KR101878992B1

KR101878992B1 - Hydrophobizing device, hydrophobizing method and recordable medium for computer

Info

Publication number: KR101878992B1
Application number: KR1020120060357A
Authority: KR
Inventors: 요헤이 사노; 야스히로 다카키
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-06-17
Filing date: 2012-06-05
Publication date: 2018-07-16
Also published as: JP2013004804A; JP5575706B2; KR20120139550A

Abstract

HMDS 가스에 의한 기판의 소수화 처리를 효율적으로 행한다.
처리 용기(110) 내에 배치된 웨이퍼를 소수화 처리하는 접착 유닛(41)은, 상부가 개구하는 처리 용기(110)와, 처리 용기(110)의 개구를 덮는 덮개(111)와, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대(112)와, HMDS 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부(122)와, 웨이퍼(W)의 상방이며, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부(140)와, 웨이퍼(W)보다 외방에 마련된 외주 배기부(150)를 갖고 있다.The hydrophobic treatment of the substrate by the HMDS gas is efficiently performed.
The bonding unit 41 for hydrophobicizing the wafer placed in the processing vessel 110 includes a processing vessel 110 having an upper portion opened, a lid 111 covering the opening of the processing vessel 110, A gas supply part 122 for supplying HMDS gas and purge gas, a central exhaust part 140 provided above the wafer W and opposed to the central part of the wafer W, And an outer peripheral exhaust part 150 provided outside the wafer W.

Description

소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{HYDROPHOBIZING DEVICE, HYDROPHOBIZING METHOD AND RECORDABLE MEDIUM FOR COMPUTER}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a hydrophobic treatment device, a hydrophobic treatment method,

본 발명은, 기판의 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기록 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a hydrophobic processing apparatus, a hydrophobic processing method, a program, and a computer recording medium for performing a hydrophobic treatment of a substrate.

예컨대 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함)와 레지스트액의 밀착성을 향상시키기 위한 소수화 처리가 행해진다. 이 소수화 처리에 있어서는, 처리 용기 내에 배치된 웨이퍼의 표면에 대하여 HMDS(Hexa Methyl Disilazane) 가스를 정해진 시간 공급함으로써, 웨이퍼의 표면이 소수화된다. 이에 의해, 후속 공정에 있어서 레지스트막이 웨이퍼의 표면으로부터 박리되거나 하는 것을 억제할 수 있다.For example, in a photolithography process in a semiconductor device fabrication process, a hydrophobic process is performed to improve adhesion between a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer ") and a resist solution. In this hydrophobic treatment, HMDS (hexa methyl disilazane) gas is supplied to the surface of the wafer placed in the treatment vessel for a predetermined time, whereby the surface of the wafer becomes hydrophobic. This makes it possible to prevent the resist film from peeling off from the surface of the wafer in the subsequent step.

이러한 소수화 처리에 이용하는 처리 용기에는, 이 처리 용기 외부로 누설되는 HMDS 가스가 정해진 농도 이하로 되는 것과 같은 구조가 요구된다. HMDS 가스가 처리 용기 외부로 누설되면, 파티클의 원인이 되거나, HMDS 가스가 공기 중의 수분과 반응하여 레지스트에 악영향을 부여하는 암모니아가 생성되어 버리거나 하기 때문이다.A structure such that the HMDS gas leaking to the outside of the processing vessel is set to a predetermined concentration or less is required for the processing vessel used for the hydrophobic treatment. If the HMDS gas leaks to the outside of the processing vessel, particles may be generated or HMDS gas reacts with moisture in the air to generate ammonia which adversely affects the resist.

그 때문에, 처리 용기 외부로의 HMDS 가스의 누설을 방지하는 소수화 처리 장치가, 예컨대 특허문헌 1에 제안되어 있다. 구체적으로는, 예컨대 도 10에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(300) 내에 웨이퍼(W)의 상방으로부터 가스 공급부(301)를 통해 HDMS 가스를 공급하는데 있어서, 처리 용기(300)의 외주부에 형성된 퍼지 가스 공급로(302)로부터 퍼지 가스로서의 질소 가스를 공급한다. 그리고, HMDS 가스와 질소 가스를 퍼지 가스 공급로(302)의 상방에 마련된 배기부(303)로부터 배출하여, 잉여의 질소 가스를 유출로(304)로부터 유출시킨다. 이에 의해, 처리 용기(300)의 내부와 외부 사이에, 소위 에어 커튼을 형성하여, HMDS 가스의 처리 용기(300) 외부로의 누설 방지를 도모하고 있다.Therefore, a hydrophobic treatment device for preventing leakage of HMDS gas to the outside of the treatment container is proposed in, for example, Patent Document 1. 10, the HDMS gas is supplied from the upper side of the wafer W to the processing vessel 300 through the gas supply unit 301, and a purge gas (not shown) formed in the outer peripheral portion of the processing vessel 300 And nitrogen gas as a purge gas is supplied from the supply path 302. Then, the HMDS gas and the nitrogen gas are discharged from the exhaust portion 303 provided above the purge gas supply passage 302, and surplus nitrogen gas flows out from the outflow passage 304. Thus, a so-called air curtain is formed between the inside and the outside of the processing vessel 300 to prevent the HMDS gas from leaking to the outside of the processing vessel 300.

또한, 소수화 처리 후의 웨이퍼(W)의 교환에 있어서는, 처리 용기(300)가 개방되기 때문에, 웨이퍼(W)의 교환에 앞서 처리 용기(300) 내의 퍼지가 행해진다. 퍼지 시에는, HMDS 가스의 공급에 이용한 가스 공급부(301)로부터, HMDS 가스 대신에 질소 가스가 공급된다. 그리고, 처리 용기(300) 내의 HMDS 가스가 정해진 농도 이하가 되도록, 정해진 시간동안, 처리 용기(300) 내의 퍼지가 행해진다. 이때, 질소 가스는 배기부(303)로부터 배기되어, 처리 용기(300) 내가 질소 가스로 치환된다. 이에 의해, 처리 용기(300)를 개방하였을 때의 HMDS 가스의 누설이 방지된다.Since the processing vessel 300 is opened during the exchange of the wafer W after the hydrophobic processing, the processing vessel 300 is purged before the wafer W is exchanged. At the time of purge, nitrogen gas is supplied instead of the HMDS gas from the gas supply unit 301 used for supplying the HMDS gas. Then, purging in the processing vessel 300 is performed for a predetermined time such that the HMDS gas in the processing vessel 300 is equal to or lower than a predetermined concentration. At this time, the nitrogen gas is exhausted from the exhaust part 303, and the nitrogen in the processing container 300 is replaced with nitrogen gas. Thereby, leakage of the HMDS gas when the processing vessel 300 is opened is prevented.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-32878호 공보Patent Document 1: JP-A-2009-32878

그런데, 반도체 디바이스의 생산성을 향상시키기 위해 전술한 소수화 처리에 요하는 시간을 단축하는 방법으로서, 종래보다 고농도의 HMDS 가스를 이용한 소수화 처리의 방법이 검토되고 있다.As a method for shortening the time required for the hydrophobic treatment to improve the productivity of a semiconductor device, a method of hydrophobic treatment using HMDS gas at a higher concentration than in the past has been studied.

그러나, 고농도의 HMDS 가스를 이용함으로써 HMDS 가스를 공급하는 시간은 단축 가능하지만, 한편, 처리 용기 내의 퍼지에 요하는 시간이 종래보다 길어져 버리는 것이 확인되었다. 이 경우, 처리 용기 내에서의 총 작업 시간을 단축할 수 없어, 결국, 소수화 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 없다.However, by using HMDS gas of high concentration, it is possible to shorten the time for supplying HMDS gas, but it has been confirmed that the time required for purging in the processing vessel becomes longer than before. In this case, the total working time in the processing vessel can not be shortened, and as a result, the throughput of the hydrophobic processing can not be improved.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, HMDS 가스에 의한 기판의 소수화 처리를 효율적으로 행하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of this point, and an object thereof is to efficiently perform hydrophobic treatment of a substrate by HMDS gas.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS 가스를 공급하여 이 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서, 상부가 개구하는 처리 용기와, 기판을 배치하는 배치대와, 상기 처리 용기의 개구를 덮는 덮개와, 상기 배치대 상의 기판의 중앙부 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 배치대 상의 기판의 상방으로서, 또한 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부와, 상기 배치대 상의 기판보다 외방에 마련된 외주 배기부를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a hydrophobic processing apparatus for supplying HMDS gas to a surface of a substrate disposed in a processing vessel and subjecting the substrate to hydrophobic processing, the processing vessel including a processing vessel having an open top, A gas supply part for supplying HMDS gas and purge gas to the substrate from above the central part of the substrate on the placing table; And a peripheral exhaust portion provided outside the substrate on the placement table.

