KR20240091132A - 유지 장치 - Google Patents

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KR20240091132A
KR20240091132A KR1020247017827A KR20247017827A KR20240091132A KR 20240091132 A KR20240091132 A KR 20240091132A KR 1020247017827 A KR1020247017827 A KR 1020247017827A KR 20247017827 A KR20247017827 A KR 20247017827A KR 20240091132 A KR20240091132 A KR 20240091132A
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šœ 우스이
시로 이노우에
스미오 오타
호나미 오하라
다쿠미 사나리
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니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 유지 장치 (100) 는, 대상물 (W) 을 유지하는 제 1 표면 (S1) 을 포함하고, 세라믹스를 주성분으로 하는 판상 부재 (11) 와, 판상 부재 (11) 의 내부에 형성된 가스 유로 (12) 를 갖는 세라믹 기판 (10) 을 구비하는 유지 장치 (100) 로서, 가스 유로 (12) 는, 그 일부에, 세라믹스를 주성분으로 하고, 다수의 기공 (71) 을 포함하는 가스 투과성의 다공질체 (70) 가 배치된 부분으로 이루어지는 다공 영역 (R) 을 갖고, 다공질체 (70) 는, 기공 (71) 으로서, 중심 입경이 20 ㎛ 보다 크고 55 ㎛ 이하인 다수의 대경 기공 (71a) 과, 중심 입경이 3 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 다수의 소경 기공 (71b) 을 포함하고, 다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 의 체적 비율은, 다공질체 (70) 에 포함되는 소경 기공 (71b) 의 체적 비율보다 크다.

Description

유지 장치
본 발명은 유지 장치에 관한 것이다.
반도체를 제조할 때에 웨이퍼를 유지하는 유지 장치의 일례로서, 예를 들면 특허문헌 1 에 나타내는 정전 척을 들 수 있다. 이 종류의 정전 척은, 절연성의 세라믹스 (예컨대, 알루미나) 를 주체로 한 세라믹 기판 (척 본체) 을 구비하고 있고, 그 세라믹 기판의 표면 상에서 웨이퍼가 정전 인력에 의해 유지된다. 정전 인력은, 세라믹 기판의 내부에 형성된 척 전극에 전압이 인가됨으로써 발생한다.
이러한 종류의 정전 척에서는, 플라즈마 에칭 등의 플라즈마 프로세스에 있어서, 세라믹 기판과 웨이퍼 사이에, 헬륨 가스를 공급하여, 웨이퍼로부터 열을 제거하는 것이 행해지고 있다. 그 때문에, 정전 척의 세라믹 기판의 내부에는, 외부로부터 공급된 열전도 가스를, 웨이퍼를 향해서 흘리기 위한 유로 (관로) 가 형성되어 있다. 유로는, 세라믹 기판의 이면측으로부터, 웨이퍼가 실리는 표면측까지 연장되어 있다. 그리고 또한, 유로의 내부에는, 절연성의 세라믹 재료 (예를 들면, 알루미나) 의 다공질체로 이루어지는 다공 영역이 형성되어 있다. 이 다공 영역은, 헬륨 가스를 통과시키면서, 플라즈마 프로세스에 있어서의 이상 방전 (유로로의 플라즈마 통과) 의 발생을 억제하기 위해서 형성되어 있다. 다공질체의 내부에는, 헬륨 가스를 통과시키는 통기 경로가 망목상으로 형성되어 있다. 이 통기 경로는, 다공질체의 제조시 (소성시) 에, 입자상의 조공재 (造孔材) (합성 수지제의 비즈나 탄소 분말 등) 가 소실 (燒失) (소실 (消失)) 된 흔적인 기공에 의해 형성된다. 즉, 다공질체 내에 있어서, 복수의 기공이 망목상으로 연결됨으로써, 통기 경로가 형성된다.
일본 특허공보 제4959905호
최근, 플라즈마 프로세스에 있어서, 에칭 속도를 올리는 등의 이유로, 플라즈마 파워를 높게 하는 것이 요구되고 있다. 그 때문에, 유로 내의 다공질체에 대하여, 높은 내플라즈마성이 요구되고 있다. 그러나, 다공질체 내에 있어서의 기공의 배치 상태에 따라서는, 다공질체의 절연성이 저하될 우려가 있어 문제가 되고 있었다.
본 발명의 목적은, 가스 유로의 다공 영역을 구성하는 내플라즈마성이 우수한 다공질체를 구비하는 유지 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 수단은, 이하와 같다. 즉,
<1> 대상물을 유지하는 제 1 표면을 포함하고, 세라믹스를 주성분으로 하는 판상 부재와, 상기 판상 부재의 내부에 형성된 가스 유로를 갖는 세라믹 기판을 구비하는 유지 장치로서, 상기 가스 유로는, 그 일부에, 세라믹스를 주성분으로 하고, 다수의 기공을 포함하는 가스 투과성의 다공질체가 배치된 개소로 이루어지는 다공 영역을 가지며, 상기 다공질체는, 상기 기공으로서, 중심 입경이 20 ㎛ 보다 크고 55 ㎛ 이하인 다수의 대경 기공과, 중심 입경이 3 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 다수의 소경 기공을 포함하고, 상기 다공질체에 포함되는 상기 대경 기공의 체적 비율은, 상기 다공질체에 포함되는 상기 소경 기공의 체적 비율보다 큰 유지 장치.
<2> 상기 다공질체의 기공률은, 60 ％ 이상인 상기 <1> 에 기재된 유지 장치.
<3> 상기 다공질체는, 일 방향으로 상기 기공이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간을 포함하지 않는 상기 <1> 또는 <2> 에 기재된 유지 장치.
본 발명에 의하면, 가스 유로의 다공 영역을 구성하는 내플라즈마성이 우수한 다공질체를 구비하는 유지 장치를 제공할 수 있다.
도 1 은 실시형태 1 에 관련된 유지 장치의 개략 구성을 모식적으로 나타낸 설명도이다.
도 2 는 실시형태 1 에 관련된 유지 장치의 내부 구조를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 3 은 기판측 가스 유로의 일부를 확대한 유지 장치의 단면도이다.
도 4 는 다공질체의 내부 구조의 일부를 모식적으로 나타낸 설명도이다.
