KR20240057353A

KR20240057353A - Release film for semiconductor molding and method of producing semiconductor package

Info

Publication number: KR20240057353A
Application number: KR1020230139364A
Authority: KR
Inventors: 유키 야나기타
Original assignee: 가부시끼가이샤 레조낙
Priority date: 2022-10-24
Filing date: 2023-10-18
Publication date: 2024-05-02

Abstract

[과제] 이형성을 유지하면서, 대전 방지 성능이 우수한 반도체 성형용 이형 필름, 및 이를 이용하는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] 이형층과 도전층과 기재층을 이 순서대로 가지며, 상기 이형층이 도전성 폴리머를 포함하는, 반도체 성형용 이형 필름.[Problem] To provide a release film for semiconductor molding that maintains release properties and has excellent antistatic performance, and a method of manufacturing a semiconductor package using the same.
[Solution] A release film for semiconductor molding, which has a release layer, a conductive layer, and a base material layer in this order, and the release layer contains a conductive polymer.

Description

반도체 성형용 이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법{RELEASE FILM FOR SEMICONDUCTOR MOLDING AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR PACKAGE}Release film for semiconductor molding and manufacturing method of semiconductor package {RELEASE FILM FOR SEMICONDUCTOR MOLDING AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR PACKAGE}

[0001] 본 개시는, 반도체 성형용 이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.[0001] The present disclosure relates to a release film for semiconductor molding and a method of manufacturing a semiconductor package.

[0002] 최근, 전자 기기, 특히 휴대전화의 박형화가 진행됨에 따라, 반도체 소자 등의 전자 부품에도 한층 더 박형화가 요구되고 있다. 또한, 방열성(放熱性) 향상의 관점에서도, 전자 부품 전체를 시일(seal, 封止) 수지로 덮는 오버 몰드 성형(Over Molding) 대신에, 전자 부품의 표면의 일부를 노출시키는 노출 성형(Exposed Die Molding)이 채용되는 케이스가 증가하고 있다.[0002] Recently, as electronic devices, especially mobile phones, become thinner, there is a demand for even thinner electronic components such as semiconductor devices. Also, from the viewpoint of improving heat dissipation, instead of over molding, which covers the entire electronic component with a seal resin, exposed die molding is used to expose a portion of the surface of the electronic component. The number of cases where molding is used is increasing.

[0003] 전자 부품의 일부가 노출된 상태가 되도록 전자 부품을 시일할 때는, 전자 부품의 노출부에 대한 시일재의 누설(플래시/버(burr))을 방지할 필요가 있다. 따라서, 전자 부품의 노출시키는 부분에 이형성을 가지는 필름(이형 필름)을 부착한 상태로 시일을 행하고, 그 후에 이형 필름을 박리하여 전자 부품의 표면을 노출시키는 것이 행해지고 있다.[0003] When sealing an electronic component so that part of the electronic component is exposed, it is necessary to prevent leakage (flash/burr) of the sealant to the exposed portion of the electronic component. Therefore, sealing is performed with a film (release film) having release properties attached to the exposed portion of the electronic component, and then the release film is peeled off to expose the surface of the electronic component.

이러한 이형 필름으로서, 예컨대, 특허문헌 1에는 연신(延伸) 폴리에스테르 수지 필름으로 이루어진 기재(基材) 필름의 적어도 한쪽 면(片面)에 불소 수지로 이루어진 필름이 적층되어 이루어진 적층 필름이 기재되어 있다.As such a release film, for example, Patent Document 1 describes a laminated film in which a film made of fluororesin is laminated on at least one side of a base film made of a stretched polyester resin film. .

[0004] 1. 일본 특허공개공보 제2006-49850호[0004] 1. Japanese Patent Publication No. 2006-49850

[0005] 이형 필름이 대전(帶電)되기 쉬운 재질로 이루어진 경우, 이형 필름을 전자 부품에 접촉시킬 때 또는 이형 필름을 전자 부품으로부터 박리할 때 방전이 일어나, 전자 부품의 정전 파괴가 발생할 우려가 있다. 최근, 반도체 소자의 고집적화에 따라 프로세스 노드의 미세화가 진행되어, 전자 부품의 정전 파괴가 발생할 우려가 높아지고 있다.[0005] If the release film is made of a material that is easily electrified, discharge may occur when the release film is brought into contact with the electronic component or when the release film is peeled from the electronic component, and there is a risk of electrostatic destruction of the electronic component. . Recently, as semiconductor devices become more highly integrated, process nodes become more miniaturized, raising concerns about electrostatic destruction of electronic components.

[0006] 상기 사정을 감안하여, 본 개시의 하나의 양태는, 이형성을 유지하면서, 대전 방지 성능이 우수한 반도체 성형용 이형 필름을 제공하는 것을 과제로 한다. 본 개시의 다른 하나의 양태는, 이 이형 필름을 이용하는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.[0006] In view of the above circumstances, one aspect of the present disclosure aims to provide a release film for semiconductor molding that is excellent in antistatic performance while maintaining release properties. Another aspect of the present disclosure aims to provide a method for manufacturing a semiconductor package using this release film.

[0007] 상기 과제를 해결하기 위한 구체적인 수단에는, 이하의 양태가 포함된다.[0007] Specific means for solving the above problems include the following aspects.

[0008] <1> 이형층과 도전층과 기재층을 이 순서대로 가지며,[0008] <1> It has a release layer, a conductive layer, and a base layer in this order,

상기 이형층이 도전성 폴리머를 포함하는, 반도체 성형용 이형 필름.A release film for semiconductor molding wherein the release layer contains a conductive polymer.

<2> 상기 도전성 폴리머가 폴리에틸렌디옥시티오펜을 포함하며, 상기 도전층이 폴리에틸렌디옥시티오펜을 포함하는, <1>에 기재된 반도체 성형용 이형 필름.<2> The release film for semiconductor molding according to <1>, wherein the conductive polymer contains polyethylenedioxythiophene, and the conductive layer contains polyethylenedioxythiophene.

<3> 상기 도전성 폴리머가 1-메톡시-2-프로판올에 용해 가능한 폴리에틸렌디옥시티오펜을 포함하는, <1> 또는 <2>에 기재된 반도체 성형용 이형 필름.<3> The release film for semiconductor molding according to <1> or <2>, wherein the conductive polymer contains polyethylenedioxythiophene soluble in 1-methoxy-2-propanol.

<4> 상기 이형층 측의 표면 저항률이 1×10⁹Ω/sq 이하인, <1>∼<3> 중 어느 한 항에 기재된 반도체 성형용 이형 필름.<4> The release film for semiconductor molding according to any one of <1> to <3>, wherein the surface resistivity on the release layer side is 1×10 ⁹ Ω/sq or less.

<5> 상기 이형층에 포함되는 상기 도전성 폴리머의 함유율이, 상기 이형층의 총량에 대해 0.5질량% 이상인, <1>∼<4> 중 어느 한 항에 기재된 반도체 성형용 이형 필름.<5> The release film for semiconductor molding according to any one of <1> to <4>, wherein the content of the conductive polymer contained in the release layer is 0.5% by mass or more with respect to the total amount of the release layer.

<6> 트랜스퍼 몰딩 또는 컴프레션 몰딩에 이용되는, <1>∼<5> 중 어느 한 항에 기재된 반도체 성형용 이형 필름.<6> The release film for semiconductor molding according to any one of <1> to <5>, which is used for transfer molding or compression molding.