본 발명에 따르면, 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부를 갖고 있기 때문에, 소수화 처리 후에 가스 공급부로부터 공급된 퍼지 가스를, 그 중심 배기부로부터 효율적으로 배기할 수 있다. 이 때문에, 고농도의 HMDS 가스를 이용한 경우라도, 퍼지 시간을 길게 할 필요가 없다. 따라서, 소수화 처리를 효율적으로 행하여, 결과로서 처리 용기 내에서의 총 처리 시간을 단축할 수 있다.According to the present invention, since the central exhaust portion provided opposite to the central portion of the substrate is provided, the purge gas supplied from the gas supply portion after the hydrophobic treatment can be efficiently exhausted from the central exhaust portion. Therefore, even when a high concentration HMDS gas is used, it is not necessary to lengthen the purge time. Therefore, the hydrophobic treatment can be efficiently performed, and as a result, the total treatment time in the treatment container can be shortened.

상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 마련된 배기 모관(母管)을 갖고 있어도 좋다.And may have an exhaust pipe (main pipe) provided in common to the central exhaust portion and the outer peripheral exhaust portion.

상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고, 상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되어 있어도 좋다.A valve body is provided in a central exhaust pipe connecting the central exhaust portion and the exhaust port, and a flow rate restricting mechanism is provided in the outer circumferential exhaust pipe connecting the outer peripheral exhaust portion and the exhaust port to limit the flow rate of the fluid flowing through the outer peripheral exhaust pipe There may be.

상기 가스 공급부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.The gas supply portion may be provided at a central portion of a lower surface of the lid, and the central exhaust portion may be provided concentrically on the outside of the gas supply portion. In this case, the central exhaust portion may be disposed so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in a plan view.

상기 중심 배기부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.The central exhaust portion may be provided at a central portion of a lower surface of the lid, and the gas supply portion may be concentrically provided on the outer side of the central exhaust portion. In this case, the gas supply portion may be disposed so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in plan view.

다른 관점에 의한 본 발명은, 처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS 가스를 공급하여 그 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리의 방법으로서, 기판의 중앙부 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스를 공급하며, 기판보다 외방의 위치로부터 HMDS 가스를 배기하여 기판의 소수화 처리를 행하고, 계속해서, HMDS 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 기판의 중앙부 상방으로부터 처리 용기 내에 퍼지 가스를 공급하여, 상기 기판보다 외방의 위치 및 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터 퍼지 가스를 배기하여 처리 용기 내를 퍼지하는 것을 특징으로 한다.Another aspect of the present invention is a hydrophobic treatment method for hydrophilizing a substrate by supplying HMDS gas to the surface of the substrate disposed in the treatment vessel and supplying HMDS gas to the substrate from above the center of the substrate, The supply of the HMDS gas is stopped, and thereafter, the purge gas is supplied into the processing vessel from above the central portion of the substrate, and the purge gas is supplied to the outside of the substrate And purge gas is evacuated from a position above the central portion of the substrate and purged in the processing vessel.

상기 기판의 중앙부 상방으로부터의 HMDS 가스 및 퍼지 가스의 공급은, 기판의 중앙부 상방에 마련된 가스 공급부에 의해 행해지고, 상기 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터의 배기는, 기판의 상방으로서, 또한 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부에 의해 행해지며, 상기 기판보다 외방의 위치로부터의 배기는, 기판의 외방에 마련된 외주 배기부에 의해 행해져도 좋다.The supply of the HMDS gas and the purge gas from above the central portion of the substrate is performed by a gas supply portion provided above the central portion of the substrate and the exhaust from a position above the center portion of the substrate is provided above the substrate, The central exhaust portion provided opposite to the central portion, and the exhaust from the position outside the substrate may be performed by an outer peripheral exhaust portion provided on the outer side of the substrate.

상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 배기 모관이 마련되고, 상기 중심 배기부 및 상기 외주 배기부로부터의 배기는, 상기 배기 모관을 통해 행해져도 좋다.And an exhaust port is provided in common to the central exhaust portion and the outer peripheral exhaust portion, and exhaust from the central exhaust portion and the outer peripheral exhaust portion may be performed through the exhaust port.

상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고, 상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되며, 상기 기판을 소수화 처리하는 동안은 상기 밸브체를 폐쇄하여 중심 배기부로부터의 배기를 정지하고, 상기 처리 용기 내를 퍼지하는 동안은 그 밸브체를 개방하여 중심 배기부로부터 배기하여도 좋다.A valve body is provided in a central exhaust pipe connecting the central exhaust portion and the exhaust port, and a flow rate restricting mechanism is provided in the outer circumferential exhaust pipe connecting the outer peripheral exhaust portion and the exhaust port, for limiting the flow rate of the fluid flowing through the outer peripheral exhaust pipe During the hydrophobic treatment of the substrate, the valve body may be closed to stop the exhaust from the central exhaust part, and the valve body may be opened while purging the inside of the processing vessel to exhaust the exhaust gas from the central exhaust part.

상기 가스 공급부는, 상기 처리 용기의 내측 상면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.The gas supply portion may be provided at a central portion of the inner upper surface of the processing container, and the central exhaust portion may be provided concentrically on the outside of the gas supply portion. In this case, the central exhaust portion may be disposed so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in a plan view.

상기 중심 배기부는, 상기 처리 용기의 내측 상면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.The central exhaust portion may be provided at a central portion of the inner upper surface of the processing container, and the gas supply portion may be concentrically provided on the outer side of the central exhaust portion. In this case, the gas supply portion may be disposed so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in plan view.

또한, 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 소수화 처리 방법을 소수화 처리 장치에 의해 실행시키기 위해, 이 소수화 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the hydrophobic processing apparatus to execute the hydrophobic processing method by the hydrophobic processing apparatus.

또한 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is also provided a computer-readable computer storage medium storing the program.

본 발명에 따르면, HMDS 가스에 의한 기판의 소수화 처리를 효율적으로 행할 수 있다.According to the present invention, the hydrophobic treatment of the substrate by the HMDS gas can be performed efficiently.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 접착(adhesion) 유닛의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 5는 가스 공급부 근방의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 6은 가스 공급부 및 중심 배기부 근방의 구성의 개략을 나타내는 저면도이다.
도 7은 접착 유닛의 덮개를 상승시킨 상태를 나타내는 설명도이다.
도 8은 소수화 처리 시의 처리 용기 내의 가스의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 9는 퍼지 시의 처리 용기 내의 가스의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 10은 종래의 소수화 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.Fig. 1 is an explanatory view schematically showing a configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
2 is a side view schematically showing the internal configuration of the substrate processing system according to the present embodiment.
3 is a side view schematically showing the internal configuration of the substrate processing system according to the present embodiment.
Fig. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing the construction of an adhesion unit. Fig.
5 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration near the gas supply portion.
6 is a bottom view schematically showing a configuration near the gas supply portion and the central discharge portion.
7 is an explanatory view showing a state in which the lid of the bonding unit is raised.
8 is an explanatory diagram showing the flow of gas in the processing container during the hydrophobic treatment.
Fig. 9 is an explanatory diagram showing the flow of gas in the processing container at the time of purging. Fig.
10 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a conventional hydrophobic treatment apparatus.

이하, 본 발명의 실시형태의 일례에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 소수화 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. 1 is an explanatory view schematically showing the configuration of a substrate processing system 1 provided with a hydrophobic processing apparatus according to the present embodiment. Fig. 2 and Fig. 3 are side views schematically showing the internal configuration of the substrate processing system 1. Fig.

또한, 본 실시형태에서는, 기판 처리 시스템(1)은, 예컨대 기판의 포토리소그래피 처리를 행하는 도포 현상 처리 시스템이다.In the present embodiment, the substrate processing system 1 is, for example, a coating and developing processing system that performs photolithography processing of a substrate.

기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 예컨대 외부와의 사이에서 카세트(C)가 반입출되는 반입출부로서의 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 유닛을 구비한 처리부로서의 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송부로서의 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.1, the substrate processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 serving as a loading / unloading unit in which a cassette C is loaded / unloaded with the outside, and a process defined in a single wafer process in the photolithography process An interface station 5 as a transfer section for transferring the wafer W between the processing station 3 as a processing section having a plurality of various processing units for transferring the wafer W and the exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3, Are integrally connected to each other.