도 5 는 다공질체의 단면의 2 치화 화상이다.
도 6 은 실시형태 2 에 관련된 유지 장치의 기판측 가스 유로의 일부를 확대한 단면도이다.
＜실시형태 1＞
이하, 실시형태 1 에 관련된 유지 장치 (100) 를 도 1 ∼ 도 5 를 참조하면서 설명한다. 유지 장치 (100) 는, 대상물 (예를 들어, 웨이퍼 (W)) 을 소정의 처리 온도 (예를 들어, 50 ℃ ∼ 400 ℃) 로 가열하면서, 정전 인력에 의해 흡착하여 유지하는 정전 척이다. 정전 척은, 예를 들어 감압된 챔버 내에서 플라즈마를 사용해서 에칭을 행하는 프로세스에 있어서, 웨이퍼 (W) 를 적재하는 테이블로서 사용된다.
도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 유지 장치 (100) 의 개략 구성을 모식적으로 나타낸 설명도이며, 도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 유지 장치 (100) 의 내부 구조를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 유지 장치 (100) 는, 원판상의 세라믹 기판 (10) 과, 세라믹 기판 (10) 보다 큰 원판상의 베이스 부재 (20) 를 구비한다. 예를 들면, 세라믹 기판 (10) 이 직경 300 mm 및 두께 3 mm 의 원판상을 이루는 경우, 베이스 부재 (20) 는, 직경 340 mm 및 두께 20 mm 의 원판상으로 설정된다. 또한, 세라믹 기판 (10) 및 베이스 부재 (20) 에는, 각각, 서로의 위치 맞춤을 행하기 위한 위치 결정부 (요철 등) 가 형성되어도 된다.
세라믹 기판 (10) 과 베이스 부재 (20) 는, 세라믹 기판 (10) 이 상측에 배치되고, 또한 베이스 부재 (20) 가 하측에 배치된 상태에서 상하 방향으로 서로 겹쳐진다. 세라믹 기판 (10) 및 베이스 부재 (20) 는, 그들 사이에 개재되는 접합재 (30) 에 의해 서로 접합된다.
세라믹 기판 (10) 은, 상측에 배치되는 대략 원형상의 제 1 표면 (S1) 과, 그 제 1 표면 (S1) 의 반대측 (즉, 하측) 에 배치되고, 또한 베이스 부재 (20) 와 대향하는 대략 원형상의 제 2 표면 (S2) 을 갖는다. 베이스 부재 (20) 는 상측에 배치되고, 또한 세라믹 기판 (10) 의 제 2 표면 (S2) 과 대향하는 대략 원형상의 제 3 표면 (S3) 과, 그 제 3 표면 (S3) 의 반대측 (즉, 하측) 에 배치되는 대략 원형상의 제 4 표면 (S4) 을 갖는다. 상기 서술한 접합재 (30) 는, 세라믹 기판 (10) 의 제 2 표면과 베이스 부재 (20) 의 제 3 표면 (S3) 사이에 끼워지면서, 층상으로 퍼진 상태로 되어 있다.
세라믹 기판 (10) 은, 원판상의 판상 부재 (11) 와, 그 판상 부재 (11) 의 내부에 형성된 기판측 가스 유로 (12) 를 구비한다. 이 판상 부재 (11) 의 상측의 표면이, 세라믹 기판 (10) 의 제 1 표면 (S1) 이 된다. 또한, 판상 부재 (11) 의 하측의 표면이, 세라믹 기판 (10) 의 제 2 표면 (S2) 이 된다.
판상 부재 (11) 는, 세라믹스를 주성분으로 하는 판상 (원판상) 을 이룬 절연성의 부재이다. 본 명세서에 있어서, 「주성분」이란, 함유 비율이 가장 많은 성분을 의미한다. 본 실시형태의 판상 부재 (11) 는, 알루미나 (Al2O3) 로 이루어진다. 또한, 다른 실시형태에 있어서는, 판상 부재 (11) 는, 질화알루미늄 (AlN) 등의 다른 세라믹스로 이루어지는 것이어도 된다.
기판측 가스 유로 (가스 유로의 일례) (12) 는, 유지 장치 (100) 가 구비하는 불활성 가스 (예를 들어, 열전도 유체인 헬륨 가스) 를 흘리기 위한 유로 (60) 의 일부를 구성하는 것이다. 기판측 가스 유로 (12) 는, 세라믹 기판 (10) 의 판상 부재 (11) 의 내부에 형성된다. 기판측 가스 유로 (12) 는, 세라믹 기판 (10) 의 제 2 표면 (S2) 으로 개구된 입구 (12a) 와, 제 1 표면 (S1) 으로 개구된 출구 (12b) 를 구비한다. 기판측 가스 유로 (12) 는, 전체적으로는, 입구 (12a) 로부터 출구 (12b) 를 향하여 판상 부재 (11) 의 내부를 관통하는 형으로 형성되어 있다. 그 때문에, 입구 (12a) 로부터 불활성 가스가 공급되면, 불활성 가스는, 기판측 가스 유로 (12) 를 통과하여 최종적으로, 출구 (12b) 로부터 외부로 배출된다. 이러한 기판측 가스 유로 (12) 는, 가로 유로 (121) 와, 제 1 세로 유로 (122) 와, 제 2 세로 유로 (123) 를 구비한다.
가로 유로 (121) 는, 판상 부재 (11) 의 내부에 있어서, 판상 부재 (11) 의 두께 방향에 수직인 방향 (즉, 제 1 표면 (S1) 등을 따른 방향, 도 2 의 좌우 방향) 으로 연장된 유로이다.
제 1 세로 유로 (122) 는, 판상 부재 (11) 의 내부에 있어서, 판상 부재 (11) 의 두께 방향으로 연장되면서, 입구 (12a) 와 가로 유로 (121) 를 연결하는 유로이다.
제 2 세로 유로 (123) 는, 판상 부재 (11) 의 내부에 있어서, 판상 부재 (11) 의 두께 방향으로 연장되면서, 출구 (12b) 와 가로 유로 (121) 를 연결하는 유로이다. 본 실시형태의 경우, 하나의 가로 유로 (121) 에 대하여, 복수의 제 2 세로 유로 (123) 가 접속되어 있다. 제 2 유로 (123) 는, 후술하는 바와 같이, 다공질체가 수용되는 수용실 (123a) 과, 수용실 (123a) 과 접속하면서 출구 (12b) 를 포함하는 배출로 (123b) 를 구비한다.
