KR20240017084A - 전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법, 평가 시스템 - Google Patents
전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법, 평가 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240017084A KR20240017084A KR1020247000889A KR20247000889A KR20240017084A KR 20240017084 A KR20240017084 A KR 20240017084A KR 1020247000889 A KR1020247000889 A KR 1020247000889A KR 20247000889 A KR20247000889 A KR 20247000889A KR 20240017084 A KR20240017084 A KR 20240017084A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- objective lens
- lens array
- sample
- electrode
- sub
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 59
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 50
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 18
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 189
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 30
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 26
- 238000003491 array Methods 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- -1 size of features) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
- H01J2237/1205—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1534—Aberrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
평가 시스템들 및 방법들이 개시된다. 일 구성에서, 대물 렌즈 어레이에서의 전극 왜곡의 영향이 보상된다. 전극 왜곡은 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장을 변동시킴으로써 조정된다. 조정은 샘플에 충돌하는 멀티-빔의 서브-빔들에 대한 전극 왜곡의 영향을 보상하는 것과 같다. 서브-빔은 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장의 변동에 응답하여 리포커싱된다. 조정 및 리포커싱은 대물 렌즈 어레이의 적어도 두 전극들에 적용되는 전위들을 변화시키는 것을 포함한다.
Description
본 출원은 2021년 6월 10일에 출원된 EP 출원 21178810.4의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 명세서에서 제공되는 실시예들은, 예를 들어 샘플로부터 방출되는 신호 전자들을 검출함으로써 샘플을 평가하기 위해 하전 입자들, 특히 전자들을 사용하는 평가 시스템들 및 방법들에 관한 것이다.
반도체 집적 회로(IC) 칩을 제조하는 경우, 예를 들어 광학 효과 및 부수적인 입자들의 결과로서 원하지 않은 패턴 결함들이 제작 공정들 동안 기판(즉, 웨이퍼) 또는 마스크 상에서 필연적으로 발생하여, 수율을 감소시킨다. 그러므로, 원하지 않은 패턴 결함들의 정도를 모니터링하는 것은 IC 칩들의 제조에서 중요한 프로세스이다. 더 일반적으로, 기판 또는 다른 대상물/재료의 표면의 검사 및/또는 측정은 그 제조 동안 및/또는 제조 후 중요 프로세스이다.
하전 입자 빔을 이용한 패턴 검사 툴들이, 예를 들어 패턴 결함들을 검출하기 위해, 샘플이라고 칭해질 수 있는 대상물들을 검사하는 데 사용되어 왔다. 이 툴들은 통상적으로 스캐닝 전자 현미경(SEM)과 같은 전자 현미경검사 기술들을 사용한다. SEM에서는, 비교적 높은 에너지의 전자들의 일차 전자 빔이 비교적 낮은 랜딩 에너지(landing energy)에서 샘플 상에 착지하기 위해 최종 감속 단계를 목표로 한다. 전자들의 빔은 샘플 상에 프로빙 스폿(probing spot)으로서 포커싱된다. 프로빙 스폿에서의 재료 구조체와 전자들의 빔으로부터의 랜딩 전자들 간의 상호작용은 표면으로부터 이차 전자, 후방산란된 전자 또는 오제 전자와 같은 신호 전자들이 방출되도록 한다. 신호 전자들은 샘플의 재료 구조체로부터 방출될 수 있다. 일차 전자 빔을 샘플 표면에 걸쳐 프로빙 스폿으로서 스캔함으로써, 신호 전자들이 샘플의 표면 전체에 걸쳐 방출될 수 있다. 샘플 표면으로부터 방출된 이러한 신호 전자들을 수집함으로써, 패턴 검사 툴이 샘플의 표면의 재료 구조체의 특성들을 나타내는 이미지를 얻을 수 있다.
일반적으로, 평가 시스템들 및 방법들에서의 하전 입자 빔들의 제어를 개선할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 평가 시스템들 및 방법들에서의 하전 입자 빔들의 제어를 개선하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 멀티-빔 하전 입자 평가 시스템의 대물 렌즈 어레이에서의 전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장을 변동시킴으로써 전극 왜곡을 조정하는 단계 -대물 렌즈 어레이는 대물 렌즈 어레이에서의 예측된 전극 왜곡으로부터 서브-빔들에 대한 예측된 영향을 보상하기 위한 하드웨어 보정을 포함하고, 조정은 샘플에 충돌하는 멀티-빔의 서브-빔들에 대한 전극 왜곡의 영향을 보상하는 것과 같음- ; 및 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장의 변동에 응답하여 멀티-빔의 서브-빔을 리포커싱(refocus)하는 단계를 포함하며, 조정 및 리포커싱은 대물 렌즈 어레이의 두 전극들에 적용되는 전위들을 변화시키는 단계를 포함하고, 전극 왜곡의 조정은 예측된 전극 왜곡과 실질적으로 매칭하도록 전극 왜곡을 조정하는 것을 포함한다.
본 발명의 앞선 실시형태 및 다른 실시형태는 첨부된 도면들과 함께 취해진 예시적인 실시예들의 설명으로부터 더 명백해질 것이다.
도 1은 예시적인 하전 입자 빔 검사 장치를 나타내는 개략적인 다이어그램이다.
도 2는 도 1의 예시적인 하전 입자 빔 검사 장치의 일부인 예시적인 멀티-빔 장치를 나타내는 개략적인 다이어그램이다.
도 3은 집속 렌즈 어레이를 포함하는 예시적인 전자 광학 칼럼의 개략적인 다이어그램이다.
도 4는 예시적인 구성의 랜딩 에너지 대 분해능의 그래프이다.
도 5는 제어 렌즈 및 대물 렌즈의 확대된 다이어그램이다.
도 6은 예시적인 구성의 대물 렌즈 어레이의 부분의 개략적인 단면도이다.
도 7은 도 6의 대물 렌즈 어레이의 부분의 저면도이다.
도 8은 도 6의 대물 렌즈 어레이의 부분의 수정된 버전의 저면도이다.
도 9는 도 6의 대물 렌즈에 통합된 검출기의 확대된 개략적인 단면도이다.
도 10은 매크로 시준기(macro collimator) 및 매크로 스캔 디플렉터를 포함하는 예시적인 전자 광학 칼럼의 개략적인 다이어그램이다.
도 11은 평가 시스템의 대물 렌즈 어레이 및 제어 렌즈 어레이의 부분들의 개략적인 단면도이다.
도 12는 전극 왜곡[보우(bow)]을 예시하기 위한 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 단면도이다.
도 13은 기본 렌즈의 작동을 예시하기 위한, 작동 동안 대물 렌즈의 전극의 어퍼처(aperture) 근처의 구역에서의 등전위선들을 나타내는 개략적인 측단면도이다.
도 14는 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장의 변동에 응답하여 서브-빔을 리포커싱하기 위해 스테이지가 이동되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 15는 대물 렌즈 어레이의 최저 전극에서의 빔 에너지가 서브-빔을 리포커싱하도록 조정되고, 샘플 위의 전기장이 일정하게 유지되며, 랜딩 에너지가 변동하도록 허용되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 16은 대물 렌즈 어레이의 최저 전극에서의 빔 에너지가 서브-빔을 리포커싱하도록 조정되고, 랜딩 에너지가 일정하게 유지되며, 샘플 위의 전기장이 변동하도록 허용되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 17은 대물 렌즈 어레이의 최저 전극에서의 빔 에너지가 서브-빔을 리포커싱하도록 조정되고, 중간 요소의 전위가 랜딩 에너지 및 샘플에서의 전기장을 일정하게 유지하도록 조정되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 18은 전극 왜곡을 보상하는 상이한 방법들에 대하여 분해능에 대한 예측된 영향을 나타내는 그래프이다.
도 1은 예시적인 하전 입자 빔 검사 장치를 나타내는 개략적인 다이어그램이다.
도 2는 도 1의 예시적인 하전 입자 빔 검사 장치의 일부인 예시적인 멀티-빔 장치를 나타내는 개략적인 다이어그램이다.
도 3은 집속 렌즈 어레이를 포함하는 예시적인 전자 광학 칼럼의 개략적인 다이어그램이다.
도 4는 예시적인 구성의 랜딩 에너지 대 분해능의 그래프이다.
도 5는 제어 렌즈 및 대물 렌즈의 확대된 다이어그램이다.
도 6은 예시적인 구성의 대물 렌즈 어레이의 부분의 개략적인 단면도이다.
도 7은 도 6의 대물 렌즈 어레이의 부분의 저면도이다.
도 8은 도 6의 대물 렌즈 어레이의 부분의 수정된 버전의 저면도이다.
도 9는 도 6의 대물 렌즈에 통합된 검출기의 확대된 개략적인 단면도이다.
도 10은 매크로 시준기(macro collimator) 및 매크로 스캔 디플렉터를 포함하는 예시적인 전자 광학 칼럼의 개략적인 다이어그램이다.
도 11은 평가 시스템의 대물 렌즈 어레이 및 제어 렌즈 어레이의 부분들의 개략적인 단면도이다.
도 12는 전극 왜곡[보우(bow)]을 예시하기 위한 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 단면도이다.
도 13은 기본 렌즈의 작동을 예시하기 위한, 작동 동안 대물 렌즈의 전극의 어퍼처(aperture) 근처의 구역에서의 등전위선들을 나타내는 개략적인 측단면도이다.
도 14는 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장의 변동에 응답하여 서브-빔을 리포커싱하기 위해 스테이지가 이동되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 15는 대물 렌즈 어레이의 최저 전극에서의 빔 에너지가 서브-빔을 리포커싱하도록 조정되고, 샘플 위의 전기장이 일정하게 유지되며, 랜딩 에너지가 변동하도록 허용되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 16은 대물 렌즈 어레이의 최저 전극에서의 빔 에너지가 서브-빔을 리포커싱하도록 조정되고, 랜딩 에너지가 일정하게 유지되며, 샘플 위의 전기장이 변동하도록 허용되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 17은 대물 렌즈 어레이의 최저 전극에서의 빔 에너지가 서브-빔을 리포커싱하도록 조정되고, 중간 요소의 전위가 랜딩 에너지 및 샘플에서의 전기장을 일정하게 유지하도록 조정되는 샘플 위의 대물 렌즈 어레이 내의 전극들의 부분들의 개략적인 측단면도이다.
도 18은 전극 왜곡을 보상하는 상이한 방법들에 대하여 분해능에 대한 예측된 영향을 나타내는 그래프이다.
이제 예시적인 실시예들을 상세히 언급할 것이며, 그 예시들은 첨부된 도면들에서 나타낸다. 다음 설명은, 달리 나타내지 않는 한 상이한 도면들에서의 동일한 번호들이 동일하거나 유사한 요소들을 나타내는 첨부된 도면들을 참조한다. 예시적인 실시예들의 다음 설명에서 설명되는 구현들은 본 발명에 따른 모든 구현들을 나타내지는 않는다. 대신에, 이들은 첨부된 청구항들에서 언급되는 바와 같은 본 발명에 관련된 실시형태들과 일치하는 장치들 및 방법들의 예시들에 불과하다.
디바이스들의 물리적 크기를 감소시키는 전자 디바이스들의 향상된 컴퓨팅 능력은 IC 칩에서 트랜지스터, 커패시터, 다이오드 등과 같은 회로 구성요소들의 패킹 밀도를 크게 증가시킴으로써 달성될 수 있다. 이는 더 작은 구조체들이 만들어질 수 있게 하는 증가된 분해능에 의해 가능해졌다. 예를 들어, 엄지손톱의 크기이고 2019년 또는 그 이전에 이용가능한 스마트 폰의 IC 칩은 20 억 개가 넘는 트랜지스터들을 포함할 수 있으며, 각각의 트랜지스터의 크기는 사람 머리카락의 1/1000 미만이다. 따라서, 반도체 IC 제조가 수백 개의 개별 단계들을 갖는 복잡하고 시간-소모적인 공정이라는 것은 놀라운 일이 아니다. 심지어 한 단계에서의 오차들이 최종 생산물의 기능에 극적으로 영향을 미칠 잠재력을 갖는다. 하나의 "치명적 결함(killer defect)"도 디바이스 실패를 야기할 수 있다. 제조 공정의 목표는 공정의 전체 수율을 개선하는 것이다. 예를 들어, 50-단계 공정(여기서, 단계는 웨이퍼 상에 형성되는 층들의 수를 나타낼 수 있음)에 대해 75 % 수율을 얻기 위해, 각각의 개별적인 단계가 99.4 %보다 큰 수율을 가져야 한다. 각각의 개별적인 단계가 95 %의 수율을 갖는 경우, 전체 공정 수율은 7 %만큼 낮을 것이다.
IC 칩 제조 설비에서는 높은 공정 수율이 바람직하지만, 시간 당 처리되는 기판들의 수로 정의되는 높은 기판(즉, 웨이퍼) 스루풋을 유지하는 것도 필수적이다. 높은 공정 수율 및 높은 기판 스루풋은 결함의 존재에 의해 영향을 받을 수 있다. 이는 특히 결함들을 검토하기 위해 조작자 개입이 필요한 경우에 그러하다. 따라서, [스캐닝 전자 현미경('SEM')과 같은] 검사 툴들에 의한 마이크로 및 나노-스케일 결함들의 고스루풋 검출 및 식별이 높은 수율 및 낮은 비용을 유지하기 위해 필수적이다.
SEM은 스캐닝 디바이스 및 검출기 장치를 포함한다. 스캐닝 디바이스는 일차 전자들을 생성하는 전자 소스를 포함하는 조명 장치, 및 일차 전자들의 1 이상의 포커싱된 빔으로 기판과 같은 샘플을 스캔하는 투영 장치를 포함한다. 적어도 조명 장치 또는 조명 시스템, 및 투영 장치 또는 투영 시스템은 함께 전자 광학 시스템 또는 장치라고 칭해질 수 있다. 일차 전자들은 샘플과 상호작용하고, 이차 전자들을 생성한다. 검출 장치는 SEM이 샘플의 스캔된 영역의 이미지를 생성할 수 있도록 샘플이 스캔될 때 샘플로부터 이차 전자들을 포착한다. 고스루풋 검사를 위해, 검사 장치들 중 일부는 일차 전자들의 다수 포커싱된 빔들, 즉 멀티-빔을 사용한다. 멀티-빔의 구성 빔(component beam)들은 서브-빔들 또는 빔릿(beamlet)들로 지칭될 수 있다. 멀티-빔은 샘플의 상이한 부분들을 동시에 스캔할 수 있다. 그러므로, 멀티-빔 검사 장치는 단일-빔 검사 장치보다 훨씬 더 빠른 속도로 샘플을 검사할 수 있다.
