KR102277545B1 - Apparatus and Method for treating a substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.
일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 처리 공간을 아래 방향으로 배기하는 하부 배기부와; 상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하는 상부 배기부를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate.
According to an embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a process chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying a hydrophobization gas to the substrate supported by the support unit; an exhaust unit exhausting the processing space, the exhaust unit comprising: a lower exhaust unit exhausting the processing space in a downward direction; It may include an upper exhaust for exhausting the processing space in an upward direction.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate and a method for processing a substrate.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포공정, 열처리 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 여기서, HMDS 처리 공정은 감광액(PR:Photo-resist)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS 가스를 공급하는 공정이다.A photo-lithography process among semiconductor manufacturing processes is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photographic process is usually carried out in a spinner local facility that is connected to an exposure facility and continuously processes the coating process, the exposure process, and the developing process. Such a spinner facility sequentially performs a hexamethyl disilazane (HMDS) treatment process, a coating process, a heat treatment process, and a developing process. Here, the HMDS treatment process is a process of supplying HMDS gas onto the wafer before application of the photoresist in order to increase the adhesion efficiency of the photoresist (PR).
이러한 HMDS 처리 공정은, 이후 수행되는 공정에 따라 요구되는 처리 영역이 달라진다. 예컨대, HMDS 처리 공정 이후의 공정에 따라, 선택적으로 웨이퍼의 상면에만 HDMS 처리가 요구되거나, 웨이퍼의 상면 및 하면 모두에 HMDS 처리가 요구된다. 그러나, 종래의 설비는 웨이퍼의 HMDS 처리 영역을 선택적으로 제어할 수 없었다. 이에, 요구되는 HMDS 처리 영역에 따라, HMDS 처리 공정을 수행하는 설비를 달리해야 한다. 이에, 반도체를 제조하는 설비가 추가적으로 요구되고, 이는 반도체 제조 비용을 증가 시킨다.In this HMDS treatment process, a required treatment area varies according to a subsequent process. For example, depending on the process after the HMDS processing process, HDMS processing is selectively required only on the upper surface of the wafer, or HMDS processing is required on both the upper surface and the lower surface of the wafer. However, conventional equipment cannot selectively control the HMDS processing area of the wafer. Therefore, according to the required HMDS processing area, the equipment for performing the HMDS processing process should be different. Accordingly, a facility for manufacturing a semiconductor is additionally required, which increases the cost of manufacturing the semiconductor.
또한, HMDS 처리 공정을 수행하는 과정에서 공정을 수행하는 챔버 내부 공간에는 암모니아 등의 유기 가스가 발생한다. 이러한 유기 가스는 공기보다 가벼워 위 방향으로 확산된다. 그러나, 일반적인 HMDS 처리 공정을 수행하는 챔버는 아래 방향으로 챔버 내부 공간을 배기하기 때문에 이러한 유기 가스가 적절히 배기되지 못한다.In addition, in the process of performing the HMDS treatment process, an organic gas such as ammonia is generated in the space inside the chamber for performing the process. These organic gases are lighter than air and diffuse upwards. However, since the chamber performing the general HMDS treatment process exhausts the chamber interior space downward, the organic gas is not properly exhausted.
본 발명은 가스를 공급하여 기판을 처리하는 과정에서 발생하는 유기 가스를 효율적으로 배기할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently evacuating organic gas generated in a process of processing a substrate by supplying a gas.
또한, 본 발명은 후속 공정인 감광액 도포 공정에서 사용되는 감광액의 종류에 따라, 기판의 처리 영역을 선택적으로 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of selectively controlling a processing area of a substrate according to a type of a photoresist used in a photoresist application process, which is a subsequent process.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate.
일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 처리 공간을 아래 방향으로 배기하는 하부 배기부와; 상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하는 상부 배기부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a process chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying a hydrophobization gas to the substrate supported by the support unit; an exhaust unit exhausting the processing space, the exhaust unit comprising: a lower exhaust unit exhausting the processing space in a downward direction; It may include an upper exhaust for exhausting the processing space in an upward direction.
