KR20240041406A - Thermal processing apparatus and operation method thereof - Google Patents

Thermal processing apparatus and operation method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20240041406A
KR20240041406A KR1020220120127A KR20220120127A KR20240041406A KR 20240041406 A KR20240041406 A KR 20240041406A KR 1020220120127 A KR1020220120127 A KR 1020220120127A KR 20220120127 A KR20220120127 A KR 20220120127A KR 20240041406 A KR20240041406 A KR 20240041406A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heat treatment
heating member
support plate
support surface
Prior art date
Application number
KR1020220120127A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
서종석
임선섭
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220120127A priority Critical patent/KR20240041406A/en
Publication of KR20240041406A publication Critical patent/KR20240041406A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 휘어진 기판에 대하여 기판의 손상을 방지하면서 기판의 전 영역으로 균일하게 열을 가할 수 있는 열 처리 장치 및 그 동작 방법을 제공하고자 한다. 본 발명에 따른 기판에 대한 열 처리를 수행하는 열 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에 위치되며, 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트; 상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 온도를 측정하는 온도 센서; 상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 저면을 가열하는 제1 가열 부재; 및 상기 기판보다 상부에 위치되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제2 가열 부재;를 포함한다. Embodiments of the present invention are intended to provide a heat treatment device and a method of operating the same that can uniformly apply heat to all areas of a curved substrate while preventing damage to the substrate. A heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate according to the present invention includes a chamber having a processing space therein; a support plate located in the processing space and having a support surface on which a substrate is supported; a temperature sensor provided on the support plate to measure the temperature of the substrate placed on the support surface; a first heating member provided on the support plate to heat the bottom surface of the substrate placed on the support surface; and a second heating member located above the substrate and heating an edge area of the substrate placed on the support surface.

Description

열 처리 장치 및 그 동작 방법{THERMAL PROCESSING APPARATUS AND OPERATION METHOD THEREOF}Heat treatment device and method of operation thereof {THERMAL PROCESSING APPARATUS AND OPERATION METHOD THEREOF}

본 발명은 기판에 대한 열 처리를 수행하는 열 처리 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a heat treatment device that performs heat treatment on a substrate and a method of operating the same.

반도체 제조 공정은 기판(웨이퍼) 상에 수십 내지 수백 단계의 처리 공정을 통해 최종 제품을 제조하는 공정으로서, 각 공정 마다 해당 공정을 수행하는 제조 설비에 의해 수행될 수 있다. 반도체 제조 공정 중에서 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 노광(lithography) 공정의 이전에 기판 상에 액막을 형성하는 도포 공정이 적용된다. The semiconductor manufacturing process is a process of manufacturing a final product through dozens to hundreds of processing steps on a substrate (wafer), and can be performed by manufacturing equipment that performs the corresponding process for each process. In the semiconductor manufacturing process, a coating process to form a liquid film on a substrate is applied before a lithography process to form a pattern on the substrate.

기판 상에 액막을 형성한 후, 그리고 노광 이후 기판에 열 에너지를 인가하는 열 처리 공정(또는 베이크 공정)이 수행된다. 열 처리 공정은 기판의 하부에서 열 에너지를 기판에 인가하는데, 이때 기판의 전 영역에 균일하게 열 에너지를 가하는 것이 중요하다. 그러나, 반도체 제조 공정이 수행되는 과정에서 기판이 휘어지는 워페이지(warpage)가 발생하고, 기판의 휘어짐으로 인해 하부의 열원에서 기판으로 가해지는 열 에너지가 기판의 영역별로 상이한 문제가 있다. After forming a liquid film on the substrate and after exposure, a heat treatment process (or bake process) is performed to apply heat energy to the substrate. The heat treatment process applies heat energy to the substrate from the bottom of the substrate, and at this time, it is important to apply heat energy uniformly to the entire area of the substrate. However, during the semiconductor manufacturing process, warpage occurs in which the substrate bends, and due to the substrate's bending, there is a problem in that the heat energy applied to the substrate from the lower heat source is different for each area of the substrate.

대한민국 등록특허 제10-2403200호에서, 휘어진 기판에 균일하게 열을 가하기 위하여 센서로 휨 정도를 측정하고, 기판의 주변영역에 위치한 제2 가열 부재를 적용하는 사항을 개시하고 있다. 그러나, 기판의 하부에 별도의 가열 부재를 구성할 경우 기판에 손상을 가할 수 있는 문제가 있다. Republic of Korea Patent No. 10-2403200 discloses measuring the degree of bending with a sensor and applying a second heating member located in the peripheral area of the substrate to uniformly apply heat to the bent substrate. However, if a separate heating member is provided at the bottom of the substrate, there is a problem that damage to the substrate may occur.

대한민국 등록특허 제10-2403200호Republic of Korea Patent No. 10-2403200

본 발명의 실시예는 휘어진 기판에 대하여 기판의 손상을 방지하면서 기판의 전 영역으로 균일하게 열을 가할 수 있는 열 처리 장치 및 그 동작 방법을 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention are intended to provide a heat treatment device and a method of operating the same that can uniformly apply heat to all areas of a curved substrate while preventing damage to the substrate.

본 발명에 따른 기판에 대한 열 처리를 수행하는 열 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에 위치되며, 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트; 상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 온도를 측정하는 온도 센서; 상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 저면을 가열하는 제1 가열 부재; 및 상기 기판보다 상부에 위치되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제2 가열 부재;를 포함한다. A heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate according to the present invention includes a chamber having a processing space therein; a support plate located in the processing space and having a support surface on which a substrate is supported; a temperature sensor provided on the support plate to measure the temperature of the substrate placed on the support surface; a first heating member provided on the support plate to heat the bottom surface of the substrate placed on the support surface; and a second heating member located above the substrate and heating an edge area of the substrate placed on the support surface.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 가열 부재는 상기 지지 플레이트의 상부에서 상기 지지 플레이트의 지지면과 마주하게 위치하는 안내판의 하부에 장착될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the second heating member may be mounted on the lower part of the guide plate located at the upper part of the support plate and facing the support surface of the support plate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 열 처리 장치는 상기 챔버의 측벽에 위치되어 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제3 가열 부재를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the heat treatment device may further include a third heating member located on a side wall of the chamber to heat an edge area of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 열 처리 장치는 상기 챔버에 구비되고, 상기 지지면에 놓인 상기 기판에 외부의 기류를 공급하는 기류 공급 부재를 더 포함하고, 상기 기류 공급 부재는 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 휨 정도에 따라 상기 기판에 공급되는 기류의 유량을 조절할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the heat treatment device is provided in the chamber and further includes an airflow supply member that supplies an external airflow to the substrate placed on the support surface, and the airflow supply member is provided on the support surface. The flow rate of the airflow supplied to the substrate can be adjusted depending on the degree of bending of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기류 공급 부재는 상기 챔버의 상부에서 원주 방향을 따라 형성된 복수개의 기류 공급관을 포함하고, 상기 복수개의 기류 공급관 중에서 상기 기판의 온도 분포에 따라 각 기류 공급관을 통해 공급되는 기체의 유량이 제어될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the airflow supply member includes a plurality of airflow supply pipes formed along a circumferential direction at the upper part of the chamber, and supplies air through each airflow supply pipe according to the temperature distribution of the substrate among the plurality of airflow supply pipes. The flow rate of the gas can be controlled.

본 발명에 따른 열 처리 장치의 동작 방법은, 상기 기판을 상기 챔버에 투입하는 단계; 상기 온도 센서를 사용하여 상기 기판의 온도 분포를 측정하는 단계; 상기 기판의 온도 분포가 정상 범위에 해당하는지 여부를 판단하는 단계; 상기 기판의 온도 분포가 정상 범위에 해당하는 경우, 상기 제1 가열 부재를 사용하여 상기 기판에 대한 열 처리를 수행하는 단계; 및 상기 기판의 온도 분포가 비정상 범위에 해당하는 경우, 상기 제1 가열 부재 및 상기 제2 가열 부재를 사용하여 상기 기판에 대한 열 처리를 수행하는 단계;를 포함한다. A method of operating a heat treatment apparatus according to the present invention includes the steps of putting the substrate into the chamber; measuring the temperature distribution of the substrate using the temperature sensor; determining whether the temperature distribution of the substrate is within a normal range; If the temperature distribution of the substrate is within a normal range, performing heat treatment on the substrate using the first heating member; And when the temperature distribution of the substrate is in an abnormal range, performing heat treatment on the substrate using the first heating member and the second heating member.