알려진 멀티-빔 검사 장치의 구현이 아래에 설명되어 있다.
도면들은 개략적이다. 그러므로, 도면들에서의 구성요소들의 상대적인 치수들은 명확함을 위해 과장된다. 도면들의 다음 설명 내에서, 동일하거나 유사한 참조 번호들은 동일하거나 유사한 구성요소들 또는 개체들을 지칭하며, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 설명 및 도면들은 전자 광학 장치에 관한 것이지만, 실시예들은 본 개시내용을 특정 하전 입자들로 제한하는 데 사용되지 않는다는 것을 이해한다. 그러므로, 본 명세서 전체에 걸친 전자들에 대한 언급은 더 일반적으로 하전 입자들에 대한 언급으로 간주될 수 있으며, 하전 입자들이 반드시 전자들인 것은 아니다.
이제 도 1을 참조하며, 이는 하전 입자 빔 평가 시스템 또는 단순히 평가 시스템이라고도 할 수 있는 예시적인 하전 입자 빔 검사 장치(100)를 나타내는 개략적인 다이어그램이다. 도 1의 하전 입자 빔 검사 장치(100)는 주 챔버(10), 로드 락 챔버(load lock chamber: 20), 전자 빔 툴(40), EFEM(equipment front end module: 30) 및 제어기(50)를 포함한다. 전자 빔 툴(40)은 주 챔버(10) 내에 위치된다.
EFEM(30)은 제 1 로딩 포트(loading port: 30a) 및 제 2 로딩 포트(30b)를 포함한다. EFEM(30)은 추가적인 로딩 포트(들)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 로딩 포트(30a) 및 제 2 로딩 포트(30b)는 검사될 기판들[예를 들어, 반도체 기판들 또는 다른 재료(들)로 만들어진 기판들] 또는 샘플들(이후, 기판, 웨이퍼 및 샘플은 집합적으로 "샘플"이라고 함)을 포함하는 기판 FOUP(front opening unified pod)들을 수용할 수 있다. EFEM(30) 내의 1 이상의 로봇 아암(robot arm)(도시되지 않음)이 로드 락 챔버(20)로 샘플들을 이송한다.
로드 락 챔버(20)는 샘플 주위의 가스를 제거하는 데 사용된다. 이는 주위 환경에서의 압력보다 낮은 국부적 가스 압력인 진공을 생성한다. 로드 락 챔버(20)는 로드 락 챔버(20) 내의 가스 입자들을 제거하는 로드 락 진공 펌프 시스템(도시되지 않음)에 연결될 수 있다. 로드 락 진공 펌프 시스템의 작동은 로드 락 챔버가 대기압 미만의 제 1 압력에 도달할 수 있게 한다. 제 1 압력에 도달한 후, 1 이상의 로봇 아암(도시되지 않음)이 로드 락 챔버(20)로부터 주 챔버(10)로 샘플을 이송한다. 주 챔버(10)는 주 챔버 진공 펌프 시스템(도시되지 않음)에 연결된다. 주 챔버 진공 펌프 시스템은 샘플 주위에서의 압력이 제 1 압력 미만의 제 2 압력에 도달하도록 주 챔버(10) 내의 가스 입자들을 제거한다. 제 2 압력에 도달한 후, 샘플은 전자 빔 툴로 이송되고 이에 의해 검사될 수 있다. 전자 빔 툴(40)은 멀티-빔 전자 광학 장치를 포함할 수 있다.
제어기(50)는 전자 빔 툴(40)에 전자적으로 연결된다. 제어기(50)는 하전 입자 빔 검사 장치(100)를 제어하도록 구성되는 (컴퓨터와 같은) 프로세서일 수 있다. 또한, 제어기(50)는 다양한 신호 및 이미지 처리 기능들을 실행하도록 구성되는 처리 회로를 포함할 수 있다. 제어기(50)는 도 1에서 주 챔버(10), 로드 락 챔버(20), 및 EFEM(30)을 포함하는 구조의 외부에 있는 것으로 도시되지만, 제어기(50)가 구조의 일부일 수 있다는 것을 이해한다. 제어기(50)는 하전 입자 빔 검사 장치의 구성 요소들 중 하나에 위치될 수 있거나, 또는 이는 구성 요소들 중 적어도 2 개에 걸쳐 분산될 수 있다. 본 발명은 전자 빔 검사 툴을 하우징하는 주 챔버(10)의 예시들을 제공하지만, 본 발명의 실시형태들은 가장 넓은 의미에서 전자 빔 검사 툴을 하우징하는 챔버에 제한되지 않는다는 것을 유의하여야 한다. 오히려, 앞선 원리들은 제 2 압력 하에서 작동하는 장치의 다른 구성들 및 다른 툴들에도 적용될 수 있다는 것을 이해한다.
이제 도 2를 참조하며, 이는 도 1의 예시적인 하전 입자 빔 검사 장치(100)의 일부인 멀티-빔 검사 툴을 포함하는 예시적인 전자 빔 툴(40)을 나타내는 개략적인 다이어그램이다. 멀티-빔 전자 빔 툴(40)[본 명세서에서 장치(40)라고도 함]은 전자 소스(201), 투영 장치(230), 전동 스테이지(motorized stage: 209), 및 샘플 홀더(207)를 포함한다. 전자 소스(201) 및 투영 장치(230)는 함께 조명 장치라고 칭해질 수 있다. 샘플 홀더(207)는 전동 또는 작동 스테이지(209)에 의해 지지되어 검사를 위한 샘플(208)(예를 들어, 기판 또는 마스크)을 유지한다. 멀티-빔 전자 빔 툴(40)은 전자 검출 디바이스(240)를 더 포함한다.
전자 소스(201)는 캐소드(cathode: 도시되지 않음) 및 추출기 또는 애노드(anode: 도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 작동 동안, 전자 소스(201)는 캐소드로부터 일차 전자들로서 전자들을 방출하도록 구성된다. 일차 전자들은 추출기 및/또는 애노드에 의해 추출 또는 가속되어 일차 전자 빔(202)을 형성한다.
투영 장치(230)는 일차 전자 빔(202)을 복수의 서브-빔들(211, 212, 213)로 전환하고, 각각의 서브-빔을 샘플(208) 상으로 향하게 하도록 구성된다. 단순화를 위해 3 개의 서브-빔들이 예시되지만, 수십, 수백, 수천, 수만, 또는 심지어 수십만 개(또는 그 이상)의 서브-빔들이 존재할 수 있다. 서브-빔들은 빔릿들로 지칭될 수 있다.
제어기(50)는 전자 소스(201), 전자 검출 디바이스(240), 투영 장치(230), 및 전동 스테이지(209)와 같은, 도 1의 하전 입자 빔 검사 장치(100)의 다양한 부분들에 연결될 수 있다. 제어기(50)는 다양한 이미지 및 신호 처리 기능들을 수행할 수 있다. 또한, 제어기(50)는 하전 입자 멀티-빔 장치를 포함한 하전 입자 빔 검사 장치의 작동들을 통제하기 위해 다양한 제어 신호들을 생성할 수 있다.
투영 장치(230)는 검사를 위한 샘플(208) 상에 서브-빔들(211, 212, 및 213)을 포커싱하도록 구성될 수 있고, 샘플(208)의 표면에 3 개의 프로브 스폿들(221, 222, 및 223)을 형성할 수 있다. 투영 장치(230)는 샘플(208)의 표면의 섹션에서 개별 스캐닝 영역들에 걸쳐 프로브 스폿들(221, 222, 및 223)을 스캔하기 위해 일차 서브-빔들(211, 212, 및 213)을 편향하도록 구성될 수 있다. 샘플(208) 상의 프로브 스폿들(221, 222, 및 223)에 대한 일차 서브-빔들(211, 212, 및 213)의 입사에 응답하여, 신호 입자들로 지칭될 수 있는 이차 전자들 및 후방산란 전자들을 포함하는 전자들이 샘플(208)로부터 생성된다. 이차 전자들은 전형적으로 50 eV 이하인 전자 에너지를 갖고, 후방산란 전자들은 전형적으로 50 eV와 일차 서브-빔들(211, 212, 및 213)의 랜딩 에너지 사이의 전자 에너지를 갖는다.
전자 검출 디바이스(240)는 이차 전자들 및/또는 후방산란 전자들을 검출하고, 예를 들어 샘플(208)의 대응하는 스캔 영역들의 이미지들을 구성하기 위해 제어기(50) 또는 신호 처리 시스템(도시되지 않음)으로 전송되는 대응하는 신호들을 생성하도록 구성된다. 전자 검출 디바이스는 투영 장치에 통합될 수 있거나, 또는 이로부터 분리되고, 이차 광학 칼럼이 제공되어 이차 전자들 및/또는 후방산란 전자들을 전자 검출 디바이스로 향하게 할 수 있다.
제어기(50)는 이미지 획득기(image acquirer: 도시되지 않음) 및 저장 디바이스(도시되지 않음)를 포함하는 이미지 처리 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 프로세서, 컴퓨터, 서버, 메인프레임 호스트, 단말기, 개인용 컴퓨터, 여하한 종류의 모바일 컴퓨팅 디바이스 등, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이미지 획득기는 제어기의 처리 기능의 적어도 일부를 포함할 수 있다. 따라서, 이미지 획득기는 적어도 1 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 이미지 획득기는 특히 전기 전도체, 광섬유 케이블, 휴대용 저장 매체, IR, 블루투스, 인터넷, 무선 네트워크, 무선 라디오, 또는 이들의 조합과 같은 신호 통신을 허용하는 장치(40)의 전자 검출 디바이스(240)에 통신 연결될 수 있다. 이미지 획득기는 전자 검출 디바이스(240)로부터 신호를 수신할 수 있고, 신호에 포함된 데이터를 처리할 수 있으며, 이로부터 이미지를 구성할 수 있다. 이에 따라, 이미지 획득기는 샘플(208)의 이미지들을 획득할 수 있다. 또한, 이미지 획득기는 윤곽(contour)들의 생성, 획득된 이미지 상의 표시자 중첩 등과 같은 다양한 후-처리 기능들을 수행할 수 있다. 이미지 획득기는 획득된 이미지들의 밝기 및 콘트라스트 등의 조정들을 수행하도록 구성될 수 있다. 저장소는 하드 디스크, 플래시 드라이브, 클라우드 저장소, RAM(random access memory), 다른 타입들의 컴퓨터 판독가능한 메모리 등과 같은 저장 매체일 수 있다. 저장소는 이미지 획득기와 커플링될 수 있고, 후-처리 이미지들 및 원본 이미지들로서 스캔된 원시 이미지 데이터를 저장하는 데 사용될 수 있다.
이미지 획득기는 전자 검출 디바이스(240)로부터 수신된 이미징 신호에 기초하여 샘플의 1 이상의 이미지를 획득할 수 있다. 이미징 신호는 하전 입자 이미징을 수행하기 위한 스캐닝 작업에 대응할 수 있다. 획득된 이미지는 복수의 이미징 영역들을 포함하는 단일 이미지일 수 있다. 단일 이미지는 저장소에 저장될 수 있다. 단일 이미지는 복수의 구역들로 분할될 수 있는 원본 이미지일 수 있다. 구역들 각각은 샘플(208)의 피처(feature)를 포함하는 하나의 이미징 영역을 포함할 수 있다. 획득된 이미지들은 시간 주기에 걸쳐 여러 번 샘플링되는 샘플(208)의 단일 이미징 영역의 다수 이미지들을 포함할 수 있다. 다수 이미지들은 저장소에 저장될 수 있다. 제어기(50)는 샘플(208)의 동일한 위치의 다수 이미지들로 이미지 처리 단계들을 수행하도록 구성될 수 있다.
제어기(50)는 검출된 이차 전자들의 분포를 얻기 위해 측정 회로(예를 들어, 아날로그-디지털 컨버터들)를 포함할 수 있다. 검출 시간 윈도우 동안 수집되는 전자 분포 데이터는, 샘플 표면 상에 입사하는 일차 서브-빔들(211, 212, 및 213) 각각의 대응하는 스캔 경로 데이터와 조합하여, 검사 중인 샘플 구조체들의 이미지들을 재구성하는 데 사용될 수 있다. 재구성된 이미지들은 샘플(208)의 내부 또는 외부 구조체들의 다양한 피처들을 드러내기 위해 사용될 수 있다. 재구성된 이미지들은 이에 의해 샘플 내에 존재할 수 있는 여하한의 결함들을 드러내기 위해 사용될 수 있다.
제어기(50)는 샘플(208)의 검사 동안 샘플(208)을 이동시키도록 전동 스테이지(209)를 제어할 수 있다. 제어기(50)는 전동 스테이지(209)가 적어도 샘플 검사 동안, 바람직하게는 계속해서, 예를 들어 일정한 속도로 한 방향으로 샘플(208)을 이동시킬 수 있게 할 수 있다. 제어기(50)는 다양한 파라미터들에 따라 샘플(208)의 이동 속도를 변화시키도록 전동 스테이지(209)의 이동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 예를 들어 적어도 스테이지의 조합된 스테핑 및 스캐닝 전략에 관하여 본 명세서에서 인용참조되는 2021년 5월 3일에 출원된 EPA 21171877.0에 개시된 바와 같이 스캐닝 프로세스의 검사 단계들 및/또는 스캔들의 특성에 따라 (그 방향을 포함하여) 스테이지 속도를 제어할 수 있다.
도 3은 평가 시스템에서 사용되는 예시적인 전자 광학 칼럼의 개략적인 다이어그램이다. 쉽게 설명하기 위해, 여기서 렌즈 어레이들은 타원 형상들의 어레이들로 개략적으로 도시되어 있다. 각각의 타원 형상은 렌즈 어레이 내의 렌즈들 중 하나를 나타낸다. 타원 형상은 관행에 따라, 광학 렌즈들에서 흔히 채택되는 양면 볼록 형태에 비유하여 렌즈를 표현하는 데 사용된다. 하지만, 본 명세서에서 논의되는 것과 같은 하전 입자 구성들의 맥락에서, 렌즈 어레이들은 통상적으로 정전기적으로 작동할 것이므로, 양면 볼록 형상을 채택하는 여하한의 물리적 요소들을 필요로 하지 않을 수 있음을 이해할 것이다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 렌즈 어레이들은 대신에 어퍼처들을 갖는 다수 플레이트들을 포함할 수 있다. 어퍼처들을 갖는 각각의 플레이트는 전극이라고 칭해질 수 있다. 전극들은 멀티-빔의 서브-빔들의 서브-빔 경로들을 따라 직렬로 제공될 수 있다.
