KR20240052291A - Ｅｕｖ 광원용 데브리스 쉴드 및 그 제작 방법 - Google Patents

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Abstract

EUV 광원에 대해 사용되는 데브리스 쉴드(Debris Shield)가 개시된다. 데브리스 쉴드는, EUV 광원으로부터 방출되는 데브리스(debris)를 차단하는 광투과막, 및 광투과막의 일면에 형성되는 지지막 패턴을 구비한다. 지지막 패턴은 광투과막을 노출시키는 다수의 광투과부를 갖는다. 광투과부는 상기 지지막 패턴에 의해 상호 고립된 형상, 예컨대 하니콤(honey-comb) 구조를 갖는다. 데브리스가 지속적으로 충돌하여 어느 하나의 광투과부에 파손이 발생하여도 데브리스 쉴드의 박막 전체의 파손은 발생하지 않는다. 또한 광투과막의 박막화가 가능하여 데브리스 쉴드의 투과율을 높일 수 있다.

Description

ＥＵＶ 광원용 데브리스 쉴드 및 그 제작 방법 {Debris Shield used for EUV Light Source, and Method for Manufacturing the same}
본 발명은 EUV 광원용 데브리스 쉴드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 극자외선 리소그래피에 사용되는 EUV 광원으로부터 방출되는 데브리스(debris)를 차단하여 포토마스크에 EUV 광을 조사시키는 데브리스 쉴드 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피(Photo-lithography)라고 불리는 노광(Exposure) 기술의 발달은 반도체 집적 회로의 고집적화(High integration)를 가능하게 하였다. 현재 상용화된 노광 공정은 193㎚의 ArF 파장을 이용하고 있으나, 더욱 미세화된 회로 선폭을 구현하기 위하여 매우 단파장인 13.5㎚ 파장을 노광 파장으로 사용하는 EUV 리소그래피 기술이 개발되고 있다.
도 1 은 EUV 광원으로부터 조사되는 EUV 광을 노광광으로 사용하여 웨이퍼에 EUV 광을 조사하는 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.
EUV 광원에서 방사되는 EUV 광은 포토마스크(P)를 거쳐 웨이퍼(W)에 조사된다. 포토마스크(P)에는 웨이퍼(W)에 전사될 패턴이 형성되어 있으며, 이에 따라 웨이퍼(W)에는 패턴의 형상에 따라 EUV 광이 선택적으로 조사되어 패턴이 형성된다.
일반적으로, EUV 광을 생성하기 위해서는 이온화된 플라즈마를 이용하는 방법이 널리 사용되고 있다. EUV 방출 타겟 물질로부터의 플라즈마 여기는 고전력 레이저빔(LLP : laser produced plasma)에 의해 또는 전극들 사이의 전기적 가스 방전(DPP : discharge produced plasma)에 의해 발생될 수 있다. 그런데, 플라즈마 광원은 단지 광자들을 방출할 뿐만 아니라, 소스 자체의 특성에 따라 Sn, Li, Sb, Xe 등과 같은 원하지 않는 물질, 즉 데브리스(debris)를 생성한다. 이러한 데브리스는 광학적 컴포넌트들에 응결하여 그 성능을 약화시킨다. 이러한 현상을 방지하기 위하여 EUV 광에 포함되어 있는 데브리스를 차단하는 데브리스 쉴드(debris shield)가 사용된다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 데브리스 쉴드(10)는 EUV 광이 높은 투과율로 투과되도록 매우 얇은 박막으로 구성되며 EUV 광의 조사 경로상에 설치된다. 이러한 박막 구조에 의하여, 데브리스 쉴드(10)는 EUV 광은 투과시키되 데브리스는 차단한다.
데브리스 쉴드(10)는 EUV 광원에 대한 높은 투과도와 높은 열을 견딜 수 있어야 하며, 그 외에도 균일성, 강도, 안정성, 내구성 등의 여러 요구 조건을 충족해야 한다. 특히, 데브리스 쉴드(10)는 상기한 바와 같은 데브리스를 효과적으로 차단해야 한다. 그런데, 데브리스 쉴드(10)가 사용되는 동안 지속적으로 데브리스가 충돌하며, 이에 의하여 데브리스 쉴드(10)가 파괴될 수 있다. 데브리스 쉴드(10)는 매우 얇은 박막으로 구성되므로 박막의 일 부위가 데브리스에 의해 천공되는 경우에도 전체 박막이 파손된다. 데브리스 쉴드(10)의 파괴를 방지하기 위하여 박막 두께를 두껍게 하거나 기계적 강도가 높은 재질로 박막을 형성할 수 있으나, 이 경우 EUV 광의 투과율이 낮아지는 문제가 발생한다.
