KR20240077185A - 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질 - Google Patents
텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 일 실시 예는 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질을 제공한다. 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질은 금속산화물계 주활성물질 및 희토류산화물계 첨가활성물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속산화물계 활성물질에 희토류산화물계 첨가활성물질을 첨가하여 제조한 함침물질에 관한 것이다.
전자빔의 운동에너지를 변화시켜 전자기장을 발생시키는 진공 튜브 장치는 기본적으로 전자빔 발생부인 전자총을 핵심 구성부로 사용한다. 이러한 전자총을 이용하는 진공튜브로는 핵융합을 위해 플라즈마 가열용의 방사주파수(Raido Frequency, RF)를 발생시키는 자이로트론 튜브와 방사광 가속기에서 전자를 가속시키는데 이용되는 클라이스트론 튜브 등이 있으며, 군사적으로는 레이더를 비롯하여 유도미사일에 들어가는 탐색기, 전투기에서 사용되는 송수신용 마이크로파 발생장치 등의 핵심부품인 진행파관 진공튜브 등이 있다. 이러한 응용분야에서는 기본적으로 고출력의 전자파를 필요로 하기 때문에 반도체를 이용한 장치로는 그 성능을 구현할 수 없다. 따라서 열음극을 사용하는 전자총을 기반으로 한 다양한 형태의 진공튜브 장치가 주로 이용되고 있다.
열음극을 활용한 열전자 방출은 금속을 고온으로 가열할 때, 고체 내부의 전자가 외부로 방출되는 현상으로, 상기 열전자 방출을 위해서는 금속의 페르미 준위(Fermi Level)를 넘는 수준 이상의 열에너지가 필요하다.
상기 금속의 대표적인 예로 텅스텐이 있는데, 텅스텐의 일 함수를 낮추면 고온이 아닌 낮은 작동 온도에서 사용이 가능하며, 수명이 향상되고 시스템의 복잡성이 줄어드는 장점이 있다.
미국에서 개발해온 함침형 열음극은 텅스텐 소결체에 기공을 확보하고, 여기에 바륨을 중심으로 한 알칼리성 물질들을 일정비율로 혼합하여 함침한 것으로, 일함수 2.1~2.2eV 수준의 물성을 갖는다. 이에 따라 방출할 수 있는 전류의 양은 운용 온도 1000℃ 정도에서 전류밀도로 대략 수 A/cm2수준의 저조한 전류밀도를 가지는 한계가 있다.
저조한 전류밀도를 높이기 위해선 함침 물질의 조성을 달리하여 일함수를 낮춰, 전자방출 효율을 극대화하는 방법이 있다. 따라서, 일함수를 낮춰 전자방출 효율을 극대화시키는 새로운 함침 물질 조성에 대한 연구가 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시 예는 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 있어서, 상기 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질은 금속산화물계 주활성물질 및 희토류산화물계 첨가활성물질을 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 있어서, 상기 희토류산화물계 첨가활성물질은 산화란타넘, 산화세륨, 산화네오디뮴 또는 산화하프늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 있어서, 상기 희토류산화물계 첨가활성물질은 총 중량 대비 10중량% 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 있어서, 상기 금속산화물계 주활성물질은 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시 예는 텅스텐 열음극용 다공성 구조체를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 있어서, 상기 텅스텐 열음극용 다공성 구조체는 상술한 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질에 의해 표면이 코팅될 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 실시 예는 텅스텐 열음극을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 있어서, 상기 텅스텐 열음극은 상술한 텅스텐 열음극용 다공성 구조체를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질은 텅스텐 열음극의 일함수를 낮춰서 높은 전자방출 효율을 가질 수 있다.
또한, 텅스텐 열음극의 일함수를 낮추면 낮은 작동온도에서 사용이 가능하기 때문에, 텅스텐 열음극의 성능과 수명이 향상되는 효과를 가질 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 함침물질을 나타낸 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 열음극을 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다공성 텅스텐 구조체를 주사전자현미경으로 분석한 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 열음극을 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다공성 텅스텐 구조체를 주사전자현미경으로 분석한 사진이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시 예는, 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질을 제공한다.
상기 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질은, 금속산화물계 주활성물질 및 희토류산화물계 첨가활성물질을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 열음극은 진공관 및 가스 충전관에서 열음극은 열이온 방출로 인해 전자를 방출하도록 가열되는 음극 전극이다.
상기 가열 요소는 일반적으로 이를 통과하는 별도의 전류에 의해 가열되는 전기 필라멘트일 수 있다.