일 실시 예에 의하면, 상기 공정 챔버는, 상부 챔버와; 상기 상부 챔버의 아래에 배치되며, 서로 조합되어 상기 처리 공간을 형성하는 하부 챔버를 포함하되, 상기 상부 배기부는 상기 상부 챔버에 제공되고, 상기 하부 배기부는 상기 하부 챔버에 제공될 수 있다.In an embodiment, the process chamber may include an upper chamber; and a lower chamber disposed below the upper chamber and combined with each other to form the processing space, wherein the upper exhaust part is provided in the upper chamber, and the lower exhaust part is provided in the lower chamber.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 배기부는, 상기 상부 챔버 내에 형성되는 버퍼 공간과; 상기 버퍼 공간과 상기 처리 공간을 연통시키며, 상기 상부 챔버에 형성되는 복수의 상부 배기홀과; 상기 버퍼 공간과 연결되며, 상기 버퍼 공간에 감압을 제공하는 상부 배기 라인을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the upper exhaust unit may include: a buffer space formed in the upper chamber; a plurality of upper exhaust holes communicating the buffer space and the processing space and formed in the upper chamber; It may include an upper exhaust line connected to the buffer space and providing pressure reduction to the buffer space.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 배기홀들은, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 챔버의 가장자리 영역에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the upper exhaust holes may be formed in an edge region of the upper chamber when viewed from above.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 배기홀들은, 상부에서 바라 볼 때 원주 방향을 따라 서로 이격되도록 상기 상부 챔버에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the upper exhaust holes may be formed in the upper chamber to be spaced apart from each other in a circumferential direction when viewed from above.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판에 상기 소수화 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하고, 상기 상부 배기부가 상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하여 상기 기판을 처리하면서 발생하는 유기 가스를 상기 처리 공간으로부터 배기할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. In the method of treating a substrate, the substrate is treated by supplying the hydrophobicization gas to the substrate, and the upper exhaust unit exhausts the processing space in an upward direction to exhaust organic gas generated while processing the substrate from the processing space. can do.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하는 영역을 선택적으로 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a region for processing a substrate by supplying a processing gas may be selectively controlled.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하는 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to improve the efficiency of a process of processing a substrate by supplying a processing gas.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4은 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 장치에서 상부 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 10은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 일 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 다른 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 도 9의 배기 단계에서 공정 챔버의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 .
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 .
5 is a plan cross-sectional view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 3 .
6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the heating unit of FIG. 6 .
8 is a diagram schematically illustrating an upper chamber in the substrate processing apparatus of FIG. 7 .