전자 소스(201)는 투영 시스템(230)의 일부를 형성하는 집속 렌즈(231)들의 어레이로 전자들을 향하게 한다. 전자 소스는 바람직하게는 밝기와 총 방출 전류 사이에서 우수하게 절충한 고휘도 열전계 이미터(high brightness thermal field emitter)이다. 수십, 수백 또는 수천 개, 또는 심지어 수만 개의 집속 렌즈들(231)이 존재할 수 있다. 어레이의 집속 렌즈들(231)은 멀티-전극 렌즈들을 포함할 수 있고, 특히 e-빔을 복수의 서브-빔들로 분할하고 각각의 서브-빔에 대한 렌즈를 제공하는 렌즈 어레이에 대해 본 명세서에서 인용참조되는 EP1602121A1에 기초한 구성을 가질 수 있다. 집속 렌즈 어레이는 전극들로서 작용하는 적어도 2 개, 바람직하게는 3 개의 플레이트들의 형태를 취할 수 있으며, 각각의 플레이트의 어퍼처들은 다른 플레이트들의 어퍼처들과 정렬되어 플레이트들을 통해 서브-빔들을 위한 경로들을 정의한다. 플레이트들 중 적어도 2 개는 원하는 렌징 효과(lensing effect)를 달성하기 위해 작동 동안 상이한 전위들에서 유지된다. 집속 렌즈 어레이의 플레이트들 사이에는, 예를 들어 세라믹 또는 유리와 같은 절연 재료로 만들어진 전기 절연 플레이트들이 있으며, 서브-빔들을 위한 1 이상의 어퍼처를 갖는다. 대안적인 구성에서, 플레이트들 중 1 이상은 자신의 전극을 각각 갖는, 예를 들어 그 주변을 둘러싸는 전극들의 어레이를 갖거나 공통 전극을 갖는 어퍼처들의 그룹들로 배치되는 어퍼처들을 특징으로 할 수 있다.
일 구성에서, 집속 렌즈 어레이는 하전 입자들이 각각의 렌즈에 들어가고 나갈 때 동일한 에너지를 갖는 3 개의 플레이트 어레이들로 형성되며, 이 구성은 아인젤 렌즈(Einzel lens)라고 칭해질 수 있다. 따라서, 아인젤 렌즈 자체 내(렌즈의 입구 전극과 출구 전극 사이)에서만 분산이 발생하여, 축외 색수차(off-axis chromatic aberrations)가 제한된다. 집속 렌즈들의 두께가 낮은 경우, 예를 들어 수 mm인 경우, 이러한 수차들은 작거나 무시할 수 있는 영향을 미친다.
어레이 내의 각각의 집속 렌즈는 각자의 중간 포커스(233)에 포커싱되는 각자의 서브-빔(211, 212, 213)으로 전자들을 향하게 한다. 시준기 또는 시준기들의 어레이가 각자의 중간 포커스(233)에서 작동하도록 위치될 수 있다. 시준기들은 중간 포커스들(233)에 제공되는 디플렉터들(235)의 형태를 취할 수 있다. 디플렉터들(235)은 주 광선(빔 축이라고도 할 수 있음)이 샘플(208) 상에 실질적으로 수직으로(즉, 샘플의 공칭 표면에 대해 실질적으로 90°로) 입사될 것을 보장하기 위해 효과적인 양만큼 각자의 빔릿(211, 212, 213)을 굽히도록 구성된다.
디플렉터들(235) 아래[즉, 빔 하류 또는 소스(201)로부터 더 멀리]에는 각각의 서브-빔(211, 212, 213)에 대한 제어 렌즈(251)를 포함하는 제어 렌즈 어레이(250)가 있다. 제어 렌즈 어레이(250)는 각자의 전위 소스들에 연결되는 2 이상의, 바람직하게는 적어도 3 개의 플레이트 전극 어레이들을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 절연 플레이트들이 예를 들어 전극들 사이에서 전극들과 접촉하고 있다. 플레이트 전극 어레이들 각각은 제어 전극이라고 칭해질 수 있다. 제어 렌즈 어레이(250)의 기능은 빔의 축소와 관련하여 빔 개방 각도(beam opening angle)를 최적화하고, 및/또는 각자의 서브-빔(211, 212, 213)을 샘플(208)로 향하게 하는 대물 렌즈들(234)로 전달되는 빔 에너지를 제어하는 것이다.
선택적으로, 스캔 디플렉터들(260)의 어레이가 제어 렌즈 어레이(250)와 대물 렌즈들(234)의 어레이(대물 렌즈 어레이) 사이에 제공된다. 스캔 디플렉터들(260)의 어레이는 각각의 서브-빔(211, 212, 213)에 대한 스캔 디플렉터(261)를 포함한다. 각각의 스캔 디플렉터는 각자의 서브-빔(211, 212, 213)을 한 방향 또는 두 방향으로 편향하여 샘플(208)에 걸쳐 서브-빔을 한 방향 또는 두 방향으로 스캔하도록 구성된다.
검출기의 검출기 모듈(402)이 대물 렌즈들(234)과 샘플(208) 사이에 또는 그 안에 제공되어, 샘플(208)로부터 방출된 신호 전자들/입자들을 검출한다. 이러한 검출기 모듈(402)의 예시적인 구성이 아래에서 설명된다. 추가적으로 또는 대안적으로, 검출기는 대물 렌즈 어레이 또는 심지어 제어 렌즈 어레이의 일차 빔 경로를 따라 빔 상류에 검출기 요소들을 가질 수 있다는 것을 유의한다.
도 3의 시스템은 제어 렌즈들 및 대물 렌즈들의 전극들에 적용되는 전위들을 변동시킴으로써 샘플 상의 전자들의 랜딩 에너지를 제어하도록 구성된다. 제어 렌즈들 및 대물 렌즈들은 함께 동작하며, 대물 렌즈 조립체라고 칭해질 수 있다. 랜딩 에너지는 평가되고 있는 샘플의 성질에 따라 이차 전자들의 방출 및 검출을 증가시키도록 선택될 수 있다. 제어기는 랜딩 에너지를 사전설정된 범위 내의 여하한의 원하는 값 또는 복수의 사전설정된 값들 중 원하는 값으로 제어하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 랜딩 에너지는 사전설정된 범위, 예를 들어 1000 eV 내지 5000 eV에서 원하는 값으로 제어될 수 있다. 도 4는 빔 개방 각도/축소가 변화하는 랜딩 에너지에 대해 다시 최적화된다고 가정하여, 랜딩 에너지의 함수로서 분해능을 도시하는 그래프이다. 알 수 있는 바와 같이, 평가 툴의 분해능은 최소값 LE_min에 이르기까지 랜딩 에너지의 변화에 따라 실질적으로 일정하게 유지될 수 있다. 분해능이 LE_min 아래에서는 악화되는데, 이는 대물 렌즈들 및/또는 검출기와 샘플 사이의 최소 간격을 유지하기 위해 대물 렌즈들의 렌즈 강도 및 대물 렌즈들 내의 전기장을 감소시켜야 하기 때문이다. 또한, 아래에서 더 논의되는 바와 같은 교환가능한 모듈들이 랜딩 에너지를 변동시키거나 제어하기 위해 채택될 수 있다.
바람직하게는, 랜딩 에너지는 주로 제어 렌즈를 빠져나가는 전자들의 에너지를 제어함으로써 변동된다. 대물 렌즈들 내의 전위차들은 바람직하게는 이 변동 동안 일정하게 유지되어 대물 렌즈 내의 전기장이 가능한 한 높게 유지되도록 한다. 추가적으로, 제어 렌즈에 적용되는 전위들은 빔 개방 각도 및 축소를 최적화하는 데 사용될 수 있다. 또한, 제어 렌즈는 랜딩 에너지의 변화들을 고려하여 포커스 위치를 보정하도록 기능할 수 있기 때문에 리포커스 렌즈(refocus lens)라고 칭해질 수도 있다. 바람직하게는, 각각의 제어 렌즈는 아래에서 더 논의되는 바와 같이 2 개의 독립적인 제어 변수들을 제공하기 위해 3 개의 전극들을 포함한다. 예를 들어, 전극들 중 하나는 축소를 제어하는 데 사용될 수 있는 한편, 상이한 전극은 랜딩 에너지를 독립적으로 제어하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로, 각각의 제어 렌즈는 2 개의 전극들만을 가질 수 있다. 2 개의 전극들만이 있는 경우, 대조적으로, 전극들 중 하나가 축소 및 랜딩 에너지를 모두 제어하여야 할 수 있다.
도 5는 대물 렌즈 어레이의 하나의 대물 렌즈(300)와 제어 렌즈 어레이(250)의 하나의 제어 렌즈(600)의 확대된 개략적인 도면이다. 대물 렌즈(300)는 전자 빔을 10보다 큰, 바람직하게는 50 내지 100 이상의 범위의 계수로 축소시키도록 구성될 수 있다. 대물 렌즈는 중간 또는 제 1 전극(301), 하부 또는 제 2 전극(302), 및 상부 또는 제 3 전극(303)을 포함한다. 전압 소스들(V1, V2, V3)이 각각 제 1, 제 2 및 제 3 전극들에 전위들을 적용하도록 구성된다. 추가 전압 소스(V4)가 샘플에 연결되어, 접지될 수 있는 제 4 전위를 적용한다. 전위들은 샘플(208)에 대해 정의될 수 있다. 제 1, 제 2 및 제 3 전극들에는 각각 각자의 서브-빔이 전파되는 어퍼처가 제공된다. 제 2 전위는 샘플의 전위와 유사할 수 있으며, 예를 들어 샘플보다 50 V 내지 200 V 더 양인 범위에 있다. 대안적으로, 제 2 전위는 샘플에 비해 약 +500 V 내지 약 +1,500 V인 범위에 있을 수 있다. 검출기 모듈(402)이 광학 칼럼에서 가장 낮은 전극보다 높은 경우에 더 높은 전위가 유용하다. 제 1 전위 및/또는 제 2 전위는 포커스 보정들을 위해 어퍼처 또는 어퍼처들의 그룹마다 변동될 수 있다.
바람직하게는, 일 실시예에서 제 3 전극이 생략된다. 2 개의 전극들만을 갖는 대물 렌즈는 더 많은 전극들을 갖는 대물 렌즈보다 더 낮은 수차를 가질 수 있다. 3-전극 대물 렌즈는 전극들 사이에 더 큰 전위차들을 가져, 더 강한 렌즈를 가능하게 할 수 있다. 추가적인 전극들(즉, 2보다 많은 전극들)은, 예를 들어 입사 빔뿐만 아니라 이차 전자들을 포커싱하기 위해 전자 궤적들을 제어하는 추가적인 자유도를 제공한다.
앞서 언급된 바와 같이, 랜딩 에너지를 결정하기 위해 제어 렌즈를 사용하는 것이 바람직하다. 하지만, 대물 렌즈(300)를 추가로 사용하여 랜딩 에너지를 제어하는 것이 가능하다. 이러한 경우, 대물 렌즈에 대한 전위차는 상이한 랜딩 에너지가 선택될 때 변화된다. 대물 렌즈에 대한 전위차를 변화시킴으로써 랜딩 에너지를 부분적으로 변화시키는 것이 바람직한 상황의 일 예시는 서브-빔들의 포커스가 대물 렌즈에 너무 가까워지는 것을 방지하는 것이다. 이 상황은, 예를 들어 랜딩 에너지가 낮아지는 경우에 발생할 수 있다. 이는 대물 렌즈의 초점 거리가 선택되는 랜딩 에너지에 따라 대략적으로 스케일링되기 때문이다. 대물 렌즈에 대한 전위차를 낮춰 대물 렌즈 내부의 전기장을 낮춤으로써, 대물 렌즈의 초점 거리는 다시 더 커져 대물 렌즈보다 더 아래의 포커스 위치를 유도한다.
도시된 구성에서, 제어 렌즈(600)는 전위 소스들(V5 내지 V7)에 연결되는 3 개의 전극들(601 내지 603)을 포함한다. 전극들(601 내지 603)은 수 밀리미터(예를 들어, 3 mm) 이격될 수 있다. 제어 렌즈와 대물 렌즈 사이의 간격[즉, 하부 전극(602)과 대물 렌즈의 상부 전극 사이의 갭]은 넓은 범위, 예를 들어 2 mm 내지 200 mm 이상으로부터 선택될 수 있다. 작은 간격이 정렬을 더 쉽게 하는 반면, 더 큰 간격은 더 약한 렌즈가 사용되게 하여 수차를 감소시킨다. 바람직하게는, 제어 렌즈(600)의 최상위 전극(603)의 전위(V5)는 제어 렌즈의 빔 상류에 있는 다음 전자 광학 요소[예를 들어, 디플렉터들(235)]의 전위와 동일하게 유지된다. 하부 전극(602)에 적용되는 전위(V7)는 빔 에너지를 결정하기 위해 변동될 수 있다. 중간 전극(601)에 적용되는 전위(V6)는 제어 렌즈(600)의 렌즈 강도를 결정하고, 이에 따라 빔의 개방 각도 및 축소를 제어하기 위해 변동될 수 있다. 바람직하게는, 제어 렌즈의 하부 전극(602)과 대물 렌즈의 최상위 전극 및 샘플은 실질적으로 동일한 전위를 갖는다. 하나의 디자인에서, 대물 렌즈의 상부 전극(V3)은 생략된다. 이 경우, 바람직하게는 제어 렌즈의 하부 전극(602) 및 대물 렌즈의 전극(301)이 실질적으로 동일한 전위를 갖는다. 랜딩 에너지가 변화될 필요가 없거나 다른 수단에 의해 변화되는 경우에도, 제어 렌즈는 빔 개방 각도를 제어하는 데 사용될 수 있다는 것을 유의하여야 한다. 서브-빔의 포커스의 위치는 각 제어 렌즈 및 각 대물 렌즈의 작용들의 조합에 의해 결정된다.
일 예시에서, 1.5 kV 내지 2.5 kV 범위의 랜딩 에너지를 얻기 위해, 아래 표 1에 나타낸 바와 같이 전위들 V1, V2, V4, V5, V6 및 V7이 설정될 수 있다. 이 표의 전위들은 빔 소스(201)의 캐소드에 대한 전극 전위와 동등한 keV 단위의 빔 에너지 값들로서 주어진다. 전자 광학 시스템을 디자인함에 있어서, 시스템에서 어느 지점이 접지 전위로 설정될지에 대해 상당한 디자인 자유가 있으며, 시스템의 작동은 절대 전위들보다는 전위차들에 의해 결정됨을 이해할 것이다.