상기 열음극에서 음극 표면은 전류가 흐르는 내화성 금속의 가는 와이어인 필라멘트를 가열하여 전자를 방출하도록 유도하는 원리이다.
상기 내화성 금속은 녹는점이 철의 녹는점인 1,539℃보다 높은 금속을 말하며, 예를 들어, 텅스텐일 수 있다.
상기 희토류산화물계 첨가활성물질은 산화란타넘, 산화세륨, 산화네오디뮴 또는 산화하프늄을 포함할 수 있다.
상기 희토류산화물계 첨가활성물질이란, 열음극용 다공성 텅스텐 구조체의 표면에 함침물질을 코팅하여 열처리하여 함침을 실시하기 위해, 세라믹 활성 물질을 구성하는 주활성물질에 희토류계 금속을 첨가하여, 결론적으로 텅스텐의 일함수를 낮춰 열전자 방출의 효율을 증가시키는 용도일 수 있다.
상기 금속산화물계 주활성물질에 희토류계 금속을 첨가하는 양은, 예를 들어, 주활성물질에 산화 3mol%첨가, 산화세륨 3mol%첨가 또는 산화네오디뮴 3mol%를 첨가하여 일함수를 낮출 수 있다.
또 예를 들어, 상기 일함수는 1.7eV 내지 1.8eV로 낮아질 수 있으며, 상기 일함수가 조금만 낮아져도 열음극의 전자방출 효율은 극대화될 수 있다.
상기 희토류산화물계 첨가활성물질은 총 중량 대비10중량% 이하일 수 있다.
만일, 상기 희토류산화물계 첨가활성물질이 총 중량 대비 10중량%가 넘어가게 되면, 희토류산화물계 첨가활성물질의 분율이 너무 높아져 오히려 일함수가 증가하는 문제가 있기 때문에, 상기 희토류산화물계 첨가활성물질은 총 중량 대비 10중량% 이하여야 바람직하다.
추가적으로, 상기 첨가활성물질을 구성하는 희토류계산화물에 대한 설명을 하도록 한다.
먼저, 상기 산화란타넘은 산화란타늄으로 칭할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 산화란타넘은 화학식 La2O3로 표시되며, 희토류 원소인 란탄과 산소를 포함하는 무기화합물이다.
상기 산화란타넘은 일부 강유 전체 재료에서 광학 재료의 구성 요소로 사용될 수 있으며, 다른 용도 중에서도 특정 촉매의 공급원료로 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 산화세륨은 이산화세륨, 또는 세리아라고 칭할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 산화세륨은 화학식 CeO2로 표시되며, 희토류 금속의 일종으로, 옅은 황백색을 띈다.
또한, 상기 산화세륨은 중요한 상업 제품으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, 광석에서 원소를 정제하는 중간체로 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 산화네오디뮴은 화학식 Nd2O3로 표시되며 희토류 금속의 일종으로, 밝은 파란색을 띈다.
또한, 상기 산화네오디뮴은 눈이 피로해지지 않는 특성으로 산업에 많이 사용되며, 예를 들어, 브라운관 유리에 첨가하여 투명도가 향상될 수 있다.
마지막으로, 상기 산화하프늄은 화학식 HfO로 표시되며, 메모리 반도체 공정에서 흔히 사용하는 소재로, 예를 들어, 스마트폰, 태블릿 등 다양한 제품의 메모리 성능을 향상시키는데 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질을 구성하는 주활성물질을 나타낸 사진이다.
상기 주활성물질은 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 산화바륨과 산화알루미늄은 바륨 알루미네이트를 형성하고, 그 이후 바륨의 증발율을 저감하기 위해 산화칼슘을 추가로 첨가할 수 있다.
상기 도1을 참조하면, 상기 주활성물질을 구성하는 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄이 분쇄되어 주활성물질이 제조된 것을 확인할 수 있다.
상기 주활성물질을 이루는 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄의 중량비는 예를 들어, 총 중량 대비 4:1:1 또는 5:3:2일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
즉, 상기 희토류 금속을 포함하는 첨가활성물질을 주활성물질에 첨가하여 제조한 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질을 활용하여 함침하면, 텅스텐의 일함수를 낮춰 후에 제조되는 열음극의 전자방출 효율을 낮추는 효과를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예인 텅스텐 열음극용 다공성 구조체를 제공한다.
상기 텅스텐 열음극용 다공성 구조체는 상술한 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질에 의해 표면이 코팅될 수 있다.
상기 다공성 구조체는 열린 기공(open pore)일 수 있다.