본 발명은 데브리스 쉴드에 대해 요구되는 광학적 투과율을 확보하면서도 데브리스의 지속적 충돌 시에도 데브리스 쉴드의 파손을 효과적으로 방지할 수 있는 방안을 제공하는 것이다
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 데브리스 쉴드는, EUV 광원으로부터 방사되는 EUV 광이 투과되며 상기 EUV 광원으로부터 방출되는 데브리스(debris)를 차단하는 광투과막; 및 상기 광투과막의 일면에 형성되며 상기 광투과막을 노출시키는 다수의 광투과부를 갖는 지지막 패턴;을 포함한다. 이때, 적어도 일부의 상기 광투과부는 상기 지지막 패턴에 의해 상호 고립된 형상을 갖는다.
상기 지지막 패턴은 격자상으로 형성될 수 있고, 상기 광투과부가 육각형의 평단면을 갖도록 하니콤(honey-comb) 구조를 갖도록 형성될 수도 있다.
상기 광투과막은 Si, B, Y, Zr, Nb, Zn, Ru, Mo 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 광투과막은 SiN 을 포함한다.
상기 광투과막은 30~60nm 의 두께를 갖는다.
상기 광투과막은 상기 EUV 광에 대하여 70% 이상의 투과율을 갖는다.
상기 지지막 패턴은 Si, Cu, Al, Ti, Ta, Au 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 지지막 패턴은 다결정 Si 를 포함할 수 있다.
상기 지지막 패턴은 2~10㎛ 의 두께 및 5~50㎛ 의 폭을 갖는다.
상기 광투과부는 내접하는 원의 지름이 5㎛ 이상인 크기를 갖는다.
상기 광투과부는 상기 광투과막의 전체 면적의 70% 이상이 노출되도록 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 데브리스 쉴드는, 상기 광투과막과 상기 지지막 패턴 사이에 형성되는 식각저지막을 상기 지지막 패턴과 동일한 패턴으로 식각하여 형성되는 식각저지막 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 식각저지막 패턴은 SiO 를 포함한다.
본 발명의 데브리스 쉴드는, 상기 광투과막의 타면에 형성되는 캡핑막을 더 포함할 수 있다.
상기 캡핑막은 Ru, Mo, Zr, Zn 중 하나 이상을 포함하거나, 이 물질에 Si, C, N 중 하나 이상을 더 포함한다.
상기 캡핑막은 5nm 이하의 두께를 갖는다.
본 발명의 다른 측면에 의하면 EUV 광원에 대해 사용되는 데브리스 쉴드(Debris Shield) 제작 방법이 제공된다. 상기 방법은, a) 상기 EUV 광원으로부터 방사되는 EUV 광이 투과되며 상기 EUV 광원으로부터 방출되는 데브리스(debris)를 차단하는 광투과막을 기판상에 형성하는 단계; b) 상기 광투과막상에 지지막을 형성하는 단계; c) 상기 지지막을 패터닝하여, 상기 광투과막을 노출시키는 다수의 광투과부를 갖는 지지막 패턴을 형성하는 단계; 및 d) 상기 기판을 식각하여 상기 광투과막을 지지하는 지지체를 형성하는 단계;를 포함한다. 이때 적어도 일부의 상기 광투과부는 상기 지지막 패턴에 의해 상호 고립된 형상을 갖는다.
상기 방법은, 상기 c) 단계 후에 상기 지지막 패턴의 외표면에 SiO2 로 형성된 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 상기 b) 단계 전에 상기 광투과막상에 SiO 를 포함하는 식각저지막을 형성하는 단계; 및 상기 d) 단계 후에 상기 지지막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각저지막을 식각하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 상기 d) 단계 후에 상기 광투과막의 하면에 Ru, Mo, Zr, Zn 중 하나 이상을 포함하거나 이 물질에 Si, C, N 중 하나 이상을 더 포함하는 캡핑막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 데브리스 쉴드의 구조에 의하면, 광투과막이 지지층 패턴에 의하여 다수의 고립된 광투과부를 갖도록 형성된다. 따라서 데브리스가 지속적으로 충돌하여 어느 하나의 광투과부에 파손이 발생하여도 데브리스 쉴드의 박막 전체의 파손은 발생하지 않는다. 또한 광투과막의 박막화가 가능하여 데브리스 쉴드의 투과율을 높일 수 있다.