V1, V3 및 V7에서의 빔 에너지는 동일함을 알 것이다. 실시예들에서, 이 지점들에서의 빔 에너지는 10 keV 내지 50 keV일 수 있다. 더 낮은 전위가 선택되는 경우, 특히 대물 렌즈에서 전극 간격이 감소되어 전기장의 감소를 제한할 수 있다.
집속 렌즈보다는 제어 렌즈가 전자 빔의 개방 각도/축소 보정에 사용되는 경우, 시준기는 중간 포커스에 유지되므로 시준기의 비점수차 보정이 필요하지 않다. 또한, 대물 렌즈에서 최적의 전계 강도를 유지하면서 랜딩 에너지는 광범위한 에너지들에 걸쳐 변동될 수 있다. 이는 대물 렌즈의 수차를 최소화한다. 또한, 집속 렌즈(사용되는 경우)의 강도는 일정하게 유지되어, 중간 초점면에 있지 않은 시준기 또는 집속 렌즈를 통한 전자 경로의 변화로 인한 추가적인 수차들의 여하한의 도입을 피한다.
일부 실시예들에서, 하전 입자 평가 툴은 서브-빔들에서 1 이상의 수차를 감소시키는 1 이상의 수차 보정기를 더 포함한다. 일 실시예에서, 수차 보정기들의 적어도 서브세트 각각은 중간 포커스들 중 각 하나에 또는 바로 인접하여(예를 들어, 중간 이미지 평면 내에 또는 인접하여) 위치된다. 서브-빔들은 중간 평면과 같은 초점면 내에서 또는 그 근처에서 최소 단면적을 갖는다. 이는 다른 곳, 즉 중간 평면의 빔 상류 또는 빔 하류에서 이용가능한 것보다(또는 중간 이미지 평면을 갖지 않는 대안적인 구성들에서 이용가능한 것보다) 수차 보정기들을 위한 더 많은 공간을 제공한다.
일 실시예에서, 중간 포커스들(또는 중간 이미지 평면)에 또는 바로 인접하여 위치되는 수차 보정기들은 상이한 빔들에 대해 상이한 위치들에 있는 것으로 보이는 소스(201)를 보정하기 위한 디플렉터들을 포함한다. 보정기들은 각각의 서브-빔과 대응하는 대물 렌즈 사이의 양호한 정렬을 방해하는 소스로부터 발생하는 거시적 수차들을 보정하는 데 사용될 수 있다.
수차 보정기들은 적절한 칼럼 정렬을 방해하는 수차들을 보정할 수 있다. 또한, 이러한 수차들은 서브-빔들과 보정기들 사이의 오정렬을 초래할 수 있다. 이러한 이유로, 추가적으로 또는 대안적으로 수차 보정기들을 집속 렌즈 어레이(231)의 집속 렌즈들에 또는 그 근처에 위치시키는 것이 바람직할 수 있다[예를 들어, 각각의 이러한 수차 보정기는 집속 렌즈들(231) 중 1 이상과 통합되거나, 또는 바로 인접함]. 이는 집속 렌즈들이 빔 어퍼처들과 수직으로 근접 또는 일치하기 때문에 집속 렌즈 어레이(231)의 집속 렌즈들에서 또는 그 근처에서 수차들이 아직 대응하는 서브-빔들의 시프트로 이어지지 않았을 것이므로 바람직하다. 하지만, 집속 렌즈들에 또는 그 근처에 보정기들을 위치시키는 것에 대한 문제는 더 하류의 위치들에 비해 이 위치에서 서브-빔들이 각각 상대적으로 큰 단면적들 및 상대적으로 작은 피치를 갖는다는 것이다. 수차 보정기들은 EP2702595A1에 개시된 바와 같은 CMOS 기반 개별 프로그램가능 디플렉터들 또는 EP2715768A2에 개시된 바와 같은 다극 디플렉터들의 어레이일 수 있으며, 이 두 문서의 빔릿 머니퓰레이터에 대한 설명들은 본 명세서에서 인용참조된다.
일부 실시예들에서, 수차 보정기들의 적어도 서브세트 각각은 대물 렌즈들(234) 중 1 이상과 통합되거나 바로 인접한다. 일 실시예에서, 이 수차 보정기들은: 필드 곡률; 포커스 오차; 및 비점수차 중 1 이상을 감소시킨다. 추가적으로 또는 대안적으로, 1 이상의 스캐닝 디플렉터(도시되지 않음)가 샘플(208)에 걸쳐 서브-빔들(211, 212, 213)을 스캔하기 위해 대물 렌즈들(234) 중 1 이상과 통합되거나 바로 인접할 수 있다. 일 실시예에서, 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 US 2010/0276606에 설명되어 있는 스캐닝 디플렉터들이 사용될 수 있다.
일부 실시예들에서, 대물 렌즈 어레이 조립체는 대물 렌즈 어레이(241)의 적어도 하나의 전극의 빔 하류에 검출기 모듈(402)을 갖는 검출기를 포함한다. 검출기 모듈(402)은 검출기 어레이의 형태를 취할 수 있다. 일 실시예에서, 검출기의 적어도 일부가 대물 렌즈 어레이(241)에 인접 및/또는 통합된다. 예를 들어, 검출기 모듈(402)은 대물 렌즈 어레이(241)의 저부 전극에 CMOS 칩 검출기를 통합함으로써 구현될 수 있다. 대물 렌즈 어레이로의 검출기 모듈(402)의 통합이 이차 칼럼을 대체한다. CMOS 칩은 바람직하게는 [웨이퍼와 전자 광학 시스템의 저부 사이의 짧은 거리(예를 들어, 100 ㎛)로 인해] 샘플을 향하도록 방위지정(orientate)된다. 일 실시예에서, 이차 전자 신호들을 포착하기 위한 전극들이 CMOS 디바이스의 최상부 금속층에 형성된다. 전극들은 기판의, 예를 들어 CMOS 칩의 다른 층들에 형성될 수 있다. CMOS의 전력 및 제어 신호들은 실리콘-관통 비아(through-silicon via)들에 의해 CMOS에 연결될 수 있다. 견고함을 위해, 바람직하게는 저부 전극은 2 개의 요소들: CMOS 칩 및 홀들을 갖는 패시브 Si 플레이트로 구성된다. 플레이트는 높은 E-필드로부터 CMOS를 차폐한다.
검출 효율을 최대화하기 위해, (어퍼처들을 제외한) 대물 렌즈 어레이의 실질적으로 모든 영역이 전극들에 의해 점유되고 각각의 전극이 어레이 피치와 실질적으로 동일한 직경을 갖도록 전극 표면을 가능한 한 크게 만드는 것이 바람직하다. 일 실시예에서, 전극의 외형은 원이지만, 이는 검출 영역을 최대화하기 위해 정사각형으로 만들어질 수 있다. 또한, 기판-관통홀의 직경은 최소화될 수 있다. 전자 빔의 통상적인 크기는 5 내지 15 미크론 정도이다.
일 실시예에서, 단일 전극이 각각의 어퍼처를 둘러싼다. 또 다른 실시예에서, 복수의 전극 요소들이 각각의 어퍼처 주위에 제공된다. 하나의 어퍼처를 둘러싸는 전극 요소들에 의해 포착되는 전자들은 단일 신호로 조합되거나, 또는 독립적인 신호들을 생성하는 데 사용될 수 있다. 전극 요소들은 반경방향으로(즉, 복수의 동심 환형들을 형성하도록), 각도로(즉, 복수의 부채꼴 조각들을 형성하도록), 반경방향 및 각도로, 또는 여하한의 다른 편리한 방식으로 분할될 수 있다.
하지만, 더 큰 전극 표면이 더 큰 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)를 초래하므로, 대역폭이 더 낮다. 이러한 이유로, 전극의 외경을 제한하는 것이 바람직할 수 있다. 특히 더 큰 전극이 약간 더 큰 검출 효율만을 제공하지만, 상당히 더 큰 커패시턴스를 제공하는 경우이다. 원형(환형) 전극이 수집 효율과 기생 커패시턴스 사이에서 좋은 절충안을 제공할 수 있다.
또한, 전극의 더 큰 외경이 더 큰 크로스토크(이웃한 홀의 신호에 대한 감도)를 초래할 수도 있다. 이는 전극 외경을 더 작게 만드는 이유일 수도 있다. 특히 더 큰 전극이 약간 더 큰 검출 효율만을 제공하지만, 상당히 더 큰 크로스토크를 제공하는 경우이다.
전극에 의해 수집되는 후방산란 및/또는 이차 전자 전류는 트랜스 임피던스 증폭기에 의해 증폭된다.
대물 렌즈 어레이에 통합된 검출기의 예시적인 실시예가 도 6에 도시되어 있으며, 이는 멀티빔 대물 렌즈(401)의 일부를 개략적인 단면도로 나타낸다. 이 실시예에서, 검출기는 바람직하게는 검출기 요소들의 어레이(즉, 바람직하게는 2-차원 표면에 걸친 패턴 또는 구성의 복수의 검출기 요소들)로서 복수의 검출기 요소들(405)(예를 들어, 캡처 전극들과 같은 센서 요소들)(예를 들어, 어레이)을 포함하는 검출기 모듈(402)을 포함한다. 이 실시예에서, 검출기 모듈(402)은 대물 렌즈 어레이의 출력 측에 제공된다. 출력 측은 대물 렌즈(401)의 출력 측이다. 도 7은 빔 어퍼처(406)를 각각 둘러싸는 복수의 캡처 전극들(405)이 제공되는 기판(404)을 포함하는 검출기 모듈(402)의 저면도이다. 빔 어퍼처들(406)은 기판(404)을 통해 에칭함으로써 형성될 수 있다. 도 7에 나타낸 구성에서, 빔 어퍼처들(406)은 직사각형 어레이로 도시되어 있다. 또한, 빔 어퍼처들(406)은 상이하게, 예를 들어 도 8에 도시된 바와 같이 육각 밀집 어레이로 배치될 수 있다.
도 9는 더 큰 스케일에서 검출기 모듈(402)의 일부의 단면을 도시한다. 캡처 전극들(405)은 검출기 모듈(402)의 맨 아래, 즉 샘플에 가장 가까운 표면을 형성한다. 캡처 전극들(405)과 실리콘 기판(404)의 주 몸체 사이에는 로직 층(logic layer: 407)이 제공된다. 로직 층(407)은 증폭기, 예를 들어 트랜스 임피던스 증폭기, 아날로그-디지털 컨버터, 및 판독 로직을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캡처 전극(405)마다 하나의 증폭기 및 하나의 아날로그-디지털 컨버터가 있다. 이 요소들을 특징으로 하는 회로가 어퍼처와 연계되는 셀이라고 하는 단위 영역에 포함될 수 있다. 검출기 모듈(402)은 각각 어퍼처와 연계된 수 개의 셀들을 가질 수 있다; 바람직하게는 셀들은 유사한 형상을 갖는다. 로직 층(407) 및 캡처 전극들(405)은 CMOS 공정을 사용하여 제조될 수 있으며, 캡처 전극들(405)은 최종 금속화 층을 형성한다.
배선 층(408)이 기판(404)의 후면 또는 내부에 제공되고, 실리콘-관통 비아(409)에 의해 로직 층(407)에 연결된다. 실리콘-관통 비아들(409)의 수는 빔 어퍼처들(406)의 수와 동일할 필요는 없다. 특히 전극 신호들이 로직 층(407)에서 디지털화되는 경우, 데이터 버스를 제공하기 위해 적은 수의 실리콘-관통 비아들만이 필요할 수 있다. 배선 층(408)은 제어 라인들, 데이터 라인들 및 전력 라인들을 포함할 수 있다. 빔 어퍼처들(406)에도 불구하고, 필요한 모든 연결을 위한 충분한 공간이 있음을 유의할 것이다. 검출기 모듈(402)은 바이폴라 또는 다른 제조 기술들을 사용하여 제작될 수도 있다. 인쇄 회로 기판 및/또는 다른 반도체 칩들이 검출기 모듈(402)의 후면에 제공될 수 있다.
앞서 설명된 통합된 검출기 모듈(402)은, 이차 전자 포착이 다양한 랜딩 에너지들에 대해 최적화될 수 있기 때문에, 튜닝가능한 랜딩 에너지를 갖는 툴과 함께 사용될 때 특히 유리하다. 또한, 어레이 형태의 검출기 모듈이 최저 전극 어레이뿐만 아니라 다른 전극 어레이들에도 통합될 수 있다. 대물 렌즈에 통합된 검출기 모듈의 더 자세한 사항 및 대안적인 구성들은 EP 출원 20184160.8호에서 찾아볼 수 있으며, 이 문서는 본 명세서에서 인용참조된다.
도 10은 평가 시스템에서 사용되는 또 다른 예시적인 전자 광학 칼럼의 개략적인 다이어그램이다. 칼럼은 대물 렌즈 어레이 조립체를 포함한다. 대물 렌즈 어레이 조립체는 대물 렌즈 어레이(241)를 포함한다. 대물 렌즈 어레이(241)는 복수의 대물 렌즈들을 포함한다. 각각의 대물 렌즈는 각자의 전위 소스들에 연결되는 적어도 2 개의 전극들(예를 들어, 2 또는 3 개의 전극들)을 포함한다. 대물 렌즈 어레이(241)는 각자의 전위 소스들에 연결되는 2 이상의(예를 들어, 3 개의) 플레이트 전극 어레이들을 포함할 수 있다. 대물 렌즈 어레이(241)의 플레이트 전극 어레이들은 대물 전극들로 지칭될 수 있다. 플레이트 전극 어레이들에 의해 형성된 각각의 대물 렌즈는 멀티-빔에서 상이한 서브-빔 또는 서브-빔 그룹에서 작동하는 마이크로-렌즈일 수 있다. 각각의 플레이트는 (홀이라고도 할 수 있는) 복수의 어퍼처들을 정의한다. 플레이트 내의 각 어퍼처의 위치는 다른 플레이트(또는 플레이트들) 내의 대응하는 어퍼처(또는 대응하는 홀)의 위치에 대응한다. 대응하는 어퍼처들은 대물 렌즈들을 정의하고, 이에 따라 대응하는 홀들의 각 세트는 사용 시 멀티-빔의 동일한 서브-빔 또는 서브-빔 그룹에서 작동한다. 각각의 대물 렌즈는 샘플(208) 상으로 멀티-빔의 각자의 서브-빔을 투영한다. 또한, 대물 렌즈 어레이(234)의 설명을 참조한다.