본 발명에 따르면, 기판의 지지 플레이트에 제공된 제1 가열 부재와 함께 기판의 상부에 위치하여 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제2 가열 부재를 통해 기판에 손상을 유발하지 않으면서 균일하게 열을 가할 수 있다. According to the present invention, heat can be applied uniformly without causing damage to the substrate through a first heating member provided on the support plate of the substrate and a second heating member located on top of the substrate to heat the edge area of the substrate. there is.

도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 포토 스피너 설비의 외관을 개략적으로 도시한다.
도 2는 포토 스피너 설비의 개략적인 레이아웃을 도시한다.
도 3은 포토 스피너 설비의 도포 블록을 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 열 처리 장치의 구조를 개략적으로 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 열 처리 장치의 동작 방법을 나타내는 흐름도이다. Figure 1 schematically shows the appearance of a photo spinner equipment to which the present invention can be applied.
Figure 2 shows a schematic layout of the photo spinner facility.
Figure 3 shows the application block of a photo spinner installation.
Figure 4 schematically shows the structure of a heat treatment device according to the present invention.
Figure 5 is a flowchart showing a method of operating a heat treatment device according to the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. The invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly explain the present invention, parts that are not relevant to the description are omitted, and identical or similar components are assigned the same reference numerals throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.Additionally, in various embodiments, components having the same configuration will be described using the same symbols only in the representative embodiment, and in other embodiments, only components that are different from the representative embodiment will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (or combined)" with another part, this means not only "directly connected (or combined)" but also "indirectly connected (or combined)" with another member in between. Also includes “combined” ones. Additionally, when a part "includes" a certain component, this means that it may further include other components, rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in the present application, should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense. No.

도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 포토 스피너 설비(1)의 외관을 개략적으로 도시한다. 도 2는 포토 스피너 설비(1)의 개략적인 레이아웃을 도시한다. 도 3은 포토 스피너 설비(1)의 도포 블럭(30a)을 도시한다. Figure 1 schematically shows the appearance of a photo spinner equipment 1 to which the present invention can be applied. Figure 2 shows a schematic layout of the photo spinner installation 1. Figure 3 shows the application block 30a of the photo spinner installation 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 포토 스피너 설비(1)는 기판이 수납된 용기(10)로부터 기판을 반송하는 인덱스 모듈(20), 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하며, 기판에 대한 열 처리를 수행하는 베이크 유닛(3200)을 포함하는 처리 모듈(30), 그리고 처리 모듈(30)을 외부의 노광 설비(50)와 연결하는 인터페이스 모듈(40)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 to 3, the photo spinner equipment 1 includes an index module 20 that transports the substrate from the container 10 containing the substrate, performs a coating process and a developing process on the substrate, and It includes a processing module 30 including a bake unit 3200 that performs heat treatment, and an interface module 40 connecting the processing module 30 to an external exposure facility 50.

인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치될 수 있다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 수평 방향(X)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 수평 방향(X)과 수직한 방향을 제2 수평 방향(Y)이라 하고, 제1 방향(X) 및 제2 수평 방향(Y)에 모두 수직한 방향을 수직 방향(Z)이라 한다.The index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 may be sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the first horizontal direction (X), and is perpendicular to the first horizontal direction (X) when viewed from the top. The direction is called the second horizontal direction (Y), and the direction perpendicular to both the first direction (X) and the second horizontal direction (Y) is called the vertical direction (Z).

인덱스 모듈(20)은 기판이 수납된 용기(10)로부터 기판을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 수평 방향(Y)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대측에 위치된다. 기판들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 수평 방향(Y)을 따라 배치될 수 있다.The index module 20 transfers the substrate from the container 10 containing the substrate to the processing module 30, and stores the processed substrate into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second horizontal direction (Y). The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. Based on the index frame 24, the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30. The container 10 containing the substrates is placed in the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be arranged along the second horizontal direction (Y).

용기(10)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Open Unified Pod, FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.As the container 10, an airtight container 10 such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 is placed in the load port 22 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle, or by an operator. You can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 반송 구간(2100)에서 구동하는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 수평 방향(Y)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 수직 방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 수직 방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 that operates in the index transport section 2100 is provided inside the index frame 24. A guide rail 2300 whose longitudinal direction is provided in the second horizontal direction (Y) is provided within the index frame 24, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which a substrate is placed, and the hand 2220 is capable of moving forward and backward, rotating about the vertical direction (Z), and moving along the vertical direction (Z). It can be.

처리 모듈(30)은 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate.

처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭(30b)들은 서로 적층되게 제공된다.The processing module 30 has an application block 30a and a development block 30b. The application block 30a performs a coating process on the substrate, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided stacked on top of each other. A plurality of development blocks 30b are provided, and the development blocks 30b are provided stacked on top of each other.

도 1의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 3개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 3개가 제공된다. 도포 블럭(30a)들은 현상 블럭(30b)들의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 3개의 도포 블럭(30a)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 3개의 현상 블럭(30b)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 다만, 본 발명이 적용될 수 있는 포토 스피너 설비(1)에서 도포 블럭(30a)과 현상 블럭(30b)의 배치 및 구성은 도 1과 같은 구조에 제한되지 않으며, 다양한 변경이 적용될 수 있다. According to the embodiment of FIG. 1, three application blocks 30a and three development blocks 30b are provided. Application blocks 30a may be placed below development blocks 30b. According to one example, the three application blocks 30a perform the same process and may be provided with the same structure. Additionally, the three development blocks 30b perform the same process as each other and may be provided with the same structure. However, in the photo spinner equipment 1 to which the present invention can be applied, the arrangement and configuration of the application block 30a and the development block 30b are not limited to the structure shown in FIG. 1, and various changes may be applied.

도 2를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 베이크 유닛(3200), 반송부(3400), 그리고 액처리부(3600)를 포함한다.Referring to FIG. 2 , the application block 30a includes a bake unit 3200, a transfer unit 3400, and a liquid processing unit 3600.

반송부(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 베이크 유닛(3200)과 액처리부(3600) 간에 기판을 반송한다. 반송부(3400)는 제1 이동 통로인 제1 반송 구간(3402)과, 제2 이동통로인 제2 반송 구간(3404)을 포함할 수 있다. 제1,2 반송 구간(3402, 3404)은 그 길이 방향이 제1 수평 방향(X)과 평행하게 제공되며 서로 연결된다. 제1,2 반송 구간(3402, 3404)에는 제1,2 반송 로봇(3422, 3424)이 각각 제공된다.The transfer unit 3400 transfers the substrate between the bake unit 3200 and the liquid processing unit 3600 within the coating block 30a. The transport unit 3400 may include a first transport section 3402, which is a first movement passage, and a second transfer section 3404, which is a second movement passage. The first and second transport sections 3402 and 3404 have their longitudinal direction parallel to the first horizontal direction (X) and are connected to each other. First and second transfer robots 3422 and 3424 are provided in the first and second transfer sections 3402 and 3404, respectively.

일 예에 의하면, 제1,2 반송 로봇(3422, 3424)은 기판이 놓이는 로봇 핸드(3420)를 가지며, 로봇 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 수직 방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 수직 방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 제1,2 반송 구간(3402, 3404) 내에는 그 길이 방향이 제1 수평 방향(X)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422, 3424)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.According to one example, the first and second transfer robots 3422 and 3424 have a robot hand 3420 on which a substrate is placed, and the robot hand 3420 moves forward and backward, rotates about the vertical direction (Z), And it may be provided to be movable along the vertical direction (Z). A guide rail 3300 whose longitudinal direction is parallel to the first horizontal direction (X) is provided within the first and second transfer sections 3402 and 3404, and the transfer robots 3422 and 3424 are provided with a guide rail 3300. ) can be provided to be movable on the table.