카세트 스테이션(2)은, 예컨대 카세트 반입출부(10)와 웨이퍼 반송부(11)로 나뉘어 있다. 예컨대 카세트 반입출부(10)는, 기판 처리 시스템(1)의 Y 방향 마이너스 방향(도 1의 좌측 방향)측의 단부(端部)에 마련되어 있다. 카세트 반입출부(10)에는, 카세트 배치대(12)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(12) 상에는, 복수, 예컨대 4개의 배치판(13)이 마련되어 있다. 배치판(13)은, 수평 방향의 X 방향(도 1의 상하 방향)으로 1열로 배열되어 마련되어 있다. 이들 배치판(13)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 배치할 수 있다.The cassette station 2 is divided into a cassette loading / unloading portion 10 and a wafer transfer portion 11, for example. For example, the cassette loading / unloading section 10 is provided at the end of the substrate processing system 1 in the Y direction minus direction (left direction in FIG. 1). A cassette loading / unloading section (10) is provided with a cassette placing table (12). On the cassette placement table 12, a plurality of, for example, four arrangement plates 13 are provided. The arrangement plates 13 are arranged in one row in the X direction in the horizontal direction (vertical direction in Fig. 1). The cassette C can be disposed in these arrangement plates 13 when the cassette C is carried in and out from the outside of the substrate processing system 1. [

웨이퍼 반송부(11)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동할 수 있는 웨이퍼 반송 장치(21)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 배치판(13) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.1, the wafer transfer device 21 is provided with a wafer transfer device 21 capable of moving on a transfer path 20 extending in the X direction. The wafer transfer device 21 is movable in the vertical direction and the vertical axis direction (the? Direction), and the wafer transfer device 21 is capable of transferring the cassette C on each of the arrangement plates 13 and the third block G3 of the processing station 3 The wafer W can be transported between the transfer devices.

처리 스테이션(3)에는, 각종 유닛을 구비한 복수, 예컨대 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 마련되어 있다. 예컨대 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 마이너스 방향측)에는, 제1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 플러스 방향측)에는, 제2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 마이너스 방향측)에는, 제3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 플러스 방향측)에는, 제4 블록(G4)이 마련되어 있다.The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3 and G4 having various units. The first block G1 is provided on the front side (the X direction minus direction side in Fig. 1) of the processing station 3 and the back side (the X direction plus side in Fig. 1) , And a second block G2 are provided. A third block G3 is provided on the cassette station 2 side of the processing station 3 (on the minus side in the Y direction in Fig. 1), and the third block G3 is provided on the side of the interface station 5 1 on the positive direction side in the Y direction), a fourth block G4 is provided.

예컨대 제1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액처리 유닛, 예컨대 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 유닛(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 유닛(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 유닛(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)이 밑에서부터 순서대로 4단으로 중첩되어 있다.For example, as shown in Fig. 2, the first block G1 includes a plurality of liquid processing units, for example, a development processing unit 30 for developing wafers W, an antireflection film A lower antireflection film forming unit 31 forming a lower antireflection film (hereinafter referred to as a lower antireflection film), a resist coating unit 32 forming a resist film by applying a resist solution to the wafer W, Antireflection film forming units 33 forming an antireflection film (hereinafter referred to as " upper antireflection film ") are superimposed in order from the bottom in four stages.

예컨대 제1 블록(G1)의 각 유닛(30∼33)은, 처리 시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 가지며, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.For example, each of the units 30 to 33 of the first block G1 has a plurality of cups F horizontally accommodating the wafers W at the time of processing and can process a plurality of wafers W in parallel have.

예컨대 제2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 유닛(40)이나, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서의 접착 유닛(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 유닛(42)이 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 열처리 유닛(40)은, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 배치하여 냉각하는 냉각판을 가지며, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽을 행할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(40), 접착 유닛(41) 및 주변 노광 유닛(42)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.For example, as shown in Fig. 3, the second block G2 is provided with a heat treatment unit 40 for performing heat treatment of the wafer W, an adhesion unit 41 as a hydrophobic treatment device for hydrophobizing the wafer W, W are arranged in the vertical direction and the horizontal direction. The heat treatment unit 40 has a heat plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for cooling the wafer W by disposing the wafer W and can perform both the heat treatment and the cooling treatment. The number and arrangement of the heat treatment unit 40, the bonding unit 41 and the peripheral exposure unit 42 can be arbitrarily selected.

예컨대 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 유닛(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)이 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 전달 유닛(60, 61, 62)이 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다.For example, in the third block G3, a plurality of transfer units 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are provided in order from the bottom. In the fourth block G4, a plurality of transfer units 60, 61, 62 are provided in order from the bottom.

도 1에 나타내는 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예컨대 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.As shown in Fig. 1, a wafer carrying region D is formed in an area surrounded by the first block (G1) to the fourth block (G4). In the wafer transfer region D, for example, a wafer transfer device 70 is disposed.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예컨대 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 정해진 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 예컨대 도 3에 나타내는 바와 같이 상하로 복수대 배치되어, 예컨대 각 블록(G1∼G4)의 같은 정도의 높이의 정해진 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer transfer device 70 has, for example, a transfer arm which is movable in the Y direction, the X direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 70 moves within the wafer transfer region D and transfers the wafer W to the wafer W in the predetermined first block G1, the second block G2, the third block G3 and the fourth block G4 The wafer W can be carried to the unit. As shown in Fig. 3, for example, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 are arranged vertically so that the wafer W can be transferred to a predetermined unit of the same height as each of the blocks G1 to G4, for example.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.A shuttle transfer device 80 for transferring the wafers W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided in the wafer transfer region D. [

셔틀 반송 장치(80)는, 예컨대 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 유닛(52)과 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle transfer device 80 is linearly movable in the Y direction of Fig. 3, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while holding the wafer W and is transferred between the transfer unit 52 of the third block G3 and the transfer unit 62 of the fourth block G4 The wafer W can be transported.

도 1에 나타내는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 플러스 방향측에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예컨대 X 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in Fig. 1, the wafer transfer device 90 is provided on the X direction plus side of the third block G3. The wafer transfer device 90 has, for example, a transfer arm movable in the X direction and the vertical direction. The wafer transfer device 90 can vertically move while holding the wafer W and can transfer the wafer W to each of the transfer units in the third block G3.

인터페이스 스테이션(5)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 유닛, 노광 장치(4)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.In the interface station 5, a wafer transfer apparatus 100 is provided. The wafer transfer apparatus 100 has, for example, a transfer arm which is movable in the front-back direction, the? Direction, and the up-down direction. The wafer transfer apparatus 100 can carry the wafer W to the transfer unit and the exposure apparatus 4 in the fourth block G4 by supporting the wafer W on the transfer arm, for example.

다음에, 접착 유닛(41)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 접착 유닛(41)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.Next, the structure of the adhesive unit 41 will be described. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the adhesive unit 41. Fig.

접착 유닛(41)은, 상부가 개구하는, 바닥을 갖는 대략 U자형의 처리 용기(110)와, 처리 용기(110)의 개구를 덮는 덮개(111)를 갖고 있다. 처리 용기(110)의 저면 상부에는, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대(112)가 마련되어 있다. 배치대(112)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터(113)가 마련되어 있다.The bonding unit 41 has a substantially U-shaped processing vessel 110 having a bottom open at the top and a lid 111 for covering the opening of the processing vessel 110. On the bottom surface of the processing vessel 110, a stage 112 for placing the wafer W thereon is provided. A heater 113 for heating the wafer W is provided in the placement table 112.

덮개(111)는, 수평인 천판(120)과, 천판(120)의 외주연부(外周緣部)로부터 연직 하방으로 연신하여 마련된 측판(121)을 구비하고 있다. 측판(121)의 하단부(121a)는, 처리 용기(110)의 상단부(110a)에 대향하고 있다. 이에 의해, 처리 용기(110)와 덮개(111) 사이에 처리 공간(S)이 형성되어 있다.The lid 111 includes a horizontal top plate 120 and a side plate 121 extending vertically downward from the outer periphery of the top plate 120. The lower end portion 121a of the side plate 121 is opposed to the upper end portion 110a of the processing container 110. [ Thereby, a processing space S is formed between the processing container 110 and the lid 111.