일부 실시예들에서, 대물 렌즈 어레이(241) 내의 어퍼처들은 멀티-빔에서의 축외 수차들을 보상하도록 구성된다. 예를 들어, 대물 전극들 중 1 이상의 어퍼처들은 축외 수차들을 보상하도록 성형, 크기조정 및/또는 위치될 수 있다. 어퍼처들은, 예를 들어 필드 곡률을 보상하기 위한 상이한 영역들의 범위, 비점수차를 보상하기 위한 상이한 타원율들의 범위, 및/또는 텔레센트리시티 오차(telecentricity error)에 의해 야기되는 왜곡을 보상하기 위한 공칭 그리드 위치들로부터의 상이한 변위들의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 축외 수차 보정에 관하여 본 명세서에서 인용참조되는 2021년 3월 31일에 출원된 EPA 21166214.3을 참조한다.
대물 렌즈 어레이 조립체는 제어 렌즈 어레이(250)를 더 포함한다. 제어 렌즈 어레이(250)는 복수의 제어 렌즈들을 포함한다. 각각의 제어 렌즈는 각자의 전위 소스들에 연결되는 적어도 2 개의 전극들(예를 들어, 2 또는 3 개의 전극들)을 포함한다. 제어 렌즈 어레이(250)는 각자의 전위 소스들에 연결되는 2 이상의(예를 들어, 3 개의) 플레이트 전극 어레이들을 포함할 수 있다. 제어 렌즈 어레이(250)의 플레이트 전극 어레이들은 제어 전극들로 지칭될 수 있다. 제어 렌즈 어레이(250)는 대물 렌즈 어레이(241)와 연계된다(예를 들어, 두 어레이들은 서로 가깝게 위치되고, 및/또는 서로 기계적으로 연결되고, 및/또는 유닛으로서 함께 제어됨). 제어 렌즈 어레이(250)는 대물 렌즈 어레이(241)의 빔 상류에 위치된다. 제어 렌즈들은 서브-빔들을 사전-포커싱(pre-focus)한다[예를 들어, 서브-빔들이 대물 렌즈 어레이(241)에 도달하기 전에 서브-빔들에 포커싱 동작을 적용함]. 사전-포커싱은 서브-빔들의 발산을 감소시키거나, 서브-빔들의 수렴 속도를 증가시킬 수 있다. 제어 렌즈 어레이 및 대물 렌즈 어레이는 함께 작동하여 조합된 초점 거리를 제공한다. 중간 포커스가 없는 조합된 작동은 수차의 위험을 감소시킬 수 있다.
일 실시예에서, 대물 렌즈 어레이 조립체를 포함하는 전자 광학 시스템은 제어 렌즈들의 초점 거리가 제어 렌즈 어레이(250)와 대물 렌즈 어레이(241) 사이의 간격보다 크도록 [예를 들어, 제어 렌즈 어레이(250)의 전극들에 적용되는 전위들을 제어함으로써] 대물 렌즈 어레이 조립체를 제어하도록 구성된다. 따라서, 제어 렌즈 어레이(250)와 대물 렌즈 어레이(241)는 비교적 서로 가깝게 위치될 수 있으며, 제어 렌즈 어레이(250)로부터의 포커싱 동작은 제어 렌즈 어레이(250)와 대물 렌즈 어레이(241) 사이에 중간 포커스를 형성하기에 너무 약하다. 다른 실시예들에서, 대물 렌즈 어레이 조립체는 제어 렌즈 어레이(250)와 대물 렌즈 어레이(241) 사이에 중간 포커스를 형성하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 제어 렌즈 어레이는 그 자체로 또는 대물 렌즈 어레이 및/또는 검출기 모듈과 같은 다른 요소들과 조합하여 교환가능한 모듈이다. 교환가능한 모듈은 현장 교체가능할 수 있으며, 즉 모듈은 현장 엔지니어에 의해 새로운 모듈로 바뀔 수 있다. 현장 교체가능한 것은 전자 광학 툴(40)이 위치되는 진공을 유지하면서 모듈이 제거되고 동일하거나 상이한 모듈로 교체될 수 있다는 것을 의미하도록 의도된다. 모듈이 제거되고 반환되거나 교체되기 위해 모듈에 대응하는 칼럼의 섹션만이 열린다(vent).
제어 렌즈 어레이는 대물 렌즈 어레이(241)와 동일한 모듈에 있고, 즉 대물 렌즈 어레이 조립체 또는 대물 렌즈 구성부를 형성할 수 있거나, 또는 별개의 모듈 내에 있을 수 있다.
전력 소스가 제공되어, 제어 렌즈 어레이(250)의 제어 렌즈들 및 대물 렌즈 어레이(241)의 대물 렌즈들의 전극들에 각자의 전위들을 적용할 수 있다.
대물 렌즈 어레이(241)에 추가하여 제어 렌즈 어레이(250)의 제공은 서브-빔들의 속성들을 제어하기 위한 추가적인 자유도를 제공한다. 추가적인 자유는, 예를 들어 제어 렌즈 어레이(250)와 대물 렌즈 어레이(241) 사이에 중간 포커스가 형성되지 않도록 제어 렌즈 어레이(250) 및 대물 렌즈 어레이(241)가 비교적 가깝게 제공되는 경우에도 제공된다. 제어 렌즈 어레이(250)는 빔의 축소와 관련하여 빔 개방 각도를 최적화하고, 및/또는 대물 렌즈 어레이(241)로 전달되는 빔 에너지를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 제어 렌즈는 2 또는 3 이상의 전극들을 포함할 수 있다. 2 개의 전극들이 있는 경우, 축소 및 랜딩 에너지는 함께 제어된다. 3 개 이상의 전극들이 있는 경우, 축소 및 랜딩 에너지는 독립적으로 제어될 수 있다. 따라서, 제어 렌즈들은 (예를 들어, 제어 렌즈들 및 대물 렌즈들의 전극들에 적절한 각 전위들을 적용하기 위해 전력 소스를 사용하여) 각자의 서브-빔들의 축소 및/또는 빔 개방 각도를 조정하도록 구성될 수 있다. 이러한 최적화는 대물 렌즈들의 수에 과도하게 부정적인 영향을 미치고 대물 렌즈들의 수차를 과도하게 악화시키지 않으면서(예를 들어, 대물 렌즈들의 강도를 증가시키지 않고) 달성될 수 있다.
도 10의 실시예에서, 전자 광학 시스템은 소스(201)를 포함한다. 소스(201)는 하전 입자(예컨대, 전자) 빔을 제공한다. 샘플(208)에 포커싱되는 멀티-빔은 소스(201)에 의해 제공되는 빔으로부터 파생된다. 예를 들어, 빔-제한 어퍼처들의 어레이를 정의하는 빔 리미터(beam limiter)를 사용하여 빔으로부터 서브-빔들이 파생될 수 있다. 소스(201)는 바람직하게는 밝기와 총 방출 전류 사이에서 우수하게 절충한 고휘도 열전계 이미터이다. 나타낸 예시에서, 시준기가 대물 렌즈 어레이 조립체의 빔 상류에 제공된다. 시준기는 매크로 시준기(270)를 포함할 수 있다. 매크로 시준기(270)는 빔이 멀티-빔으로 분할되기 전에 소스(201)로부터의 빔에 작용한다. 매크로 시준기(270)는 빔으로부터 파생된 서브-빔들 각각의 빔 축이 샘플(208) 상에 실질적으로 수직으로[즉, 샘플(208)의 공칭 표면에 대해 실질적으로 90°로] 입사될 것을 보장하도록 효과적인 양만큼 빔의 각 부분들을 굽힌다. 매크로 시준기(270)는 빔에 거시적 시준을 적용한다. 따라서, 매크로 시준기(270)는 빔의 상이한 개별 부분에 작용하도록 각각 구성되는 시준기 요소들의 어레이를 포함하기보다는 빔 전체에 작용할 수 있다. 매크로 시준기(270)는 자기 렌즈 또는 복수의 자기 렌즈 서브-유닛들(예컨대, 다극 구성을 형성하는 복수의 전자석들)을 포함하는 자기 렌즈 구성부를 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 매크로 시준기는 적어도 부분적으로 정전기적으로 구현될 수 있다. 매크로 시준기는 정전 렌즈 또는 복수의 정전 렌즈 서브-유닛들을 포함하는 정전 렌즈 구성부를 포함할 수 있다. 매크로 시준기(270)는 자기 렌즈 및 정전 렌즈의 조합을 사용할 수 있다.
도 10의 실시예에서, 매크로 스캔 디플렉터(265)가 제공되어 서브-빔들이 샘플(208)에 걸쳐 스캔되도록 한다. 매크로 스캔 디플렉터(265)는 서브-빔들이 샘플(208)에 걸쳐 스캔되도록 하기 위해 빔의 각 부분들을 편향한다. 일 실시예에서, 매크로 스캔 디플렉터(256)는 예를 들어 8 이상의 극(pole)들을 갖는 거시적 다극 디플렉터를 포함한다. 편향은 빔으로부터 파생되는 서브-빔들이 샘플(208)을 가로질러 한 방향으로(예를 들어, X 축과 같은 단일 축에 평행하게) 또는 두 방향으로(예를 들어, X 및 Y 축들과 같은 2 개의 평행하지 않은 축들에 대해) 스캔되도록 하는 것과 같다. 일부 구성들에서, 서브-빔들의 스캐닝은 샘플(208)의 이동과 조화를 이룬다. 예를 들어, 샘플(208)을 Y 축에 평행하게 이동시키면서 서브-빔들을 X 축에 평행하게 스캔하는 조합은 샘플의 상이한 스테핑된 위치들에서 반복되어 샘플(208) 상의 다수의 평행한 긴 스트립들을 처리할 수 있다. 그 후, 샘플(208)의 더 큰 이동이 샘플(208) 상의 새로운 처리 위치로 도약하는 데 사용될 수 있다. 이러한 이동의 일 예시는 2021년 5월 3일에 제출된 EPA 21171877.0에 설명되어 있으며, 이는 스테이지 이동을 통한 빔 스캐닝의 제어에 관하여 본 명세서에서 인용참조된다. 매크로 스캔 디플렉터(265)는 빔의 상이한 개별 부분에 작용하도록 각각 구성되는 디플렉터 요소들의 어레이를 포함하기보다는 빔 전체에 거시적으로 작용한다. 나타낸 실시예에서, 매크로 스캔 디플렉터(265)는 매크로 시준기(270)와 제어 렌즈 어레이(250) 사이에 제공된다.
본 명세서에 설명된 대물 렌즈 어레이 조립체들 중 어느 하나는 [예를 들어, 검출기 모듈(402)을 포함하는] 검출기를 더 포함할 수 있다. 검출기는 샘플(208)로부터 방출된 하전 입자들을 검출한다. 검출된 하전 입자들은 샘플(208)로부터 방출된 이차 및/또는 후방산란 전자들을 포함하여, SEM에 의해 검출되는 여하한의 하전 입자들을 포함할 수 있다. 검출기 모듈(402)의 예시적인 구성은 도 6 내지 도 9를 참조하여 앞서 설명되어 있다.
도 10의 실시예에 대한 변형예에서, 대물 렌즈 어레이 조립체는 스캔 디플렉터 어레이를 포함할 수 있다. 스캔 디플렉터 어레이는 복수의 스캔 디플렉터들을 포함한다. 각각의 스캔 디플렉터는 샘플(208)에 걸쳐 각자의 서브-빔을 스캔한다. 따라서, 스캔 디플렉터 어레이는 각각의 서브-빔에 대한 스캔 디플렉터를 포함할 수 있다. 편향은 서브-빔이 샘플(208)을 가로질러 한 방향 또는 두 방향으로(즉, 1-차원적으로 또는 2-차원적으로) 스캔되도록 하는 것과 같다. 일 실시예에서, 스캔 디플렉터 어레이를 구현하기 위해, 본 명세서에서 그 전문이 특히 스캔 디플렉터들에 관하여 인용참조되는 EP2425444에 설명된 스캐닝 디플렉터들이 사용될 수 있다. 스캔 디플렉터 어레이는 대물 렌즈 어레이(241)와 제어 렌즈 어레이(250) 사이에 위치된다. 스캔 디플렉터 어레이는 매크로 스캔 디플렉터(265) 대신에 제공될 수 있다. 다른 실시예들에서, 매크로 스캔 디플렉터(265) 및 스캔 디플렉터 어레이가 모두 제공되고, 동기화하여 작동될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 10에 예시된 바와 같이, 제어 렌즈 어레이(250)는 소스(201)의 빔 하류에 있는 빔 경로에서 제 1 편향 또는 렌징 전자 광학 어레이 요소이다.
매크로 시준기(270) 대신에 시준기 요소 어레이가 제공될 수 있다. 나타내지는 않지만, 도 3의 실시예에 이러한 변형을 적용하여 매크로 스캔 디플렉터 및 시준기 요소 어레이를 갖는 실시예를 제공하는 것도 가능하다. 각각의 시준기 요소는 각자의 서브-빔을 시준한다. 시준기 요소 어레이는 매크로 시준기(270)보다 공간적으로 더 콤팩트할 수 있다. 그러므로, 시준기 요소 어레이 및 스캔 디플렉터 어레이(260)를 함께 제공하는 것이 공간 절약을 제공할 수 있다. 이러한 공간 절약은 대물 렌즈 어레이 조립체를 포함하는 복수의 전자 광학 시스템들이 전자 광학 시스템 어레이로 제공되는 경우에 바람직하다. 이러한 실시예에서, 매크로 집속 렌즈 또는 집속 렌즈 어레이가 존재하지 않을 수 있다. 이 시나리오에서, 제어 렌즈는 이에 따라 랜딩 에너지의 변화들에 대해 빔 개방 각도 및 축소를 최적화할 가능성을 제공한다.
일 실시예에서, 전자 광학 시스템 어레이가 제공된다. 어레이는 복수의 본 명세서에 설명된 여하한의 전자 광학 시스템들을 포함할 수 있다. 전자 광학 시스템들 각각은 동일한 샘플의 상이한 구역들 상에 각자의 멀티-빔들을 동시에 포커싱한다. 각각의 전자 광학 시스템은 상이한 각 소스(201)로부터의 하전 입자 빔으로부터 서브-빔들을 형성할 수 있다. 각각의 각 소스(201)는 복수의 소스들(201)에서 하나의 소스일 수 있다. 복수의 소스들(201)의 적어도 서브세트가 소스 어레이로서 제공될 수 있다. 소스 어레이는 공통 기판 상에 제공된 복수의 이미터들(201)을 포함할 수 있다. 동일한 샘플의 상이한 구역들 상으로의 복수의 멀티-빔들의 동시 포커싱은 샘플(208)의 증가된 영역이 동시에 처리(예컨대, 평가)되게 한다. 어레이 내의 전자 광학 시스템들은 샘플(208)의 인접한 구역들 상으로 각자의 멀티-빔들을 투영하도록 서로 인접하여 배치될 수 있다. 여하한 수의 전자 광학 시스템들이 어레이에서 사용될 수 있다. 바람직하게는, 전자 광학 시스템들의 수는 9 내지 200 개의 범위 내에 있다. 일 실시예에서, 전자 광학 시스템들은 직사각형 어레이 또는 육각형 어레이로 배치된다. 다른 실시예들에서, 전자 광학 시스템들은 불규칙한 어레이, 또는 직사각형 또는 육각형 이외의 지오메트리를 갖는 규칙적인 어레이로 제공된다. 어레이 내의 각각의 전자 광학 시스템은 단일 전자 광학 시스템을 참조할 때, 본 명세서에 설명된 여하한의 방식들로 구성될 수 있다. 앞서 언급된 바와 같이, 스캔 디플렉터 어레이(260) 및 시준기 요소 어레이(271)는 이들의 공간적 콤팩트함(compactness)으로 인해 전자 광학 시스템 어레이에 통합하기에 특히 적합하며, 이는 서로 가까운 전자 광학 시스템들의 위치설정을 용이하게 한다.
