circuit |
BE788874A (fr) * | 1971-09-17 | 1973-01-02 | Western Electric Co | Module de circuit integre |
US3893085A (en) * | 1973-11-28 | 1975-07-01 | Ibm | Read mostly memory cell having bipolar and FAMOS transistor |
US4090254A (en) * | 1976-03-01 | 1978-05-16 | International Business Machines Corporation | Charge injector transistor memory |
US4199774A (en) * | 1978-09-18 | 1980-04-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Monolithic semiconductor switching device |
US4435790A (en) * | 1980-12-24 | 1984-03-06 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High speed, nonvolatile, electrically erasable memory cell and system |
US4821235A (en) * | 1986-04-17 | 1989-04-11 | Fairchild Semiconductor Corporation | Translinear static memory cell with bipolar and MOS devices |
JP2783579B2 (ja) * | 1989-03-01 | 1998-08-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5060194A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device having a bicmos memory cell |
JPH03203095A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体記憶装置 |
US5202750A (en) * | 1990-04-09 | 1993-04-13 | U.S. Philips Corp. | MOS-gated thyristor |
-
1992
- 1992-09-25 TW TW081107621A patent/TW260816B/zh active
- 1992-11-23 KR KR1019920022017A patent/KR930015073A/ko active IP Right Grant
- 1992-12-09 DE DE69220465T patent/DE69220465T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-16 JP JP4336189A patent/JP2538170B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-22 US US08/231,860 patent/US5471419A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69220465T2 (de) | 1998-01-02 |
JPH05251654A (ja) | 1993-09-28 |
JP2538170B2 (ja) | 1996-09-25 |
TW260816B (ko) | 1995-10-21 |
US5471419A (en) | 1995-11-28 |
DE69220465D1 (de) | 1997-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930015073A (ko) | 반도체 장치 | |
KR880700468A (ko) | 반도체 장치 | |
KR930703706A (ko) | 통합형 전력 스위치 구조체 | |
KR920001721A (ko) | 반도체집적회로 | |
KR910005794B1 (ko) | 반도체 시간 지연소자 | |
KR920010900A (ko) | 반도체지연회로 | |
KR930005221A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR970003276A (ko) | 반도체메모리소자의 전기휴즈셀 | |
KR930020666A (ko) | 수직형 집적 반도체 구조체 | |
KR870008243A (ko) | 기준전압발생 회로 | |
KR890007436A (ko) | Ldmos와 ligt를 구비한 반도체 스위치 및 그 장치 | |
KR960026941A (ko) | 반도체장치 | |
JPS6349908B2 (ko) | ||
JPS63182848A (ja) | 集積回路 | |
KR930020155A (ko) | 반도체 스위치 및 그 반도체 스위치용 온도 감지회로 | |
US4645957A (en) | Normally-off semiconductor device with low on resistance and circuit analogue | |
KR970053619A (ko) | 온도센서를 가진 전계효과 제어가능 전력 반도체 장치 | |
KR880004578A (ko) | 래치업 방지회로를 가진 cmos 집적회로 장치 | |
US4506282A (en) | Normally-off semiconductor device with low on resistance and circuit analogue | |
KR900013652A (ko) | 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치 | |
US4521698A (en) | Mos output driver circuit avoiding hot-electron effects | |
KR880004579A (ko) | 래치업 방지회로를 cmos 직접회로 장치 | |
KR890001199A (ko) | 반도체 장치 및 회로 | |
KR950021714A (ko) | 박막트랜지스터를 갖는 반도체장치와 그의 제조방법 | |
KR880004589A (ko) | 기판바이어스 전압발생기를 구비한 상보형 집적회로 배열 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
NORF | Unpaid initial registration fee |