또한 본 발명의 데브리스 쉴드 제작 공정에 의하면 데브리스 쉴드의 제작이 매우 효율적으로 이루어질 수 있다.
도 1 은 EUV 광원으로부터 조사되는 EUV 광을 노광광으로 사용하여 웨이퍼에 EUV 광을 조사하는 상태를 개략적으로 도시한 도면.
도 2 내지 도 13 은 본 발명에 따른 데브리스 쉴드 제작 과정을 순차적으로 도시한 도면.
도 14 내지 도 16 은 도 13 의 데브리스 쉴드의 지지막 패턴의 다양한 실시예를 도시한 도면.
이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 기술한다.
이하의 설명에서는, 먼저 도 13 내지 도 16 을 참조하여 본 발명에 따른 데브리스 쉴드의 구조를 설명한다. 도 13 은 본 발명에 따른 데브리스 쉴드의 구조를 도시한 도면이다.
본 발명의 데브리스 쉴드(Debris Shield)는, 지지체(11a), 광투과막(13), 식각저지막 패턴(15a), 지지막 패턴(17a), 및 캡핑막(20)을 포함하여 구성된다.
지지체(11a)는 실리콘 기판을 패터닝하여 형성되며, 그 상부의 광투과막(13), 식각저지막 패턴(15a), 및 지지막 패턴(17a)을 지지하는 기능을 한다.
광투과막(13)은 EUV 광원으로부터 방사되는 EUV 광이 투과되며, 또한 EUV 광원으로부터 방출되는 데브리스(debris)를 차단하는 기능을 한다.
광투과막(13)은 EUV 광을 손실 없이 투과시키기 위하여 높은 투과율을 갖는 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 광투과막(13)은 Si, B, Y, Zr, Nb, Zn, Ru, Mo 중 하나 이상을 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 또한 광투과막(13)은 이 물질에 O, N, C 중 하나 이상을 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 광투과막(13)은 SiN 으로 형성된다.
광투과막(13)은 EUV 광의 투과율을 높이기 위하여 얇은 두께를 갖는 것이 바람직하다. 광투과막(13)의 기계적 강도를 높이기 위해서는 일정 이상의 두께를 가져야 하나, 본 발명의 데브리스 쉴드(10)에서는 후술되는 바와 같은 지지막 패턴(17a)에 의하여 기계적 강도가 높아지므로 매우 박막화가 가능하고 이에 따라 높은 투과율의 확보가 가능하다. 본 발명에서 광투과막(13)은 30~60nm 의 두께를 갖는다.
본 발명의 광투과막(13)은 상기와 같은 재질 및 두께에 의하여 EUV 광에 대해 70% 이상의 투과율 확보가 용이하다.
지지막 패턴(17a)은 광투과막(13)의 상면에 형성되며 광투과막(13)을 노출시키는 다수의 광투과부(18)를 갖는다. 광투과부(18)는 지지막 패턴(17a)을 식각에 의해 패터닝함으로써 형성된다. 지지막 패턴(17a)은 광투과막(13)의 기계적 강도를 보완하는 기능을 한다. 도 13 에서는 지지막 패턴(17a)이 광투과막(13)의 상면에 형성된 예를 도시하고 있으나, 지지막 패턴(17a)은 광투과막(13)의 하면에 형성될 수도 있다.
지지막 패턴(17a)은 Si, Cu, Al, Ti, Ta, Au 중 하나 이상을 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 지지막 패턴(17a)은 다결정 실리콘(poly-Si)으로 형성된다. 다결정 Si 로 형성할 경우, 지지막 패턴(17a)의 형성 공정에서 지지막 패턴(17a)의 두께(도 13 에서 수직방향의 길이)를 두껍게 형성하기가 용이하다. 또한 지지막 패턴(17a)이 두꺼운 두께를 가지면 지지막 패턴(17a)이 형성된 영역에서 EUV 광의 투과율이 두께에 비례하여 감소할 수 있는데, 실리콘은 투과율이 높으므로 지지막 패턴(17a)이 두꺼워지더라도 투과율 손실이 최소화되는 장점이 있다. 본 발명에서 지지막 패턴(17a)은 2~10㎛ 의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 또한 지지막 패턴(17a)은 5~50㎛ 의 폭(도 13 에서 수평방향의 길이)을 갖는 것이 바람직하다.