세라믹 기판 (10) 은, 추가로, 척 전극 (40), 히터 전극 (50) 을 구비한다.
척 전극 (40) 은, 도전성 재료 (예를 들면, 텅스텐, 몰리브덴, 백금 등) 에 의해 층상 (평면상) 으로 형성된다. 척 전극 (40) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 기판 (10) (판상 부재 (11)) 의 내부에 있어서, 제 1 표면 (S1) 측에 배치되어 있다. 척 전극 (40) 은, 상하 방향에서 보았을 때, 전체적으로, 대략 원형상을 이루고 있다. 척 전극 (40) 에는 전원 (도시하지 않음) 으로부터 직류 고전압이 인가되면, 정전 인력이 발생하고, 이 정전 인력에 의해 웨이퍼 (W) 가, 세라믹 기판 (10) 의 제 1 표면 (S1) 에 흡착 고정된다. 또한, 척 전극 (40) 에는, 도시되지 않는 주지의 급전용 단자가 전기적으로 접속되어 있다.
히터 전극 (50) 은, 전압이 인가되어 전류가 흐르면 발열하여, 세라믹 기판 (10) 의 제 1 표면 (S1) 에서 유지된 웨이퍼 (W) 를 가열한다. 히터 전극 (50) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 기판 (10) (판상 부재 (11)) 의 내부에 있어서, 척 전극 (40) 보다 하측 (즉, 제 2 표면 (S2) 측) 에 배치되어 있다. 히터 전극 (50) 은, 복수 개의 것으로 이루어지며, 상하 방향에서 보았을 때, 전체적으로, 동심원상 또는 소용돌이상의 패턴을 형성한다. 히터 전극 (50) 은, 도전성 재료 (알루미늄, 니켈, 구리, 스테인리스강 등) 에 의해 층상 (평면상) 으로 형성된다. 각 히터 전극 (50) 에는, 주지의 급전용 단자 (도시하지 않음) 가 전기적으로 접속되어 있다. 각 히터 전극 (50) 에 공급하는 전류를 적절하게 조정함으로써, 제 1 표면 (S1) 에서 유지된 반도체 웨이퍼 (W) 의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 세라믹 기판 (10) 은, 추가로, 측온 소자 (예를 들어, 서미스터) 등을 구비해도 된다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 기판 (10) 의 제 1 표면 (S1) 에는, 복수의 출구 (12b) 가 형성되어 있다. 제 1 표면 (S1) 의 외주연부는, 그것보다 내측의 부분과 비교하여 약간 상방으로 돌출되면서, 원환상으로 형성되어 있다. 그 때문에, 제 1 표면 (S1) 에 웨이퍼 (W) 가 흡착 유지되면, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (W) 와 제 1 표면 (S1) 의 내측의 부분 사이에 간극 (갭) (G) 이 형성된다.
베이스 부재 (20) 는, 예를 들면, 금속 (알루미늄, 알루미늄 합금 등), 금속과 세라믹스의 복합체 (Al-SiC), 또는 세라믹스 (SiC) 를 주성분으로 하여 구성된다.
베이스 부재 (20) 의 내부에는, 냉매 유로 (21) 가 형성되어 있다. 냉매 유로 (21) 에 냉매 (예를 들어, 불소계 불활성 액체, 물 등) 가 흐름으로써, 플라스마열의 냉각이 행해진다. 또한, 냉매 유로 (21) 에 냉매가 흐르면, 베이스 부재 (20) 가 냉각되고, 접합재 (30) 를 개재한 베이스 부재 (20) 와 세라믹 기판 (10) 사이의 전열 (열내림) 에 의해, 세라믹 기판 (10) 이 냉각된다. 그 결과, 세라믹 기판 (10) 의 제 1 표면 (S1) 에서 유지된 웨이퍼 (W) 가 냉각된다. 냉매 유로 (21) 에 있어서의 냉매의 유량을 적절히 조정함으로써, 제 1 표면 (S1) 에서 유지된 반도체 웨이퍼 (W) 의 온도를 제어할 수 있다.
베이스 부재 (20) 의 내부에는, 유로 (60) 의 일부를 구성하는 베이스측 가스 유로 (22) 가 형성되어 있다. 베이스측 가스 유로 (22) 는, 전체적으로는, 베이스 부재 (20) 의 두께 방향으로 연장된 관통 구멍상을 이루고 있고, 베이스 부재 (20) 의 제 4 표면 (S4) 으로 개구된 입구 (20a) 와, 제 3 표면 (S3) 으로 개구된 출구 (20b) 를 구비한다. 입구 (20a) 는, 베이스측 가스 유로 (22) 의 입구를 이룸과 함께, 유지 장치 (100) 에 형성된 유로 (60) 전체의 입구를 이룬다.
접합재 (30) 는 예를 들면, 실리콘계의 유기 접합제, 무기 접합제, 또는 Al 계의 금속 접착제를 포함하는 본딩 시트 등에 의해 구성된다. 접합재 (30) 로는, 세라믹 기판 (10) 및 베이스 부재 (20) 의 쌍방에 대하여 높은 접착력을 구비하면서, 높은 내열성 및 열전도성을 구비하는 것이 바람직하다.
접합재 (30) 에도, 유로 (60) 의 일부를 구성하는 접합측 가스 유로 (31) 가 형성되어 있다. 접합측 가스 유로 (31) 는, 층상의 접합재 (30) 를 두께 방향으로 관통하는 구멍으로 이루어진다.
유로 (60) 는, 유지 장치 (100) 의 제 1 표면 (S1) 측에, 불활성 가스 (헬륨 가스 등) 를 공급하는 것이다. 제 1 표면 (S1) 에는, 유로 (60) 의 출구 (12b) 가 다수 형성되어 있고, 각 출구 (12b) 로부터 불활성 가스가 배출되는 형으로 제 1 표면 (S1) 측에 불활성 가스가 공급된다. 이러한 유로 (60) 는, 상기 서술한 바와 같이, 베이스측 가스 유로 (22) 와, 접합측 가스 유로 (31) 와, 기판측 가스 유로 (12) 를 구비한다.