<7> <1>∼<6> 중 어느 한 항에 기재된 반도체 성형용 이형 필름을 이용하여, 트랜스퍼 몰딩 공정 또는 컴프레션 몰딩 공정을 행하는, 반도체 패키지의 제조 방법.<7> A method for manufacturing a semiconductor package, comprising performing a transfer molding process or a compression molding process using the release film for semiconductor molding according to any one of <1> to <6>.

<8> 상기 트랜스퍼 몰딩 공정 또는 상기 컴프레션 몰딩 공정에 있어서, 노출 성형을 행하는, <7>에 기재된 반도체 패키지의 제조 방법.<8> The method for manufacturing a semiconductor package according to <7>, wherein exposure molding is performed in the transfer molding process or the compression molding process.

[0009] 본 개시의 실시형태에 의하면, 이형성을 유지하면서, 대전 방지 성능이 우수한 반도체 성형용 이형 필름, 및 이를 이용하는 반도체 패키지의 제조 방법이 제공된다.[0009] According to an embodiment of the present disclosure, a release film for semiconductor molding having excellent antistatic performance while maintaining release properties, and a method of manufacturing a semiconductor package using the same are provided.

[0010] 도 1은, 이형 필름의 구성을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는, 노출 성형에 있어서 이형 필름을 이용하는 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하는 개략도이다.[0010] Figure 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a release film.
Figure 2 is a schematic diagram explaining a method of manufacturing a semiconductor package using a release film in exposure molding.

[0011] 본 개시에 있어서 「공정」이라는 단어에는, 다른 공정으로부터 독립된 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우라 하더라도 그 공정의 목적이 달성된다면, 해당 공정도 포함된다.[0011] In the present disclosure, the word “process” includes not only processes that are independent from other processes, but also processes that are independent from other processes, as long as the purpose of the process is achieved, even if it cannot be clearly distinguished from other processes.

본 개시에 있어서 「∼」를 이용하여 나타내어진 수치 범위에는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치가 각각 최소치 및 최대치로서 포함된다.In the present disclosure, the numerical range indicated using “~” includes the numerical values written before and after “~” as the minimum and maximum values, respectively.

본 개시 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위로 기재된 상한치 또는 하한치는, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한치 또는 하한치로 치환해도 된다. 또한, 본 개시 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한치 또는 하한치는, 실시예에 나타내어져 있는 값으로 치환해도 된다.In the numerical range described stepwise during the present disclosure, the upper or lower limit value described as one numerical range may be replaced with the upper limit or lower limit value of another numerical range described stepwise. In addition, in the numerical range described in the present disclosure, the upper or lower limit of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.

본 개시에 있어서 각 성분은 해당하는 물질을 복수 종(種) 포함하고 있어도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 종 존재하는 경우, 각 성분의 함유율 또는 함유량은, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 해당 복수 종의 물질의 합계의 함유율 또는 함유량을 의미한다.In the present disclosure, each component may contain multiple types of corresponding substances. When multiple types of substances corresponding to each component exist in the composition, the content rate or content of each component means the total content rate or content of the multiple types of materials present in the composition, unless otherwise specified.

본 개시에 있어서 각 성분에 해당하는 입자는 복수 종 포함하고 있어도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 입자가 복수 종 존재하는 경우, 각 성분의 입자 직경은, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 해당 복수 종의 입자의 혼합물에 대한 값을 의미한다.In the present disclosure, plural types of particles corresponding to each component may be included. When multiple types of particles corresponding to each component exist in the composition, the particle diameter of each component means the value for the mixture of the multiple types of particles present in the composition, unless otherwise specified.

[0012] <반도체 성형용 이형 필름> [0012] <Release film for semiconductor molding>

본 개시의 이형 필름은, 이형층과 도전층과 기재층을 이 순서대로 가지며, 이형층이 도전성 폴리머를 포함한다. 본 개시의 이형 필름은, 이형층이 도전성 폴리머를 포함함으로써, 도전층부터 이형층의 표면까지 도전 입자를 통한 통전로를 형성하는 것이 가능해지고, 그 결과, 이형층 측의 표면 저항률을 효과적으로 낮출 수 있어, 이형성이 유지되면서, 대전 방지 성능이 우수하다.The release film of this disclosure has a release layer, a conductive layer, and a base material layer in this order, and the release layer contains a conductive polymer. In the release film of the present disclosure, since the release layer contains a conductive polymer, it becomes possible to form a conductive path through conductive particles from the conductive layer to the surface of the release layer, and as a result, the surface resistivity on the side of the release layer can be effectively lowered. Therefore, the release property is maintained and the anti-static performance is excellent.

[0013] 기재층, 이형층 및 도전층을 가지는 이형 필름의 구성의 일례를, 도 1에 개략적으로 나타낸다. 도 1에 나타낸 이형 필름(10)은, 기재층(12)과, 도전층(14)과, 이형층(16)을 이 순서대로 구비하고 있다.[0013] An example of the configuration of a release film having a base layer, a release layer, and a conductive layer is schematically shown in FIG. 1. The release film 10 shown in FIG. 1 includes a base material layer 12, a conductive layer 14, and a release layer 16 in this order.

[0014] [이형층][0014] [Heterogeneous layer]

이형층(16)은, 반도체 패키지 성형 시의 이형을 담당한다. 이형층(16)은 도전성 폴리머를 포함한다. 이형층(16)은 일반적으로 수지 성분(도전성 폴리머를 제외함)을 포함한다.The release layer 16 is responsible for release during semiconductor package molding. The release layer 16 contains a conductive polymer. The release layer 16 generally contains a resin component (excluding conductive polymer).

이형층(16)의 수지 성분은 특별히 한정되지 않는다. 수지 성분으로서는, 수지, 가교제에 의해 가교된 수지 등을 들 수 있다. 이형층(16)에 있어서, 수지는 1종을 단독으로 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.The resin component of the release layer 16 is not particularly limited. Examples of the resin component include resins and resins crosslinked with a crosslinking agent. In the release layer 16, one type of resin may be used individually or two or more types may be used in combination.

수지 성분은, 반도체 패키지와의 이형성, 이형층(16)의 내열성 등의 관점에서 보면, 아크릴 수지 또는 실리콘 수지가 바람직하고, 가교형 아크릴 수지(이하 「가교형 아크릴 공중합체」라고도 함.)가 보다 바람직하다.The resin component is preferably an acrylic resin or silicone resin from the viewpoint of release properties from the semiconductor package and heat resistance of the release layer 16, and a crosslinked acrylic resin (hereinafter also referred to as a “crosslinked acrylic copolymer”). It is more desirable.

[0015] 아크릴 수지는, 아크릴산부틸, 아크릴산에틸, 2-에틸헥실아크릴레이트 등의 낮은 유리 전이 온도(Tg)의 모노머를 주(主)모노머로 하고, 주모노머와, 아크릴산, 메타크릴산, 히드록시에틸메타크릴레이트, 히드록시에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 모노머를 공중합함으로써 얻어지는 아크릴 공중합체인 것이 바람직하다. 가교형 아크릴 공중합체는, 상기 모노머를 가교제를 사용하여 가교함으로써 제조할 수 있다.[0015] The acrylic resin uses monomers with a low glass transition temperature (Tg) such as butyl acrylate, ethyl acrylate, and 2-ethylhexyl acrylate as the main monomer, and includes the main monomers, acrylic acid, methacrylic acid, and hydrochloric acid. It is preferable that it is an acrylic copolymer obtained by copolymerizing functional monomers such as oxyethyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, acrylamide, and acrylonitrile. A crosslinked acrylic copolymer can be produced by crosslinking the above monomer using a crosslinking agent.