식각저지막 패턴(15a)은 광투과막(13)과 지지막 패턴(17a) 사이에 형성되며, 지지막 패턴(17a)과 동일한 패턴을 갖는다. 식각저지막 패턴(15a)은 지지막 패턴(17a)의 형성을 위한 식각 공정에서 그 하부의 광투과막(13)을 보호하기 위해 형성한 식각저지막(도 4 내지 도 11 의 도면부호 15)을 패터닝함으로써 형성된다. 식각저지막 패턴(15a)은 그 하부의 광투과막(13)에 대해 식각선택비를 갖는 물질로 형성되며, 바람직하게는 SiO 로 형성된다. 식각저지막 패턴(15a)은 식각 시 광투과막(13)을 보호하기에 충분한 두께로 형성되며, 예컨대 50~150nm 의 두께, 바람직하게는 100nm 의 두께로 형성된다.
캡핑막(20)은 지지체(11a)가 식각에 의해 형성되어 광투과막(13)의 하면이 노출된 후에 광투과막(13)의 하면에 형성된다. 캡핑막(20)은 광투과막(13)의 열 방사 성능을 높이고 기계적 강도를 높이는 기능을 한다. 이를 위하여 캡핑막(20)은 Ru, Mo, Zr, Zn 중 하나 이상을 포함하거나, 이 물질에 Si, C, N 중 하나 이상을 더 포함하는 물질로 형성된다. 캡핑막(20)은 열 방사 성능과 기계적 강도를 높이는 데에 필요한 최소한의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명에서 캡핑막(20)은 5nm 이하의 두께를 갖는다.
상기와 같은 구성에서 광투과부(18)는 지지막 패턴(17a)에 의해 상호 고립된 형상을 갖는다. 도 14 내지 도 16 은 도 13 의 데브리스 쉴드(10)의 지지막 패턴(17a)의 다양한 실시예를 도시한 도면으로서, 도 13 의 상면을 도시한 도면이다.
도 14 에서, 지지막 패턴(17a)은 격자상으로 형성되어 있고, 이에 따라 각각의 광투과부(18)는 평단면이 사각형인 형상을 갖는다. 이와 같이 광투과부(18)들이 지지막 패턴(17a)에 의해 상호간에 고립되도록 형성되므로, 도 1 과 같은 상태에서 EUV 광에 포함된 데브리스에 의해 어느 하나의 광투과부(18)가 파괴되더라도 다른 광투과부(18)는 파괴되지 않는다. 따라서 전체 광투과막(13)이 파괴되지 않고 보호된다. 또한 격자상의 지지막 패턴(17a)이 광투과막(13) 전체의 기계적 강도를 높이는 기능을 함으로써, 광투과막(13)의 박막화가 가능하다.
도 15 는 지지막 패턴(17a)의 다른 예로서, 광투과부(18)가 육각형의 평단면을 갖도록 지지막 패턴(17a)이 하니콤(honey-comb) 구조를 갖는다. 하이콤 구조는 매우 높은 기계적 강도와 안정성을 가져온다. 따라서 광투과막(13)의 기계적 강도가 더욱 높아지고 광투과막(13)을 더욱 박막화할 수 있다.
도 16 은 지지막 패턴(17a)의 또 다른 예로서, 광투과부(18)가 원형의 평단면을 갖도록 지지막 패턴(17a)이 형성된다.
도 14 내지 도 16 의 광투과부(18)의 형상은 예시적인 것이며, 이 외에도 예컨대 8각형 형상 등과 같은 다양한 형상으로 형성하는 것도 가능하다.
상기 실시예들에서, 지지막 패턴(17a)은 50㎛ 이하의 폭(도 13 에서 좌우방향의 폭)을 가지며, 바람직하게는 20㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하의 폭을 갖는다. 또한, 광투과부(18)는 내접하는 원의 지름이 5㎛ 이상인 크기를 가지며, 바람직하게는 50㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 200㎛ 이상인 크기를 갖는다. 이에 따라 광투과막(13)의 전체 영역에서 지지층 패턴(17a)이 점유하는 영역은 광투과부(18)가 점유하는 영역에 비해 수 분의 1 내지 수십 분의 1 정도가 된다. 따라서 전체 EUV 광의 극히 일부분만 지지층 패턴(17a)을 거쳐 광투과막(13)을 통과하며, 나머지 대부분은 광투과막(13)만을 통과한다. 이에 따라 데브리스 쉴드(10)에 의한 EUV 광의 손실이 매우 적으며, 종래의 방식과 같이 지지층 패턴(17a)이 없이 광투과막만이 존재하는 경우에 비해 광투과막(13)의 박막화가 가능하므로 종래의 방식에 비해 EUV 광의 투과율을 더욱 높일 수 있다. 바람직하게는 광투과부(18)는 광투과막(13)의 전체 면적의 70% 이상, 더 바람직하게는 70~90% 가 노출되도록 형성된다. 구체적으로는, 광투과막(13)의 전체 영역에서 식각저지막 패턴(15a)에 의해 점유되는 부분의 영역이 30% 이하가 되도록 식각저지막 패턴(15a)의 폭, 즉 지지막 패턴(17a)의 폭을 조절함으로써, 광투과막(13)의 70% 이상이 노출되도록 할 수 있다. 이에 의하면, 전체 EUV 광의 70% 이상이 광투과막(13)을 통과하므로 투과율 저하가 최소화된다.