유로 (60) 의 입구 (22a) 는, 베이스 부재 (20) 의 제 4 표면 (S4) 에 복수 형성되어 있다. 각 입구 (22a) 로부터 불활성 가스 (도 2 중의 화살표 H) 가 공급되면, 그 불활성 가스는, 각 입구 (22a) 에 접속한 베이스측 가스 유로 (22), 접합측 가스 유로 (31) 및 기판측 가스 유로 (12) 를 순차적으로 통과하고, 최종적으로, 제 1 표면 (S1) 에 형성된 복수의 출구 (12b) 로부터 배출된다.
베이스측 가스 유로 (22) 의 출구 (22b) 는, 접합측 가스 유로 (31) 의 하측 (베이스 부재 (20) 측) 의 개구부와 접속한다. 또한, 접합측 가스 유로 (31) 의 상측 (세라믹 기판 (10) 측) 의 개구부는, 기판측 가스 유로 (12) 의 입구 (12a) 와 접속한다. 기판측 가스 유로 (12) 의 입구 (12a) 는, 세라믹 기판 (10) 의 제 2 표면 (S2) 에 복수 형성되어 있다.
이러한 기판측 가스 유로 (12) 의 입구 (12a) 를, 상류측에 갖는 제 1 세로 유로 (122) 는, 그 하류측에서, 가로 유로 (121) 와 접속한다. 그리고, 그 가로 유로 (121) 에는, 복수의 제 2 세로 유로 (123) 가 접속되어 있다. 즉, 기판측 가스 유로 (12) 는, 세라믹 기판 (10) (판상 부재 (11)) 의 내부에 있어서, 상류측으로부터 하류측을 향하여, 복수로 분기된 형을 이루고 있다.
도 3 은, 기판측 가스 유로 (12) 의 일부를 확대한 유지 장치 (100) 의 단면도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판측 가스 유로 (12) 의 제 2 세로 유로 (123) 는, 수용실 (123a) 과, 배출로 (123b) 를 구비한다.
수용실 (123a) 은, 제 2 세로 유로 (123) 의 일부이며, 그것보다 상류측에 있는 제 2 세로 유로 (123) 보다 내경이 크게 설정되어 있다. 수용실 (123a) 은, 세라믹 기판 (10) 의 판상 부재 (11) 의 내부에 형성된다. 즉, 수용실 (123a) 은, 판상 부재 (11) 를 구성하는 알루미나 (세라믹스) 에 의해 형성되어 있다. 수용실 (123a) 은, 그 내부에 대략 원주상의 공간을 구비하고 있다. 그리고, 그 공간 (즉, 수용실 (123a) 내) 에, 다공질체 (70) 가 간극없이 배치된 형으로 되어 있다. 이와 같이, 기판측 가스 유로 (12) 중, 제 2 세로 유로 (123) 의 수용실 (123a) 에 다공질체 (70) 가 배치된 개소를, 「다공 영역 (R)」이라고 칭한다.
배출로 (123b) 는, 수용실 (123a) 의 하류측에 접속하는 유로이며, 세라믹 기판 (10) (판상 부재 (11)) 의 두께 방향으로 연장된 관통 구멍상을 이루고 있다. 배출로 (123b) 는, 하나의 수용실 (123a) 에 대하여, 복수의 것이 접속되어 있다. 각 배출로 (123b) 는, 수용실 (123a) 이나, 그것보다 상류측에 있는 제 2 세로 유로 (123) 와 비교하여, 세경 (소경) 이다. 이러한 각각의 배출로 (123b) 의 하류측의 개구단이, 유로 (60) 의 출구 (12b) 로 되어 있다. 다공 영역 (R) 은, 제 1 표면 (S1) 측에 형성되어 있기 때문에, 제 1 표면 (S1) 을 평면에서 보았을 때, 각 출구 (12b) 로부터 다공질체 (70) 가 노출된 상태로 되어 있다.
다공질체 (70) 는, 절연성의 세라믹스를 주성분으로 하는, 다수의 기공 (71) 을 포함하는 가스 투과성의 부재이다. 도 4 는, 다공질체 (70) 의 내부 구조의 일부를 모식적으로 나타낸 설명도이다. 다공질체 (70) 는, 전체적으로는 원주상을 이루고 있고, 내부에 불활성 가스를 통과시키는 통기 경로가 망목상으로 형성되어 있다. 이 통기 경로는, 다공질체 (70) 내에 있어서, 다수의 기공 (71) 이 서로 이어진 것으로 이루어진다. 기공 (71) 은, 다공질체 (70) 의 제조시 (소성시) 에, 입자상의 조공재가 소실 (소실) 된 흔적으로서 형성된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 다공질체 (70) 중, 기공 (71) 이외의 골격 부분을, 골재 (72) 라고 칭한다.
본 실시형태의 경우, 다공질체 (70) 는 세라믹 기판 (10) 의 판상 부재 (11) 와 동일하게, 알루미나 (Al2O3) 를 주성분으로 한다. 또한, 다른 실시형태에 있어서, 다공질체 (70) 는, 질화알루미늄 (AlN) 등의 다른 세라믹스를 주성분으로 하는 것이어도 된다.
다공질체 (70) 는, 기공 (71) 으로서, 중심 입경이 20 ㎛ 보다 크고 55 ㎛ 이하인 다수의 대경 기공 (71a) 과, 중심 입경이 3 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 다수의 소경 기공 (71b) 을 포함하고 있다. 또한, 대경 기공 (71a) 의 중심 입경으로는, 25 ㎛ 이상 55 ㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 소경 기공 (71b) 의 중심 입경으로는, 10 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하가 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 기공 (71) 의 중심 입경은, 「조공재의 중심 입경」을 분할률로 나눈 값으로서 구해진다. 이 분할률은, 다공질체 (70) 를 제조하기 위한 세라믹스 성형체 (후술하는 미소결 성형물) 가 소성시에 수축하는 비율이다. 조공재의 중심 입경은, 광산란법으로 측정한 입도 분포의 누적 도수가, 체적 백분율로 50 ％ 가 되는 입자경이다.