[0016] 가교형 아크릴 공중합체의 제조에 사용되는 가교제로서는, 이소시아네이트 화합물, 멜라민 화합물, 에폭시 화합물 등의 공지된 가교제를 들 수 있다. 아크릴 수지 중에 느슨하게 퍼진 그물코(網目) 형상의 구조를 형성하기 위해, 가교제는 삼관능, 사관능 등의 다관능 가교제인 것이 바람직하다.[0016] Crosslinking agents used in the production of crosslinking acrylic copolymers include known crosslinking agents such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds. In order to form a loosely spread network-shaped structure in the acrylic resin, it is preferable that the crosslinking agent is a polyfunctional crosslinking agent such as tri- or tetra-functional.

[0017] 이형층(16)에 포함되는 도전성 폴리머는, 도전성을 가지는 폴리머이면 특별히 제한되지 않는다. 이형층(16)에 포함되는 도전성 폴리머는 1종을 단독으로 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.[0017] The conductive polymer included in the release layer 16 is not particularly limited as long as it is a conductive polymer. The conductive polymer contained in the release layer 16 may be used individually or in combination of two or more types.

[0018] 표면 저항률의 효과적인 저감의 관점에서 보면, 도전성 폴리머는 폴리에틸렌디옥시티오펜(이하에서는, PEDOT라고도 함)을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 이형층(16)에 포함되는 수지 성분과의 친화성의 관점에서 보면, 1-메톡시-2-프로판올에 용해 가능한 PEDOT인 것이 바람직하다. 「1-메톡시-2-프로판올에 용해 가능한 PEDOT」란, 25℃에 있어서 100mL의 1-메톡시-2-프로판올에 PEDOT가 0.01g 이상 용해 가능한 것을 말한다. 또한, 용해성의 지표로서 1-메톡시-2-프로판올을 이용하는 것이며, 다른 용제에 대한 용해성을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이형층의 형성에 이용하는 용제를 한정하는 것도 아니다.[0018] From the viewpoint of effectively reducing surface resistivity, the conductive polymer preferably contains polyethylenedioxythiophene (hereinafter also referred to as PEDOT). Moreover, from the viewpoint of affinity with the resin component contained in the release layer 16, it is preferable that it is PEDOT that is soluble in 1-methoxy-2-propanol. “PEDOT soluble in 1-methoxy-2-propanol” means that 0.01 g or more of PEDOT is soluble in 100 mL of 1-methoxy-2-propanol at 25°C. Additionally, 1-methoxy-2-propanol is used as an indicator of solubility, and solubility in other solvents is not limited. Additionally, the solvent used for forming the release layer is not limited.

[0019] 도전성 폴리머의 총량에 대한 PEDOT의 함유율은, 80질량% 이상인 것이 바람직하고, 90질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 95질량% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100질량%여도 된다.[0019] The content of PEDOT relative to the total amount of the conductive polymer is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, even more preferably 95% by mass or more, and may be 100% by mass.

[0020] 도전성 폴리머의 총량에 대한 1-메톡시-2-프로판올에 용해 가능한 PEDOT의 함유율은, 80질량% 이상인 것이 바람직하고, 90질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 95질량% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100질량%여도 된다.[0020] The content of PEDOT soluble in 1-methoxy-2-propanol relative to the total amount of the conductive polymer is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and even more preferably 95% by mass or more. , may be 100% by mass.

[0021] 이형층(16)에 포함되는 도전성 폴리머의 함유율은, 이형층(16)의 총량에 대해 0.5질량% 이상인 것이 바람직하고, 1질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 3질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다.[0021] The content of the conductive polymer contained in the release layer 16 is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and even more preferably 3% by mass or more with respect to the total amount of the release layer 16. do.

이형층(16)에 포함되는 도전성 폴리머의 함유율의 상한치는 특별히 제한되지 않으며, 10질량% 이하여도 되고, 7질량% 이하여도 된다.The upper limit of the content of the conductive polymer contained in the release layer 16 is not particularly limited, and may be 10% by mass or less, and may be 7% by mass or less.

[0022] 이형층(16)은, 도전성 폴리머뿐만 아니라 도전 입자를 포함해도 된다. 이형층(16) 중의 도전 입자의 함유율은, 5질량% 이하인 것이 바람직하고, 1질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 도전 입자를 포함하지 않는(0질량%인) 것이 더욱 바람직하다.[0022] The release layer 16 may contain not only conductive polymer but also conductive particles. The content of conductive particles in the release layer 16 is preferably 5 mass% or less, more preferably 1 mass% or less, and even more preferably does not contain conductive particles (0 mass%).

[0023] 이형층(16)은, 본 개시의 이형 필름(10)의 효과가 나타나는 한, 필요에 따라, 용매, 앵커링(anchoring) 향상제, 가교 촉진제, 대전 방지제, 필러, 착색제 등을 포함해도 된다.[0023] The release layer 16 may contain a solvent, an anchoring improver, a crosslinking accelerator, an antistatic agent, a filler, a colorant, etc., as necessary, as long as the effect of the release film 10 of the present disclosure is exhibited. .

[0024] 이형층(16)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 0.1㎛∼100㎛인 것이 바람직하다. 이형층(16)의 두께가 0.1㎛ 이상이면, 몰딩 공정에 있어서 필요해지는 유연성 또는 연신성을 발휘하는 데 충분한 수지 성분을 함유할 수 있어, 도전층(14)으로부터의 이형층(16)의 박리 또는 이형층(16)의 결락(缺落)이 쉽게 일어나지 않는다. 이형층(16)의 두께가 100㎛ 이하이면, 이형층(16)을 열경화성 수지를 이용하여 형성하는 경우에 있어서 열경화 시의 열수축이 억제되어, 이형 필름(10)의 평탄성이 유지된다.[0024] The thickness of the release layer 16 is not particularly limited, and is preferably 0.1 μm to 100 μm. If the thickness of the release layer 16 is 0.1 μm or more, it can contain a resin component sufficient to exhibit the flexibility or stretchability required in the molding process, thereby preventing peeling of the release layer 16 from the conductive layer 14. Alternatively, missing of the release layer 16 does not easily occur. If the thickness of the release layer 16 is 100 μm or less, when the release layer 16 is formed using a thermosetting resin, heat shrinkage during thermal curing is suppressed, and the flatness of the release film 10 is maintained.

이형층(16)의 두께는 상기의 관점에서 보면, 1㎛∼100㎛가 보다 바람직하고, 10㎛∼50㎛가 더욱 바람직하다. 도전층 상에 종래의 이형층이 배치되어 있는 이형 필름(10)에 있어서 이형층(16)의 두께가 10㎛∼50㎛이면, 도전층의 대전 방지 기능이 방해되는 경우가 있지만, 본 개시의 이형 필름(10)에 있어서는, 도전층(14)부터 이형층(16)의 표면까지 도전 입자를 통한 통전로의 형성이 가능하기 때문에, 도전층(14)의 대전 방지 기능이 발휘된다.From the above viewpoint, the thickness of the release layer 16 is more preferably 1 μm to 100 μm, and still more preferably 10 μm to 50 μm. In the release film 10 in which a conventional release layer is disposed on a conductive layer, if the thickness of the release layer 16 is 10 μm to 50 μm, the antistatic function of the conductive layer may be disturbed, but in the present disclosure, the antistatic function of the conductive layer may be disturbed. In the release film 10, since it is possible to form a conductive path through conductive particles from the conductive layer 14 to the surface of the release layer 16, the antistatic function of the conductive layer 14 is exerted.

이형층(16)의 두께는, 이형 필름의 단면(斷面)을 주사형 현미경 사진에 의해 측정을 행하며, 5군데(個所)의 측정의 평균치이다.The thickness of the release layer 16 is measured by scanning micrographs of the cross section of the release film, and is the average value of measurements at five locations.