9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
10 is a diagram illustrating an embodiment of processing a substrate in the processing step of FIG. 9 .
11 is a diagram illustrating another embodiment of processing a substrate in the processing step of FIG. 9 .
12 is a view illustrating a state in which a processing space of a process chamber is exhausted in the exhaust step of FIG. 9 .
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated and reduced to emphasize a clearer description.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 , and FIG. 3 is the substrate processing apparatus of FIG. 1 is a plan view of
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.1 to 3 , the
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 3 , the
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.4 is a view showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the hand A has a
다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 5 is a plan sectional view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 3 , and FIG. 6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 . The
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(5000)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(5000)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the inlet. A
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(5000) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착력을 향상시킬 수 있다. 가스는 기판(W)을 소수화시키는 소수화 가스일 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이하에서는, 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000) 중 기판에 포토레지스트의 부착력을 향상시키는 가스를 공급하는 장치를 예를 들어 설명한다.The
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 8은 도 7의 기판 처리 장치에서 상부 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하, 도 7과 도 8을 참조하면, 가열 유닛(5000)에 제공되는 기판 처리 장치는, 공정 챔버(5110, 5120), 실링 부재(5200), 지지 유닛(5300), 가스 공급 유닛(5500), 배기 유닛(5710, 5760), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the heating unit of FIG. 6 , and FIG. 8 is a diagram schematically illustrating an upper chamber in the substrate processing apparatus of FIG. 7 . Hereinafter, referring to FIGS. 7 and 8 , the substrate processing apparatus provided in the
공정 챔버(5110, 5120)는 내부에 처리 공간(5102)을 제공한다. 공정 챔버(5110, 5120)는 상부 챔버(5110), 하부 챔버(5120), 그리고 구동기(5115)를 포함할 수 있다.The
상부 챔버(5110)는 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)는 하부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부 챔버(5110)의 아래에 배치될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)는 서로 조합되어 처리 공간(5102)을 형성할 수 있다.The
구동기(5115)는 상부 챔버(5110)와 결합할 수 있다. 구동기(5115)는 상부 챔버(5110)를 상하로 승하강 시킬 수 있다. 구동기(5115)는 공정 챔버(5110, 5120) 내부로 기판(W)을 반입시 상부 챔버(5110)를 상부로 이동시켜 공정 챔버(5110, 5120)의 내부를 개방할 수 있다. 구동기(5115)는 기판(W)을 처리하는 공정 시 상부 챔버(5110)를 하부 챔버(5120)와 접촉시켜 공정 챔버(5110, 5120) 내부를 밀폐시킬 수 있다. 본 실시예에서는 구동기(5115)가 상부 챔버(5110)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와 달리 구동기(5115)는 하부 챔버(5120)와 연결되어 하부 챔버(5120)를 승하강 시킬 수도 있다.The
실링 부재(5200)는 처리 공간(5102)의 외부로부터 밀폐시킨다. 실링 부재(5200)는 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)의 접촉면에 설치된다. 일 예로 실링 부재(5200)는 하부 챔버(5120)의 접촉면에서 설치될 수 있다.The sealing
지지 유닛(5300)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(5300)은 지지판(5310), 핀(5320), 그리고 가열 부재(5330)를 포함할 수 있다.The