덮개(111)는, 이 덮개(111)를 처리 용기(110)에 대하여 상대적으로 승강 이동시키는 승강 기구(114)를 구비하고 있다. 또한, 승강 기구(114)는, 덮개(111)와 처리 용기(110)를 상호 상대적으로 승강 가능하게 이동시킬 수 있으면, 처리 용기(110)측에 마련되어 있어도 좋다. 또한, 승강 기구(114)에 의해, 측판(121)의 하단부(121a)와 처리 용기(110)의 상단부(110a) 사이에, 정해진 간극(G)이 형성되도록, 덮개(111)의 처리 용기(110)에 대한 높이 방향의 위치가 조정되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 정해진 간극(G)은, 예컨대 3 ㎜∼10 ㎜ 정도로 설정되어 있다.The lid 111 is provided with a lifting mechanism 114 for lifting and lowering the lid 111 relative to the processing container 110. The lifting mechanism 114 may be provided on the side of the processing container 110 as long as the lid 111 and the processing vessel 110 can move relative to each other. The lifting mechanism 114 is provided between the lower end portion 121a of the side plate 121 and the upper end portion 110a of the processing container 110 so that a predetermined gap G is formed between the lower end portion 121a of the side plate 121 and the upper end portion 110a of the processing container 110 110 are adjusted in the height direction. In the present embodiment, the predetermined gap G is set to, for example, about 3 mm to 10 mm.

덮개(111)의 하면의 중앙부에는, 웨이퍼(W)의 상방으로부터 이 웨이퍼(W)에 대하여 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(122)가 마련되어 있다. 가스 공급부(122)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 종단면 형상이 아래 바닥측이 좁은 사다리꼴 형상으로 형성된, 대략 원추대 형상을 갖고 있다. 가스 공급부(122)에는 덮개(111)의 내부에 형성된 가스 유로(123)가 연통하고 있다. 가스 공급부(122)의 하단부 측면에는, 도 5에 나타내는 바와 같이 정해진 직경의 가스 공급 구멍(124)이 등간격으로 동심원형으로 복수 마련되어 있다.A gas supply part 122 for supplying a process gas to the wafer W from above the wafer W is provided at the center of the lower surface of the lid 111. As shown in Fig. 5, the gas supply unit 122 has a generally frusto-conical shape whose longitudinal section is formed in a trapezoid shape having a narrower bottom side. A gas channel 123 formed in the lid 111 communicates with the gas supply unit 122. On the lower end side surface of the gas supply part 122, a plurality of gas supply holes 124 having a predetermined diameter as shown in Fig. 5 are provided concentrically at regular intervals.

도 4에 나타내는 바와 같이, 가스 유로(123)에는, 가스 공급관(125)이 접속되어 있다. 가스 공급관(125)에 있어서의 가스 유로(123)의 반대측의 단부에는, 처리 가스로서의 HMDS 가스를 공급하는 HMDS 가스 공급원(130)과, 퍼지 가스로서의 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급원(131)이 각각 접속되어 있다. 가스 유로(123)에 있어서의 HMDS 가스 공급원(130)의 상류측과 질소 가스 공급원(131)의 상류측에는, 개폐 기능 및 유량 조정 기능을 구비한 밸브체(132, 133)가 각각 마련되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대하여 공급하는 가스를, HMDS 가스와 질소 가스로 교대로 전환할 수 있다.As shown in FIG. 4, a gas supply pipe 125 is connected to the gas flow channel 123. An HMDS gas supply source 130 for supplying HMDS gas as a process gas and a nitrogen gas supply source 131 for supplying nitrogen gas as a purge gas are connected to the end of the gas supply pipe 125 opposite to the gas flow path 123 Respectively. On the upstream side of the HMDS gas supply source 130 and the upstream side of the nitrogen gas supply source 131 in the gas flow path 123 are provided valve bodies 132 and 133 provided with an opening / closing function and a flow rate adjusting function, respectively. Thereby, the gas supplied to the wafer W can be alternately switched to HMDS gas and nitrogen gas.

덮개(111)의 하면이며 가스 공급부(122)의 외측에는, 중심 배기부(140)가 형성되어 있다. 중심 배기부(140)는, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하는 위치로서 가스 공급부(122)의 가스 공급 구멍(124)의 외측에, 예컨대 도 6과 같이 이 가스 공급 구멍(124)에 동심원형으로 형성된 복수의 배기 구멍(141)에 의해 구성되어 있다. 각 배기 구멍(141)은, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경(R)의 원의 내측에 들어가도록 마련되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서 반경(R)은, 예컨대 50 ㎜이다.A central exhaust portion 140 is formed on the lower surface of the lid 111 and outside the gas supply portion 122. The central exhaust portion 140 is disposed at a position opposite to the central portion of the wafer W and outside the gas supply hole 124 of the gas supply portion 122 so as to be concentric with the gas supply hole 124, As shown in FIG. Each of the exhaust holes 141 is provided so as to enter the inside of a circle of radius R from the center of the substrate in a plan view. In the present embodiment, the radius R is, for example, 50 mm.

덮개(111)의 내부에는, 각 배기 구멍(141)에 연통하는 중심 배기로(142)가 형성되어 있다. 중심 배기로(142)에는 중심 배기관(143)이 접속되어 있다. 중심 배기관(143)은, 이 중심 배기관(143)과 후술하는 외주 배기관(153)에 공통하여 마련된 배기 모관(144)을 통하여, 예컨대 진공 펌프 등의 배기 장치(145)에 접속되어 있다. 이에 의해, 중심 배기부(140)로부터 처리 공간(S) 내의 분위기를 배기할 수 있다. 중심 배기관(143)에는, 개폐 기능을 구비한 밸브체(146)가 마련되어 있다.A central exhaust passage 142 communicating with each exhaust hole 141 is formed in the inside of the lid 111. A central exhaust pipe 143 is connected to the central exhaust passage 142. The central exhaust pipe 143 is connected to an exhaust device 145 such as a vacuum pump through an exhaust pipe 144 provided in common to the central exhaust pipe 143 and an outer peripheral exhaust pipe 153 to be described later. Thus, the atmosphere in the processing space S can be exhausted from the central exhaust part 140. The central exhaust pipe 143 is provided with a valve body 146 having an opening / closing function.

또한, 덮개(111)의 측판(121)의 하단부(121a)에는, 배치대(112) 상의 웨이퍼(W)보다 외방으로부터 처리 공간(S) 내의 분위기를 배기하는 외주 배기부(150)가 형성되어 있다. 외주 배기부(150)는, 덮개(111)의 하단부(121a)의 둘레 방향을 따라, 환형으로 등간격으로 마련된 복수의 배기 구멍(151)에 의해 구성되어 있다. 각 배기 구멍(151)은, 덮개(111)의 내부에 형성된 외주 배기로(152)에 연통하고 있다.An outer peripheral exhaust portion 150 for exhausting the atmosphere in the processing space S from the outside of the wafer W on the placement table 112 is formed at the lower end portion 121a of the side plate 121 of the lid 111 have. The outer circumferential exhaust part 150 is constituted by a plurality of exhaust holes 151 provided annularly and equidistantly along the circumferential direction of the lower end 121a of the lid 111. [ Each of the exhaust holes 151 communicates with the outer circumferential exhaust passage 152 formed inside the lid 111.

외주 배기로(152)는, 외주 배기관(153)을 통하여 배기 모관(144)에 접속되어 있다. 외주 배기관(153)의 배기 모관(144)측의 단부는, 중심 배기관(143)에 마련된 밸브체(146)와 배기 장치(145) 사이에 접속되어 있다. 외주 배기관(153)에는, 이 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구(154)가 마련되어 있다. 유량 제한 기구(154)는, 중심 배기관(143)의 밸브체(146)를 개방 조작하였을 때에, 외주 배기관(153)을 흐르는 유체의 유량이 중심 배기관(143)을 흐르는 유체의 유량과 동일하거나 또는 적어지도록 구성되어 있다. 유량 제한 기구(154)로서는, 예컨대 오리피스 등을 사용할 수 있지만, 유량 제한 기구(154)에는 최저한의 기능으로서 유량을 제한하는 기능이 구비되어 있으면 좋고, 예컨대 유량 제한의 기능에 부가하여 개폐 기능도 갖는 니들 밸브 등의 밸브체를 오리피스 대신에 이용하여도 좋다.The outer circumferential exhaust passage 152 is connected to the exhaust port 144 via an outer circumferential exhaust pipe 153. An end of the outer circumferential exhaust pipe 153 on the exhaust pipe 144 side side is connected between a valve body 146 provided in the central exhaust pipe 143 and the exhaust device 145. The outer circumferential exhaust pipe 153 is provided with a flow rate restricting mechanism 154 for limiting the flow rate of the fluid flowing through the outer circumferential exhaust pipe. The flow rate limiting mechanism 154 controls the flow rate of the fluid flowing through the outer circumferential exhaust pipe 153 to be equal to the flow rate of the fluid flowing through the central exhaust pipe 143 when the valve body 146 of the central exhaust pipe 143 is opened, . For example, an orifice or the like may be used as the flow rate restricting mechanism 154. The flow rate restricting mechanism 154 may be provided with a function of limiting the flow rate as a minimum function. For example, in addition to the function of limiting the flow rate, A valve body such as a valve may be used instead of the orifice.