도 2를 참조하면, 제1,2 반송 구간(3402, 3404)은 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 제1 반송 구간(3402)은 인덱스 모듈(20)에 더 인접하게 위치되고, 제2 반송 구간(3404)은 인터페이스 모듈(40)에 더 인접하게 위치한다.Referring to FIG. 2, the first and second transport sections 3402 and 3404 may have the same structure. The first conveyance section 3402 is located closer to the index module 20, and the second conveyance section 3404 is located closer to the interface module 40.

베이크 유닛(3200)은 기판에 대해 열처리 공정을 수행한다. 베이크 유닛(3200)은 이후 설명할 열 처리 장치(100)의 일 예에 해당한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리부(3600)는 기판 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 및 반사방지막일 수 있다.The bake unit 3200 performs a heat treatment process on the substrate. The bake unit 3200 corresponds to an example of the heat treatment device 100 to be described later. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing unit 3600 supplies liquid on the substrate to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film.

액처리부(3600)는 기판에 반사방지막을 도포하는 액처리 챔버들을 갖는 제1 액처리부(3600-1)와, 반사방지막이 도포된 기판에 포토레지스트막을 도포하는 액처리 챔버들을 갖는 제2 액처리부(3600-2)를 포함할 수 있다. 제1 액처리부(3600-1)는 제1 반송구간(3402)의 일측에 배치되고, 제2 액처리부(3600-2)는 제2 반송구간(3404)의 일측에 배치된다.The liquid processing unit 3600 includes a first liquid processing unit 3600-1 having liquid processing chambers for applying an anti-reflective film to a substrate, and a second liquid processing unit having liquid processing chambers for applying a photoresist film to a substrate coated with an anti-reflective film. (3600-2). The first liquid processing unit 3600-1 is placed on one side of the first transfer section 3402, and the second liquid processing unit 3600-2 is placed on one side of the second transfer section 3404.

액처리부(3600)는 복수의 액처리 챔버(3602, 3604)를 가진다. 액처리 챔버(3602, 3604)는 반송부(3400)의 길이 방향을 따라 복수 개가 배치될 수 있다. 또한, 액처리 챔버(3602, 3604)들 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다.The liquid processing unit 3600 has a plurality of liquid processing chambers 3602 and 3604. A plurality of liquid processing chambers 3602 and 3604 may be disposed along the longitudinal direction of the transfer unit 3400. Additionally, some of the liquid processing chambers 3602 and 3604 may be provided to be stacked on top of each other.

베이크 유닛(3200)은 반사방지막 도포와 관련하여 기판을 열처리하는 열처리 챔버(3202)들을 갖는 제1 베이크 유닛(3200-1)과 포토레지스트 도포와 관련하여 기판을 열처리하는 열처리 챔버(3204)들을 갖는 제1 베이크 유닛(3200-2)을 포함할 수 있다. 제1 베이크 유닛(3200-1)은 제1 반송 구간(3402)의 일측에 배치되고, 제2 베이크 유닛(3200-2)은 제2 반송 구간(3404)의 일측에 배치된다. 제1 반송 구간(3402)의 측부에 배치되는 열처리 챔버(3202)를 전단 열처리 챔버라 칭하고, 제2 반송 구간(3404)의 측부에 배치되는 열처리 챔버(3204)를 후단 열처리 챔버라 칭한다.The bake unit 3200 has a first bake unit 3200-1 having heat treatment chambers 3202 for heat treating the substrate in relation to applying an antireflection film and heat treatment chambers 3204 for heat treating the substrate in relation to applying the photoresist. It may include a first bake unit 3200-2. The first bake unit 3200-1 is placed on one side of the first transfer section 3402, and the second bake unit 3200-2 is placed on one side of the second transfer section 3404. The heat treatment chamber 3202 disposed on the side of the first conveyance section 3402 is called a front-stage heat treatment chamber, and the heat treatment chamber 3204 disposed on the side of the second conveyance section 3404 is called a rear-stage heat treatment chamber.

즉, 기판에 반사방지막을 형성하기 위한 제1 액처리부(3600-1), 제1 베이크 유닛(3600-1)은 제1 반송 구간(3402)에 배치되고, 기판에 포토레지스트막을 형성하기 위한 제2 액처리부(3600-2), 제2 베이크 유닛(3200-2)은 제2 반송 구간(3404)에 배치된다.That is, the first liquid processing unit 3600-1 and the first bake unit 3600-1 for forming an anti-reflection film on the substrate are disposed in the first transfer section 3402, and the first liquid processing unit 3600-1 for forming an anti-reflection film on the substrate is disposed in the first transfer section 3402. The second liquid processing unit 3600-2 and the second bake unit 3200-2 are disposed in the second transfer section 3404.

한편, 처리 모듈(30)은 복수의 버퍼 챔버(3802, 3804)를 포함한다. 버퍼 챔버(3802, 3804) 중에서 일부의 버퍼 챔버(3802)는 인덱스 모듈(20)과 반송부(3400)의 사이에 배치된다. 버퍼 챔버(3802)는 전단 버퍼 챔버(3802)로 지칭될 수 있다. 버퍼 챔버(3802, 3804)는 복수로 제공되어 수직 방향(Z)으로 서로 적층되도록 위치된다. 버퍼 챔버(3802, 3804) 중에서 다른 일부의 버퍼 챔버(3804)는 반송부(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다. 이 버퍼 챔버(3804)는 후단 버퍼 챔버(3804)로 지칭될 수 있다. 후단 버퍼 챔버(3804)는 복수로 제공되어 수직 방향(Z)으로 서로 적층되도록 위치된다. 전단 버퍼 챔버(3802) 및 후단 버퍼 챔버(3804)의 각각은 복수 기판을 일시적으로 보관한다. 한편, 버퍼 챔버(3802, 3804)에는 기판을 반송하기 위한 버퍼 반송 로봇(3812, 3814)들이 제공될 수 있다.Meanwhile, the processing module 30 includes a plurality of buffer chambers 3802 and 3804. Among the buffer chambers 3802 and 3804, some of the buffer chambers 3802 are disposed between the index module 20 and the transfer unit 3400. Buffer chamber 3802 may be referred to as a front-end buffer chamber 3802. A plurality of buffer chambers 3802 and 3804 are provided and positioned to be stacked on one another in the vertical direction (Z). Among the buffer chambers 3802 and 3804, another buffer chamber 3804 is disposed between the transfer unit 3400 and the interface module 40. This buffer chamber 3804 may be referred to as a back-end buffer chamber 3804. A plurality of rear buffer chambers 3804 are provided and positioned to be stacked on top of each other in the vertical direction (Z). Each of the front-end buffer chamber 3802 and the rear-end buffer chamber 3804 temporarily stores a plurality of substrates. Meanwhile, buffer transport robots 3812 and 3814 for transporting substrates may be provided in the buffer chambers 3802 and 3804.

인터페이스 버퍼(4100)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 설비(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4100)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4100)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4100 provides a space where the substrate transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure equipment 50, and the development block 30b temporarily stays during transfer. A plurality of interface buffers 4100 may be provided, and a plurality of interface buffers 4100 may be provided stacked on top of each other.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 설비(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1 인터페이스 로봇(4602) 그리고 제2 인터페이스 로봇(4606)을 포함할 수 있다.The transport member 4600 transports the substrate between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure equipment 50, and the development block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or multiple robots. According to one example, the transfer member 4600 may include a first interface robot 4602 and a second interface robot 4606.

제1 인터페이스 로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정 챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4100) 간에 기판을 반송하고, 제2 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4100)와 노광 설비(50) 간에 기판을 반송하도록 제공될 수 있다.The first interface robot 4602 transports the substrate between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4100, and the second interface robot 4606 transports the substrate between the interface buffer 4100 and the exposure facility ( 50) It may be provided to transport the substrate between the two.