이하에서는 도 2 내지 도 13 을 참조하여 상기와 같은 구성의 데브리스 쉴드 제작 공정을 설명한다. 도 2 내지 도 13 은 본 발명에 따른 데브리스 쉴드 제작 과정을 순차적으로 도시한 도면이다.
먼저 도 2 와 같은 실리콘 기판(11)을 준비하고, 도 3 과 같이 기판(11)상에 SiN 재질의 광투과막(13)을 증착에 의해 형성한다.
도 4 에 도시된 바와 같이, 광투과막(14)상에 SiO 재질의 식각저지막(15)을 증착에 의해 형성한다. 이때 증착은 LPCVD 에 의해 수행된다. 식각저지막(15)은 SiO 에 금속을 추가로 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
도 5 에 도시된 바와 같이, 식각저지막(15)상에 다결정 실리콘 재질의 지지막(17)을 증착에 의해 형성한다. 이때 증착은 LPCVD 또는 PECVD 에 의해 수행된다.
도 2 내지 도 5 의 공정에 의하여, 데브리스 쉴드(10) 제작을 위해 사용되는 모든 박막의 적층이 완료된다. 이때 도 3 내지 도 5 의 공정에서 형성되는 각 박막(13, 15, 17)과 동일한 박막들이 기판(11)의 하면에도 각 공정에서 함께 형성된다.
도 6 과 같이 지지막(17)의 상부에 포토레지스트(PR) 박막을 형성하고 패터닝한다. 도 7 과 같이, 포토레지스트(PR)를 마스크로 하여 지지막(17)을 패터닝함으로써 지지막 패턴(17a)을 형성하고 포토레지스트(PR)을 제거한다. 이때 지지막(17)은 RIE 에 의해 식각된다. 지지막(17)은 그 하부의 식각저지막(15)에 대한 식각선택비를 높이기 위하여 건식 식각에 의해 패터닝되는 것이 바람직하다.
도 7 의 상태에서 열산화증착(Thermal Oxide Depsoition)을 수행함으로써, 도 8 과 같이 지지막 패턴(17a)의 외표면에 SiO2 로 형성된 패시베이션층(19)을 형성한다. 이때 패시베이션층(19)은 하부에도 동일하게 형성된다. 패시베이션층(19)은 후면 식각 시 지지막 패턴(17a)을 보호하는 기능을 한다.
그리고나서, 하부의 패시베이션층(19)상에 포토레지스트(PR)의 패턴을 형성하고, 도 9 와 같이 포토레지스트(PR)의 패턴을 식각 마스크로 사용하여 후면 식각함으로써 하부의 패시베이션층(19), 지지막(17), 및 식각저지막(15)을 순차적으로 식각한다. 이에 따라 기판(11)의 하부에 패시베이션층 패턴(19c), 지지막 패턴(17c), 및 식각저지막 패턴(15c)이 형성된다. 이 과정은 RIE 에 의해 수행된다.
도 9 의 상태에서 하부가 노출된 기판(11)을 습식 식각하여 도 10 과 같이 지지체(11a)를 형성하고, 하부의 포토레지스트(PR)를 제거한다. 그리고 나서 습식 식각을 통해 도 11 과 같이 지지막 패턴(17a) 외표면의 패시베이션층(19)을 제거한다. 이때 하부의 패시베이션층 패턴(19c)도 함께 제거된다.
도 11 의 상태에서 지지막 패턴(17a)을 식각 마스크로 사용하여 식각저지막(15)을 식각함으로써, 도 12 와 같이 식각저지막 패턴(15a)을 형성한다. 식각저지막(15)의 식각은 HF 를 사용한 습식 식각에 의해 수행됨으로써, 그 하부의 광투과막(13)에 대한 식각선택비를 확보할 수 있다.