이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제어부(200)가 마련되어 있다. 제어부(200)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 전술한 각종 유닛이나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 도포 현상 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있는 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 좋다.1, the control section 200 is provided in the substrate processing system 1 as described above. The control unit 200 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program for controlling the processing of the wafer W in the substrate processing system 1 is stored. The program storage section also stores a program for controlling the operation of the driving system such as the above-described various units and the transfer apparatus to realize the coating and developing process in the substrate processing system 1. [ The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO) And may be installed in the control unit 200 from the storage medium H.

본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있고, 다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼 처리에 대해서 설명한다.The substrate processing system 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, wafer processing performed in the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

웨이퍼(W)의 처리에 있어서는, 우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 카세트 반입출부(10)의 정해진 배치판(13)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 추출되어, 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의, 예컨대 전달 유닛(53)에 반송된다.The cassette C accommodating a plurality of wafers W is first disposed on the arrangement plate 13 of the cassette loading / Thereafter, the wafers W in the cassette C are successively extracted by the wafer transfer device 21 and conveyed to the transfer unit 53, for example, of the third block G3 of the processing station 3.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해, 예컨대 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 유닛(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후 제3 블록(G3)의 전달 유닛(53)에 복귀된다.Next, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 of the second block G2 by the wafer transfer device 70, and the temperature thereof is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower anti-reflection film forming unit 31 of the first block G1, for example, by the wafer transfer device 70, and a lower anti-reflection film is formed on the wafer W . Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 of the second block G2, and heat treatment is performed. And then returned to the transfer unit 53 of the third block G3.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제3 블록(G3)의 전달 유닛(54)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 접착 유닛(41)에 반송된다. 접착 유닛(41)에서의 소수화 처리에 대해서 상세하게 설명한다.Next, the wafer W is carried by the wafer transfer device 90 to the transfer unit 54 of the same third block G3. Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 70 to the bonding unit 41 of the second block G2. The hydrophobic treatment in the bonding unit 41 will be described in detail.

접착 유닛(41)에서의 소수화 처리에 있어서는, 예컨대 도 7에 나타내는 바와 같이, 승강 기구(114)에 의해 덮개(111)를 정해진 위치까지 상승시킨다. 그리고, 처리 용기(110)와 덮개(111) 사이로부터 웨이퍼(W)가 반입되어, 배치대(112) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다.In the hydrophobic treatment in the bonding unit 41, as shown in Fig. 7, for example, the lid 111 is lifted up to a predetermined position by the lifting mechanism 114. The wafer W is carried from the space between the processing container 110 and the lid 111 and the wafer W is placed on the placing table 112.

계속해서, 덮개(111)의 하단부(121a)와 처리 용기(110)의 상단부(110a) 사이에 정해진 간극(G)이 형성되는 위치까지 덮개(111)를 하강시켜, 처리 공간(S)을 형성한다.Subsequently, the lid 111 is lowered to a position where a predetermined gap G is formed between the lower end portion 121a of the lid 111 and the upper end portion 110a of the processing container 110 to form a processing space S do.

다음에, 히터(113)에 의해 웨이퍼(W)를, 예컨대 90℃로 가열한 후, 밸브체(132)를 정해진 개방도로 개방하고, 가스 공급부(122)로부터, 예컨대 농도가 3％인 고농도의 HMDS 가스를 처리 공간(S) 내에 정해진 유량으로 공급한다. 또한, HMDS 가스의 공급과 함께 배기 장치(145)를 기동시켜, 외주 배기부(150)로부터 정해진 유량으로 HMDS 가스를 배기한다. 또한, 이때, 중심 배기관(143)의 밸브체(146)는 폐지한 상태로 되어 있어, 처리 공간(S) 내의 배기는 외주 배기부(150)로부터만 행해진다. 이에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중앙부 상방으로부터 공급된 HMDS 가스는, 웨이퍼(W)의 상방에서 웨이퍼(W)의 외주연부를 향하여 확산되도록 흐른다. 이에 의해, HMDS 가스에 접촉한 웨이퍼(W)의 표면이 소수화된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 외주연부까지 확산된 HMDS 가스는, 웨이퍼(W)의 외방에 마련된 외주 배기부(150)로부터 배기된다. 또한, 외주 배기부(150)로부터의 배기에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같이 처리 용기(110)와 덮개(111) 사이의 간극(G)으로부터, 외주 배기부(150)를 향하여 대기가 인입된다. 이에 의해, 가스 공급부(122)로부터 공급된 HMDS 가스가 처리 용기(110)의 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있다.Next, after the wafer W is heated to, for example, 90 DEG C by the heater 113, the valve body 132 is opened at a predetermined opening degree and the gas is supplied from the gas supply unit 122 at a high concentration The HMDS gas is supplied into the processing space S at a predetermined flow rate. In addition, the HMDS gas is supplied and the exhaust device 145 is started to exhaust the HMDS gas at a predetermined flow rate from the outer circumferential exhaust part 150. At this time, the valve body 146 of the central exhaust pipe 143 is closed, and the exhaust in the processing space S is performed only from the outer circumferential exhaust portion 150. 8, the HMDS gas supplied from above the central portion of the wafer W flows so as to diffuse from the upper side of the wafer W toward the outer peripheral portion of the wafer W. As shown in Fig. As a result, the surface of the wafer W in contact with the HMDS gas is hydrophobic. The HMDS gas diffused to the outer circumferential edge of the wafer W is exhausted from the outer circumferential exhaust portion 150 provided on the outer side of the wafer W. [ 8, air is introduced from the gap G between the processing container 110 and the lid 111 toward the outer circumferential exhaust portion 150 by the exhaust from the outer circumferential exhaust portion 150 . Thus, the HMDS gas supplied from the gas supply unit 122 can be prevented from leaking to the outside of the processing vessel 110.

HMDS 가스를 정해진 시간 공급하여 웨이퍼(W) 표면의 전체면을 소수화 처리한 후, 밸브체(132)를 폐쇄하여 HMDS 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 밸브체(133)를 정해진 개방도로 개방하여, 가스 공급부(122)로부터 질소 가스를 정해진 유량으로 공급하여, 처리 공간(S) 내에 잔존하는 HMDS 가스를, 예컨대 10초간 퍼지한다. 또한, 질소 가스의 공급과 함께 밸브체(146)를 개방 조작하여, 중심 배기부(140)로부터도 처리 공간(S) 내의 배기를 행한다. 이때, 외주 배기관(153)에 마련된 유량 제한 기구(154)에 의해, 중심 배기부(140)로부터의 배기량은 외주 배기부(150)로부터의 배기량보다 많아진다. 그 결과, 예컨대 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(110) 내에는, 간극(G)으로부터 외주 배기부(150)를 향하는 기류와, 외주 배기부(150)로부터 중심 배기부(140)를 향하는 질소 가스의 흐름이 형성된다. 이에 의해, 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스가 퍼지된다.The entire surface of the wafer W is subjected to hydrophobic treatment by supplying the HMDS gas for a predetermined time, and then the valve body 132 is closed to stop the supply of the HMDS gas. Then, the valve body 133 is opened at a predetermined opening, and nitrogen gas is supplied from the gas supply part 122 at a predetermined flow rate, and the HMDS gas remaining in the processing space S is purged, for example, for 10 seconds. Further, the valve element 146 is opened together with the supply of the nitrogen gas, so that the exhaust gas in the processing space S is also discharged from the central exhaust part 140. At this time, the amount of exhaust from the central exhaust part 140 becomes larger than the amount of exhaust from the outer exhaust part 150 by the flow rate limiting mechanism 154 provided in the outer exhaust pipe 153. As a result, for example, as shown in Fig. 9, the processing vessel 110 is provided with an air flow from the gap G toward the outer circumferential exhaust portion 150 and a flow from the outer circumferential exhaust portion 150 to the central exhaust portion 140 A flow of nitrogen gas is formed. Thereby, the HMDS gas in the processing vessel 110 is purged.