조공재로는, 예를 들어 합성 수지제의 비즈나 탄소 분말 등이 이용된다. 또, 입자상의 조공재로는, 예를 들어, 구상 (진구상) 이어도 되고, 다각 형상이어도 된다. 또한, 조공재의 중심 입경은, 조공재가 진구상인 경우로 가정하여 구해진다.
본 실시형태에 있어서, 다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 의 체적 비율은, 다공질체 (70) 에 포함되는 소경 기공 (71b) 의 체적 비율보다 커지도록, 설정되어 있다. 이와 같이 설정되어 있으면, 유지 장치 (100) 의 사용시 (예를 들어, 대상물을 유지한 상태에서, 대상물에 플라즈마 에칭이 실시되는 경우 등의 플라즈마 프로세스시) 에, 기판측 가스 유로 (가스 유로) (12) 의 다공 영역 (R) 에 있어서의 가스 투과성이 확보되면서, 다공 영역 (R) 의 절연성이 확보된다.
다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 의 체적 비율은, 60 체적％ 이상 90 체적％ 이하가 바람직하고, 65 체적％ 이상 80 체적％ 이하가 보다 바람직하다. 다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 의 체적 비율은, 다공질체 (70) 의 제조시에, 대경 기공 (71a) 을 형성하기 위한 조공재의 사용량 등을 적절히 조정함으로써, 원하는 값으로 설정할 수 있다.
다공질체 (70) 에 포함되는 소경 기공 (71b) 의 체적 비율은, 10 체적％ 이상 40 체적％ 이하가 바람직하고, 20 체적％ 이상 35 체적％ 이하가 보다 바람직하다. 다공질체 (70) 에 포함되는 소경 기공 (71b) 의 체적 비율은, 다공질체 (70) 의 제조시에, 소경 기공 (71b) 을 형성하기 위한 조공재의 사용량 등을 적절히 조정함으로써, 원하는 값으로 설정할 수 있다.
다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 및 소경 기공 (71b) 의 각 체적 비율이, 상기 서술한 범위이면, 다공질체 (70) 내에 있어서, 서로 이웃한 대경 기공 (71a) 의 사이에, 소경 기공 (71a) 이 비집고 들어가기 쉬워지고, 그 결과, 복수의 대경 기공 (71a) 이 일 방향으로 직선적으로 과잉으로 연결되는 것이 억제된다. 다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 의 체적 비율이 지나치게 크면, 다공질체 (70) 내에 있어서, 복수의 대경 기공 (71a) 이 연속하여 직선적으로 서로 이웃할 가능성이 높아져 버린다. 또한, 다공질체 (70) 에 포함되는 소경 기공 (71b) 의 체적 비율이 지나치게 크면, 다공질체 (70) 내에 충분한 통기 경로가 형성되지 않아, 가스 투과량이 낮아져 버린다.
「다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 의 체적 비율」은, 다공질체 (70) 의 전체 기공의 체적 (100 ％) 에 대한, 모든 대경 기공 (71a) 의 체적의 비율이다. 또한, 「다공질체 (70) 에 포함되는 소경 기공 (71b) 의 체적 비율」은, 다공질체 (70) 의 전체 기공의 체적 (100 ％) 에 대한, 모든 소경 기공 (71b) 의 체적의 비율이다. 또한, 다공질체 (70) 의 전체 기공의 체적은, 다공질체 (70) 의 기공률과 다공질체 (70) 의 체적으로부터 산출된다.
본 실시형태에 있어서, 다공질체 (70) 의 기공률은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 60 ％ 이상이 바람직하다. 다공질체 (70) 의 기공률은, 아르키메데스법을 이용하여 구해진다. 다공질체 (70) 의 기공률이 이러한 범위이면, 유지 장치 (100) 의 사용시 (플라즈마 프로세스시) 에 기판측 가스 유로 (가스 유로) (12) 의 다공 영역 (R) 에 있어서의 가스 투과성이 확보되면서, 다공 영역 (R) 의 절연성이 확보된다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 다공질체 (70) 는, 그 내부에 있어서, 일 방향으로 기공 (71) 이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 여기서 말하는, 「일 방향」은, 다공질체 (70) 에 있어서 임의로 정해지는 하나의 방향이다. 다공질체 (70) 가 이러한 과대 공간을 포함하지 않음으로써, 다공질체 (70) 의 절연성이 높아지고, 그 결과, 유지 장치 (100) 의 사용시 (플라즈마 프로세스시) 에, 과대 공간에서 기인하는 다공질체 (70) 의 절연 파괴가 억제된다.
또한, 상기 일 방향으로는, 유지 장치 (100) 의 제 1 표면 (S1) 에 대하여 대략 직교하는 방향 (즉, 유지 장치 (100) 의 두께 방향) 이 바람직하다. 이러한 유지 장치 (100) 의 제 1 표면 (S1) 에 대하여 대략 직교하는 방향 (일 방향) 에 있어서, 기공 (71) 이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간을 포함하지 않도록, 다공질체 (70) 가 설정되면, 보다 효과적으로, 유지 장치 (100) 의 사용시 (플라즈마 프로세스시) 에 있어서의 다공질체 (70) 의 절연 파괴가 억제된다.
여기서, 도 5 를 참조하면서, 다공질체 (70) 내에 있어서의 과대 공간의 유무의 확인 방법에 대하여 설명한다. 도 5 는, 다공질체 (70) 의 단면의 2 치화 화상이다. 우선, 다공질체 (70) 를 임의의 방향으로 절단하고, 얻어진 절단면을, 주사 전자 현미경 (SEM : Scanning Electron Microscope) 으로 촬영한다 (배율 : 200 배). 얻어진 SEM 화상을, 시판되는 재료 개발 시뮬레이션 소프트웨어를 이용하여 2 치화 처리하고, 얻어진 2 치화 화상으로부터, 일 방향으로 기공 (71) 이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간의 추출을 행한다. 도 5 에 나타내는 2 치화 화상에는, 과대 공간은 없고, 최대로, 일 방향 (도 5 의 상하 방향) 으로 111 ㎛ 의 길이의 공간 X 가 보이는 것에 그쳤다. 또한, 도 5 에 나타내는 2 치 화상은, 유지 장치 (100) 에 있어서의 다공질체 (70) 를, 제 1 표면 (S1) 에 대하여 대략 직교하는 방향으로 절단하여 얻어진 절단면의 SEM 화상에 대응한다. 도 5 의 상하 방향은, 제 1 표면 (S1) 에 대하여 대략 직교하는 방향에 대응한다.