인덱스 로봇(2200), 제1 인터페이스 로봇(4602), 제2 인터페이스 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 로봇 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 로봇 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200, the first interface robot 4602, and the second interface robot 4606 may all be provided in the same shape as the robot hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the robot hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the remaining robots are provided in a different shape. It can be.

다시 도 2를 참조하면, 쿨링 반송 모듈(3900)은 제1 반송 로봇(3422)과 제2 반송 로봇(3424) 간의 기판 반송 및 기판 쿨링을 위해 제공된다. 쿨링 반송 모듈(3900)은 제1 반송 로봇(3422)의 제1 이동 통로와 제2 반송 로봇(3424)의 제2 이동 통로가 서로 맞닿는 경계에 인접한 베이크 유닛(3200)에 배치된다. 쿨링 반송 모듈(3900)은 열처리 챔버와 같이 다단으로 적층 배치될 수 있다. Referring again to FIG. 2, the cooling transfer module 3900 is provided for substrate transfer and substrate cooling between the first transfer robot 3422 and the second transfer robot 3424. The cooling transfer module 3900 is disposed in the bake unit 3200 adjacent to the boundary where the first movement passage of the first transfer robot 3422 and the second movement passage of the second transfer robot 3424 contact each other. The cooling transfer module 3900 may be stacked and arranged in multiple stages, like a heat treatment chamber.

이하, 본 발명에 따른 열 처리 장치(100)에 대해 설명한다. 본 발명의 열 처리 장치(100)는 포토 스피너 설비(1)의 베이크 유닛(3200)에 해당할 수 있다. Hereinafter, the heat treatment apparatus 100 according to the present invention will be described. The heat treatment device 100 of the present invention may correspond to the bake unit 3200 of the photo spinner equipment 1.

열 처리 장치(100)는 기판을 지지하는 지지 플레이트(1320)에 구비된 가열 부재를 사용하여 기판에 열을 가한다. 그러나, 기판이 휘어진 경우 하부에서 균일하게 열을 가하더라도 기판의 영역 별 온도 분포가 균일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 기판의 가장자리 부분이 위로 휘어진 경우, 기판의 중심부는 지지 플레이트(1320)에 밀착하므로 열이 잘 전달되지만 기판의 가장자리부는 지지 플레이트(1320)에 밀착하지 못하고 중간에 공기층이 존재하므로 열이 완전히 전달되지 못한다. 따라서, 본 발명은 기판의 전 영역에 균일하게 열이 전달될 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다. The heat treatment apparatus 100 applies heat to the substrate using a heating member provided on the support plate 1320 that supports the substrate. However, if the substrate is bent, the temperature distribution in each area of the substrate may not be uniform even if heat is applied uniformly from the bottom. For example, when the edge of the substrate is bent upward, the center of the substrate is in close contact with the support plate 1320 and thus heat is well transmitted, but the edge of the substrate is not in close contact with the support plate 1320 and an air layer exists in the middle, so heat is transferred. This is not fully conveyed. Therefore, the purpose of the present invention is to enable heat to be transferred uniformly to all areas of the substrate.

도 4는 본 발명에 따른 열 처리 장치(100)의 구조를 개략적으로 도시한다. 도 4를 참고하면, 열 처리 장치(100)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 온도 센서(1400), 배기 유닛(1500), 제1 가열 부재(1600), 제2 가열 부재(1700), 제3 가열 부재(1800), 그리고 기류 공급 부재(1900)를 포함한다. Figure 4 schematically shows the structure of the heat treatment apparatus 100 according to the present invention. Referring to FIG. 4, the heat treatment apparatus 100 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1300, a temperature sensor 1400, an exhaust unit 1500, a first heating member 1600, and a second heating member ( 1700), a third heating member 1800, and an airflow supply member 1900.

챔버(1100)는 내부에 기판을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)는 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 within which the substrate is heated and processed. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기관(1122) 및 기류 공급 부재(1900)가 형성된다. 배기관(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기관(1122)은 처리 공간(1110)의 가스를 배기하기 위하여 제공된다. 기류 공급 부재(1900)는 제1 기류 공급관(1910) 및 제2 기류 공급관(1920)을 포함한다. 제1 기류 공급관(1910) 및 제2 기류 공급관(1920)은 배기관(1122)의 주변에 복수개 제공되며, 제2 기류 공급관(1920)이 제1 기류 공급관(1910)의 주변을 따라 배열된다. 즉, 제2 기류 공급관(1920)이 제1 기류 공급관(1910)을 감싸는 형태로 배열되고, 제1 기류 공급관(1910)이 배기관(1122)을 감싸는 형태로 배열된다. 제1 기류 공급관(1910) 및 제2 기류 공급관(1920)을 통해 기판의 열 처리를 위한 기체(비활성 기체)가 유입된다. 제1 기류 공급관(1910)과 제2 기류 공급관(1920)으로 유입되는 기체의 압력이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 기판의 가장자리 영역으로 보다 많은 기체가 유동하도록 제2 기류 공급관(1920)에 더 높은 압력으로 기체가 유입되도록 할 수 있다. The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower part. An exhaust pipe 1122 and an airflow supply member 1900 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The exhaust pipe 1122 is formed at the center of the upper body 1120. An exhaust pipe 1122 is provided to exhaust gas from the processing space 1110. The airflow supply member 1900 includes a first airflow supply pipe 1910 and a second airflow supply pipe 1920. A plurality of first airflow supply pipes 1910 and second airflow supply pipes 1920 are provided around the exhaust pipe 1122, and the second airflow supply pipes 1920 are arranged along the periphery of the first airflow supply pipe 1910. That is, the second airflow supply pipe 1920 is arranged to surround the first airflow supply pipe 1910, and the first airflow supply pipe 1910 is arranged to surround the exhaust pipe 1122. Gas (inert gas) for heat treatment of the substrate flows in through the first airflow supply pipe 1910 and the second airflow supply pipe 1920. The pressure of gas flowing into the first airflow supply pipe 1910 and the second airflow supply pipe 1920 may be different. For example, gas may be allowed to flow into the second airflow supply pipe 1920 at a higher pressure so that more gas flows to the edge area of the substrate.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 하부에 위치한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치한다. 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)는 서로 결합하여 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치하도록 조립된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단이 상부 바디(1120)의 하단과 서로 대향하도록 구성될 수 있다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(미도시)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동하고, 다른 하나는 그 위치가 고정될 수 있다. The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located below the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are coupled to each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are assembled so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be configured to face the lower end of the upper body 1120. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 may be moved to the open position and the blocked position by a lifting member (not shown), and the other may be fixed in its position.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치한다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이의 틈을 밀폐한다. 실링 부재(1160)는 링 형상을 갖는 오-링일 수 있다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120) 또는 하부 바디(1140)에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is located between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 seals the gap between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 may be an O-ring having a ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper body 1120 or the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 제1 가열 부재(1600)에 의해 발생하는 열을 기판으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판을 지지하는 영역으로 기능할 수도 있다. 지지 플레이트(1320)에는 복수개의 흡착홀들(미도시) 및 복수의 지지핀들(미도시)이 형성될 수 있다. 흡착홀들에는 진공압이 인가되어 기판을 진공 흡착할 수 있다. 지지핀들은 기판과 지지 플레이트(1320)의 상면을 소정 간격으로 이격시킨다. 지지핀들은 지지 플레이트(1320)의 상면으로부터 상부로 돌출된다. 지지핀들의 상단은 라운드지도록 형성된다. 기판은 지지핀들의 상단에 놓인다. 이에 따라 지지핀과 기판 간의 접촉 면적이 최소화되어 기판의 전체 영역에 균일하게 열이 전달될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate in the processing space 1110. The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 may include a support plate 1320 and a lift pin 1340. The support plate 1320 transfers heat generated by the first heating member 1600 to the substrate. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 may function as an area that supports the substrate. A plurality of suction holes (not shown) and a plurality of support pins (not shown) may be formed in the support plate 1320. Vacuum pressure is applied to the adsorption holes to vacuum adsorb the substrate. The support pins space the substrate and the upper surface of the support plate 1320 at a predetermined interval. The support pins protrude upward from the upper surface of the support plate 1320. The tops of the support pins are formed to be round. The substrate is placed on top of the support pins. Accordingly, the contact area between the support pin and the substrate is minimized, allowing heat to be transferred uniformly to the entire area of the substrate.