지지판(5310)은 처리 공간(5102) 내에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지판(5310)에는 핀(5320)이 제공되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 핀(5320)은 기판(W)의 하면과 지지판(5310)의 상면을 서로 이격시키도록 제공될 수 있다. 지지판(5310)은 상부에서 바라볼 때 원형으로 제공될 수 있다. 지지판(5310)의 상면은 기판(W)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 지지판(5310)은 열 전도성이 우수한 재질로 제공될 수 있다. 지지판(5310)은 내열성이 우수한 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지판(5310)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The
또한, 지지 유닛(5300)에는 기판(W)을 승하강 시키는 리프트 핀 모듈(미도시)이 제공될 수 있다. 리프트 핀 모듈은 공정 챔버(5110, 5120) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 지지 유닛(5030) 상에 내려 놓거나, 기판(W)을 들어올려 공정 챔버(5110, 5120)의 외부의 반송 수단으로 인계할 수 있다. 일 예에 의하면, 리프트 핀 모듈의 리프트 핀은 3개가 제공될 수 있다.In addition, the
또한, 지지 유닛(5300)은 지지 유닛(5300)에 놓인 기판(W)을 가열하는 가열 부재(5330)를 포함할 수 있다. 예컨대, 가열 부재(5330)는 지지판(5310)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로, 가열 부재(5330)는 히터로 제공될 수 있다. 히터는 지지판(5310)의 내부에 복수개로 제공될 수 있다.Also, the
가스 공급 유닛(5500)은 처리 공간(5102) 내에 위치한 기판(W)으로 처리 가스를 공급할 수 있다. 처리 가스는 밀착용 가스를 포함할 수 있다. 일 예로 처리 가스는 헥사메틸다이사이레인(HMDS)을 포함할 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 성질을 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 또한 처리 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 캐리어 가스는 불활성가스로 제공될 수 있다. 일 예로 불활성 가스는 질소 가스일 수 있다. The
가스 공급 유닛(5500)은 가스 공급관(5510)과 가스 공급 라인(5530)을 포함할 수 있다. 가스 공급관(5510)은 상부 챔버(5110)의 중앙 영역에 연결될 수 있다. 가스 공급관(5510)은 가스 공급 라인(5530)에서 전달된 처리 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 가스 공급관(5510)이 공급하는 처리 가스의 공급 위치는 기판(W)의 중앙 상부 영역과 대향 되도록 위치할 수 있다.The
배기 유닛(5710, 5760)은 처리 공간(5102)을 배기한다. 배기 유닛(5710, 5760)은 상부 배기부(5710), 그리고 하부 배기부(5760)를 포함할 수 있다.The
상부 배기부(5710)는 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 상부 배기부(5710)는 지지 유닛(5300)보다 상부에 제공될 수 있다. 상부 배기부(5710)는 상부 챔버(5110)에 제공될 수 있다. 상부 배기부(5710)는 버퍼 공간(5711), 상부 배기홀(5712), 상부 배기 라인(5713), 제1밸브(5714), 그리고 상부 감압 부재(5715)를 포함할 수 있다.The
버퍼 공간(5711)은 상부 배기홀(5712)로 유입되는 가스를 상부 배기 라인(5713)으로 전달할 수 있다. 버퍼 공간(5711)은 상부 챔버(5110) 내에 형성될 수 있다. 버퍼 공간(5711)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가지도록 상부 챔버(5110) 내에 형성될 수 있다. 버퍼 공간(5711)은 가스 공급관(5510)을 둘러싸도록 상부 챔버(5110) 내에 형성될 수 있다.The
상부 배기홀(5712)은 처리 공간(5712)과 버퍼 공간(5711)을 연통시킬 수 있다. 상부 배기홀(5712)은 상부 챔버(5110)의 내측 상면으로부터 버퍼 공간(5711)까지 연통될 수 있다. 상부 배기홀(5712)은 복수로 제공될 수 있다. 상부 배기홀(5710)은 상부에서 바라볼 때 상부 챔버(5110)의 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 상부 배기홀(5710)은 상부에서 바라볼 때 원주 방향을 따라 서로 이격되도록 상부 챔버(5110)에 형성될 수 있다. 상부 배기홀(5710)은 서로 동일한 간격으로 이격되도록 상부 챔버(5110)에 형성될 수 있다.The
상술한 예에서는 상부 배기홀(5712)이 복수로 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상부 배기홀(5712)은 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 링 형상을 가지는 상부 배기홀(5712)은 상부 챔버(5110)의 내측 상면으로부터 버퍼 공간(5711)까지 연장될 수도 있다.In the above example, it has been described that a plurality of
상부 배기 라인(5713)은 버퍼 공간(5711)과 연결될 수 있다. 상부 배기 라인(5713)은 상부 배기홀(5712)을 거쳐 버퍼 공간(5711)으로 유입되는 가스를 외부로 배기할 수 있다. 상부 배기 라인(5713)에는 제1밸브(5714)가 설치될 수 있다. 또한, 상부 배기 라인(5713)에는 상부 감압 부재(5715)가 제공될 수 있다. 상부 감압 부재(5715)는 감압을 제공할 수 있다. 상부 감압 부재(5715)가 제공하는 감압은 상부 배기 라인(5713), 버퍼 공간(5711), 그리고 상부 배기홀(5712)을 거쳐 처리 공간(5102)으로 전달될 수 있다. 상부 감압 부재(5715)는 펌프로 제공될 수 있다. 이와 달리 감압 부재는 감압을 제공하는 공지의 장치로 제공될 수 있다.The