처리 용기(110) 내의 퍼지가 완료한 후, 각 밸브체(133, 146)를 폐지하며 배기 장치(145)를 정지시킨다. 계속해서, 승강 기구(114)에 의해 덮개를 정해진 높이까지 상승시켜, 소수화 처리가 완료한 웨이퍼(W)를 처리 용기(110)의 외부에 반출한다.After the purging in the processing vessel 110 is completed, the valve elements 133 and 146 are closed and the exhaust device 145 is stopped. Subsequently, the lid is elevated to a predetermined height by the lifting mechanism 114, and the wafer W after the hydrophobic treatment is carried out to the outside of the processing vessel 110.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 유닛(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 프리 베이킹 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(55)에 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating unit 32 by the wafer transfer apparatus 70, and a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70, and is pre-baked. Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 70 to the transfer unit 55 of the third block G3.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 유닛(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.Next, the wafer W is transferred to the upper anti-reflection film forming unit 33 by the wafer transfer device 70, and an upper anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70, heated, and temperature-adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure unit 42 and subjected to peripheral exposure processing.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(56)에 반송된다.Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 70 to the transfer unit 56 of the third block G3.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 유닛(52)에 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)에 반송되어, 노광 처리된다.The wafer W is then transferred to the transfer unit 52 by the wafer transfer device 90 and transferred to the transfer unit 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer device 80. [ Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5, and subjected to exposure processing.

다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(60)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 유닛(30)에 반송되어, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 포스트 베이크 처리된다.Next, the wafer W is carried by the wafer transfer apparatus 100 to the transfer unit 60 of the fourth block G4. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70, and post-exposure baked. Thereafter, the wafer W is transferred to the development processing unit 30 by the wafer transfer device 70 and is developed. After completion of the development, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70, and post-baked.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(50)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 정해진 배치판(13)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료한다.Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer unit 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 70, and then transferred to the transfer unit 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 21 of the cassette station 2 And is conveyed to the cassette C of the arrangement plate 13. [ In this way, a series of photolithography processes is completed.

이상의 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 소수화 처리 후에 HMDS 가스를 퍼지할 때, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부(140)로부터 퍼지 가스를 배기하기 때문에, 종래와 같이 웨이퍼(W)의 외측으로부터만 배기를 행하는 경우와 비교하여, 효율적으로 처리 용기(110) 내의 분위기를 배기할 수 있다. 이 때문에, 종래보다 고농도의 HMDS 가스를 이용하여 소수화 처리를 행함으로써, 웨이퍼(W)의 소수화에 요하는 시간이 짧아지고, 그 한편, 퍼지 시간을 길어지게 하는 일없이 처리 용기(110)의 분위기를 치환할 수 있다. 따라서, 소수화 처리를 효율적으로 행하여, 처리 용기(110) 내에서의 처리 시간을 단축할 수 있고, 이에 의해 웨이퍼 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment described above, since the purge gas is exhausted from the central exhaust portion 140 provided opposite to the central portion of the wafer W when the HMDS gas is purged after the hydrophobic treatment of the wafer W, The atmosphere in the processing container 110 can be efficiently exhausted as compared with the case where exhaust is performed only from the outside of the processing vessel 110. [ Therefore, the time required for hydrophobicization of the wafer W is shortened by performing the hydrophobic treatment using HMDS gas at a higher concentration than in the prior art. On the other hand, the purge time is not increased, Lt; / RTI > Therefore, the hydrophobic treatment can be efficiently performed, and the processing time in the processing vessel 110 can be shortened, whereby the throughput of the wafer processing can be improved.

또한, 종래와 동일한 농도의 HMDS 가스를 이용하여 소수화 처리를 행한 경우에 있어서는, 종래보다 퍼지 시간을 단축할 수 있기 때문에, 이 경우도 처리 용기(110) 내에서의 처리 시간을 단축하여, 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.Further, in the case where the hydrophobic treatment is performed using HMDS gas of the same concentration as the conventional one, the purge time can be shortened compared with the conventional case. Therefore, in this case also, the processing time in the processing vessel 110 is shortened, Can be improved.

또한, 중심 배기관(143)과, 외주 배기관(153)에 공통하여 배기 모관(144) 및 배기 장치(145)를 마련하였기 때문에, 최소한의 배관이나 배기 장치를 마련하면 충분하다. 또한, 중심 배기관(143)에 밸브체(146)를, 외주 배기관(153)에 유량 제한 기구(154)를 각각 마련하고 있기 때문에, 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)로부터의 배기량을 각각 조정할 수 있다. 특히, 밸브체(146)의 개폐 조작만으로 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)의 쌍방의 배기 상태를 제어할 수 있기 때문에, 접착 유닛(41)의 조작도 간이하게 된다. 또한, 중심 배기관(143)에 마련된 밸브체(146)에, 유량 조정 기능을 구비한 것을 이용하여도 좋다. 이러한 경우, 밸브체(146)를 조정함으로써, 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)로부터의 배기의 유량비를 더욱 엄밀하게 조정할 수 있다.Since the exhaust pipe 144 and the exhaust device 145 are provided in common to the central exhaust pipe 143 and the outer peripheral exhaust pipe 153, it is sufficient to provide a minimum number of pipes and an exhaust device. Since the valve body 146 is provided in the central exhaust pipe 143 and the flow rate restricting mechanism 154 is provided in the exhaust pipe 153 in the outer circumferential direction, the amount of exhaust gas from the central exhaust part 140 and the outer exhaust part 150 Respectively. In particular, since the exhaust state of both the central exhaust part 140 and the outer exhaust part 150 can be controlled only by opening and closing the valve body 146, the operation of the adhesive unit 41 is also simplified. The valve body 146 provided in the central exhaust pipe 143 may be provided with a flow rate regulating function. In this case, by adjusting the valve body 146, the flow rate ratio of the exhaust from the central exhaust portion 140 and the outer exhaust portion 150 can be more strictly adjusted.

또한, 이상의 실시형태에서는, 가스 공급부(122)의 외측에 중심 배기부(140)를 마련하고 있었지만, 중심 배기부(140)를 덮개(111) 하면의 중앙부에 마련하고, 그 외측에 가스 공급부(122)를 동심원형으로 마련하여도 좋다. 이러한 경우에 있어서도, 웨이퍼(W)의 중앙부 상방으로부터 배기를 행함으로써, 처리 용기(110) 내의 퍼지를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 중심 배기부(140)를 가스 공급부(122)의 내측에 마련한 경우에 있어서도, 각 배기 구멍(141)은, 평면에서 보아 웨이퍼(W)의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 마련되는 것이 바람직하다. 또한, 중심 배기부(140)는 반드시 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원형으로 마련될 필요는 없고, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측으로서, 배기 시에 중심 배기부(140)의 근방에서 기류가 흐트러지지 않는 것과 같은 배치이면, 임의로 설정이 가능하다.In the above embodiment, the central exhaust portion 140 is provided outside the gas supply portion 122. However, the central exhaust portion 140 may be provided at the center of the lower surface of the lid 111, 122 may be provided concentrically. Even in such a case, purging in the processing container 110 can be efficiently performed by exhausting from above the central portion of the wafer W. [ Even when the central exhaust portion 140 is provided inside the gas supply portion 122, the exhaust holes 141 are formed so as to be located inside the circle having a radius of 50 mm from the center of the wafer W in plan view . The central exhaust part 140 does not have to be provided concentrically with respect to the center of the wafer W. The center exhaust part 140 is provided inside the circle having a radius of 50 mm from the center of the wafer W, 140 so that the airflow is not disturbed.

이상의 실시형태에서는, 중심 배기부(140)나 외주 배기부(150)는 덮개(111)의 하면에 마련되어 있었지만, 반드시 덮개(111)에 마련될 필요는 없고, 중심 배기부(140)나 외주 배기부(150)는, 예컨대 덮개(111)를 관통하여 마련된 배기용의 노즐이어도 좋다. 또한, 외주 배기부(150)도 반드시 측판(121)의 하단부(121a)에 마련될 필요는 없고, 천판(120)의 하면에 마련되어도 좋고, 웨이퍼(W)의 외주 단부보다 외측에 위치하고 있으면, 그 배치는 처리 용기(110)의 크기나 형상에 맞추어 임의로 설정할 수 있다.The central exhaust portion 140 and the outer peripheral exhaust portion 150 are provided on the lower surface of the lid 111. However, the central exhaust portion 140 and the outer peripheral exhaust portion 150 are not necessarily provided on the lid 111, The base 150 may be a nozzle for exhaust provided through the cover 111, for example. The outer circumferential exhaust portion 150 is not necessarily provided on the lower end portion 121a of the side plate 121. The outer circumferential exhaust portion 150 may be provided on the lower surface of the top plate 120. If the outer circumferential exhaust portion 150 is located outside the outer peripheral end portion of the wafer W, The arrangement thereof can be arbitrarily set in accordance with the size and shape of the processing container 110. [

이상의 실시형태에 있어서는, 퍼지 시에 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)의 쌍방으로부터 배기를 행하고 있었지만, 중심 배기부(140)로부터만 배기를 행하고, 외주 배기부(150)를 정지하여도 좋지만, 외주 배기부(150)로부터도 배기를 행하는 것이 바람직하다. 외주 배기부(150)로부터의 배기를 항시 행하고 있으면, HMDS 가스가 외주 배기관(153)에 체류하는 일이 없기 때문에, 처리 용기(110)를 개방하였을 때에 외주 배기관(153)으로부터 HMDS 가스가 누설되는 경우가 없기 때문이다.The exhaust is performed only from the central exhaust part 140 and the exhaust from the outer exhaust part 150 is stopped and the exhaust gas is exhausted from the central exhaust part 140. In this embodiment, However, it is preferable to perform exhausting from the outer circumferential exhaust part 150 as well. HMDS gas does not stagnate in the outer circumferential exhaust pipe 153 when the exhaust gas from the outer circumferential exhaust unit 150 is constantly running so that HMDS gas leaks from the outer circumferential exhaust pipe 153 when the processing vessel 110 is opened There is no case.