도 12 의 상태에서 광투과막(13)의 하부에 금속 증착을 통해 도 13 과 같이 캡핑막(20)을 형성함으로써, 본 발명에 따른 데브리스 쉴드(10)의 제작이 완료된다.
이상에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구조를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였으나, 제시된 구조는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이며 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 구조로부터 다양한 변형 및 균등한 타 구조가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이고, 본 발명의 진정한 보호범위는 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
10 : 데브리스 쉴드 11a : 지지체
13 : 광투과막 15a : 식각저지막 패턴
17a : 지지막 패턴 18 : 광투과부
20 : 캡핑막

Claims (24)

  1. EUV 광원에 대해 사용되는 데브리스 쉴드(Debris Shield)에 있어서,
    상기 EUV 광원으로부터 방사되는 EUV 광이 투과되며 상기 EUV 광원으로부터 방출되는 데브리스(debris)를 차단하는 광투과막; 및
    상기 광투과막의 일면에 형성되며 상기 광투과막을 노출시키는 다수의 광투과부를 갖는 지지막 패턴;
    을 포함하며,
    적어도 일부의 상기 광투과부는 상기 지지막 패턴에 의해 상호 고립된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 데브리시 쉴드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지막 패턴은 격자상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지막 패턴은 상기 광투과부가 육각형의 평단면을 갖도록 하니콤(honey-comb) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광투과막은 Si, B, Y, Zr, Nb, Zn, Ru, Mo 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광투과막은 SiN 을 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광투과막은 30~60nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 광투과막은 상기 EUV 광에 대하여 70% 이상의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지막 패턴은 Si, Cu, Al, Ti, Ta, Au 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지막 패턴은 다결정 Si 를 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지막 패턴은 2~10㎛ 의 두께 및 5~50㎛ 의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 광투과부는 내접하는 원의 지름이 5㎛ 이상인 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 광투과부는 상기 광투과막의 전체 면적의 70% 이상이 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 광투과막과 상기 지지막 패턴 사이에 형성되는 식각저지막을 상기 지지막 패턴과 동일한 패턴으로 식각하여 형성되는 식각저지막 패턴;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 식각저지막 패턴은 SiO 를 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  15. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광투과막의 타면에 형성되는 캡핑막;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 캡핑막은 Ru, Mo, Zr, Zn 중 하나 이상을 포함하거나, 이 물질에 Si, C, N 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 캡핑막은 5nm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드.
  18. EUV 광원에 대해 사용되는 데브리스 쉴드(Debris Shield) 제작 방법에 있어서,
    a) 상기 EUV 광원으로부터 방사되는 EUV 광이 투과되며 상기 EUV 광원으로부터 방출되는 데브리스(debris)를 차단하는 광투과막을 기판상에 형성하는 단계;
    b) 상기 광투과막상에 지지막을 형성하는 단계;
    c) 상기 지지막을 패터닝하여, 상기 광투과막을 노출시키는 다수의 광투과부를 갖는 지지막 패턴을 형성하는 단계; 및
    d) 상기 기판을 식각하여 상기 광투과막을 지지하는 지지체를 형성하는 단계;
    를 포함하며,
    적어도 일부의 상기 광투과부는 상기 지지막 패턴에 의해 상호 고립된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 데브리시 쉴드 제작 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 지지막 패턴은 상기 광투과부가 육각형의 평단면을 갖도록 하니콤(honey-comb) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드 제작 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 광투과막은 SiN 을 포함하고, 상기 지지막은 다결정 Si 를 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드 제작 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 광투과막은 30~60nm 이하의 두께를 갖고, 상기 지지막은 2~10㎛ 의 두께 및 5~50㎛ 의 폭을 갖고, 상기 광투과부는 상기 광투과막의 전체 면적의 70% 이상이 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드 제작 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 c) 단계 후에, 상기 지지막 패턴의 외표면에 SiO2 로 형성된 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드 제작 방법.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 b) 단계 전에 상기 광투과막상에 SiO 를 포함하는 식각저지막을 형성하는 단계; 및
    상기 d) 단계 후에 상기 지지막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각저지막을 식각하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드 제작 방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 d) 단계 후에 상기 광투과막의 하면에 Ru, Mo, Zr, Zn 중 하나 이상을 포함하거나 이 물질에 Si, C, N 중 하나 이상을 더 포함하는 캡핑막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데브리스 쉴드 제작 방법.
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