[0025] [도전층][0025] [Challenge layer]

도전층(14)은, 대전 방지 기능을 담당한다. 도전층(14)으로서는, 각종 증착법, 금속박의 적층(lamination) 등에 의해 형성되는 금속 박막층; 공지된 대전 방지제를 도포하여 형성한 층; 도전성 폴리머 함유층; 등을 들 수 있다. 도전층(14)은, 금속 증착층 또는 도전성 폴리머 함유층인 것이 바람직하다.The conductive layer 14 serves an antistatic function. As the conductive layer 14, a metal thin film layer formed by various vapor deposition methods, lamination of metal foil, etc.; A layer formed by applying a known antistatic agent; A conductive polymer-containing layer; etc. can be mentioned. The conductive layer 14 is preferably a metal vapor deposition layer or a conductive polymer-containing layer.

이형 필름(10)의 표면 저항률을 낮추는 관점에서 보면, 도전층(14)은 금속 박막층인 것이 바람직하다. 형성되는 층의 균일성이 높다는 관점에서 보면, 도전층(14)은 금속 증착층인 것이 보다 바람직하고, 기재층(12)으로부터 쉽게 박리되지 않는 점, 작업성, 및 산화 열화(劣化)의 억제의 관점에서 보면, 도전층(14)은 도전성 폴리머 함유층인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of lowering the surface resistivity of the release film 10, the conductive layer 14 is preferably a metal thin film layer. From the viewpoint of high uniformity of the formed layer, it is more preferable that the conductive layer 14 is a metal vapor deposition layer, so that it does not peel off easily from the base layer 12, improves workability, and suppresses oxidation deterioration. From this point of view, it is more preferable that the conductive layer 14 is a conductive polymer-containing layer.

[0026] 금속 박막층을 구성하는 금속으로서는 특별히 한정되지 않지만, 금속으로서는 비교적 가볍고, 또한, 증착법에 의한 박막 형성이 용이한 알루미늄이 바람직하다.[0026] The metal constituting the metal thin film layer is not particularly limited, but aluminum is preferable as it is relatively light and easy to form a thin film by vapor deposition.

[0027] 도전성 폴리머 함유층에 포함되는 도전성 폴리머로서는 특별히 한정되지 않는다. 도전성 폴리머 함유층에 있어서, 도전성 폴리머는 1종을 단독으로 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.[0027] The conductive polymer contained in the conductive polymer-containing layer is not particularly limited. In the conductive polymer-containing layer, one type of conductive polymer may be used individually or two or more types may be used in combination.

도전성 폴리머를 포함하는 이형층(16)을 형성하였을 때의 표면 저항률 저감 효과의 관점에서 보면, PEDOT를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of the effect of reducing surface resistivity when forming the release layer 16 containing a conductive polymer, it is preferable to include PEDOT.

[0028] 도전성 폴리머의 총량에 대한 PEDOT의 함유율은, 80질량% 이상인 것이 바람직하고, 90질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 95질량% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100질량%여도 된다.[0028] The content of PEDOT relative to the total amount of the conductive polymer is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, even more preferably 95% by mass or more, and may be 100% by mass.

[0029] 도전성 폴리머 함유층에 포함되는 도전성 폴리머의 함유율은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 20질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 30질량% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 70질량% 이상인 것이 매우 바람직하고, 100질량%여도 된다.[0029] The content of the conductive polymer contained in the conductive polymer-containing layer is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, further preferably 30% by mass or more, and especially preferably 50% by mass or more, It is very preferable that it is 70 mass% or more, and 100 mass% may be sufficient.

[0030] 도전성 폴리머 함유층은, 바인더 수지를 더 함유해도 된다. 도전성 폴리머 함유층이 도전성 폴리머뿐만 아니라 바인더 수지를 더 포함하면, 도전성 폴리머 함유층의 밀착성이 향상되어, 도전성 폴리머 함유층의 박리가 억제되고, 시간이 경과되더라도 대전 방지가 유지되기 쉽다.[0030] The conductive polymer-containing layer may further contain a binder resin. When the conductive polymer-containing layer further contains a binder resin in addition to the conductive polymer, the adhesion of the conductive polymer-containing layer is improved, peeling of the conductive polymer-containing layer is suppressed, and antistatic properties are likely to be maintained even over time.

도전성 폴리머 함유층에 함유되는 바인더 수지로서는, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 아크릴-우레탄계 수지 등을 들 수 있다. 도전성 폴리머 함유층에 있어서, 바인더 수지는 1종을 단독으로 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the binder resin contained in the conductive polymer-containing layer include acrylic resin, styrene-based resin, and acrylic-urethane-based resin. In the conductive polymer-containing layer, one type of binder resin may be used individually or two or more types may be used in combination.

[0031] 바인더 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 1만 이상이어도 되고, 5만 이상이어도 되고, 10만 이상이어도 된다. 상한은 예컨대 100만이어도 된다.[0031] The weight average molecular weight of the binder resin is not particularly limited, and may be, for example, 10,000 or more, 50,000 or more, or 100,000 or more. The upper limit may be, for example, 1 million.

도전성 폴리머 함유층이 바인더 수지를 함유하는 경우, 도전성 폴리머 함유층에 포함되는 바인더 수지의 함유율은, 5질량% 이상인 것이 바람직하고, 30질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 60질량% 이상인 것이 특히 바람직하다.When the conductive polymer-containing layer contains a binder resin, the content of the binder resin contained in the conductive polymer-containing layer is preferably 5% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, even more preferably 50% by mass or more, and 60 It is particularly preferable that it is % by mass or more.

또한, 도전성 폴리머 함유층에 포함되는 바인더 수지의 함유율은, 90질량% 이하인 것이 바람직하고, 80질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 70질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.Additionally, the content of the binder resin contained in the conductive polymer-containing layer is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, and more preferably 70% by mass or less.

[0032] 도전성 폴리머 함유층에 함유되는 도전성 폴리머는, 미리 물에 분산된 분산액 상태의 것을 이용해도 되고, 미리 용제에 용해된 용액 상태의 것을 이용해도 된다. 도전성 폴리머가 미리 물에 분산된 분산액 상태의 것을 이용하는 경우에는, 바인더 수지에 대해서도 미리 물에 분산된 분산액 상태의 것을 이용해도 된다.[0032] The conductive polymer contained in the conductive polymer-containing layer may be in the form of a dispersion previously dispersed in water, or may be in the form of a solution previously dissolved in a solvent. When the conductive polymer is used in a dispersion state in which the conductive polymer is previously dispersed in water, a dispersion state in which the conductive polymer is previously dispersed in water may be used as the binder resin.

[0033] 도전성 폴리머 함유층의 두께는, 특별히 한정되지 않으며, 금속 증착층의 경우에는, 기재층(12)으로부터의 도전층(14)의 박리 또는 도전층(14)의 결락이 쉽게 일어나지 않는다는 관점에서 보면, 10㎚∼100㎚가 바람직하고, 30㎚∼70㎚가 보다 바람직하고, 40㎚∼60㎚가 더욱 바람직하다. 도전성 폴리머 함유층의 경우에는, 이형층의 표면 저항률의 관점에서 보면, 도전층(14)의 두께는, 50㎚∼500㎚가 바람직하고, 70㎚∼400㎚가 보다 바람직하고, 100㎚∼300㎚가 더욱 바람직하다.[0033] The thickness of the conductive polymer-containing layer is not particularly limited, and in the case of a metal vapor deposition layer, from the viewpoint that peeling of the conductive layer 14 from the base layer 12 or missing of the conductive layer 14 does not easily occur. In view, 10 nm to 100 nm is preferable, 30 nm to 70 nm is more preferable, and 40 nm to 60 nm is still more preferable. In the case of a conductive polymer-containing layer, from the viewpoint of the surface resistivity of the release layer, the thickness of the conductive layer 14 is preferably 50 nm to 500 nm, more preferably 70 nm to 400 nm, and 100 nm to 300 nm. is more preferable.