도 11은 대물 렌즈 어레이 조립체의 또 다른 예시의 일부를 도시한다. 이 대물 렌즈 어레이 조립체는 도 10의 구성에서 사용될 수 있다. 대물 렌즈 어레이 조립체는 제어 렌즈 어레이(250) 및 대물 렌즈 어레이(241)를 포함한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제어 렌즈 어레이(250)는 복수의 제어 전극들(501 내지 503)에 의해 정의될 수 있다. 각각의 제어 전극(501 내지 503)은 각각의 서브-빔 경로(510)를 위한 어퍼처를 갖는(어퍼처들의 어레이를 형성함) 플레이트-형 요소를 포함할 수 있다. 대물 렌즈 어레이(241)는 복수의 대물 전극들(503 및 504)에 의해 정의될 수 있다. 각각의 대물 전극(503 및 504)은 각각의 서브-빔 경로(510)를 위한 어퍼처를 갖는(어퍼처들의 어레이를 형성함) 플레이트-형 요소를 포함할 수 있다. 제어 전극들(501 내지 503) 및 대물 전극들(503 및 504)은 렌즈 전극들로 칭해질 수 있다. 제어 렌즈 어레이(250) 및 대물 렌즈 어레이(241)의 조합은 적어도 4 개의 이러한 렌즈 전극들을 포함할 수 있다. 렌즈 전극들은 멀티-빔의 서브-빔 경로들(510)에 직교로, 및/또는 이를 따라 직렬로 배치될 수 있다.
5 개의 예시적인 서브-빔 경로들(510)이 도 11에 도시되어 있다. 제어 전극들(501 내지 503)은 서브-빔 경로들(510)을 따라 직렬로 배치되고, 서브-빔 경로들(510)과 정렬된 각자의 어퍼처들을 정의하여 제어 렌즈들을 정의한다. 따라서, 각각의 제어 렌즈는 각자의 서브-빔의 서브-빔 경로(510)와 정렬되고, 서브-빔에서 작동한다(예를 들어, 이를 정전기적으로 조작함). 각각의 제어 전극(501 내지 503)은 서브-빔들의 일부 또는 서브-빔들 전체에서 작동할 수 있다. 대물 렌즈 어레이(241)의 각 대물 렌즈는 각자의 제어 렌즈와 정렬된 서브-빔 경로(510)와 정렬될 수 있다. 대물 렌즈 어레이(241)는 샘플(208) 상으로 서브-빔들을 지향시킨다.
상기 구성은 플레이트들인 4 이상의 렌즈 전극들로서 설명될 수 있다. 플레이트들에는 대응하는 빔 어레이의 다수 빔들과 정렬되는 어퍼처들이, 예를 들어 어퍼처 어레이들로서 정의되어 있다. 전극들은 2 이상의 전극들로 그룹화되어, 예를 들어 제어 전극 그룹 및 대물 전극 그룹을 제공할 수 있다. 일 구성에서, 대물 전극 그룹은 적어도 3 개의 전극들을 갖고, 제어 전극 그룹은 적어도 2 개의 전극들을 갖는다.
도 11의 예시에서, 샘플(208)로부터 가장 멀리 있는 대물 전극(503)[대물 렌즈 어레이(241)의 가장 빔 상류의 전극이라고 칭해질 수 있음] 및 샘플(208)에 가장 가까운 제어 전극(503)[제어 렌즈 어레이(250)의 가장 빔 하류의 전극이라고 칭해질 수 있음]은 공통 전극에 의해 제공된다. 따라서, 대물 전극 그룹의 가장 빔 상류의 전극은 제어 전극 그룹의 부재(member)이기도 한 공통 전극이다. (빔 상류 표면으로서 설명될 수 있는) 샘플(208)로부터 멀리 향하는 공통 전극(503)의 표면은 제어 렌즈 어레이에 기능을 제공하므로, 제어 렌즈 어레이의 일부를 포함하는 것으로 간주될 수 있다. (빔 하류 표면이라고 칭해질 수 있는) 샘플(208)을 향하는 공통 전극(503)의 표면은 대물 렌즈 어레이(241)에 기능을 제공하므로, 대물 렌즈 어레이(241)의 일부를 포함하는 것으로 간주될 수 있다.
공통 전극의 제공은 제어 렌즈 어레이(250)가 대물 렌즈 어레이(241)에 가깝게 위치되는 것이 바람직한 경우에 유리하다. 이는 스캔 디플렉터들의 어레이(260)가 사용되지 않는, 예를 들어 대신에 매크로 스캔 디플렉터(265)가 사용되는 구성들의 경우에 가능성이 더 높다. 이는 스캔 디플렉터들의 어레이(260)가 사용되는 경우, 예를 들어 스캔 디플렉터(260)와 대물 렌즈 어레이(241) 사이의 거리를 가능한 한 짧게 만들기 위해, 제어 렌즈 어레이(250)와 대물 렌즈 어레이(241) 사이에 스캔 디플렉터들의 어레이(260)를 위치시키는 것이 바람직하기 때문이다. 매크로 스캔 디플렉터(265)를 갖는 구성이 도 10에 예시되어 있다. 하지만, 여전히 집속 렌즈 어레이를 갖지 않고 스캔 디플렉터들의 어레이를 갖는 도 10의 구성에 대한 변형예들이 가능하다는 것을 유의한다. 이러한 구성에서는, 제어 렌즈 어레이와 대물 렌즈 어레이 사이에 스캔 디플렉터들의 어레이를 위치시키는 것이 바람직할 수도 있다. 대안적으로, 스캔 디플렉터들의 어레이는 제어 렌즈 어레이와 빔-제한 어퍼처들의 어레이 사이와 같이, 제어 렌즈 어레이의 빔 상류 또는 제어 렌즈 어레이의 내부와 같은 다른 곳에 위치될 수 있다.
도 11의 이 예시에서, 대물 렌즈 어레이 조립체는 빔 성형 리미터(beam shaping limiter: 242)를 더 포함한다. 빔 성형 리미터(242)는 빔-제한 어퍼처들의 어레이를 정의한다. 빔 성형 리미터(242)는 빔 성형-제한 어퍼처 어레이 또는 최종 빔-제한 어퍼처 어레이라고 칭해질 수 있다. 빔 성형 리미터(242)는 복수의 어퍼처들을 갖는 플레이트(플레이트와 같은 몸체일 수 있음)를 포함할 수 있다. 빔 성형 리미터(242)는 제어 렌즈 어레이(250)의 적어도 하나의 전극으로부터(선택적으로는 모든 전극들로부터) 빔 하류에 있다. 일부 실시예들에서, 빔 성형 리미터(242)는 대물 렌즈 어레이(241)의 적어도 하나의 전극으로부터(선택적으로는 모든 전극들로부터) 빔 하류에 있다. 또 다른 실시예에서, 이는 어레이, 예를 들어 대물 렌즈 어레이(241)의 맨 아래 어레이일 수 있다.
일 구성에서, 빔 성형 리미터(242)는 대물 렌즈 어레이(241)의 전극과 구조적으로 통합된다. 각각의 빔-제한 어퍼처가 빔 제한 효과를 가져, 빔 성형 리미터(242)에 입사되는 서브-빔의 선택된 부분만이 빔-제한 어퍼처(124)를 통과하게 한다. 선택된 부분은 대물 렌즈 어레이 내의 각 어퍼처들의 중심부를 통과하는 각 서브-빔의 부분만이 샘플(208)에 도달하도록 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 전자 광학 시스템은 상부 빔 리미터(252)를 더 포함한다. 상부 빔 리미터(252)는 빔-제한 어퍼처들의 어레이를 정의하거나, 예를 들어 소스(201)로부터의 소스 빔으로부터 빔들의 어레이를 생성한다. 상부 빔 리미터(252)는 복수의 어퍼처들을 갖는 플레이트(플레이트와 같은 몸체일 수 있음)를 포함할 수 있다. 상부 빔 리미터(252)는 소스(201)에 의해 방출되는 하전 입자 빔으로부터 서브-빔들을 형성한다. 서브-빔들을 형성하는 데 기여하는 것들 이외의 빔의 부분들은 빔 하류에서 서브-빔들과 간섭하지 않도록 상부 빔 리미터(252)에 의해 차단(예를 들어, 흡수)될 수 있다.
상부 빔 리미터(252)는 대물 렌즈 어레이 조립체의 일부를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상부 빔 리미터(252)는 제어 렌즈 어레이(250)에 인접 및/또는 통합될 수 있다[예를 들어, 소스(201)에 가장 가까운 제어 렌즈 어레이(250)의 전극에 인접 및/또는 통합, 또는 전극으로도 통합될 수 있음]. 일 실시예에서, 상부 빔 리미터(252)는 빔 성형 리미터(242)의 빔-제한 어퍼처들보다 더 큰(예를 들어, 더 큰 단면적을 갖는) 빔-제한 어퍼처들을 정의한다. 따라서, 빔 성형 리미터(242)의 빔-제한 어퍼처들은 대물 렌즈 어레이(241) 및/또는 제어 렌즈 어레이(250)에 정의된 대응하는 어퍼처들보다 작은 치수로 이루어질 수 있다.
빔 성형 리미터(242)는 바람직하게는 빔-제한 효과를 갖도록[즉, 빔 성형 리미터(242)에 입사되는 각각의 서브-빔의 부분을 제거하도록] 구성된다. 예를 들어, 빔 성형 리미터(242)는 대물 렌즈 어레이(241)의 대물 렌즈를 빠져나가는 각각의 서브-빔이 각자의 대물 렌즈의 중심을 통과할 것을 보장하도록 구성될 수 있다. 또한, 빔 성형 리미터(242)는 스캐닝이 서브-빔들에서 작동하는 길이를 감소시킨다. 거리는 빔 성형 리미터(242)로부터 샘플 표면까지의 빔 경로의 길이로 감소된다.
빔 성형 리미터(242)는 대물 렌즈 어레이(241)의 저부 전극과 통합하여 형성될 수 있다. 일반적으로, 가장 강한 렌징 효과를 갖는 각각의 대물 렌즈의 전극에 인접하여 빔 성형 리미터(242)를 위치시키는 것이 바람직하다. 일 구성에서, 검출기의 검출기 모듈(402)의 빔 상류에 빔 성형 리미터(242)를 제공하는 것이 바람직하다. 검출기 모듈(402)의 빔 상류에 빔 성형 리미터(242)를 제공하는 것은, 빔 성형 리미터(242)가 샘플(208)로부터 방출되는 하전 입자들을 막아 이들이 검출기 모듈(402)에 도달하지 못하게 하지 않을 것을 보장한다. 따라서, 빔 성형 리미터(242)는 빔-상류 방향에서 검출기 모듈(402)에 바로 인접하여 제공될 수 있다.
도 1 내지 도 11을 참조하여 앞서 예시된 바와 같이, 샘플(208)을 향해 멀티-빔으로 배열된 서브-빔들의 하전 입자들을 지향시키는 평가 시스템이 제공된다. 평가 시스템은 멀티-빔 하전 입자 평가 시스템으로 지칭될 수 있다. 평가 시스템은 대물 렌즈 어레이(241)를 포함한다. 대물 렌즈 어레이(241)는 도 3 및 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명된 여하한의 형태들을 취할 수 있다. 일부 실시예들에서, 평가 시스템은 제어 렌즈 어레이(250)를 더 포함한다. 존재한다면, 제어 렌즈 어레이(250)는 도 3, 도 5, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명된 여하한의 형태들을 취할 수 있다. 평가 시스템은 샘플(208)에 대한 정보를 얻기 위해 [예를 들어, 앞서 설명된 바와 같은 검출기 모듈(402)을 포함할 수 있는 검출기를 사용하여] 샘플(208)로부터 방출된 신호 전자들을 검출한다.
앞서 설명된 바와 같이, 대물 렌즈 어레이(241)는 (대물 전극들로 지칭될 수 있는) 전극들을 포함한다. 전극들은 서브-빔 경로들을 따라 직렬로 전도성 플레이트들을 포함할 수 있다. 각각의 전도성 플레이트는 서브-빔 경로들과 정렬되는 어퍼처들을 정의한다. 도 5 및 도 11에서, 전극들(301 및 302, 및 503 및 504)이 이러한 전도성 플레이트들의 예시들이다. 평가 시스템은 (예를 들어, 서브-빔들을 축소하고, 및/또는 평가될 샘플 상에 올바르게 서브-빔들을 포커싱하기 위해) 멀티-빔의 서브-빔들을 제어하도록 전극들에 전위들을 적용한다.
평가 시스템은 전극들의 작동을 제어하기 위해 (도 3 및 도 10에 개략적으로 도시된 바와 같은) 제어기(500)를 포함할 수 있다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 제어기(500)는 필요한 기능을 제공하기 위해 사용되는 요소들(예를 들어, CPU, RAM 등)의 여하한의 적절한 조합으로 컴퓨터-구현될 수 있다. 도 5를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 제어 전극들 및 대물 전극들은 전위 소스들에 전극들을 연결함으로써 제어될 수 있다. 따라서, 제어기(500)는 전위 소스들을 포함 및/또는 제어할 수 있다. 전위 소스들은 상이한 전극들, 샘플(208) 및/또는 [아래에서 설명되는 중간 요소(555)와 같은] 다른 요소들에 전위들을 적용할 수 있다. 제어기(500)는 샘플을 지지하기 위한 스테이지를 더 제어할 수 있다.
본 명세서에서, 평가 시스템(또는 간단히 시스템)이 기능을 수행하도록 구성된다는 여하한의 언급은 제어기(500)가 (예를 들어, 전위 소스들 및/또는 스테이지와 같은 장치에 필요한 제어 신호들을 제공하도록 적절하게 프로그램됨으로써) 기능을 수행하도록 구성되는 경우를 포괄하도록 의도된다.