하부 배기부(5760)는 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다. 하부 배기부(5760)는 지지 유닛(5300) 보다 아래에 제공될 수 있다. 하부 배기부(5760)는 지지 유닛(5300)에 지지되는 기판(W)보다 아래에 제공될 수 있다. 하부 배기부(5760)는 하부 챔버(5120)에 제공될 수 있다. 하부 배기부(5760)는 하부 배기홀(5762), 하부 배기 라인(5763), 제2밸브(5764), 그리고 하부 감압 부재(5765)를 포함할 수 있다.The
하부 배기홀(5762)은 하부 챔버(5120)에 형성될 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 복수로 제공될 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 상부에서 바라볼 때 서로 이격되도록 제공될 수 있다. 하부 배기홀(5762)은 상부에서 바라볼 때 원주 방향을 따라 서로 이격되도록 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 하부 배기홀(5762)은 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 링 형상을 가지는 하부 배기홀(5762)은 상부에서 바라볼 때 지지판(5310)을 감싸도록 제공될 수 있다.The
하부 배기 라인(5763)은 하부 배기홀(5762)과 연결될 수 있다. 하부 배기 라인(5763)은 하부 배기홀(5762)으로 유입되는 가스를 외부로 배기할 수 있다. 하부 배기 라인(5763)에는 제2밸브(5764)가 설치될 수 있다. 또한, 하부 배기 라인(5763)에는 하부 감압 부재(5765)가 제공될 수 있다. 하부 감압 부재(5765)는 감압을 제공할 수 있다. 하부 감압 부재(5765)가 제공하는 감압은 하부 배기 라인(5763), 그리고 하부 배기홀(5762)을 거쳐 처리 공간(5102)으로 전달될 수 있다. 하부 감압 부재(5765)는 펌프로 제공될 수 있다. The
제어기는 가스 공급 유닛(5500)과 배기 유닛(5710, 5760)을 제어한다. 제어기는 기판(W)을 처리시 상부 배기부(5710) 또는 하부 배기부(5760)가 선택적으로 처리 공간(5102)을 배기할 수 있도록 가스 공급 유닛(5500)과 배기 유닛(5710, 5760)을 제어할 수 있다. 일 예로, 제어기는 상부 감압 부재(5715) 또는 하부 감압 부재(5765) 중 어느 하나가 사용되도록 이들을 선택적으로 제어할 수 있다. The controller controls the
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이고, 도 10은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 일 실시 예를 보여주는 도면이고, 도 11은 도 9의 처리 단계에서 기판을 처리하는 다른 실시 예를 보여주는 도면이고, 도 12는 도 9의 배기 단계에서 공정 챔버의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. 9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention, FIG. 10 is a diagram illustrating an embodiment of processing a substrate in the processing step of FIG. 9 , and FIG. 11 is a processing step of FIG. It is a view showing another embodiment of processing a substrate, and FIG. 12 is a view showing a state in which the processing space of the process chamber is exhausted in the exhaust step of FIG. 9 .
도 9 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 처리 단계(S10), 그리고 배기 단계(S20)를 포함할 수 있다.9 to 12 , the substrate processing method according to an embodiment of the present invention may include a processing step ( S10 ) and an exhaust step ( S20 ).
처리 단계(S10)는 지지 유닛(5300)에 지지된 기판(W)으로 소수화 가스(G)를 공급하여 기판(W)을 처리하는 단계일 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이 처리 단계(S10)에는 기판(W)으로 소수화 가스(G)를 공급하여 기판(W)을 소수화 시킬 수 있다. 처리 단계(S10)에는 가스 공급 유닛(5500)이 지지 유닛(5300)에 지지된 기판(W)의 상면으로 가스(G)를 공급할 수 있다. 이때, 하부 배기부(5760)는 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다. 또한, 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)으로 공급되는 소수화 가스(G)와 기판(W)의 표면과의 컨택 앵글을 조절할 수 있다. 예컨대, 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제1배기량인 경우 소수화 가스(G)와 기판(W) 표면과의 컨택 앵글을 크게 할 수 있다. 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제2배기량인 경우 소수화 가스(G)와 기판(W)의 표면과의 컨택 앵글을 작게할 수 있다. 제1배기량은 제2배기량 보다 큰 배기량일 수 있다. 즉, 하부 배기 유닛(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 커지면 처리 공간(5102)에 강한 하강 기류를 형성하면 기판(W)과 소수화 가스(G)의 컨택 앵클을 크게 할 수 있다.The processing step S10 may be a step of processing the substrate W by supplying the hydrophobization gas G to the substrate W supported by the