본 실시형태의 경우, 다공질체 (70) 내에 있어서, 대경 기공 (71a) 과 소경 기공 (71b) 이 서로 조합되면서, 특정 방향으로 길게 연장된 공간 (과대 공간) 이 형성되지 않도록, 통기 경로가 형성된다.
여기서, 본 실시형태의 유지 장치 (100) 의 제조 방법을 설명한다. 유지 장치 (100) 의 제조 방법은, 예를 들어 이하와 같다. 우선, 세라믹 기판 (10) 과 베이스 부재 (20) 를 제조한다.
세라믹 기판 (10) 의 제조 방법은, 예를 들어 이하와 같다. 우선, 알루미나 분말과, 아크릴계 바인더와, 적당량의 분산제 및 가소제를 첨가한 혼합물에, 추가로 유기 용제를 더한 것을, 볼밀로 혼합하여, 그린 시트용 슬러리를 제조한다. 이 그린 시트용 슬러리를 캐스팅 장치로 시트상으로 성형하고, 그 후 얻어진 성형물을 건조시켜, 그린 시트를 복수 장 제조한다.
또한, 알루미나 분말, 아크릴계 바인더, 유기 용제의 혼합물에, 텅스텐이나 몰리브덴 등의 도전성 분말을 첨가하여 혼련함으로써, 메탈라이즈 페이스트를 제조한다. 이 메탈라이즈 페이스트를, 예를 들면 스크린 인쇄 장치를 이용하여 인쇄함으로써, 특정한 각 그린 시트에, 후에 히터 전극이나 척 전극 등이 되는 미소결 도체층을 형성한다.
또한, 특정한 각 그린 시트에 대하여, 기판측 가스 유로 (12) 등이 되는 구멍부나 홈부가 형성된다. 이 때, 수용실 (123a) 을 형성하기 위한 구멍부가, 특정한 그린 시트에 형성된다.
또한, 알루미나 분말, 조공재 및 바인더의 혼합물을 성형하여, 소정 크기의 다공질체 (70) 용의 미소결 성형물이 얻어진다. 조공재로는, 합성 수지제의 비즈나 탄소 분말 등이 이용된다. 알루미나 분말 (세라믹 분말) 의 입경은 적절히 조정된다. 그리고, 그 미소결 성형물이, 특정한 그린 시트에 형성되어 있는, 수용실 (123a) 을 형성하기 위한 구멍부에 충전된다. 그 때, 다공질체 (70) 용의 미소결 성형물은, 그린 시트의 구멍부에 대하여, 접착제 등을 사용하여 부착해도 된다.
계속해서, 상기 서술한 그린 시트를 복수 장 (예를 들어, 20 장) 겹친 상태에서 열 압착하고, 필요에 따라 외주를 절단하여, 그린 시트의 적층체를 제조한다. 이 그린 시트 적층체를 머시닝에 의해 절삭 가공하여 원판상의 성형체를 제조하고, 그 성형체를 탈지하고, 또한 탈지 후의 성형체를 소성하여 소성체를 제조한다. 이러한 성형체의 소성시에, 상기 서술한 다공질체 (70) 용의 미소결 성형물도 소성되어, 다공질체 (70) 가 된다. 미소결 성형물 중의 조공재는 소성시에 소실 (소실) 됨으로써, 다공질체 (70) 의 내부에, 3 차원적으로 망목상으로 연결된 통기 경로가 형성된다.
이어서, 얻어진 소성체의 표면에, 볼록상의 외주연부에 대응하는 부분을 차폐하는 마스크를 배치하고, 예를 들면 세라믹스 등의 입체를 투사하는 쇼트 블라스트를 행함으로써, 소성체의 표면에 볼록상의 외주연부를 형성한다. 그 후, 이 소성체의 표면을 연마 가공함으로써, 세라믹 기판 (10) 이 얻어진다.
또한, 베이스 부재 (20) 의 제조 방법은, 기본적으로 종래품의 제조 방법과 동일하다. 그 때문에, 그 상세 설명은 생략한다.
세라믹 기판 (10) 및 베이스 부재 (20) 가 각각 제조된 후, 그들을 접합재 (30) 를 이용하여 접합한다. 접합재 (30) 에 의한 세라믹 기판 (10) 및 베이스 부재 (20) 의 접합은, 기본적으로는, 종래품에 있어서의 접합과 동일하다. 그 때문에, 그 상세 설명은 생략하도록 하여 유지 장치 (100) 가 제조된다.
이상과 같이, 본 실시형태의 유지 장치 (100) 에 있어서, 다공질체 (70) 에 포함되는 대경 기공 (71a) 의 체적 비율은, 다공질체 (70) 에 포함되는 소경 기공 (71b) 의 체적 비율보다 커지도록 설정되어 있다. 이와 같이 설정되어 있으면, 유지 장치 (100) 의 사용시 (예를 들어, 대상물을 유지한 상태에서, 대상물에 플라즈마 에칭이 실시되는 경우 등의 플라즈마 프로세스시) 에, 기판측 가스 유로 (가스 유로) (12) 의 다공 영역 (R) 에 있어서의 가스 투과성이 확보되면서, 다공 영역 (R) 의 절연성이 확보된다. 이러한 유지 장치 (100) 는, 기판측 가스 유로 (가스 유로) (12) 의 다공 영역 (R) 을 구성하는 내플라즈마성이 우수한 다공질체 (70) 를 구비한다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 다공질체 (70) 의 기공률이 60 ％ 이상이면, 유지 장치 (100) 의 사용시 (플라즈마 프로세스시) 에, 기판측 가스 유로 (가스 유로) (12) 의 다공 영역 (R) 에 있어서의 가스 투과성이 확보되면서, 다공 영역 (R) 의 절연성이 확보된다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 다공질체 (70) 는, 그 내부에 있어서, 일 방향으로 기공 (71) 이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 다공질체 (70) 가 이러한 과대 공간을 포함하지 않음으로써, 다공질체 (70) 의 절연성이 높아지고, 그 결과, 유지 장치 (100) 의 사용시 (플라즈마 프로세스시) 에, 과대 공간에서 기인하는 다공질체 (70) 의 절연 파괴가 억제된다.