지지 플레이트(1320)의 상면은 기판보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지 플레이트(1320)의 상면에는 복수의 핀 홀들(미도시)이 형성된다. 핀 홀들은 서로 상이한 영역에 위치한다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들은 지지 플레이트(1320)의 중심을 감싸도록 배열된다. 각 핀 홀들은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배치된다. 핀 홀들은 서로 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 각 핀 홀에는 리프트 핀(1340)이 삽입될 수 있다. 리프트 핀(1340)은 상단이 핀 홀로부터 돌출되거나 삽입되도록 상하 방향으로 이동할 수 있다. 리프트 핀(1340)은 승강 위치 또는 하강 위치로 이동할 수 있다. 승강 위치는 리프트 핀(1340)의 상단이 핀 홀로부터 돌출되는 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1340)이 핀 홀 내에 삽입되는 위치이다. 핀 홀들은 3개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)으로 구성될 수 있다. The upper surface of the support plate 1320 may have a larger diameter than the substrate. A plurality of pin holes (not shown) are formed on the upper surface of the support plate 1320. The pinholes are located in different areas. When viewed from the top, the pin holes are arranged to surround the center of the support plate 1320. Each pinhole is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes may be spaced equally apart from each other. A lift pin 1340 may be inserted into each pin hole. The lift pin 1340 can move in an up and down direction so that its upper end protrudes from or is inserted into the pin hole. Lift pin 1340 can be moved to a raised or lowered position. The lifting position is a position where the upper end of the lift pin 1340 protrudes from the pin hole, and the lowering position is a position where the lift pin 1340 is inserted into the pin hole. The pin holes may be provided in threes. The support plate 1320 may be made of aluminum nitride (AlN).

한편, 지지 플레이트(1320)의 내부에는 기판의 영역별 온도(즉, 온도 분포)를 측정하기 위한 온도 센서(1400)가 위치할 수 있다. 온도 센서(1400)는 기판의 중심부와 가장자리부의 온도를 측정할 수 있도록 복수개로 구비될 수 있으며, 기판의 각 영역별 온도가 측정될 수 있도록 균일하게 배치될 수 있다. 온도 센서(1400)는 지지 플레이트(1320)의 내부에 구성될 수도 있고, 지지 플레이트(1320)의 상부면에 구비될 수도 있다. Meanwhile, a temperature sensor 1400 may be located inside the support plate 1320 to measure the temperature (i.e., temperature distribution) of each region of the substrate. The temperature sensor 1400 may be provided in plural numbers to measure the temperature of the center and edge of the substrate, and may be uniformly arranged so that the temperature of each area of the substrate can be measured. The temperature sensor 1400 may be configured inside the support plate 1320 or may be provided on the upper surface of the support plate 1320.

제1 가열 부재(1600)는 지지 플레이트(1320)에 놓인 기판으로 열을 전달할 수 있다. 제1 가열 부재(1600)는 지지 플레이트(1320)의 내부에 삽입되거나 지지 플레이트(1320)의 상부 또는 하부에 위치할 수 있다. 제1 가열 부재(1600)는 열선으로 제공될 수 있다. 제1 가열 부재(1600)는 링 형상으로 배치될 수 있으며, 동일한 중심을 갖는 복수개의 링 형태의 히터로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 가열 부재(1600)는 기판의 중심부로 열을 가하는 제1 히터(1620)와 기판의 가장자리로 열을 가하는 제2 히터(1640)를 포함할 수 있다. 기판의 영역별 온도 제어를 위하여 제1 히터(1620)와 제2 히터(1640)의 출력이 상이하도록 조절될 수 있다. 또한, 기판의 영역별 온도 제어를 위하여 제2 가열 부재(1700) 및 제3 가열 부재(1800)가 제공될 수 있다. The first heating member 1600 may transfer heat to the substrate placed on the support plate 1320. The first heating member 1600 may be inserted into the support plate 1320 or may be located at the top or bottom of the support plate 1320. The first heating member 1600 may be provided as a heating wire. The first heating member 1600 may be arranged in a ring shape and may be composed of a plurality of ring-shaped heaters having the same center. For example, the first heating member 1600 may include a first heater 1620 that applies heat to the center of the substrate and a second heater 1640 that applies heat to the edge of the substrate. In order to control the temperature of each region of the substrate, the output of the first heater 1620 and the second heater 1640 may be adjusted to be different. Additionally, a second heating member 1700 and a third heating member 1800 may be provided to control the temperature of each region of the substrate.

제2 가열 부재(1700)는 배기를 위한 안내판(1540)의 하단에 구비될 수 있다. 제2 가열 부재(1700)는 기판의 가장자리 영역에 열을 가하기 위하여 기판의 가장자리 영역의 상부에 위치할 수 있다. 제2 가열 부재(1700)는 기판의 가장자리 영역으로 열을 인가할 수 있는 히터, IR 램프 등으로 구현될 수 있다. 또한, 제3 가열 부재(1800)는 챔버(1100)의 측벽에 구비될 수 있으며 마찬가지로 기판의 가장자리 부위로 열을 가할 수 있다. 제3 가열 부재(1800)는 상부 바디(1120)에 설치될 수도 있으며, 하부 바디(1140)에 설치될 수도 있다. 제3 가열 부재(1800)는 히터, IR 램프 등으로 구현될 수 있다. The second heating member 1700 may be provided at the bottom of the guide plate 1540 for exhaust. The second heating member 1700 may be positioned above the edge area of the substrate to apply heat to the edge area of the substrate. The second heating member 1700 may be implemented as a heater, an IR lamp, etc. capable of applying heat to the edge area of the substrate. Additionally, the third heating member 1800 may be provided on the side wall of the chamber 1100 and may similarly apply heat to the edge of the substrate. The third heating member 1800 may be installed on the upper body 1120 or the lower body 1140. The third heating member 1800 may be implemented as a heater, IR lamp, etc.

본 발명에 따르면, 온도 센서(1400)에 의해 측정된 기판의 온도 분포에 따라 제1 가열 부재(1600), 제2 가열 부재(1700), 제3 가열 부재(1800)의 출력이 조절될 수 있다. 예를 들어, 기판의 휨 정도가 경미해서 기판의 온도 분포가 균일한 경우, 제1 가열 부재(1600)에 의해서 기판에 대한 열처리가 수행될 수 있다. 그러나, 기판의 휨 정도가 커서 기판의 온도가 불균일한 경우, 제1 가열 부재(1600)와 함께 제2 가열 부재(1700), 제3 가열 부재(1800)를 사용하여 기판에 대한 열처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, 기판의 가장자리 영역 특정 부위의 온도가 낮은 경우 해당 특정 부위 주변에 위치한 제2 가열 부재(1700), 제3 가열 부재(1800)에 의한 열 출력을 높일 수 있다. 한편, 온도 센서(1400)를 사용하지 않더라도 별도의 카메라 또는 센서(미도시)를 통해 기판의 휨 정도를 측정하고, 기판의 휨 정도에 대한 측정 결과를 사용하여 제2 가열 부재(1700) 또는 제3 가열 부재(1800)의 동작을 제어할 수 있다. According to the present invention, the output of the first heating member 1600, the second heating member 1700, and the third heating member 1800 can be adjusted according to the temperature distribution of the substrate measured by the temperature sensor 1400. . For example, when the degree of warpage of the substrate is slight and the temperature distribution of the substrate is uniform, heat treatment on the substrate may be performed by the first heating member 1600. However, when the degree of warp of the substrate is large and the temperature of the substrate is non-uniform, heat treatment on the substrate may be performed using the first heating member 1600, the second heating member 1700, and the third heating member 1800. You can. For example, when the temperature of a specific portion of the edge area of the substrate is low, heat output by the second heating member 1700 and the third heating member 1800 located around the specific portion can be increased. Meanwhile, even if the temperature sensor 1400 is not used, the degree of warpage of the substrate is measured through a separate camera or sensor (not shown), and the measurement result of the degree of warpage of the substrate is used to heat the second heating member 1700 or the second heating member 1700. 3 The operation of the heating member 1800 can be controlled.