[0034] 도전성 폴리머 함유층의 두께는, 도전층의 유무에 따른 중량의 차이를 측정하는 방법인, 중량법에 의해 측정해도 된다.[0034] The thickness of the conductive polymer-containing layer may be measured by the gravimetric method, which is a method of measuring the difference in weight depending on the presence or absence of the conductive layer.

[0035] [기재층][0035] [Base layer]

기재층(12)은, 이형층(16) 및 도전층(14)을 지지한다. 이형 필름(10)이 기재층(12)을 가지고 있음으로써, 이형 필름(10)에 필요한 강도가 부여되고, 또한 그 재질을 적절히 선택함으로써 신장률, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다.The base material layer 12 supports the release layer 16 and the conductive layer 14. When the release film 10 has the base material layer 12, the required strength is provided to the release film 10, and physical properties such as elongation and elastic modulus can be adjusted by appropriately selecting the material.

[0036] 기재층(12)으로서는 특별히 한정되지 않으며, 본 기술 분야에서 사용되고 있는 수지 함유 기재로부터 선택할 수 있다. 금형의 형상에 대한 추종성의 관점에서 보면, 연신성이 우수한 수지 함유 기재가 바람직하다.[0036] The substrate layer 12 is not particularly limited and can be selected from resin-containing substrates used in the present technical field. From the viewpoint of followability to the shape of the mold, a resin-containing base material with excellent stretchability is preferable.

[0037] 기재층(12)의 재질로서 구체적으로는, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르에테르, 폴리아미드이미드, 불소 함유 수지, 열가소성 엘라스토머 등의 수지를 들 수 있다. 기재층(12)에 포함되는 수지는 1종만이어도 되고 2종 이상이어도 된다.[0037] Specific examples of the material of the base layer 12 include, for example, polyester such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, polyimide, polyamide, polyester ether, polyamideimide, and fluorine. Resins such as oleoresins and thermoplastic elastomers can be mentioned. The number of resins contained in the base material layer 12 may be one, or two or more types may be used.

[0038] 기재층(12)은, 반도체 패키지의 수지 성형이 고온(100℃∼200℃ 정도)에서 행해지는 것을 고려하면, 이 온도 이상의 내열성을 가지는 것이 바람직하다. 이형 필름(10)을 금형에 장착할 때 및 성형 시에 수지가 유동할 때, 시일 수지의 주름, 이형 필름(10)의 찢어짐 등의 발생을 억제하기 위해, 고온 시의 탄성률, 신장 등을 고려하여 선택하는 것이 바람직하다.[0038] Considering that resin molding of semiconductor packages is performed at high temperatures (about 100°C to 200°C), the base layer 12 preferably has heat resistance above this temperature. When attaching the release film 10 to the mold and when the resin flows during molding, the elastic modulus and elongation at high temperatures are taken into consideration in order to suppress the occurrence of wrinkles in the seal resin and tearing of the release film 10. It is advisable to choose this.

[0039] 기재층(12)의 재료는, 내열성 및 고온 시의 탄성률의 관점에서 보면, 폴리에스테르 수지인 것이 바람직하다. 폴리에스테르 수지로서는, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 이들의 공중합체 또는 변성 수지를 들 수 있다.[0039] The material of the base layer 12 is preferably polyester resin from the viewpoint of heat resistance and elastic modulus at high temperatures. Examples of the polyester resin include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and copolymers or modified resins thereof.

[0040] 기재층(12)으로서는, 폴리에스테르 수지를 성형한 폴리에스테르 필름이 바람직하고, 금형에 대한 추종성의 관점에서 보면, 2축 연신 폴리에스테르 필름이 보다 바람직하다.[0040] As the base layer 12, a polyester film formed by molding a polyester resin is preferable, and from the viewpoint of mold followability, a biaxially stretched polyester film is more preferable.

[0041] 기재층(12)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 10㎛∼300㎛가 바람직하고, 20㎛∼100㎛가 보다 바람직하다. 기재층(12)의 두께가 10㎛ 이상이면, 기재층(12) 및 이형 필름(10)이 쉽게 찢어지지 않아 취급성이 우수하다. 기재층(12)의 두께가 100㎛ 이하이면, 금형에 대한 기재층(12) 및 이형 필름(10)의 추종성이 우수하기 때문에, 성형된 반도체 패키지의 주름 등의 발생이 억제된다.[0041] The thickness of the base layer 12 is not particularly limited, and is preferably 10 μm to 300 μm, and more preferably 20 μm to 100 μm. If the thickness of the base layer 12 is 10 μm or more, the base layer 12 and the release film 10 are not easily torn and thus have excellent handleability. If the thickness of the base layer 12 is 100 μm or less, the followability of the base layer 12 and the release film 10 to the mold is excellent, and therefore the occurrence of wrinkles in the molded semiconductor package is suppressed.

[0042] 기재층(12)은, 1층으로만 구성되어도 되고, 2층 이상으로 구성되어도 된다. 2층 이상으로 구성되는 기재층(12)을 얻는 방법으로서는, 각 층의 재료를 동시압출법(co-extrusion method)으로 압출하여 제작하는 방법, 2장 이상의 필름을 적층(lamination)하는 방법 등을 들 수 있다.[0042] The base material layer 12 may be composed of only one layer or may be composed of two or more layers. Methods for obtaining the base layer 12 composed of two or more layers include a method of extruding the material of each layer by a co-extrusion method, a method of laminating two or more films, etc. I can hear it.

[0043] 기재층(12)에 있어서 도전층(14)이 형성되는 측의 면은, 도전층(14)에 대한 밀착력을 향상시키기 위한 처리가 실시되어 있어도 된다. 처리의 방법으로서는, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등의 표면 처리, 언더코팅제(프라이머)의 도포 등을 들 수 있다.[0043] The surface of the base layer 12 on which the conductive layer 14 is formed may be treated to improve adhesion to the conductive layer 14. Treatment methods include surface treatment such as corona treatment and plasma treatment, and application of an undercoating agent (primer).

[0044] 필요에 따라, 기재층(12)의 배면(背面)(피부착면에 부착하는 측과는 반대의 면)에, 이형 필름(10)의 롤(roll)로부터의 풀림(unwinding)성을 조절하기 위한 배면 처리제가 부여되어 있어도 된다. 배면 처리제로서는, 실리콘 수지, 불소 함유 수지, 폴리비닐알코올, 알킬기를 가지는 수지 등을 들 수 있다. 필요에 따라, 이들 배면 처리제는 변성 처리가 되어도 된다. 배면 처리제는, 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.[0044] If necessary, the ability to unwind from the roll of the release film 10 on the back side of the base layer 12 (the side opposite to the side to which it is attached) A backing treatment agent may be applied to control . Examples of the back treatment agent include silicone resin, fluorine-containing resin, polyvinyl alcohol, and resin having an alkyl group. If necessary, these back treatment agents may be modified. As for the backing treatment agent, only one type may be used or two or more types may be used in combination.

[0045] [이형 필름의 물성 등][0045] [Physical properties of release film, etc.]