＜실시형태 2＞
이어서, 실시형태 2 에 관련된 유지 장치 (100B) 를, 도 6 을 참조하면서 설명한다. 도 6 은, 실시형태 2 에 관련된 유지 장치 (100B) 의 기판측 가스 유로 (12B) 의 일부를 확대한 단면도이다. 본 실시형태의 유지 장치 (100B) 의 기본적인 구성은, 실시형태 1 과 동일하다. 그 때문에, 도 6 에서는, 실시형태 1 과 대응하는 부분에 대하여, 실시형태 1 과 동일한 부호에 또한 부호 「B」를 추가한 부호를 붙이고, 상세한 설명을 생략한다.
본 실시형태의 유지 장치 (100B) 는, 실시형태 1 과 동일하게, 원판상의 세라믹 기판 (10B) 과, 원판상의 베이스 부재 (20B) 와, 그들 사이에 개재되는 층상의 접합재 (30B) 를 구비한다. 세라믹 기판 (10B) 은, 판상 부재 (11B) 와, 그 내부에 형성되는 기판측 가스 유로 (12B) 와, 척 전극 (40B) 과, 히터 전극 (50B) 을 구비한다.
기판측 가스 유로 (12B) 는, 불활성 가스 (헬륨 가스) 가 통과되는 유로 (60B) 의 일부를 구성하는 것이며, 도 6 에는, 가로 유로 (121B) 와, 제 1 세로 유로 (122B) 와, 제 2 세로 유로 (123B) 가 나타나 있다.
제 2 세로 유로 (123AB) 에는, 다공질체 (70B) 가 수용되는 수용실 (123Ba) 과, 수용실 (123Ba) 과 접속하면서 출구 (12Bb) 를 포함하는 배출로 (123Bb) 가 형성되어 있다. 출구 (12Bb) 는, 세라믹 기판 (10B) 의 제 1 표면 (SAB) 상에 배치되어 있다. 또한, 수용실 (123Ba) 에 다공질체 (70B) 가 배치된 개소가, 다공 영역 (RB) 으로 되어 있다.
본 실시형태의 경우, 제 1 세로 유로 (122B) 에도, 다공 영역 (RB) 이 형성되어 있다. 이 다공 영역 (RB) 은, 제 2 표면 (SB2) 으로 개구된 입구 (12Ba) 의 근처에 형성되어 있다. 제 1 세로 유로 (122B) 에는, 다공질체 (70B) 가 수용되는 수용실 (122Ba) 이 형성되어 있고, 그 수용실 (122Ba) 에 다공질체 (70B) 가 배치된 개소가, 제 1 세로 유로 (122B) 에 있어서의 다공 영역 (RB) 으로 되어 있다.
또한, 본 실시형태의 다공질체 (70B) 는, 실시형태 1 과 동일하다. 그 때문에, 본 실시형태에 있어서도, 다공질체 (70B) 에 포함되는 대경 기공의 체적 비율은, 다공질체 (70B) 에 포함되는 소경 기공의 체적 비율보다 커지도록 설정되어 있다. 또한, 다공질체 (70B) 의 기공률은, 60 ％ 이상으로 설정되어 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 다공질체 (70B) 는, 그 내부에 있어서, 일 방향으로 기공이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간을 포함하지 않도록 설정되어 있다.
이상과 같이, 본 실시형태의 유지 장치 (100B) 에 있어서, 제 2 표면 (SB2) 측의 근처에 배치되는 기판측 가스 유로 (12B) 의 일부에, 플라즈마 대책용 다공 영역 (70B) 이 형성되어 있어도 된다.
본 실시형태의 유지 장치 (100B) 는, 실시형태 1 과 동일하게, 기판측 가스 유로 (가스 유로) (12B) 의 다공 영역 (RB) 을 구성하는 내플라즈마성이 우수한 다공질체 (70B) 를 구비한다.
<다른 실시형태>
본 발명은 상기 기술 및 도면에 의해 설명한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 다음과 같은 실시형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
(1) 상기 실시형태에서는, 다공질체의 세라믹스와, 세라믹 기판에 있어서의 판상 부재의 세라믹스가, 서로 동일한 종류의 세라믹스로 구성되어 있었지만, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한, 예를 들면, 다공질체의 세라믹스와, 판상 부재의 세라믹스가, 서로 상이한 종류의 세라믹스로 구성되어도 된다. 예를 들어, 다공질체가 알루미나로 구성되고, 또한 판상 부재가 질화알루미늄으로 구성되어도 되고, 다공질체가 질화알루미늄으로 구성되고, 또한 판상 부재가 알루미나로 구성되어도 된다.
(2) 상기 실시형태에서는, 불활성 가스를 통과시키기 위한 유로는, 베이스 부재에도 형성되어 있었지만, 다른 실시형태에 있어서는, 베이스 부재에 형성되어 있지 않아도 되고, 세라믹 기판에만 형성되어 있어도 된다.
(3) 상기 실시형태에서 나타낸 유지 장치의 제조 방법은 일례이며, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한, 다른 방법으로 제조되어도 된다.
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 추가로 설명한다. 또한, 본 발명은 이들의 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
다공질체용의 미소결 성형물을 이하와 같은 조건으로 형성하는 것 이외에는, 기본적으로 상기 서술한 실시형태 1 과 동일한 방법으로 실시예 1 의 세라믹 기판을 제조하였다.
알루미나 분말, 조공재 및 바인더를 혼합하고, 그들의 혼합물을, 소정의 성형 장치를 이용하여, 원주상을 이룬 다공질체용의 미소결 성형물을 얻었다. 상기 조공재는, 대경 기공용의 조공재 (평균 입경 40 ㎛) 와, 소경 기공용의 조공재 (평균 입경 5 ㎛) 로 이루어진다. 대경 기공용의 조공재는, 알루미나 분말 100 체적부에 대하여, 280 체적부 배합하였다. 또한, 소경 기공용의 조공재는, 알루미나 분말 100 체적부에 대하여, 120 체적부 배합하였다. 얻어진 다공질체용의 미소결 성형물은, 상기 서술한 실시형태 1 과 동일하게, 수용실을 형성하기 위한 구멍부를 갖는 그린 시트의 상기 구멍부에 충전하였다.