또한, 도 11에 도시된 바와 같이 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)의 하면에 가스(G)를 공급할 수 있다. 예컨대, 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제3배기량인 경우 소수화 가스(G)는 기판(W)의 하면으로 공급될 수 있다. 하부 배기부(5760)의 단위 시간당 배기 유량이 제4배기량인 경우 소수화 가스(G)는 기판(W)의 하면으로 공급되지 않을 수 있다. 제3배기량은 가스 공급 유닛(5500)이 공급하는 단위 시간당 가스 공급 유량보다 작은 배기량일 수 있다. 제4배기량은 가스 공급 유닛(5500)이 공급하는 단위 시간당 가스 공급 유량과 같거나 큰 배기량일 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 하부 배기부(5760)의 배기 유량을 조절하여 기판(W)의 상면, 하면, 상면 및 하면에 가스(G)를 공급할 수 있다.Also, as shown in FIG. 11 , the gas G may be supplied to the lower surface of the substrate W by adjusting the exhaust flow rate per unit time of the
배기 단계(S20)는 처리 단계(S10) 이후 수행될 수 있다. 배기 단계(S20)는 처리 단계(S10)를 수행하는 과정에서 발생하는 유기 가스(N)를 처리 공간(5102)으로부터 배기하는 단계이 일 수 있다. 유기 가스(N)는 암모니아 가스일 수 있다. 배기 단계(S20)는 상부 배기부(5710)가 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 상부 배기부(5710)는 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기하여 처리 공간(5102)에서 발생한 유기 가스(N)를 처리 공간(5102)으로부터 외부로 배기할 수 있다. 처리 공간(5102)에서 발생한 유기 가스(N)는 공기보다 가벼워 위 방향으로 확산된다. 본 발명의 실시 예에 의하면, 상부 배기부(5710)는 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기하여 발생된 유기 가스(N)를 효율적으로 배기할 수 있다.The exhaust step ( S20 ) may be performed after the processing step ( S10 ). The exhausting step S20 may be a step of exhausting the organic gas N generated in the process of performing the processing step S10 from the
종래의 기판 처리 설비에 의하면, 처리 가스로 기판을 처리시 기판의 상면에만 처리가 수행되거나 또는 기판의 상면 및 하면에 처리가 수행될 수 있었다. 다시 말해, 종래의 설비는 기판의 상면 또는 기판의 상,하면을 선택적으로 처리하기 위해서는 서로 다른 설비를 이용해야 했다. 그러나, 본 발명의 일 실시예는, 또한, 본 발명의 일 실시예는, 하부 배기부(5760)의 단위시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)의 상면 및/또는 하면에 가스(G)를 공급할 수 있다. 이에 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스로 처리되는 기판의 영역을 하나의 설비로 선택적으로 처리할 수 있다. 이에 가스로 처리되는 기판의 영역을 달리하기 위해 별개의 설비가 요구되지 않는다. 이에 추가적인 기판 처리 설비가 요구되지 않고, 이는 반도체 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.According to a conventional substrate processing facility, when processing a substrate with a processing gas, the processing may be performed only on the upper surface of the substrate, or the processing may be performed on the upper and lower surfaces of the substrate. In other words, the conventional equipment had to use different equipment in order to selectively process the upper surface of the substrate or the upper and lower surfaces of the substrate. However, in an embodiment of the present invention, in an embodiment of the present invention, the gas G is applied to the upper and/or lower surfaces of the substrate W by adjusting the exhaust flow rate per unit time of the
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하부 배기부(5760)의 단위시간당 배기 유량을 조절하여 기판(W)과 소수화 가스(G)의 컨택 앵글을 조절할 수 있다. 이에, 기판(W)에 대한 처리를 효율적으로 제어할 수 있는 추가 제어 인자를 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the contact angle between the substrate W and the hydrophobization gas G may be adjusted by adjusting the exhaust flow rate per unit time of the
또한, 소수화 가스(G)가 기판(W)으로 공급되면 처리 공간(5102) 내에는 유기 가스(N)가 발생한다. 유기 가스(N)는 공기보다 가벼워 위 방향으로 확산된다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상부 배기부(5710)가 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기한다. 이에, 소수화 가스(G)가 공급되어 발생하는 유기 가스(N)를 더욱 효율적으로 배기할 수 있다.In addition, when the hydrophobicization gas G is supplied to the substrate W, the organic gas N is generated in the
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.The
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다. The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.