상기 다공성 구조체가 열린 기공 상태여야하는 이유는, 함침 물질을 효율적이고 안정적으로 함침시키기 위함일 수 있다.
상기 함침 물질의 함침은 고온으로 반응을 진행하여 모세관 현상에 의해 다공성 텅스텐 구조체 안으로 함침이 실시되는 원리일 수 있다.
또한, 상기 함침 물질의 함침은 수소, 아르곤 또는 질소 등을 포함하는 불활성 가스로 분위기 제한이 필요할 수 있다.
상기 수소 또는 불활성 가스로 분위기 제한이 필요한 이유는, 진공 분위기 하에서 열처리 수행 시, 바륨의 증발이 심하게 발생되어, 결론적으로 텅스텐 열음극의 성능과 수명을 저하시킬 수 있기 때문이다.
또한, 상기 다공성 구조체 제조 시, 텅스텐 분말을 볼 밀링 공정을 수행하여 제조되었기 때문에, 분말의 입도의 크기와 분포가 균일하고, 이는 다공성 구조체 제조시의 기공의 크기와 분포가 균일한 다공성 구조체를 얻을 수 있다.
즉, 상기 희토류 금속을 포함하는 함침 물질에 의해 표면이 코팅되어 함침된 기공이 균일한 다공성 텅스텐 구조체를 가공 및 후처리를 수행하여 제조된 열음극은 일함수를 낮추고, 전자 방출 효율이 기존에 비해 55억배 증가되는 효과를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예는 텅스텐 열음극을 제공한다.
도 2는 텅스텐 열음극을 나타낸 모식도이다.
상기 텅스텐 열음극은 상술한 텅스텐 열음극용 다공성 구조체를 포함할 수 있다.
상기 열음극은 알루미나가 코팅된 텅스텐 히터, 탄탈럼 슬리브(Ta sleeve), 탄탈럼 컵(Ta cup), 함침물질 및 다공성 텅스텐 구조체를 포함하는 구성일 수 있다.
상기 탄탈럼의 화학 원소 기호는 Ta, 원자 번호는 73으로, 열전도율과 전기 전도율이 매우 좋고 산에 거의 부식되지 않으며, 난융 금속의 하나로 합금의 첨가물로 널리 이용된다.
또한, 상기 텅스텐 열음극은 텅스텐 소재를 가열하여 상기 텅스텐 소재가 전자를 방출시키는 원리로 전자빔을 발생시켜서 고출력 X선을 방출시킬 수 있다. 따라서, 고출력 X선을 방출시키면 의료용 암치료기기 또는 방사광 가속기에 활용될 수 있다.
질 좋은 전자빔을 방출하기 위해선, 높은 전류밀도를 가진 전자빔을 방출하기 위해선 온도를 높여 텅스텐 소재를 가열해야 하지만, 고온으로 갈수록 방열 및 단열 등의 문제가 발생하는 기존의 문제가 있었다.
하지만, 본 발명의 텅스텐 열음극은 희토류 금속을 포함하는 활성 물질이 다공성 텅스텐 구조체 표면 상에 코팅되어서 함침되고, 상기 다공성 텅스텐 구조체를 가공 및 후처리를 통하여 제조된 것이기 때문에, 텅스텐의 일함수를 4.54eV 에서 1.7 내지 1.8eV까지 낮추는 효과를 가질 수 있다.
결국, 일함수가 낮아진 텅스텐 열음극은 전자방출량이 2배 증가하고, 이는 55억 배의 전자 방출 효율을 구현할 수 있다. 또한, 기존의 텅스텐을 고온으로 가열하여 발생되는 텅스텐 소재의 수명 단축, 전체 시스템의 방열 및 단열 등의 복잡한 문제를 회피하는 효과를 가질 수 있다
실시예 1: 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질 제조
먼저, 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄을 각각 77.13g, 7.05g, 12.82g을 준비하였으며, 산화란타넘 3g을 추가로 첨가하였다.
다음으로, 볼 밀링 공정을 4시간 수행하여 상기 산화바륨, 산화칼슘, 산화알루미늄 및 산화란타넘을 분쇄 및 혼합하여 활성물질 분말을 형성하였다.
실시예 2: 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질 제조
먼저, 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄을 각각 77.13g, 7.05g, 12.82g을 준비하였으며, 산화세륨 3g을 추가로 첨가하였다.
다음으로, 볼 밀링 공정을 4시간 수행하여 상기 산화바륨, 산화칼슘, 산화알루미늄 및 산화세륨을 분쇄 및 혼합하여 활성물질 분말을 형성하였다.