[실시예][Example]

실시예로서, 본 실시형태에 따른 접착 유닛(41)을 이용하여 웨이퍼(W)의 소수화 처리를 행하고, HMDS 가스의 공급 시간, 퍼지 시의 배기량 및 배기 시간을 변화시켜, 소수화 처리 후의 웨이퍼(W)의 접촉각 및 퍼지 후의 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스 농도에 대해서 확인하는 시험을 행하였다. 소수화 처리 시에 공급하는 HMDS 가스의 농도는, 종래 이용되는 1.5％의 것보다 고농도인 3％의 것을 이용하며, 공급 시간은 15초와 30초로 하였다. HMDS 가스가 공급 중인 처리 용기(110) 내의 배기는, 외주 배기부(150)로부터만 행하였다. 소수화 처리 후의 퍼지 시간은 10초, 8초, 5초, 3초로 하였다. 또한, 퍼지 가스로서는 질소 가스를 이용하고, 어느 것의 경우도 공급량은 5 L/min으로 하였다. 또한, 퍼지 가스의 배기는, 어느 것의 경우도 중심 배기부(140)로부터 11 L/min, 외주 배기부(150)로부터 11 L/min로 각각 배기를 하였다.The hydrophobic treatment of the wafer W is carried out using the bonding unit 41 according to the present embodiment and the HMDS gas supply time, the amount of evacuation at the time of purging and the evacuation time are changed, ) And the HMDS gas concentration in the treatment vessel 110 after purging. The concentration of HMDS gas to be supplied in the hydrophobic treatment was 3%, which is higher than that of conventionally used 1.5%, and the supply time was 15 seconds and 30 seconds. The exhaust in the processing vessel 110 to which the HMDS gas is supplied was performed only from the outer periphery exhaust part 150. The purge time after the hydrophobic treatment was 10 seconds, 8 seconds, 5 seconds, and 3 seconds. Nitrogen gas was used as the purge gas, and the supply amount was 5 L / min in any case. In addition, exhaust of the purge gas was exhausted from the central exhaust part 140 to 11 L / min and from the outer exhaust part 150 to 11 L / min, respectively.

확인 시험의 결과를 표 1에 나타낸다. HMDS 가스의 농도와 공급 시간을 변화시킨 경우에 대해서 각각 웨이퍼(W)의 접촉각을 측정하여, 접촉각이 정해진 각도를 상회한 경우를 ○로, 정해진 각도에 미치지 않은 것을 ×로 나타내었다. 비교용의 예 로서, 1.5％의 농도도 HMDS 가스를 15초, 30초 공급한 경우에 대해서도 접촉각에 대한 확인을 행하였다.The results of the confirmation test are shown in Table 1. The contact angles of the wafers W were measured in the case where the concentration of the HMDS gas and the supply time were changed, and the case where the contact angle exceeded the predetermined angle was evaluated as & cir & As a comparative example, the contact angle was checked for a concentration of 1.5% even when HMDS gas was supplied for 15 seconds and 30 seconds.

또한, 퍼지 후의 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스 농도의 확인에 있어서는, 배기 시간을 변화시킨 경우에 대한 농도를 각각 측정하여, 농도가 1 ppb 이하였던 것을 ○로 하고, 1 ppb보다 높아진 것을 ×로 나타내었다. 비교용의 예로서, 밸브체(146)를 폐지하여, 종래와 같이 외주 배기부(150)로부터만 배기를 행한 경우에 대해서도 농도의 확인을 행하였다.In order to confirm the HMDS gas concentration in the treatment vessel 110 after purging, the concentration with respect to the case where the evacuation time was changed was measured, and the result of the concentration was 1 ppb or less, Respectively. As a comparative example, the concentration was confirmed also in the case where the valve element 146 was abolished and the exhaust was performed only from the outer circumferential exhaust part 150 as in the prior art.

표 1에 나타내는 바와 같이, HMDS 가스로서 종래의 1.5％의 농도의 것을 이용한 경우, 원하는 접촉각을 얻기 위해서는 15초간의 공급으로는 충분하지 않으며(비교예 A), 원하는 접촉각을 얻기 위해서는 30초간 공급할 필요가 있다(비교예 B). 이에 대하여, 3.0％의 고농도의 HDMS 가스를 이용하여 소수화 처리를 행한 실시예 1∼4에 있어서는, 15초간의 공급으로 원하는 접촉각을 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 즉, 3.0％의 고농도의 HMDS 가스를 이용함으로써, 웨이퍼(W)의 소수화에 요하는 시간을 반감시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1, in the case of using a conventional 1.5% concentration of HMDS gas, 15 seconds of supply is not enough to obtain a desired contact angle (Comparative Example A), and 30 seconds is required to obtain a desired contact angle (Comparative Example B). On the contrary, in Examples 1 to 4 in which hydrophobic treatment was performed using HDMS gas at a high concentration of 3.0%, it was confirmed that a desired contact angle could be obtained by supplying for 15 seconds. That is, it was confirmed that by using the HMDS gas at a high concentration of 3.0%, the time required for the hydrophobicization of the wafer W can be reduced by half.

또한, 소수화 처리 후의 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스의 농도에 대해서는, 실시예 1∼3과 같이 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)의 쌍방을 이용하여 5초 이상 퍼지를 행하면, 1 ppb 이하를 달성할 수 있는 것이 확인되었다. 이에 대하여, 종래와 같이 외주 배기부(150)만으로 배기를 행한 비교예 C에서는, 10초간 퍼지를 행하여도 1 ppb 이하를 달성할 수 없었다. 이 결과로부터, 중심 배기부(140)를 이용하여 배기를 행하면, 처리 용기(110) 내의 퍼지에 요하는 시간을, 종래의 경우와 비교하여 반감시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 이상의 결과로부터, 종래와 같이 외주 배기부(150)만으로 배기를 하는 경우보다, 처리 용기(110) 내에서의 처리 시간을 단축할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.When the concentration of the HMDS gas in the processing vessel 110 after the hydrophobic treatment is purge for 5 seconds or more using both the central exhaust part 140 and the outer exhaust part 150 as in the first to third embodiments, 1 ppb or less can be achieved. On the other hand, in Comparative Example C in which exhaust was performed only by the outer circumferential exhaust portion 150 as in the conventional case, even if purge was performed for 10 seconds, 1 ppb or less could not be achieved. From this result, it was confirmed that the time required for purging in the processing vessel 110 can be reduced by half as compared with the conventional case by performing the exhaust using the central exhaust part 140. [ Therefore, from the above results, it can be confirmed that the processing time in the processing vessel 110 can be shortened as compared with the case where exhausting is performed only by the outer circumferential exhaust unit 150 as in the prior art.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다.While the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

예컨대 이상의 실시형태에서 기재한 기판 처리 시스템에서는 반도체 웨이퍼의 처리를 행하였지만, 반도체 웨이퍼 이외에, FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판의 처리를 행할 때에도 적용할 수 있다.For example, in the substrate processing system described in the above embodiment, the processing of the semiconductor wafer is performed. However, the present invention can also be applied to processing other substrates such as a FPD (flat panel display) and a mask reticle for a photomask in addition to a semiconductor wafer.

본 발명은 기판의 소수화 처리를 행할 때에 유용하다.The present invention is useful when performing hydrophobic treatment of a substrate.