기판 처리 장치 : 5000
공정 챔버 : 5100
상부 챔버 : 5110
구동기 : 5115
하부 챔버 : 5120
내부 공간 : 5102
실링 부재 : 5200
지지 유닛 : 5300
지지판 : 5310
리프트 핀 : 5320
가열 부재 : 5330
가스 공급 유닛 : 5500
가스 공급관 : 5510
가스 공급 라인 : 5530
배기 유닛 : 5700
상부 배기부 : 5710
버퍼 공간 : 5711
상부 배기홀 : 5712
상부 배기라인 : 5713
제1밸브 : 5714
상부 감압 부재 : 5715
하부 배기부 : 5760
하부 배기홀 : 5762
하부 배기 라인 : 5763
제2밸브 : 5764
하부 감압 부재 : 5765Substrate processing unit: 5000
Process Chamber: 5100
Upper chamber: 5110
Actuator: 5115
Lower chamber: 5120
Internal space: 5102
Sealing member: 5200
Support unit: 5300
Support plate: 5310
Lift Pin: 5320
Heating element: 5330
Gas supply unit: 5500
Gas supply pipe: 5510
Gas supply line: 5530
Exhaust unit: 5700
Upper exhaust: 5710
Buffer Space: 5711
Upper exhaust hole: 5712
Upper exhaust line: 5713
1st valve: 5714
Upper pressure reducing member: 5715
Lower exhaust: 5760
Lower exhaust hole: 5762
Bottom exhaust line: 5763
2nd valve: 5764
Lower pressure reducing member: 5765
Claims (6)
내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
상기 가스 공급 유닛과 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 배기 유닛은,
상기 처리 공간을 아래 방향으로 배기하는 하부 배기부와;
상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하는 상부 배기부를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 처리 공간 내로 상기 소수화 가스가 공급되는 동안 상기 하부 배기부를 통해 상기 처리 공간을 배기하는 처리 단계를 수행하고,
상기 처리 단계 이후에 배기 단계를 수행하되,
상기 배기 단계에서 상기 상부 배기부를 통해 상기 처리 공간이 배기되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a process chamber having a processing space therein;
a support unit for supporting a substrate in the processing space;
a gas supply unit supplying a hydrophobization gas to the substrate supported by the support unit;
an exhaust unit for exhausting the processing space;
A controller for controlling the gas supply unit and the exhaust unit,
The exhaust unit is
a lower exhaust for exhausting the processing space in a downward direction;
an upper exhaust for exhausting the processing space in an upward direction;
The controller is
performing a treatment step of evacuating the treatment space through the lower exhaust unit while the hydrophobization gas is supplied into the treatment space;
performing an exhaust step after the treatment step,
The substrate processing apparatus in which the processing space is exhausted through the upper exhaust part in the exhausting step.
상기 공정 챔버는,
상부 챔버와;
상기 상부 챔버의 아래에 배치되며, 서로 조합되어 상기 처리 공간을 형성하는 하부 챔버를 포함하되,
상기 상부 배기부는 상기 상부 챔버에 제공되고,
상기 하부 배기부는 상기 하부 챔버에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The process chamber,
an upper chamber;
a lower chamber disposed below the upper chamber and combined with each other to form the processing space,
The upper exhaust portion is provided in the upper chamber,
The lower exhaust portion is provided in the lower chamber.
상기 상부 배기부는,
상기 상부 챔버 내에 형성되는 버퍼 공간과;
상기 버퍼 공간과 상기 처리 공간을 연통시키며, 상기 상부 챔버에 형성되는 복수의 상부 배기홀과;
상기 버퍼 공간과 연결되며, 상기 버퍼 공간에 감압을 제공하는 상부 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The upper exhaust part,
a buffer space formed in the upper chamber;
a plurality of upper exhaust holes communicating the buffer space and the processing space and formed in the upper chamber;
and an upper exhaust line connected to the buffer space and configured to provide a reduced pressure to the buffer space.
상기 상부 배기홀들은,
상부에서 바라볼 때 상기 상부 챔버의 가장자리 영역에 형성되는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The upper exhaust holes are
A substrate processing apparatus formed in an edge region of the upper chamber when viewed from above.
상기 상부 배기홀들은,
상부에서 바라 볼 때 원주 방향을 따라 서로 이격되도록 상기 상부 챔버에 형성되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The upper exhaust holes are
A substrate processing apparatus formed in the upper chamber to be spaced apart from each other in a circumferential direction when viewed from above.
상기 기판에 상기 소수화 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하는 처리 단계와;
상기 상부 배기부가 상기 처리 공간을 배기하여 상기 기판을 처리하면서 발생하는 유기 가스를 상기 처리 공간으로부터 배기하는 배기 단계를 포함하고,
상기 처리 단계에서 상기 처리 공간은 아래 방향으로 배기되고,
상기 배기 단계에서 상기 처리 공간은 위 방향으로 배기되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of any one of claims 1 to 5,
processing the substrate by supplying the hydrophobicization gas to the substrate;
and an exhaust step of exhausting organic gas generated while processing the substrate by the upper exhaust unit exhausting the processing space from the processing space;
In the processing step, the processing space is exhausted downward,
In the evacuation step, the processing space is evacuated in an upward direction.
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