이형 필름(10)의 전체 두께는 특별히 제한되지 않으며, 원하는 물성(신장률, 탄성률 등)에 따라 설정할 수 있다. 예컨대, 30㎛∼300㎛여도 되고, 35㎛∼250㎛여도 되고, 40㎛∼200㎛여도 된다.The overall thickness of the release film 10 is not particularly limited and can be set according to desired physical properties (elongation rate, elastic modulus, etc.). For example, it may be 30 μm to 300 μm, 35 μm to 250 μm, or 40 μm to 200 μm.

[0046] 본 개시의 이형 필름(10)은, 이형층(16) 측의 표면 저항률이 1.0×10⁹(Ω/sq) 이하인 것이 바람직하고, 1.0×10⁸(Ω/sq) 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.0×10⁷(Ω/sq) 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이형층(16) 측의 표면 저항률은, 이형층(16)의 도전성 폴리머의 함유율을 바꿈으로써 조정 가능하다.[0046] The release film 10 of the present disclosure preferably has a surface resistivity on the release layer 16 side of 1.0×10 ⁹ (Ω/sq) or less, and more preferably 1.0×10 ⁸ (Ω/sq) or less. And, it is more preferable that it is 1.0×10 ⁷ (Ω/sq) or less. The surface resistivity on the side of the release layer 16 can be adjusted by changing the content of the conductive polymer in the release layer 16.

[0047] 이형 필름(10)의 이형층(16) 측의 표면 저항률은, 하기의 측정 방법에 의해 측정한 값이다.[0047] The surface resistivity of the release layer 16 side of the release film 10 is a value measured by the following measurement method.

절연 저항계의 측정대(臺) 상에, 이형층(16)을 위로 해서 이형 필름(10)을 놓고, 이형 필름(10) 상에 외경이 50㎜인 원형 전극과, 내경이 70㎜이고 외경이 80㎜인 링 형상 전극을 놓는다. 이때, 원형 전극의 중심과 링 형상 전극의 중심을 일치시킨다. 양(兩) 전극에 단자를 연결하여, 전압 100V, 측정 시간 1분으로 표면 저항(Ω)을 측정하고, 하기의 식으로부터 표면 저항률(Ω/sq)을 산출한다. 측정 환경은, 온도 23±2℃, 상대 습도 50±10%이다.On the measuring table of the insulation resistance meter, the release film 10 is placed with the release layer 16 facing upward, and on the release film 10, a circular electrode with an outer diameter of 50 mm, an inner diameter of 70 mm, and an outer diameter of 70 mm are placed. Place a ring-shaped electrode measuring 80 mm. At this time, the center of the circular electrode and the center of the ring-shaped electrode are aligned. Terminals are connected to both electrodes, the surface resistance (Ω) is measured at a voltage of 100 V and a measurement time of 1 minute, and the surface resistivity (Ω/sq) is calculated from the following equation. The measurement environment is a temperature of 23±2°C and a relative humidity of 50±10%.

표면 저항률＝π×(D＋d)/(D－d)×RSurface resistivity = π × (D + d)/(D – d) × R

여기서, π: 원주율, D: 링 형상 전극의 내경, d: 원형 전극의 외경, R: 표면 저항이다.Here, π: pi, D: inner diameter of the ring-shaped electrode, d: outer diameter of the circular electrode, and R: surface resistance.

[0048] [이형 필름의 제조 방법][0048] [Method for manufacturing release film]

본 개시의 이형 필름(10)은, 기재층(12)이 되는 기재 상에 도전층(14)을 형성하고, 나아가, 도전층(14) 상에 이형층(16)을 형성함으로써 얻어진다. 도전층(14)은, 예컨대, 증착법, 라미네이트법, 코팅법(塗工法)에 의해 기재 상에 형성할 수 있다. 이형층(16)은, 예컨대, 도전성 폴리머와 수지 성분과 용매를 포함하는 조성물을 도전층(14) 상에 도포하고 열경화시켜 형성할 수 있다. 도전성 폴리머는 미리 용제에 용해된 용액 상태의 것을 이용해도 된다. 이형층(16)은, 박리 시트 상에 별도 형성하고, 열압착에 의해 도전층(14) 상에 적층해도 된다.The release film 10 of the present disclosure is obtained by forming a conductive layer 14 on a base material that becomes the base material layer 12, and further forming a release layer 16 on the conductive layer 14. The conductive layer 14 can be formed on the substrate by, for example, a vapor deposition method, a lamination method, or a coating method. The release layer 16 can be formed, for example, by applying a composition containing a conductive polymer, a resin component, and a solvent onto the conductive layer 14 and thermally curing it. The conductive polymer may be used in a solution state that has previously been dissolved in a solvent. The release layer 16 may be formed separately on the release sheet and laminated on the conductive layer 14 by thermocompression.

[0049] 본 개시의 이형 필름(10)은, 필요에 따라, 도전층(14)과 기재층(12) 사이에 착색층 등의 층을 형성해도 된다.[0049] In the release film 10 of the present disclosure, if necessary, a layer such as a colored layer may be formed between the conductive layer 14 and the base layer 12.

[0050] [이형 필름의 용도][0050] [Use of release film]

본 개시의 이형 필름(10)은, 예컨대, 반도체 칩을 시일재로 시일할 때 이용한다. 본 개시의 이형 필름(10)은, 트랜스퍼 몰딩 또는 컴프레션 몰딩에 이용되는 것이 바람직하다. 본 개시의 이형 필름(10)을 이용함으로써, 반도체 칩으로부터 박리할 때의 대전 및 방전을 충분히 억제할 수 있기 때문에, 노출 성형에도 적합하게 이용할 수 있다.The release film 10 of the present disclosure is used, for example, when sealing a semiconductor chip with a sealant. The release film 10 of the present disclosure is preferably used for transfer molding or compression molding. By using the release film 10 of the present disclosure, charging and discharge when peeling from a semiconductor chip can be sufficiently suppressed, so it can be suitably used for exposure molding.

[0051] <반도체 패키지의 제조 방법> [0051] <Method of manufacturing semiconductor package>

본 개시의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 본 개시의 이형 필름(10)을 이용하여 트랜스퍼 몰딩 공정 또는 컴프레션 몰딩 공정을 행한다. 노출 성형에 있어서 본 발명의 이형 필름(10)을 이용하는 반도체 패키지의 제조 방법을 도 2에 개략적으로 나타낸다.In the method for manufacturing a semiconductor package of the present disclosure, a transfer molding process or a compression molding process is performed using the release film 10 of the present disclosure. A method of manufacturing a semiconductor package using the release film 10 of the present invention in exposure molding is schematically shown in FIG. 2.

[0052] 도 2의 (A)에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 롤(20, 21)에 건너질러 걸린 전술한 본 개시의 이형 필름(10)을 성형 장치의 금형의 상부 몰드(上型)(30)의 형상을 따르게 하여 배치한다. 배치할 때, 이형 필름(10)에는 주름이 지지 않도록 주의한다. 진공 흡착 등에 의해 상부 몰드(30)에 추종시켜도 된다.[0052] As shown in Figure 2 (A), the above-described release film 10 of the present disclosure, which is hung across a pair of rolls 20 and 21, is placed in the upper mold (upper mold) of the mold of the molding device. Arrange it according to the shape of 30). When placing, be careful not to wrinkle the release film 10. It may be made to follow the upper mold 30 by vacuum adsorption or the like.

[0053] 금형의 하부 몰드(下型)(32) 내에는, 기판(40) 상에 탑재된 반도체 칩(42)을 반도체 칩(42) 측이 상측 방향이 되도록 배치한다. 반도체 칩으로서는, 예컨대, 반도체 소자, 콘덴서, 단자 등을 들 수 있다.[0053] In the lower mold 32 of the mold, the semiconductor chip 42 mounted on the substrate 40 is placed so that the semiconductor chip 42 side is facing upward. Examples of semiconductor chips include semiconductor elements, condensers, terminals, etc.