[실시예 2]
조공재로서, 대경 기공용의 조공재 (평균 입경 27 ㎛) 와, 소경 기공용의 조공재 (평균 입경 20 ㎛) 를 사용함과 함께, 대경 기공용의 조공재의 배합량을 280 체적부, 소경 기공용의 조공재의 배합량을 120 체적부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 2 의 세라믹 기판을 제조하였다.
[실시예 3]
조공재로서, 대경 기공용의 조공재 (평균 입경 240 ㎛) 와, 소경 기공용의 조공재 (평균 입경 20 ㎛) 를 사용함과 함께, 대경 기공용의 조공재의 배합량을 280 체적부, 소경 기공용의 조공재의 배합량을 120 체적부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 3 의 세라믹 기판을 제조하였다.
[투과율의 측정]
실시예 1 ∼ 3 의 세라믹 기판이 구비하는 각 다공질체에 대하여, 이하에 나타내는 방법으로, 투과율 (가스 투과율) 을 측정하였다.
그린 시트 상에 가공된 직경 약 3.5 mm, 깊이 약 5 mm 의 구멍부에, 다공질체용의 미소결 성형물을 사출 성형하고, 소정의 홀더 사이즈로 잘라낸 후, 탈지, 소성하여 샘플을 얻었다. 그 후, He 가스 도입 유닛에 상기 샘플을 세트하고, 50 Torr 의 압력하에 있어서의 He 가스의 투과율을 측정하였다.
측정의 결과, 실시예 1 의 투과율은, 3.9 sccm, 실시예 2 의 투과율은, 10.1 sccm (실시예 1 에 대하여, 투과율이 159 ％ 상승), 실시예 3 의 투과율은, 8.1 sccm (실시예 1 에 대하여, 투과율이 109 ％ 상승) 이었다.
[기공률의 측정]
실시예 1 ∼ 3 의 다공질체 내의 기공률을 측정하였다. 구체적으로는, 시판되는 재료 개발 시뮬레이션 소프트웨어를 이용하여, 각 실시예의 다공질체를 상하 방향을 따라 절단하여 얻어지는 절단면의 SEM 화상 (2 치화 화상) 을 기초로 하여 기공률을 측정하였다. 그 결과, 실시예 1 의 다공질체의 기공률은 72 ％, 실시예 2 의 다공질체의 기공률은 70 ％, 실시예 3 의 다공질체의 기공률은 71 ％ 였다.
[기공의 체적 비율]
실시예 1 ∼ 3 의 다공질체에 있어서, 「다공질체에 포함되는 대경 기공의 체적 비율」, 및 「다공질체에 포함되는 소경 기공의 체적 비율」은, 이하와 같다.
실시예 1 의 경우, 대경 기공의 체적 비율은 44 체적％ 이고, 소경 기공의 체적 비율은 19 체적％ 이다.
실시예 2 의 경우, 대경 기공의 체적 비율은 39 체적％ 이고, 소경 기공의 체적 비율은 16 체적％ 이다.
실시예 3 의 경우, 대경 기공의 체적 비율은 45 체적％ 이고, 소경 기공의 체적 비율은 19 체적％ 이다.
[과대 공간의 유무 확인]
실시예 1 ∼ 3 의 다공질체 내에 있어서의 과대 공간의 유무를, 상기 서술한 SEM 화상을 사용하는 방법을 이용하여 확인하였다. 여기서는, 각 실시예의 다공질체를, 상하 방향을 따라 절단하여 얻어지는 절단면의 SEM 화상 (2 치화 화상) 을 기초로 하여, 과대 공간의 추출을 행하였다. 그 결과, 실시예 1 ∼ 3 에 있어서, 일 방향으로 기공이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간은 검출되지 않았다.
100 : 유지 장치
10 : 세라믹 기판
11 : 판상 부재
12 : 기판측 가스 유로 (가스 유로)
12a : 입구
12b : 출구
121 : 가로 유로
122 : 제 1 세로 유로
123 : 제 2 세로 유로
20 : 베이스 부재
21 : 냉매 유로
22 : 베이스측 가스 유로
22a : 입구
22b : 출구
30 : 접합재
31 : 접합측 가스 유로
40 : 척 전극
50 : 히터 전극
60 : 유로
70 : 다공질체
71 : 기공
71a : 대경 기공
71b ; 소경 기공
72 : 골재
G : 갭
W : 대상물 (웨이퍼)
R : 다공 영역
S1 : 제 1 표면
S2 : 제 2 표면
S3 : 제 3 표면
S4 : 제 4 표면

Claims (3)

  1. 대상물을 유지하는 제 1 표면을 포함하고, 세라믹스를 주성분으로 하는 판상 부재와, 상기 판상 부재의 내부에 형성된 가스 유로를 갖는 세라믹 기판을 구비하는 유지 장치로서,
    상기 가스 유로는, 그 일부에, 세라믹스를 주성분으로 하고, 다수의 기공을 포함하는 가스 투과성의 다공질체가 배치된 개소로 이루어지는 다공 영역을 갖고,
    상기 다공질체는, 상기 기공으로서, 중심 입경이 20 ㎛ 보다 크고 55 ㎛ 이하인 다수의 대경 기공과, 중심 입경이 3 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 다수의 소경 기공을 포함하고,
    상기 다공질체에 포함되는 상기 대경 기공의 체적 비율은, 상기 다공질체에 포함되는 상기 소경 기공의 체적 비율보다 큰 유지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공질체의 기공률은 60 ％ 이상인 유지 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다공질체는, 일 방향으로 상기 기공이 120 ㎛ 이상의 길이로 연결되어 이루어지는 과대 공간을 포함하지 않는 유지 장치.
KR1020247017827A 2022-07-07 2023-06-21 유지 장치 KR20240091132A (ko)

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