실시예 3: 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질 제조
먼저, 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄을 각각 77.13g, 7.05g, 12.82g을 준비하였으며, 산화네오디뮴 3g을 추가로 첨가하였다.
다음으로, 볼 밀링 공정을 4시간 수행하여 상기 산화바륨, 산화칼슘, 산화알루미늄 및 산화네오디뮴을 분쇄 및 혼합하여 활성물질 분말을 형성하였다.
실험예 1: 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 분석
도 3은 본 발명의 텅스텐 열음극용 다공성 구조체를 주사전자현미경(SEM)으로 분석한 사진이다.
상기 도3을 참조하면, 기공의 크기와 분포가 균일한 것을 확인할 수 있다.
기공의 크기와 분포가 균일하게 형성된 다공성 구조체를 활용하여 함침을 실시하게 되면, 희토류산화물계 첨가활성물질이 포함된 함침물질로 함침 시, 일함수가 낮아지고 기공 별 위치가 균일하여 전자 방출 효율이 증가하기 때문에, 상기 다공성 구조체를 활용하여 열음극 제조 시, 전류 밀도가 증가한 텅스텐 열음극 제조가 가능하여 성능 및 효율이 극대화되는 효과를 얻을 수 있다.
실험예 2: 텅스텐 열음극의 일함수 분석 실험
추가로, 표1은 앞서 상술한 실시예1 내지 실시예 3에서 제조된 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질을 활용한 텅스텐 열음극의 일함수를 분석한 것이다.
| 조성 | BaO:CaO:Al2O3= 4:1:1 (mol %) | BaO:CaO:Al2O3 = 4:1:1 (mol %) + 3wt% La2O3 |
BaO:CaO:Al2O3 = 4:1:1 (mol %) + 3wt% CeO2 |
BaO:CaO:Al2O3 = 4:1:1 (mol %) + 3wt% Nb2O3 |
| 일함수 | 2.3eV | 1.7eV | 1.7eV | 1.8eV |
먼저, 주활성물질인 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄을 4:1:1의 중량비를 가진 주활성물질로 구성된 함침물질만으로 다공성 구조체에 함침 했을시, 일함수는 2.3eV로 측정되었다.반면에, 위와 동일한 중량비의 주활성물질에 희토류산화물계 첨가활성물질인 산화란타넘 3중량%를 첨가하여 함침물질을 구성하여 함침 했을시, 일함수가 1.7eV로 측정된 것을 확인할 수 있다.
마찬가지로. 위와 동일한 중량비의 주활성물질에 희토류산화물계 첨가활성물질인 산화란타넘 3중량% 및 산화네오디뮴 3중량%를 첨가하여 일함수를 측정하는 실험을 진행하였더니, 각각 일함수가 1.7eV 와 1.8eV로 낮게 측정된 것을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질로서 산화란타넘, 산화세륨 또는 산화네오디뮴 등과 같은 희토류산화물계 첨가활성물질이 첨가될 경우, 다공성 구조체를 함침할 시, 일함수가 1.7eV 내지 1.8eV로 낮아져 전자방출 효율이 극대화되는 효과를 가질 수 있다.
추가적으로, 상기와 같이 일함수를 낮춰 전자방출 효율이 극대화되면, 기존의 열전자 방출량을 늘리기 위해 텅스텐을 고온으로 가열하는 공정을 피할 수 있고, 전류 밀도가 증가해 최종적으로 텅스텐 열음극의 성능 및 효율이 증가하는 효과를 가질 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (6)
- 텅스텐 열음극용 함침물질에 있어서,
금속산화물계 주활성물질 및 희토류산화물계 첨가활성물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질.
- 제1항에 있어서,
상기 희토류산화물계 첨가활성물질은 산화란타넘, 산화세륨, 산화네오디뮴 또는 산화하프늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질.
- 제2항에 있어서,
상기 희토류산화물계 첨가활성물질은 총 중량 대비 10중량% 이하인 것을 특징으로 하는 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질.
- 제 1항에 있어서,
상기 금속산화물계 주활성물질은 산화바륨, 산화칼슘 및 산화알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 열음극 전자방출이 극대화되는 함침물질을 포함하는 텅스텐 열음극 제조방법.
- 제 1항의 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질에 의해 표면이 코팅된 텅스텐 열음극용 다공성 구조체.
- 제 5항의 텅스텐 열음극용 다공성 구조체를 포함하는 텅스텐 열음극.
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| KR1020220159414A KR20240077185A (ko) | 2022-11-24 | 2022-11-24 | 텅스텐 열음극용 다공성 구조체 표면 코팅용 함침물질 |
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