[0054] 그리고, 도 2의 (B)에 나타낸 바와 같이, 상부 몰드(30)와 하부 몰드(32)를 닫는다. 이 상태에서는, 이형 필름(10)과 반도체 칩(42)이 접촉한다. 금형을 닫고 나서 용융된 시일재(50)를 금형 내의 공간에 주입하여, 반도체 칩을 시일재로 시일한다. 시일재의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예컨대, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있다.[0054] Then, as shown in (B) of FIG. 2, the upper mold 30 and the lower mold 32 are closed. In this state, the release film 10 and the semiconductor chip 42 are in contact with each other. After the mold is closed, the molten sealant 50 is injected into the space within the mold, and the semiconductor chip is sealed with the sealant. The type of sealing material is not particularly limited, and examples include resin compositions containing epoxy resin, acrylic resin, etc.

반도체 칩을 시일한 후, 도 2의 (C)에 나타낸 바와 같이 금형을 개방하여, 반도체 칩이 시일재로 시일된 반도체 패키지를 추출한다. 금형을 개방하면, 이형 필름(10)이 반도체 칩(42)으로부터 벗겨진다.After sealing the semiconductor chip, the mold is opened as shown in FIG. 2(C), and the semiconductor package with the semiconductor chip sealed with the sealing material is extracted. When the mold is opened, the release film 10 is peeled off from the semiconductor chip 42.

[0055] 본 개시의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 본 개시의 이형 필름(10)을 이용하기 때문에, 반도체 칩으로부터 박리할 때의 대전 및 방전을 충분히 억제할 수 있다. 그 때문에, 종래의 사이즈의 반도체 칩의 시일에 적용할 수 있을 뿐만 아니라, 보다 작은 사이즈의 반도체 칩의 시일에도 적합하게 적용할 수 있다. 예컨대, 10㎜×10㎜ 이하의 사이즈인 반도체 칩의 시일에도 적용 가능하다.[0055] In the method for manufacturing a semiconductor package of the present disclosure, since the release film 10 of the present disclosure is used, charging and discharge during peeling from the semiconductor chip can be sufficiently suppressed. Therefore, not only can it be applied to the seal of a conventional size semiconductor chip, but it can also be suitably applied to the seal of a smaller size semiconductor chip. For example, it can also be applied to the seal of a semiconductor chip with a size of 10 mm x 10 mm or less.

[0056] 또한, 대전 및 방전의 발생이 억제되면, 반도체 칩의 표면에 있어서의 버의 발생이 억제되는 경향이 있다. 따라서, 본 개시의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 반도체 패키지의 제조 수율이 향상된다.[0056] Additionally, when the generation of charging and discharge is suppressed, the generation of burrs on the surface of the semiconductor chip tends to be suppressed. Therefore, in the semiconductor package manufacturing method of the present disclosure, the manufacturing yield of the semiconductor package is improved.

[0057] 반도체 칩을 시일한 후, 이형 필름(10)은 롤투롤(roll-to-roll)로 감겨져, 새로운 면이 상부 몰드(30)에 설치된다. 이와 같이 롤투롤의 경우, 이형 필름(10)은 연속적으로 사용된다.[0057] After sealing the semiconductor chip, the release film 10 is wound roll-to-roll, and a new surface is installed in the upper mold 30. In this way, in the case of roll-to-roll, the release film 10 is used continuously.

[실시예][Example]

[0058] 이하에서는, 상기 실시형태를 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 상기 실시형태의 범위는 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.[0058] Hereinafter, the above-described embodiment will be described in detail through examples, but the scope of the above-mentioned embodiment is not limited to these examples.

[0059] <실시예 1> [0059] <Example 1>

[기재의 준비 및 도전층의 형성][Preparation of base material and formation of conductive layer]

SMH-38(UNITIKA LTD.제, PET 필름, 한 면(片面)은 경면이고 한 면은 매트한 면인 사양)을 준비하였다. 이 PET 필름의 경면에 PEDOT(1-메톡시-2-프로판올에 용해 가능)를 도포하여, 두께 200㎚의 도전층을 형성하였다.SMH-38 (manufactured by UNITIKA LTD., PET film, specifications in which one side is a mirror surface and one side is a matte surface) was prepared. PEDOT (soluble in 1-methoxy-2-propanol) was applied to the mirror surface of this PET film to form a conductive layer with a thickness of 200 nm.

[0060] [이형층의 형성][0060] [Formation of release layer]

S-43(Soken Chemical & Engineering Co., Ltd.제, 아크릴산에스테르 공중합물) 100질량부, CORONATE L(Tosoh Corporation제, 다관능 이소시아네이트 가교제) 10질량부, 톨루엔 90질량부, 메틸에틸케톤 10질량부를 교반하여, 혼합물을 조제하였다.100 parts by mass of S-43 (acrylic acid ester copolymer, manufactured by Soken Chemical & Engineering Co., Ltd.), 10 parts by mass of CORONATE L (polyfunctional isocyanate crosslinking agent, manufactured by Tosoh Corporation), 90 parts by mass of toluene, 10 parts by mass of methyl ethyl ketone The part was stirred to prepare a mixture.

이 혼합물에, 1-메톡시-2-프로판올에 용해한 PEDOT를 첨가하였다. PEDOT의 첨가량은, 용제를 제외한 고형물 성분(수지 성분인 아크릴산에스테르 공중합물, 가교제, 및 PEDOT)의 총량에 대한 PEDOT의 함유율이 1질량%가 되는 양으로 하였다.To this mixture, PEDOT dissolved in 1-methoxy-2-propanol was added. The amount of PEDOT added was such that the content of PEDOT was 1% by mass relative to the total amount of solid components (acrylic acid ester copolymer as a resin component, crosslinking agent, and PEDOT) excluding the solvent.

상기에서 준비한 도전층 상에 이형층 조성물 1을 바코터로 도포하였다. 이형층 조성물 1을 도포한 필름을 미리 120℃로 가온한 방폭(防爆) 오븐 안에 넣고, 2분 후에 꺼냈다. 이렇게 해서 도전층 상에 이형층을 형성하여, 이형 필름을 얻었다. 이형층의 두께는 3㎛였다.Release layer composition 1 was applied on the conductive layer prepared above using a bar coater. The film coated with release layer composition 1 was placed in an explosion-proof oven previously heated to 120°C and taken out after 2 minutes. In this way, a release layer was formed on the conductive layer, and a release film was obtained. The thickness of the release layer was 3㎛.

[0061] <실시예 2∼5> [0061] <Examples 2 to 5>

실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 단, 이형층 조성물 1에 있어서 고형물 성분의 총량에 대한 PEDOT의 함유율을 2, 3, 4, 또는 5질량%가 되는 양으로 변경하여, 이형 필름을 얻었다.A release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that the content of PEDOT relative to the total amount of solid components in release layer composition 1 was changed to 2, 3, 4, or 5% by mass.

[0062] <비교예 1> [0062] <Comparative Example 1>

실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 단, 이형층 조성물 1에 있어서 PEDOT를 첨가하지 않고, 이형 필름을 얻었다.A release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that PEDOT was not added to the release layer composition 1.

[0063] <평가> [0063] <Evaluation>

(표면 저항률의 측정)(Measurement of surface resistivity)

실시예 1∼5 및 비교예 1의 각 이형 필름에 대해 상술한 방법으로 표면 저항률을 측정하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.The surface resistivity of each release film of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 was measured by the method described above. The evaluation results are shown in Table 1.