1 기판 처리 시스템 2 카세트 스테이션
3 처리 스테이션 4 노광 장치
5 인터페이스 스테이션 10 카세트 반입부
11 웨이퍼 반송부 12 카세트 배치대
13 배치판 20 반송로
21 웨이퍼 반송 장치 30 현상 처리 유닛
31 하부 반사 방지막 형성 유닛 32 레지스트 도포 유닛
33 상부 반사 방지막 형성 유닛 40 열처리 유닛
41 접착 유닛 42 주변 노광 유닛
70 웨이퍼 반송 장치 80 셔틀 반송 장치
90 웨이퍼 반송 장치 100 웨이퍼 반송 장치
110 처리 용기 111 덮개
112 배치대 113 히터
114 승강 기구 120 천판
121 측판 122 가스 공급부
130 HMDS 가스 공급원 131 질소 가스 공급원
132 밸브체 140 중심 배기부
141 배기 구멍 142 중심 배기로
143 중심 배기관 144 배기 모관
145 배기 장치 146 밸브체
150 외주 배기부 151 배기 구멍
152 외주 배기로 153 외주 배기관
154 유량 제한 기구 C 카세트
W 웨이퍼1 substrate processing system 2 cassette station
3 Processing station 4 Exposure device
5 Interface station 10 Cassette loading unit
11 Wafer conveying section 12 Cassette placement stand
13 Batch plate 20 Return path
21 wafer carrier device 30 development processing unit
31 Lower anti-reflection film forming unit 32 Resist coating unit
33 upper anti-reflection film forming unit 40 heat treatment unit
41 Adhesive unit 42 Ambient exposure unit
70 Wafer carrying device 80 Shuttle carrying device
90 Wafer transfer device 100 Wafer transfer device
110 Processing vessel 111 Cover
112 batch to 113 heaters
114 Lifting mechanism 120 Top plate
121 side plate 122 gas supply portion
130 HMDS gas source 131 Nitrogen gas source
132 valve body 140 center discharge portion
141 exhaust hole 142 central exhaust passage
143 central exhaust pipe 144 exhaust pipe
145 Exhaust device 146 Valve element
150 Peripheral exhaust part 151 Exhaust hole
152 Outer exhaust line 153 Outer exhaust line
154 Flow limiter C Cassette
W wafer

Claims

처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS(Hexa Methyl Disilazane) 가스를 공급하여 그 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서,
상부가 개구되는 처리 용기와,
상기 처리 용기의 개구를 덮는 덮개와,
기판을 배치하는 배치대와,
상기 배치대 상의 기판의 중앙부 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 배치대 상의 기판의 상방이며, 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부와,
상기 배치대 상의 기판보다 외방에 마련된 외주 배기부
를 갖고,
상기 처리 용기와 상기 덮개 사이에는 간극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.A hydrophobic processing apparatus for supplying HMDS (Hexa Methyl Disilazane) gas to the surface of a substrate disposed in a processing vessel to hydrophobize the substrate,
A processing vessel in which an upper portion is opened,
A lid covering an opening of the processing container;
A stage for placing the substrate,
A gas supply unit for supplying HMDS gas and purge gas to the substrate from above the central portion of the substrate on the stage,
A central discharging portion provided above the substrate on the placing table and provided opposite to a central portion of the substrate,
And an outer peripheral exhaust part
Lt; / RTI &
Wherein a gap is formed between the processing container and the lid.

제1항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 마련된 배기 모관(母管)을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.The hydrophobic processing device according to claim 1, further comprising an exhaust pipe (main pipe) provided in common to the central exhaust portion and the outer peripheral exhaust portion.

제2항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고,
상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.The exhaust system according to claim 2, wherein a valve body is provided in a central exhaust pipe connecting the central exhaust portion and the exhaust port,
Wherein the outer circumferential exhaust pipe connecting the outer circumferential exhaust part and the exhaust cap pipe is provided with a flow rate restricting mechanism for restricting a flow rate of the fluid flowing through the outer circumferential exhaust pipe.

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.The gas processing system according to any one of claims 1 to 3, wherein the gas supply portion is provided at a central portion of a lower surface of the lid, and the central exhaust portion is provided concentrically on the outside of the gas supply portion Processing device.

제4항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.The hydrophobic processing device according to claim 4, wherein the central exhaust part is arranged so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in plan view.

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는, 소수화 처리 장치.The exhaust gas purifying apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the central exhaust portion is provided at a central portion of a lower surface of the lid, and the gas supply portion is provided concentrically on the outside of the central exhaust portion. Hydrophobic treatment device.

제6항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.The hydrophobic processing device according to claim 6, wherein the gas supply part is arranged so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in a plan view.

처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS 가스를 공급하여 그 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리의 방법으로서,
상부가 개구되는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 개구를 덮고 또한 상기 처리 용기와의 사이에 간극이 형성되도록 배치된 덮개에 의해 형성된 처리 공간 내에서, 기판의 중앙부 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스를 공급하고, 기판보다 외방의 위치로부터 HMDS 가스를 배기하여 기판의 소수화 처리를 행하고,
계속해서, HMDS 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 기판의 중앙부 상방으로부터 상기 처리 공간 내에 퍼지 가스를 공급하고, 상기 기판보다 외방의 위치 및 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터 퍼지 가스를 배기하여 처리 공간 내를 퍼지하는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.A hydrophobic treatment method for supplying HMDS gas to a surface of a substrate disposed in a treatment vessel and hydrophobizing the substrate,
An HMDS gas is supplied to the substrate from above the central portion of the substrate in a processing space formed by a processing vessel in which an upper portion is opened and a lid which covers the opening of the processing vessel and is arranged so as to form a gap between the processing vessel The HMDS gas is exhausted from a position outside the substrate to perform the hydrophobic treatment of the substrate,
Subsequently, the supply of the HMDS gas is stopped. Thereafter, the purge gas is supplied into the processing space from above the central portion of the substrate, and the purge gas is exhausted from the position outside the substrate and the position above the center of the substrate Wherein the water is purged through the space.

제8항에 있어서, 상기 기판의 중앙부 상방으로부터의 HMDS 가스 및 퍼지 가스의 공급은, 기판의 중앙부 상방에 마련된 가스 공급부에 의해 행해지고,
상기 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터의 배기는, 기판의 상방이며, 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부에 의해 행해지고,
상기 기판보다 외방의 위치로부터의 배기는, 기판의 외방에 마련된 외주 배기부에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.The method as claimed in claim 8, wherein the supply of the HMDS gas and the purge gas from above the central portion of the substrate is performed by a gas supply portion provided above the central portion of the substrate,
Exhausting from a position above the center of the substrate is performed by a central exhaust portion provided above the substrate and provided opposite to the central portion of the substrate,
Wherein the exhaust from the position outside the substrate is performed by an outer peripheral exhaust portion provided on the outer side of the substrate.

제9항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 배기 모관이 마련되고,
상기 중심 배기부 및 상기 외주 배기부로부터의 배기는, 상기 배기 모관을 통해 행해지는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.10. The exhaust gas purification apparatus according to claim 9, wherein an exhaust capillary is provided in common to the central exhaust portion and the outer peripheral exhaust portion,
Wherein the exhaust from the central exhaust part and the exhaust from the outer exhaust part is performed through the exhaust capillary.

제10항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고,
상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되고,
상기 기판을 소수화 처리하는 동안은 상기 밸브체를 폐쇄하여 중심 배기부로부터의 배기를 정지하고, 상기 처리 공간 내를 퍼지하는 동안은 그 밸브체를 개방하여 중심 배기부로부터 배기하는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.11. The exhaust purification apparatus according to claim 10, wherein a valve body is provided in a central exhaust pipe connecting the central exhaust portion and the exhaust port,
The outer circumferential exhaust pipe connecting the outer circumferential exhaust portion and the exhaust percolator is provided with a flow rate restricting mechanism for limiting the flow rate of the fluid flowing through the outer circumferential exhaust pipe,
Wherein during the hydrophobic treatment of the substrate, the valve body is closed to stop the exhaust from the central exhaust part, while the valve body is opened while purging the inside of the processing space, exhausting from the central exhaust part Processing method.

제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.The gas control system according to any one of claims 9 to 11, wherein the gas supply unit is provided at a central portion of a lower surface of the lid, and the central exhaust unit is provided concentrically on the outside of the gas supply unit Processing method.

제12항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.13. The hydrophobic processing method according to claim 12, wherein the central exhaust part is disposed so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in a plan view.

제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.12. The water treatment system according to any one of claims 9 to 11, characterized in that the central exhaust portion is provided at a central portion of a lower surface of the lid, and the gas supply portion is provided concentrically on the outer side of the central exhaust portion Processing method.

제14항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.15. The hydrophobic processing method according to claim 14, wherein the gas supply part is arranged so as to enter the inside of a circle having a radius of 50 mm from the center of the substrate in a plan view.

제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 소수화 처리 방법을 소수화 처리 장치에 의해 실행시키도록, 그 소수화 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.A computer-readable computer storage medium storing a program that operates on a computer of a control section that controls the hydrophobicization processing apparatus so that the hydrophobicization processing method according to any one of claims 8 to 11 is executed by the hydrophobicization processing apparatus.