작동 시, 평가 시스템은 대물 렌즈 어레이(241)의 전극들 사이에 강한 전기장을 생성한다. 또한, 시스템 내 다른 곳의 전극들 사이에서도 상당한 전기장이 생성될 수 있다. 강한 전기장은 대응하여 강한 정전기 압력과 연계된다. 정전기 압력은 전계 에너지 밀도(ηE)에 비례하며, 이는 차례로 에 따라 E2에 비례한다(여기서, ε는 유전율이고, E는 전기장 강도임). 따라서, 정전기 압력은 E가 증가함에 따라 빠르게 증가한다.
일부 구성들에서, 정전기 압력은 평가 시스템의 1 이상의 전극의 형상 및/또는 위치의 변화를 야기한다. 전극들의 형상 및/또는 위치의 변화는 전극 왜곡이라고 칭해질 수 있다. 도 12는 대물 렌즈 어레이(241)의 전극들(503 및 504)에 대한 이러한 전극 왜곡을 개략적으로 도시한다. 설명의 용이함을 위해, 전극들(503, 504)은 어퍼처들이 없고 일정한 비율이 아닌 상태로 도시되어 있다. 직사각형 형상인 파선들은 시스템이 켜지기 전[즉, 전극들(503, 504) 사이에 전기장이 존재하지 않을 때]의 전극들(503, 504)의 예시적인 단면 형상을 도시한다. 이 예시에서, 전극들(503, 504)은 이 스테이지에서 실질적으로 평면이다. 실선 직사각형들은 시스템이 켜져 있고 전극들 사이에 예시적인 전기장이 존재할 때의 전극들(503, 504)의 예시적인 단면 형상들을 도시한다. 도 12는 전극들이 높은 전기장 강도의 구역으로 휘는 통상적인 경우를 도시한다. 이러한 전극 왜곡 모드를 보우라고 할 수 있다. 보우는 포물선 또는 거의 포물선 형태를 갖는 왜곡을 야기할 수 있다. 즉, 왜곡은 반경방향 위치의 제곱의 근사 함수로서 변동한다.
대물 렌즈 어레이(241)의 전극 왜곡은 멀티-빔의 서브-빔들에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 전극 왜곡은 필드 곡률에 기여할 수 있다. 필드 곡률은 멀티-빔의 상이한 서브-빔들에 대해 포커스 평면이 상이한 경우이며, 이는 샘플(208)의 평면에서 포커스 오차를 초래할 수 있다. 대물 렌즈 어레이의 예측된 전극 왜곡으로부터의 서브-빔들에 대한 예측된 영향을 보상하도록 대물 렌즈 어레이를 구성하는 것이 가능하다. 따라서, 대물 렌즈 어레이에는 하드웨어 보정이 제공될 수 있다. 일부 구성들에서, 하드웨어 보정은 각각의 전극에서의 위치의 함수로서 전극들 중 1 이상에 정의된 어퍼처들의 크기(예를 들어, 어퍼처들이 원형인 경우에는 직경)의 변동들을 포함한다. 전극들에서의 어퍼처들의 크기들을 변동시키는 것이 필드 곡률의 변화를 보상할 수 있다.
유한한 제조 공차들이 전극 왜곡 예측의 정확성을 제한한다. 유한한 제조 공차들은 대물 렌즈 어레이(241)의 상이한 제조 인스턴스들 사이에서 전극 두께 및/또는 어퍼처 크기의 차이들과 같이 작지만 유의한 변동들을 초래한다. 이러한 변동들은 전극들의 강성도에 영향을 미칠 수 있으며, 이는 주어진 정전기 압력이 상이한 제조 인스턴스들에 대해 상이한 전극 왜곡들과 연계되게 할 수 있다. 이러한 가변성은 앞서 설명된 타입의 하드웨어 보정들이 최적의 보상을 달성하지 않을 수 있음을 의미한다. 도 3에 나타낸 타입의 통상적인 구현들에 대해, 전극 왜곡은 최대 약 10 미크론의 표면 변위를 초래할 수 있을 것으로 예상된다. 이 영향에 100 nm의 디포커스 예산(budget defocus amount)이 할당된 경우, 이는 (예를 들어, 어퍼처 직경 변동에 의한) 하드웨어 보정이 효과적이려면 전극 왜곡이 1 % 이내로 재현가능하여야 함을 의미할 것이다. 이러한 엄격한 제조 공차들에 제약되는 것은 바람직하지 않다. 도 10에 나타낸 타입의 구성들에 대해, 전극 왜곡은 훨씬 더 작을 것으로 예상되지만, 이러한 시스템들에서는 튜닝가능한 랜딩 에너지를 지원하는 것이 특히 바람직하다. 랜딩 에너지를 튜닝하는 것은 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장에 상당한 변화들을 초래하며, 이는 다시 하드웨어 보정들이 부적절하게 할 수 있다. 아래에서 설명되는 구성들은 전극 왜곡의 영향의 보상을 개선하는 것을 목표로 한다. 개선된 보상은 제조 공차들로 하여금 완화되고(예를 들어, 1 %로부터 10 %까지) 및/또는 튜닝가능한 랜딩 에너지 기능을 지원하게 할 수 있다.
한 종류의 구성에서, 대물 렌즈 어레이(241)의 전극들에서의 전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법이 제공된다. 전극 왜곡의 영향은 필드 곡률의 변화와 같은 멀티-빔의 서브-빔들에 대한 영향을 포함한다. 상기 방법은 전극 왜곡을 조정하는 단계를 포함한다. 조정은 전극 왜곡으로부터의 서브-빔들에 대한 영향을 감소시킨다. 전극 왜곡이 멀티-빔에서 필드 곡률을 야기하는 경우, 전극 왜곡의 조정은 이에 따라 필드 곡률을 감소시킬 수 있다. 일부 구성들에서, 전극 왜곡의 조정은 예측된 전극 왜곡과 실질적으로 매칭하도록 전극 왜곡을 조정하는 것을 포함한다. 예측된 전극 왜곡의 이러한 매칭이 실제 전극 왜곡을 보상할 수 있다. 예측된 전극 왜곡의 이러한 매칭은, 예측된 전극 왜곡으로부터의 서브-빔들에 대한 예측된 영향을 보상하기 위한 하드웨어 보정이 더 효과적이라는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 필드 곡률에 대한 하드웨어 보정이 더 효과적이어서 필드 곡률을 낮출 수 있다. 일 구성에서, 예측된 왜곡은 대물 렌즈 어레이에 적용될 때 실제 왜곡과 매칭하거나, 대안적으로 대물 렌즈 어레이(241)의 전극들이 서브-빔들에 작용하여 원하는 전자 광학 효과를 제공하도록, 예를 들어 서브-빔들 사이에 원하는 필드 곡률을 적용하도록 대물 렌즈 어레이(241)의 전극들을 조정할 수 있는 타겟 왜곡이다.
전극 왜곡은 대물 렌즈 어레이(241) 내의 정전기장을 변동시킴으로써 조정된다. 정전기장의 변동은, 두 전극들 사이에 작용하는 정전기장 압력을 변화시키기 위해 두 전극들 사이의 볼륨에서 전기장 강도를 변화시키는 것을 포함할 수 있다. 전기장 강도의 증가가 전극들의 왜곡량을 증가시킬 것이다. 전기장 강도의 감소가 전극들의 왜곡량을 감소시킬 것이다.
앞서 언급된 바와 같이, 대물 렌즈 어레이(241)의 전극들(503, 504)은 서브-빔 경로들을 따라 직렬로 전도성 플레이트들을 포함할 수 있다. 각각의 플레이트에는 서브-빔 경로들과 정렬되는 어퍼처들이 정의되어 있다. 이러한 전도성 플레이트 내의 어퍼처는 어퍼처의 한 측에 전기장이 존재하고 서브-빔이 어퍼처를 통과하는 렌징 효과를 가질 것이다. 이러한 방식으로 작동하는 각각의 어퍼처는 기본 렌즈 또는 어퍼처 렌즈라고 칭해질 수 있다. 이러한 기본 렌즈의 초점 거리(f)는 f = 4U/E에 따라 서브-빔의 에너지(U) 및 전기장 강도(E)에 의존한다. 예를 들어, 도 11 및 도 12에 예시된 바와 같이 대물 렌즈 어레이(241)가 2 개의 전극들만을 갖는 구성들에서, 각각의 대물 렌즈는 2 개의 기본 렌즈들을 포함할 것이다. 제 1 기본 렌즈는 샘플(208)로부터 가장 멀리 떨어진 전극(503) 내의 어퍼처에 의해 정의될 것이다. 제 2 기본 렌즈는 샘플에 가장 가까운 전극(504) 내의 어퍼처에 의해 정의될 것이다. 각각의 전극에서의 빔 에너지는 전극에 적용되는 전위에 의해 정의된다.
대물 렌즈가 감속 렌즈인 경우, 제 1 기본 렌즈는 음의 렌즈가 되고 제 2 기본 렌즈는 양의 렌즈가 될 것이다. 제 2 기본 렌즈는, 서브-빔이 제 2 기본 렌즈에 도달할 때(즉, 감속 후) 서브-빔의 빔 에너지(U)가 더 낮기 때문에 제 1 기본 렌즈보다 더 강할 것이다[즉, 더 작은 초점 거리(f)].
반대로, 대물 렌즈가 가속 렌즈인 경우, 제 1 기본 렌즈는 양의 렌즈가 되고 제 2 기본 렌즈는 음의 렌즈가 될 것이다. 제 1 기본 렌즈는 이 경우에, 서브-빔이 제 2 기본 렌즈에 도달할 때(즉, 가속 후) 서브-빔의 빔 에너지(U)가 더 높기 때문에 제 2 기본 렌즈보다 더 강할 것이다[즉, 더 작은 초점 거리(f)].
본 발명의 구성들에서, 각각의 대물 렌즈는 전형적으로 제 1 기본 렌즈와 제 2 기본 렌즈 사이의 빔 에너지의 큰 차이를 갖는 감속 렌즈로서 작동된다. 이는 각각의 대물 렌즈에서의 제 2 기본 렌즈가 제 1 기본 렌즈보다 훨씬 더 강하고 대물 렌즈의 속성들을 크게 지배한다는 것을 의미한다. 예를 들어, 한 구현에서 전극(503)의 빔 에너지는 30 keV이고 전극(504)의 빔 에너지는 2.5 keV이므로, 제 1 기본 렌즈가 제 2 기본 렌즈보다 12 배 더 약하다. 렌징 효과를 제공하는 제 2 기본 렌즈 및 연계된 등전위들의 일 예시가 도 13에 개략적으로 도시되어 있다. 화살표들은 기본 렌즈를 통과하는 하전 입자들에 적용되는 (등전위들에 수직인) 힘들의 방향을 개략적으로 나타낸다.
앞서 설명된 바와 같이, 전극들 사이의 정전기장을 변동시키는 것이 정전기 압력을 변동시킨다. 정전기 압력의 변동은 전극 왜곡의 원하는 조정을 제공한다. 상기 방법은 이러한 정전기장 변동에 응답하여 멀티-빔의 서브-빔(선택적으로는 모든 서브-빔들)을 리포커싱하는 단계를 더 포함한다. 리포커싱은 서브-빔들이 샘플(208)에서 바람직하지 않게 디포커싱되는 것을 방지한다.
특히 도 14 내지 도 17을 참조하여 아래에서 예시되는 바와 같이, 전극 왜곡의 조정 및 리포커싱은 대물 렌즈 어레이(241)의 적어도 2 개의 전극들에 적용되는 전위들(V1, V2)을 변화시킴으로써 수행된다. (전위 V1은 빔-상류 전극 전위라고 칭해질 수 있다. 전위 V2는 빔-하류 전극 전위라고 칭해질 수 있다.) 두 전극들은 503 및 504로 표시된 전극들에 의해 예시된다. 이 전극들은 도 11의 503 및 504로 표시된 전극들 및/또는 도 5의 301 및 302로 표시된 전극들에 대응할 수 있다. 샘플 전위라고 칭해질 수 있는 샘플(208)에서의 전위(Vs)는 서브-빔들의 랜딩 에너지를 정의한다. 샘플(208)에서의 전위(Vs)의 제어와 조합하여, 전위들 V1 및 V2의 제어는 두 전극들 및 샘플(208)로 이루어진 시스템에 대해 3 자유도를 제공한다. 3 자유도는 3 개의 전위들(V1, V2 및 Vs)에 의해 나타낼 수 있다.
전극 왜곡의 조정은 대물 렌즈 어레이(241) 내의 전기장(E1)(또는 렌즈 전계 강도)의 제어를 수반한다. 도 14 내지 도 17의 예시들에서, 전기장(E1)은 전극들(503 및 504) 사이의 전계이다. 서브-빔의 랜딩 에너지(Vs에 의해 정의됨), 서브-빔에 작용하는 대물 렌즈의 전체 초점 거리(f)[또는 서브-빔 초점 거리(f)], 및 샘플(208)에서의 전계 강도(E2)[또는 샘플 전계 강도(E2)]를 제어하는 것이 더욱 바람직하다. 3 자유도(V1, V2 및 Vs)는 E1, Vs, f 및 E2를 모두 독립적으로 제어하기에 충분하지 않다. 도 15 및 도 16을 참조하여 아래에서 설명되는 바와 같이, V1, V2 및 Vs의 제어가 사용되어, E1, Vs, f 및 E2 중 선택된 3 가지를 제어할 수 있다. 도 14 및 도 17을 참조하여 아래에서 설명되는 바와 같이 추가 자유도가 제공되는 경우, E1, Vs, f 및 E2를 모두 독립적으로 제어하는 것이 가능하다.
도 11 및 도 14 내지 도 17의 예시들에서, 평가 시스템은 또한 중간 요소(555)를 포함한다. 중간 요소(555)는 샘플(208)과 대물 렌즈 어레이(241) 사이에[즉, 샘플(208)과 샘플(208)에 가장 가까운 대물 렌즈 어레이(241)의 전극(504) 사이에] 있다. 중간 요소(555)는 샘플(208)로부터 방출된 신호 전자들을 검출하기 위한 검출기를 포함하거나 지지한다. 도 11의 예시에서, 중간 요소(555)는 도 6 내지 도 9를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이 검출기 모듈(402)을 포함하는 검출기를 지지한다. 도 14 내지 도 16에서, 중간 요소(555)는 전극(504)에 전기적으로 연결된다. 그러므로, 중간 요소(555)의 전위는 이 예시들(두 요소들의 전위가 V2임)에서 전극(504)의 전위(V2)와 독립적으로 제어가능하지 않다. 도 11 및 도 17을 참조하여 아래에서 설명되는 바와 같이, 일부 구성들에서 중간 요소(555)는 중간 요소(555)의 전위(Vint)가 독립적으로 제어되게 하도록 구성된다. 전위 Vint는 중간 요소 전위라고 칭해질 수 있다.