[0064] (밀착성의 확인)[0064] (Confirmation of adhesion)

이형 필름에 대해, JIS(일본 공업 규격) K5600(1999년 크로스 컷법)에 준거한 크로스 컷 테스트를 행하였다. 크로스 컷 테스트에서는, 컷 간격을 2㎜로 하여, 2㎜×2㎜의 정사각형 격자를 10개 형성하였다. 이 10개의 격자 중, 각 층 사이에서 벗겨짐이 인정되지 않은 개수(개/10개)를 확인하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.For the release film, a cross-cut test based on JIS (Japanese Industrial Standards) K5600 (1999 cross-cut method) was performed. In the cross cut test, 10 square grids of 2 mm x 2 mm were formed with a cut interval of 2 mm. Among these 10 grids, the number (units/10) in which peeling was not recognized between each layer was confirmed. The evaluation results are shown in Table 1.

[0065] (금속으로의 이행성 시험)[0065] (transferability test to metal)

반도체 칩에 대한 잔여물을 상정(想定)하고, 이하의 이행성 시험을 행하였다. Oji Machine Co., Ltd.제의 26t 성형기를 이용하였다. 경면 사양인 SUS 표면에, 이형 필름의 이형층을 밀착시켜, 온도 180℃, 압력 32㎫, 시간 5분으로 시험을 실시하였다. 처리 후, 이형 필름을 박리하여 SUS 표면으로의 이형층의 전착(轉着; 옮겨 붙음)을 육안으로 확인하였다.Assuming the residue on a semiconductor chip, the following transferability test was performed. A 26t molding machine manufactured by Oji Machine Co., Ltd. was used. The release layer of the release film was brought into close contact with the SUS surface of mirror specifications, and a test was performed at a temperature of 180°C, a pressure of 32 MPa, and a time of 5 minutes. After treatment, the release film was peeled off and the electrodeposition of the release layer onto the SUS surface was visually confirmed.

[0066] (시일재로의 이행성 시험)[0066] (Transferability test to sealant)

경화된 시일재에 대한 잔여물을 상정하고, 이하의 이행성 시험을 행하였다. Oji Machine Co., Ltd.제의 26t 성형기를 이용하였다. 이형 필름의 이형층면에 경화 전의 시일재를 약 10g 정도 뿌리고, 온도 180℃, 압력 32㎫, 시간 5분으로 시험을 실시하였다. 처리 후, 이형 필름을 박리하여 경화된 시일재 표면으로의 이형층의 전착을 육안으로 확인하였다.Assuming residues on the cured sealant, the following migration test was performed. A 26t molding machine manufactured by Oji Machine Co., Ltd. was used. Approximately 10 g of the sealant before curing was sprinkled on the release layer surface of the release film, and a test was performed at a temperature of 180°C, a pressure of 32 MPa, and a time of 5 minutes. After treatment, the release film was peeled off and the electrodeposition of the release layer onto the surface of the cured sealant was visually confirmed.

[0067] [표 1][0067] [Table 1]

[0068] 비교예 1은 이형층 측의 표면 저항률이 1.0×10⁹(Ω/sq)을 초과하고 있어, 이형층 측의 표면 저항률이 크다. 이에 반해, 실시예 1∼5는 모두 표면 저항률이 1.0×10⁹(Ω/sq) 미만으로, 이형층 측의 표면 저항률이 효과적으로 저하되어 있다. 따라서, 실시예 1∼5의 이형 필름은 대전 방지 성능이 우수함을 알 수 있다.[0068] In Comparative Example 1, the surface resistivity on the release layer side exceeds 1.0×10 ⁹ (Ω/sq), and the surface resistivity on the release layer side is large. On the other hand, in Examples 1 to 5, the surface resistivity was less than 1.0×10 ⁹ (Ω/sq), and the surface resistivity on the release layer side was effectively reduced. Therefore, it can be seen that the release films of Examples 1 to 5 have excellent antistatic performance.

[0069] 또한, 실시예 1∼5는 모두 기재층과 도전층 사이, 및 도전층과 이형층 사이에서의 박리가 보이지 않았다. 또한, 실시예 1∼5는 모두 금속 및 경화된 시일재로의 이형 필름의 이형층의 전착은 보이지 않았다. 따라서, 실시예 1∼5의 이형 필름은, 이형성이 유지되고 있음을 알 수 있다.[0069] In addition, in Examples 1 to 5, no peeling was observed between the base layer and the conductive layer or between the conductive layer and the release layer. In addition, in all of Examples 1 to 5, electrodeposition of the release layer of the release film onto the metal and the cured sealant was not observed. Therefore, it can be seen that the release films of Examples 1 to 5 maintain release properties.

[0070] 10: 이형 필름
12: 기재층
14: 도전층
16: 이형층
20, 21: 롤
30: 상부 몰드
32: 하부 몰드
40: 기판
42: 반도체 칩[0070] 10: Release film
12: Base layer
14: Conductive layer
16: release layer
20, 21: roll
30: upper mold
32: lower mold
40: substrate
42: semiconductor chip

Claims

이형층과 도전층과 기재층(基材層)을 이 순서대로 가지며,
상기 이형층이 도전성 폴리머를 포함하는, 반도체 성형용 이형 필름.It has a release layer, a conductive layer, and a base layer in this order,
A release film for semiconductor molding, wherein the release layer contains a conductive polymer.

제1항에 있어서,
상기 도전성 폴리머가 폴리에틸렌디옥시티오펜을 포함하며, 상기 도전층이 폴리에틸렌디옥시티오펜을 포함하는, 반도체 성형용 이형 필름.According to paragraph 1,
A release film for semiconductor molding, wherein the conductive polymer contains polyethylenedioxythiophene, and the conductive layer contains polyethylenedioxythiophene.

제1항에 있어서,
상기 도전성 폴리머가 1-메톡시-2-프로판올에 용해 가능한 폴리에틸렌디옥시티오펜을 포함하는, 반도체 성형용 이형 필름.According to paragraph 1,
A release film for semiconductor molding, wherein the conductive polymer includes polyethylenedioxythiophene soluble in 1-methoxy-2-propanol.

제1항에 있어서,
상기 이형층 측의 표면 저항률이 1×10⁹Ω/sq 이하인, 반도체 성형용 이형 필름.According to paragraph 1,
A release film for semiconductor molding, wherein the surface resistivity of the release layer side is 1×10 ⁹ Ω/sq or less.

제1항에 있어서,
상기 이형층에 포함되는 상기 도전성 폴리머의 함유율이, 상기 이형층의 총량에 대해 0.5질량% 이상인, 반도체 성형용 이형 필름.According to paragraph 1,
A release film for semiconductor molding, wherein the content of the conductive polymer contained in the release layer is 0.5% by mass or more with respect to the total amount of the release layer.

제1항에 있어서,
트랜스퍼 몰딩 또는 컴프레션 몰딩에 이용되는, 반도체 성형용 이형 필름.According to paragraph 1,
A release film for semiconductor molding used in transfer molding or compression molding.

제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 성형용 이형 필름을 이용하여, 트랜스퍼 몰딩 공정 또는 컴프레션 몰딩 공정을 행하는, 반도체 패키지의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor package, comprising performing a transfer molding process or a compression molding process using the release film for semiconductor molding according to any one of claims 1 to 6.

제7항에 있어서,
상기 트랜스퍼 몰딩 공정 또는 상기 컴프레션 몰딩 공정에 있어서, 노출 성형을 행하는, 반도체 패키지의 제조 방법.In clause 7,
A method of manufacturing a semiconductor package, wherein exposure molding is performed in the transfer molding process or the compression molding process.