추가적으로, 제2 가열 부재(1700), 제3 가열 부재(1800)에 의해 발생하는 열이 기판의 특정 부위로 잘 전달되도록 기류가 제어될 수 있다. 기판의 가장자리 영역으로 열이 원활하게 전달되도록 하기 위하여, 기판의 온도 분포에 따라 각 기류 공급관에 의해 공급되는 기체의 유량이 제어될 수 있다. 예를 들어, 기판의 가장자리 특정 부위의 온도가 낮은 경우, 해당 특정 부위의 주변에 위치한 제2 가열 부재(1700)의 열 출력이 증가하고 또한 해당 특정 부위의 주변에 위치한 기류 공급관을 통해 상대적으로 큰 유량으로 기체가 공급되도록 함으로써 해당 특정 부위로 더 큰 열이 가해지도록 할 수 있다. Additionally, airflow may be controlled so that heat generated by the second heating member 1700 and the third heating member 1800 is well transmitted to a specific area of the substrate. In order to ensure that heat is smoothly transferred to the edge area of the substrate, the flow rate of gas supplied by each airflow supply pipe can be controlled according to the temperature distribution of the substrate. For example, when the temperature of a specific area on the edge of the substrate is low, the heat output of the second heating member 1700 located around the specific area increases and also increases the heat output through the airflow supply pipe located around the specific area. By supplying gas at a flow rate, greater heat can be applied to that specific area.

다시 도 4를 참조하면, 배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)으로 유입되는 기류의 흐름을 안내한다. 또한 배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530)과 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)은 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)은 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 형성된다. 배기관(1530)은 상부 바디(1120)의 중심홀에 삽입될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치하고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치한다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)을 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1122)을 거쳐 배기된다. Referring again to FIG. 4, the exhaust unit 1500 guides the flow of air flowing into the processing space 1110. Additionally, the exhaust unit 1500 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530 and a guide plate 1540. The exhaust pipe 1530 has a tube shape with its longitudinal direction oriented vertically upward and downward. The exhaust pipe 1530 is formed to penetrate the upper wall of the upper body 1120. The exhaust pipe 1530 may be inserted into the center hole of the upper body 1120. That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located within the processing space 1110, and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110. A pressure reducing member 1560 is connected to the top of the exhaust pipe 1530. The pressure reducing member 1560 depressurizes the exhaust pipe 1530. Accordingly, the atmosphere of the processing space 1110 is exhausted through the through hole 1542 and the exhaust pipe 1122.

안내판(1540)은 중심에 통공(1541)을 갖는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 배기관(1530)의 하단으로터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 통공(1541)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 상부면과 마주하도록 구성된다. 안내판(1540)은 하부 바디(1140) 보다 높게 위치한다. 안내판(1540)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)은 제1 기류 공급관(1910)과 중첩되게 위치하고 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생하며, 이 틈은 제1 기류 공급관(1910)을 통해 유입된 기체가 기판으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다. The guide plate 1540 has a plate shape with a through hole 1541 at the center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the bottom of the exhaust pipe 1530. The guide plate 1540 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the through hole 1541 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1540 is configured to face the upper surface of the support plate 1320 at the top of the support plate 1320. The guide plate 1540 is located higher than the lower body 1140. The guide plate 1540 may be located at a height facing the upper body 1120. When viewed from the top, the guide plate 1540 is positioned to overlap the first airflow supply pipe 1910 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the upper body 1120. Accordingly, a gap is created between the side end of the guide plate 1540 and the inner surface of the upper body 1120, and this gap serves as a flow path through which the gas introduced through the first air flow supply pipe 1910 is supplied to the substrate.

본 발명에 따른 기판에 대한 열 처리를 수행하는 베이크 유닛(3200)은, 내부에 처리 공간(1110)을 가지는 챔버(1100)와, 처리 공간(1110)에 위치되며 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트(1320)와, 지지 플레이트(1320)에 제공되어 지지면에 놓인 기판의 온도를 측정하는 온도 센서(1400)와, 지지 플레이트(1320)에 제공되어 지지면에 놓인 기판의 저면을 가열하는 제1 가열 부재(1600)와, 처리 공간(1110)에 지지된 기판보다 상부에 위치되어 지지면에 놓인 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제2 가열 부재(1700)를 포함한다. The bake unit 3200, which performs heat treatment on a substrate according to the present invention, includes a chamber 1100 having a processing space 1110 therein, and a support surface located in the processing space 1110 and on which the substrate is supported. A support plate 1320 having a temperature sensor 1400 provided on the support plate 1320 to measure the temperature of the substrate placed on the support surface, and a temperature sensor 1400 provided on the support plate 1320 to measure the bottom of the substrate placed on the support surface. It includes a first heating member 1600 that heats, and a second heating member 1700 that is located above the substrate supported in the processing space 1110 and heats an edge area of the substrate placed on the support surface.

상술한 바와 같이, 기판의 휨으로 인해 제1 가열 부재(1600)에 의해 기판의 저면과 지지 플레이트(1320) 사이의 간격 차이로 인해 기판의 열 분포 편차가 발생하며, 기판의 상부에 위치한 제2 가열 부재(1700)를 사용하여 열이 잘 전달되지 않는 부위에 추가로 열을 가함으로써 기판의 전반적인 열 분포를 균일하게 할 수 있다. 또한, 제2 가열 부재(1700)는 복수개의 히터로 구성될 수 있는데, 기판의 중심부를 따라 원주 방향으로 복수개의 히터가 구성될 수 있다. 이때, 기판의 열 분포가 온도 센서(1400)에 의해 측정되면 기판의 온도 분포에 따라 제2 가열 부재(1700)를 구성하는 각 히터의 출력이 조절될 수 있다. As described above, due to the bending of the substrate, a heat distribution deviation of the substrate occurs due to a difference in the gap between the bottom of the substrate and the support plate 1320 by the first heating member 1600, and the second heating member 1600 located on the top of the substrate By using the heating member 1700 to apply additional heat to areas where heat is not well transmitted, the overall heat distribution of the substrate can be made uniform. Additionally, the second heating member 1700 may be composed of a plurality of heaters, and a plurality of heaters may be configured in a circumferential direction along the center of the substrate. At this time, when the heat distribution of the substrate is measured by the temperature sensor 1400, the output of each heater constituting the second heating member 1700 can be adjusted according to the temperature distribution of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 제2 가열 부재(1700)는 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치하는 안내판(1540)의 하부에 장착될 수 있다. 제2 가열 부재(1700)는 안내판(1540)의 가장자리 부분에 설치되어 기판의 가장자리 영역에 열을 가할 수 있다. 제2 가열 부재(1700)에 의해 안내판(1540)의 가장자리에 하중이 커지는 경우 안내판(1540)의 가장자리에 챔버(1100)의 천장과 연결되는 보강재가 설치될 수 있다. 제2 가열 부재(1700)는 히터, IR 램프 등으로 구현될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second heating member 1700 may be mounted on the lower part of the guide plate 1540 located at the upper part of the support plate 1320 and facing the support surface of the support plate 1320. The second heating member 1700 is installed at the edge of the guide plate 1540 and can apply heat to the edge area of the substrate. When the load on the edge of the guide plate 1540 increases due to the second heating member 1700, a reinforcing material connected to the ceiling of the chamber 1100 may be installed on the edge of the guide plate 1540. The second heating member 1700 may be implemented as a heater, IR lamp, etc.

본 발명의 실시예에 따르면, 열 처리 장치(100)는 챔버(1100)의 측벽에 위치되어 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제3 가열 부재(1800)를 더 포함할 수 있다. 제3 가열 부재(1800)는 챔버(1100)의 측벽에 설치되어 기판의 가장자리로 열을 가할 수 있다. 제3 가열 부재(1800)는 상부 바디(1120)에 설치될 수도 있으며, 하부 바디(1140)에 설치될 수도 있다. 제3 가열 부재(1800)는 히터, IR 램프 등으로 구현될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the heat treatment apparatus 100 may further include a third heating member 1800 located on the side wall of the chamber 1100 to heat the edge area of the substrate. The third heating member 1800 is installed on the side wall of the chamber 1100 and can apply heat to the edge of the substrate. The third heating member 1800 may be installed on the upper body 1120 or the lower body 1140. The third heating member 1800 may be implemented as a heater, IR lamp, etc.

본 발명의 실시예에 따르면, 열 처리 장치(100)는 챔버(1100)에 구비되고 지지면에 놓인 기판에 외부의 기류를 공급하는 기류 공급 부재(1900)를 더 포함한다. 기류 공급 부재(1900)는 지지면에 놓인 기판의 휨 정도에 따라 기판에 공급되는 기류의 유량을 조절할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the heat treatment apparatus 100 further includes an airflow supply member 1900 provided in the chamber 1100 and supplying an external airflow to the substrate placed on the support surface. The airflow supply member 1900 can adjust the flow rate of airflow supplied to the substrate depending on the degree of bending of the substrate placed on the support surface.

기류 공급 부재(1900)는 챔버(1100)의 상부에서 원주 방향을 따라 형성된 복수개의 기류 공급관(1910, 1920)을 포함하고, 복수개의 기류 공급관(1910, 1920) 중에서 기판의 온도 분포에 따라 각 기류 공급관을 통해 공급되는 기체의 유량이 제어될 수 있다. The airflow supply member 1900 includes a plurality of airflow supply pipes 1910 and 1920 formed along the circumferential direction at the top of the chamber 1100, and among the plurality of airflow supply pipes 1910 and 1920, each airflow is supplied according to the temperature distribution of the substrate. The flow rate of gas supplied through the supply pipe can be controlled.

예를 들어, 기류 공급 부재(1900)는 제1 기류 공급관(1910) 및 제2 기류 공급관(1920)을 포함한다. 제1 기류 공급관(1910) 및 제2 기류 공급관(1920)은 배기관(1122)의 주변에 복수개 제공되며, 제2 기류 공급관(1920)이 제1 기류 공급관(1910)의 주변을 따라 배열된다. 제1 기류 공급관(1910)과 제2 기류 공급관(1920)으로 유입되는 기체의 압력이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 기판의 가장자리 영역으로 보다 많은 기체가 유동하도록 제2 기류 공급관(1920)에 더 높은 압력으로 기체가 유입되도록 할 수 있다. For example, the airflow supply member 1900 includes a first airflow supply pipe 1910 and a second airflow supply pipe 1920. A plurality of first airflow supply pipes 1910 and second airflow supply pipes 1920 are provided around the exhaust pipe 1122, and the second airflow supply pipes 1920 are arranged along the periphery of the first airflow supply pipe 1910. The pressure of gas flowing into the first airflow supply pipe 1910 and the second airflow supply pipe 1920 may be different. For example, gas may be allowed to flow into the second airflow supply pipe 1920 at a higher pressure so that more gas flows to the edge area of the substrate.

또한, 제2 가열 부재(1700), 제3 가열 부재(1800)에 의해 발생하는 열이 기판의 특정 부위로 잘 전달되도록, 기판의 온도 분포에 따라 각 기류 공급관에 의해 공급되는 기체의 유량이 제어될 수 있다. 예를 들어, 기판의 가장자리 특정 부위의 온도가 낮은 경우, 해당 특정 부위의 주변에 위치한 제2 가열 부재(1700)의 열 출력이 증가하고 또한 해당 특정 부위의 주변에 위치한 기류 공급관을 통해 상대적으로 큰 유량으로 기체가 공급되도록 함으로써 해당 특정 부위로 더 큰 열이 가해지도록 할 수 있다.In addition, the flow rate of gas supplied by each airflow supply pipe is controlled according to the temperature distribution of the substrate so that the heat generated by the second heating member 1700 and the third heating member 1800 is well transmitted to a specific area of the substrate. It can be. For example, when the temperature of a specific area on the edge of the substrate is low, the heat output of the second heating member 1700 located around the specific area increases and also increases the heat output through the airflow supply pipe located around the specific area. By supplying gas at a flow rate, greater heat can be applied to that specific area.

도 5는 본 발명에 따른 열 처리 장치(100)의 동작 방법을 나타내는 흐름도이다. 본 발명에 따른 열 처리 장치(100)는, 내부에 처리 공간(1110)을 가지는 챔버(1100)와, 처리 공간(1110)에 위치되며, 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트(1320)와, 지지 플레이트(1320)에 제공되어 지지면에 놓인 기판의 온도를 측정하는 온도 센서(1400)와, 지지 플레이트(1320)에 제공되어 지지면에 놓인 기판의 저면을 가열하는 제1 가열 부재(1600)와, 기판보다 상부에 위치되어 지지면에 놓인 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제2 가열 부재(1700)를 포함한다. Figure 5 is a flowchart showing a method of operating the heat treatment apparatus 100 according to the present invention. The heat processing apparatus 100 according to the present invention includes a chamber 1100 having a processing space 1110 therein, and a support plate 1320 located in the processing space 1110 and having a support surface on which a substrate is supported. ), a temperature sensor 1400 provided on the support plate 1320 to measure the temperature of the substrate placed on the support surface, and a first heating member provided on the support plate 1320 to heat the bottom of the substrate placed on the support surface. It includes (1600) and a second heating member (1700) located above the substrate and heating the edge area of the substrate placed on the support surface.

본 발명에 따른 열 처리 장치(100)의 동작 방법은, 기판을 챔버(1100)에 투입하는 단계(S510)와, 온도 센서(1400)를 사용하여 기판의 온도 분포를 측정하는 단계(S520)와, 기판의 온도 분포가 정상 범위에 해당하는지 여부를 판단하는 단계(S530)와, 기판의 온도 분포가 정상 범위에 해당하는 경우, 제1 가열 부재(1600)를 사용하여 기판에 대한 열 처리를 수행하는 단계(S540)와, 기판의 온도 분포가 비정상 범위에 해당하는 경우 제1 가열 부재(1600) 및 제2 가열 부재(1700)를 사용하여 기판에 대한 열 처리를 수행하는 단계(S550)를 포함한다. The method of operating the heat treatment apparatus 100 according to the present invention includes the steps of introducing a substrate into the chamber 1100 (S510), measuring the temperature distribution of the substrate using the temperature sensor 1400 (S520), and , determining whether the temperature distribution of the substrate is within the normal range (S530), and if the temperature distribution of the substrate is within the normal range, heat treatment is performed on the substrate using the first heating member 1600. It includes a step (S540) of performing heat treatment on the substrate using the first heating member 1600 and the second heating member 1700 when the temperature distribution of the substrate is in an abnormal range (S550). do.

상술한 바와 같이, 기판의 휨으로 인하여 기판의 영역별 온도 편차가 큰 경우, 제1 가열 부재(1600)에 의해 원활하게 열이 공급되지 않는 부위에 열을 집중적으로 공급하기 위하여 제2 가열 부재(1700)를 사용하여 열이 공급될 수 있다. 또한, 제2 가열 부재(1700) 뿐만 아니라 제3 가열 부재(1800)를 통해 기판으로 열이 공급될 수도 있으며, 추가적으로 기류 공급 부재(1900)에 의해 기류를 제어함으로써 열이 기판의 특정 부분으로 원활히 전달되도록 할 수 있다. As described above, when the temperature difference between regions of the substrate is large due to bending of the substrate, a second heating member ( Heat can be supplied using 1700). In addition, heat may be supplied to the substrate not only through the second heating member 1700 but also through the third heating member 1800, and additionally, by controlling the airflow by the airflow supply member 1900, heat can be smoothly transferred to a specific part of the substrate. It can be delivered.

본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다. This embodiment and the drawings attached to this specification only clearly show a part of the technical idea included in the present invention, and those skilled in the art can easily infer within the scope of the technical idea included in the specification and drawings of the present invention. It will be apparent that all possible modifications and specific embodiments are included in the scope of the present invention.

따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and the scope of the patent claims described below as well as all things that are equivalent or equivalent to the scope of the claims will be said to fall within the scope of the spirit of the present invention. .

1: 포토 스피너 설비
20: 인덱스 모듈
30: 처리 모듈
30a: 도포 블럭
30b: 현상 블럭
40: 인터페이스 모듈
100: 열 처리 장치
1100: 챔버
1320: 지지 플레이트
1400: 온도 센서
1600: 제1 가열 부재
1700: 제2 가열 부재
1800: 제3 가열 부재
1900: 기류 공급 부재1: Photo spinner equipment
20: Index module
30: processing module
30a: application block
30b: development block
40: interface module
100: heat treatment device
1100: Chamber
1320: support plate
1400: Temperature sensor
1600: first heating member
1700: second heating member
1800: Third heating member
1900: No airflow supply

Claims (6)

기판에 대한 열 처리를 수행하는 열 처리 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간에 위치되며, 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 온도를 측정하는 온도 센서;
상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 저면을 가열하는 제1 가열 부재; 및
상기 처리 공간에 지지된 상기 기판보다 상부에 위치되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제2 가열 부재;를 포함하는,
열 처리 장치.
In a heat treatment device that performs heat treatment on a substrate,
A chamber having a processing space therein;
a support plate located in the processing space and having a support surface on which a substrate is supported;
a temperature sensor provided on the support plate to measure the temperature of the substrate placed on the support surface;
a first heating member provided on the support plate to heat the bottom surface of the substrate placed on the support surface; and
A second heating member is located above the substrate supported in the processing space and heats an edge area of the substrate placed on the support surface.
Heat treatment device.
 제1항에 있어서,
상기 제2 가열 부재는 상기 지지 플레이트의 상부에서 상기 지지 플레이트의 지지면과 마주하게 위치하는 안내판의 하부에 장착되는,
열 처리 장치.
According to paragraph 1,
The second heating member is mounted on the lower part of the guide plate located at the upper part of the support plate and facing the support surface of the support plate,
Heat treatment device.
 제1항에 있어서,
상기 챔버의 측벽에 위치되어 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제3 가열 부재를 더 포함하는,
열 처리 장치.
According to paragraph 1,
Further comprising a third heating member located on a side wall of the chamber to heat an edge area of the substrate,
Heat treatment device.
 제1항에 있어서,
상기 챔버에 구비되고, 상기 지지면에 놓인 상기 기판에 외부의 기류를 공급하는 기류 공급 부재를 더 포함하고,
상기 기류 공급 부재는 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 휨 정도에 따라 상기 기판에 공급되는 기류의 유량을 조절하는,
열 처리 장치.
According to paragraph 1,
Further comprising an airflow supply member provided in the chamber and supplying an external airflow to the substrate placed on the support surface,
The airflow supply member adjusts the flow rate of the airflow supplied to the substrate depending on the degree of bending of the substrate placed on the support surface.
Heat treatment device.
 제4항에 있어서,
상기 기류 공급 부재는 상기 챔버의 상부에서 원주 방향을 따라 형성된 복수개의 기류 공급관을 포함하고,
상기 복수개의 기류 공급관 중에서 상기 기판의 온도 분포에 따라 각 기류 공급관을 통해 공급되는 기체의 유량이 제어되는,
열 처리 장치.
According to paragraph 4,
The airflow supply member includes a plurality of airflow supply pipes formed along a circumferential direction at the upper part of the chamber,
Among the plurality of airflow supply pipes, the flow rate of gas supplied through each airflow supply pipe is controlled according to the temperature distribution of the substrate,
Heat treatment device.
 열 처리 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 열 처리 장치는,
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간에 위치되며, 상면에 기판이 지지되는 지지면을 가지는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 온도를 측정하는 온도 센서;
상기 지지 플레이트에 제공되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 저면을 가열하는 제1 가열 부재; 및
상기 기판보다 상부에 위치되어 상기 지지면에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제2 가열 부재;를 포함하고,
상기 열 처리 장치의 동작 방법은,
상기 기판을 상기 챔버에 투입하는 단계;
상기 온도 센서를 사용하여 상기 기판의 온도 분포를 측정하는 단계;
상기 기판의 온도 분포가 정상 범위에 해당하는지 여부를 판단하는 단계;
상기 기판의 온도 분포가 정상 범위에 해당하는 경우, 상기 제1 가열 부재를 사용하여 상기 기판에 대한 열 처리를 수행하는 단계; 및
상기 기판의 온도 분포가 비정상 범위에 해당하는 경우, 상기 제1 가열 부재 및 상기 제2 가열 부재를 사용하여 상기 기판에 대한 열 처리를 수행하는 단계;를 포함하는,
열 처리 장치의 동작 방법.

In a method of operating a heat treatment device,
The heat treatment device,
A chamber having a processing space therein;
a support plate located in the processing space and having a support surface on which a substrate is supported;
a temperature sensor provided on the support plate to measure the temperature of the substrate placed on the support surface;
a first heating member provided on the support plate to heat the bottom surface of the substrate placed on the support surface; and
A second heating member is located above the substrate and heats an edge area of the substrate placed on the support surface,
The operating method of the heat treatment device is,
Inserting the substrate into the chamber;
measuring the temperature distribution of the substrate using the temperature sensor;
determining whether the temperature distribution of the substrate is within a normal range;
If the temperature distribution of the substrate is within a normal range, performing heat treatment on the substrate using the first heating member; and
When the temperature distribution of the substrate is in an abnormal range, performing heat treatment on the substrate using the first heating member and the second heating member.
How the heat treatment device works.
KR1020220120127A 2022-09-22 2022-09-22 Thermal processing apparatus and operation method thereof KR20240041406A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220120127A KR20240041406A (en) 2022-09-22 2022-09-22 Thermal processing apparatus and operation method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220120127A KR20240041406A (en) 2022-09-22 2022-09-22 Thermal processing apparatus and operation method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240041406A true KR20240041406A (en) 2024-04-01

Family

ID=90667053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220120127A KR20240041406A (en) 2022-09-22 2022-09-22 Thermal processing apparatus and operation method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240041406A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102403200B1 (en) 2017-09-25 2022-05-27 세메스 주식회사 Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102403200B1 (en) 2017-09-25 2022-05-27 세메스 주식회사 Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101578412B1 (en) Photoresist coating and developing apparatus, substrate transfer method and interface apparatus
KR101878992B1 (en) Hydrophobizing device, hydrophobizing method and recordable medium for computer
KR102041318B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR102303593B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20240041406A (en) Thermal processing apparatus and operation method thereof
JP7275087B2 (en) Substrate processing apparatus and method
KR102509263B1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
KR20200042255A (en) Method for cooling hot plate, Apparatus and Method for treating substrate
KR20190042839A (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN108335998B (en) Substrate processing apparatus and method for cooling substrate
KR102403200B1 (en) Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate
KR102277545B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR102255278B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR102277549B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
JP4015015B2 (en) Heat treatment equipment
KR102315663B1 (en) Method and Apparatus for treating a substrate
KR102081704B1 (en) Apparatus for treating substrate
US11923212B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102243242B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus
WO2020209067A1 (en) Film forming apparatus, film forming method, and film forming system
KR102175073B1 (en) Appparatus and Method for treating substrate
KR102191385B1 (en) Apparatus and method for treaing a substrate
KR102324409B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20240043474A (en) Thermal processing apparatus, operation method thereof, and photo spinner equipment
KR20210013256A (en) Apparatus and Method for treating substrate