일부 구성들에서, 도 14에 예시된 바와 같이, 리포커싱은 샘플(208)과 대물 렌즈 어레이(241)[및 이 예시에서는 중간 요소(555)] 사이의 거리를 변동시키는(즉, 제어하는) 것을 포함한다. 이 거리는, 예를 들어 대물 렌즈 어레이(241)를 향해 또는 이로부터 멀리 샘플(208)을 이동시킴으로써 변동될 수 있다. 이 이동은 Z 축을 따른 이동(또는 Z 변위)으로서 설명될 수 있다. 이동은 적어도 부분적으로 샘플(208)을 지지하는 스테이지를 이동시킴으로써 수행될 수 있다. 스테이지는 대물 렌즈 어레이(241)를 향해 또는 이로부터 멀리 이동될 수 있다. 도 14의 예시에서, 전극 왜곡의 조정은 전위들 V1 및 V2의 적절한 제어에 의해 전극들(503 및 504) 사이의 전기장(E1)을 감소시키는 것을 수반한다[예를 들어, 전극들 사이의 간격(d)을 갖는 평행 플레이트 지오메트리에 대해, E1 = |V1 - V2|/d에 따르며, 즉 렌즈 전계 강도는 한편으로는 빔-상류 전극 전위와 빔-하류 전극 전위 사이의 차이의 모듈러스와 다른 한편으로는 전극들 사이의 간격 사이의 비와 동일함]. E1의 감소는 전극 왜곡을 감소시킨다. 또한, E1의 감소는 (V2에 의해 정의된) 전극 504에서의 빔 에너지의 감소를 수반한다. 앞서 설명된 바와 같이, 2 개의 전극들만을 포함하는 감속 대물 렌즈 어레이(241)에 대해, 샘플(208)에 가장 가까운 전극(504)과 연계된 기본 렌즈들은 지배적인 기본 렌즈들일 것이다. 따라서, 대물 렌즈의 전체 초점 거리는 도 14에서 f1(제 1 초점 거리)로부터 f2(제 2 초점 거리)로의 변화에 의해 개략적으로 나타낸 바와 같이 증가한다. 그러므로, 이 예시에서, 정전기장의 변동에 응답한 샘플(208)의 이동은 (예를 들어, f1과 f2 사이의 차이와 같은 거리만큼) 대물 렌즈 어레이(241) 및 중간 요소(555)로부터 샘플(208)을 더 멀리 이동시키는 것과 같을 것이다.
샘플(208)을 이동시킴으로써 서브-빔들을 리포커싱하는 것은 비교적 쉽게 구현할 수 있다. 또한, 이 기능에 의해 제공되는 추가적인 자유도는 전극 왜곡의 조정 및 리포커싱 동안 전기장(E2) 및 (Vs에 의해 주어지는) 랜딩 에너지가 둘 다 일정하게 유지될 수 있게 한다. 이 예시에서, Vs 및 E2를 일정하게 유지하는 요건은 V2를 효과적으로 결정한다. [V2는 전극 504, 또는 존재한다면 중간 요소(555)와 샘플(208) 사이의 증가된 간격을 보상하기 위해 증가하여야 할 것을 유의한다.] 그 후, V1이 원하는 전극 왜곡 조정을 달성하는 데 필요한 E1의 값으로부터 따라온다. 또한, V1의 변화는 제어 렌즈 어레이(250)가 존재하는 경우에 그 설정의 변화들로 이어질 수 있다.
예시적인 구현에서, 전극들(503 및 504) 사이의 전기장(E1)의 1 % 변화가 지배적인 기본 렌즈에 대해 f = 4U/E에 따라 대물 렌즈의 초점 거리(f)의 1 % 변화를 제공할 것이다. 0.5 mm의 통상적인 초점 거리(f)에 대해, 결과적인 포커스 시프트는 5 미크론일 것이다. 이는 50 미크론 정도일 수 있는 샘플(208) 위의 통상적인 여유[예를 들어, 샘플(208)과 검출기를 포함한 중간 요소(555) 사이]보다 작다.
도 15 내지 도 17은 대물 렌즈 어레이(241)에 대해 샘플(208)이 이동되지 않는 구성들을 도시한다. 결과로서, 도 15 및 도 16의 구성들은 하나 더 적은 자유도를 가지며, 이에 따라 파라미터들(E1, Vs, f 및 E2) 중 3 개만이 독립적으로 제어될 수 있다.
도 15의 예시에서, 샘플(208)의 전기장(E2)은 전극 왜곡의 조정 및 리포커싱 동안 일정하게 유지되도록 제어되는 한편, 샘플(208)의 랜딩 에너지(Vs에 의해 정의됨)는 변동하도록 허용된다(즉, 일정하도록 제어되지 않음). 전기장(E2)을 일정하게 유지하는 것이 작업자에게 바람직할 수 있는데, 이는 SEM 이미지 콘트라스트 형성에 대한 부정적인 영향이 회피될 것이기 때문이다. 정전기장(E1)이 10 % 증가되고 V2가 10 % 증가되어 f를 일정하게 유지하는 경우, 랜딩 에너지(Vs)를 V2의 약 10 %만큼 증가시킬 필요가 있을 것이다. 예를 들어, 랜딩 에너지가 2.5 keV인 경우, 이는 랜딩 에너지의 약 250 eV 변화를 유도할 것이다. 랜딩 에너지가 1 keV인 경우, 랜딩 에너지의 절대적인 변화는 통상적으로 약 100 eV로 더 작아질 것이다.
도 16의 예시에서, 전위 Vs는 전극 왜곡의 조정 및 리포커싱 동안 일정한 랜딩 에너지를 유지하도록 제어되고, 샘플(208)의 전기장(E2)은 변화하도록 허용된다(즉, 일정하도록 제어되지 않음). 이 접근법은 랜딩 에너지의 원치 않는 변화들을 피하지만, 샘플(208)에서의 전기장(E2)의 변동을 수반한다. 예시적인 구현에서, 전극들(503 및 504) 사이의 전기장(E1)의 5 % 변화 및 (2.5 keV 랜딩 에너지의 경우) 전극 504에서의 빔 에너지의 결과적인 125 eV 변화의 경우, 샘플(208)과 샘플에 가장 가까운 전극(504)의 전위에서의 칼럼의 요소[예를 들어, (존재한다면) 중간 요소(555) 및/또는 전극(504)에 전기적으로 연결된 검출기] 사이의 전위차는 50 V(공칭 오프셋 전압)에서 175 V로 변화할 것이다. 175 V는 샘플(208)에서 3.5 kV/mm의 전기장(E2)으로 이어질 것이다(E2 = 175 V / 0.05 mm). 이 전계 강도는 높으며 실질적으로 허용가능한 것에 근접할 수 있다. 더 낮은 랜딩 에너지들에서는, 보정의 범위가 더 커질 것이다. 예를 들어, 앞선 구성에서 1 keV 랜딩 에너지에 대해, 검출기와 샘플(208) 사이의 전위차 변화는 전극들(503 및 504) 사이의 전기장(E1)의 10 % 변화에 대해 50 V에서 150 V가 될 것이다.
앞서 언급된 바와 같이, 조정 및 리포커싱은 대물 렌즈 어레이(241) 내의 두 전극들에 적용되는 전위들을 변화시키는 것을 포함한다. 일부 구성들에서, 두 전극들 중 하나는 대물 렌즈의 다른 전극과 비교하여 서브-빔에 가장 강한 렌징 효과를 적용하는 대물 렌즈 어레이(241)의 대물 렌즈의 전극이다. 이 접근법은 가장 강한 렌징 효과를 적용하는 전극이 대물 렌즈의 전체 포커싱 작용에 가장 큰 영향을 미칠 것이기 때문에 리포커스를 달성하는 데 특히 효과적이다. 나타낸 예시들에서, 가장 강한 렌징 효과를 적용하는 전극은 샘플(208)에 가장 가까운 대물 렌즈 어레이(241)의 전극(504)(또는 빔-하류 전극)이다. 이러한 구성은 흔히 감속 대물 렌즈이다. 전형적으로, 가속 대물 렌즈에서는, 샘플로부터 가장 먼 대물 렌즈(241)의 전극(503)(또는 빔-상류 전극)이 가장 강한 렌징 효과를 적용하는 전극이다.
대물 렌즈 어레이가 각각의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 2보다 많은 전극들을 포함하는 구성들에서, 샘플(208)에 가장 가까운 전극은 가장 강한 렌징 효과를 제공하는 전극이 아닐 수 있다. 예를 들어, 각각의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 3 개의 전극들을 갖는 아인젤 렌즈 구성에서는, 중간 전극이 가장 강한 렌징 효과를 적용할 수 있다(빔 에너지가 중간 전극에서 가장 낮기 때문임). 3보다 많은 전극들이 서브-빔 경로들을 따라 비대칭으로 배치되는 구성들(인접한 전극들의 상이한 쌍들 사이의 간격들이 균일하지 않음)을 포함하여, 2보다 많은 전극들을 갖는 다른 구성들이 사용될 수 있다. 2보다 많은 전극들을 사용하는 것은 멀티-빔에서 서브-빔들을 제어하는 데 더 많은 자유도를 제공할 것이다. 상이한 전계 강도의 구역들 사이에 제공되는 대물 렌즈 어레이의 여하한의 전극은 전극의 왜곡을 야기할 수 있는 정전기 압력으로부터 힘을 받을 것이다. 3 이상의 전극들을 갖는 구성들에서, 인접한 전극들의 각 쌍들 사이에 2 이상의 별개의 볼륨들이 정의될 수 있다. 이러한 볼륨들의 양쪽에 있는 전극들의 왜곡은 도 12의 예시적인 볼륨에 대해 개략적으로 나타낸 바와 같이 이 볼륨들의 형상 변화들을 초래할 수 있다. 볼륨의 형상 변화들은 볼륨의 양쪽에 있는 전극들 사이의 왜곡으로서 설명될 수 있으며, 이는 상대적인 비섭동 상태들로부터의 변동량 또는 섭동(perturbation)으로서 설명될 수 있다. 볼륨의 형상 변화는 볼륨 내 위치의 함수로서 볼륨 내의 전기장의 대응하는 변동으로 이어질 것이다. 예를 들어, 전기장은 전극들이 멀리 떨어져 있는 구역들(예를 들어, 도 12의 예시에서 주변 구역들)에 비해 전극들이 서로 가까이 있는 구역들(예를 들어, 도 12의 중심 구역)에서 더 강할 것이다. 볼륨 내 위치의 함수로서 전기장의 변동은 볼륨 내 전기장에 의존하는 기본 렌즈들의 대응하는 강도 변동을 야기함으로써 필드 곡률에 기여할 수 있다. 또한, 기본 렌즈들을 정의하는 어퍼처들의 서브-빔 경로들을 따라 위치를 변화시키는 전극의 왜곡도 필드 곡률에 기여할 것이다. 상이한 전극들이 상이한 방식들에서 왜곡되어, 전극들 및 전극들 사이의 볼륨들의 형상들에서 광범위한 잠재적 변동들을 초래할 수 있다. 그러므로, 대물 렌즈 어레이 내의 전체 전극 왜곡에 대한 많은 기여들이 존재할 수 있다. 정전기 압력으로부터 왜곡될 수 있는 여하한의 전극에 적용되는 전위를 제어하는 것이 그 전극의 형상을 수정하여, 대물 렌즈 어레이 내의 전체 전극 왜곡 및 (필드 곡률과 같은) 전극 왜곡의 영향들을 조정하는 데 기여할 수 있다. 샘플(208)에 가장 가까운 전극이 이러한 방식으로 왜곡될 수 있으므로, 샘플(208)에 가장 가까운 전극에 적용되는 전위를 변화시키는 것이 전극 왜곡을 조정하는 데 사용될 수 있다.
따라서, 요약하면, 앞서 언급된 조정 및 리포커싱을 수행하기 위해 전위들이 변화되는 두 전극들 중 하나는 서브-빔에 작용하고 대물 렌즈의 다른 전극들에 비해 샘플(208)에 가장 가까운 대물 렌즈 어레이(241)의 대물 렌즈의 전극일 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 이는 샘플에 가장 가까운 전극이 가장 강한 기본 렌즈를 제공하기 때문에, 또는 대물 렌즈 어레이에서의 전극 왜곡의 원하는 조정을 제공하도록 이 전극에서 빔 에너지를 조정할 필요가 있기 때문에 수행될 수 있다.
일부 구성들에서, 도 17에 예시된 바와 같이, 추가 자유도가 제공된다. 추가 자유도는 중간 요소(555)에 적용되는 전위를 변경하여 중간 요소(555)와 대물 렌즈 어레이(241) 사이에 전기장(E3)(또는 중간 전계)을 생성함으로써 달성된다. [그러므로, 전기장(E3)은 중간 요소(555)와 서브-빔에 작용하는 각각의 대물 렌즈 또는 빔-하류 전극(504) 사이에 있다.] 도 11 및 도 14 내지 도 17에 예시된 바와 같이, 중간 요소(555)는 샘플(208)과 대물 렌즈 어레이(241) 사이[및 이에 따라 샘플(208)과 서브-빔에 작용하는 각각의 대물 렌즈 사이]에 제공된다. 도 14의 예시에서와 같이, 추가 자유도는 전극 왜곡의 조정 및 리포커싱 동안 전기장(E2) 및 (Vs에 의해 주어지는) 랜딩 에너지가 둘 다 일정하게 유지될 수 있게 한다. 이는 제 1 볼륨(551) 및 제 2 볼륨(552)에서 전기장을 상이하게 변동시킬 가능성을 도입함으로써 효과적으로 달성된다. 제 1 볼륨(551)은 대물 렌즈 어레이(241)로부터 제 2 볼륨(552)을 향해 연장되며; 빔-하류 전극(504)과 중간 요소(555) 사이에 있다. 제 2 볼륨은 샘플(208)을 덮으며; 즉, 제 2 볼륨(552)은 중간 요소(555)와 샘플(555) 사이에 있다. 제 1 볼륨(551)의 전기장(E3)은 전기장(E2)을 여전히 제 2 볼륨(552)에서 일정하게 유지하여 샘플(208)에서 일정하게 유지하면서, 전극(504)에 적용되는 전위의 변화들을 보상하도록[예를 들어, 샘플(208)에서 일정한 랜딩 에너지를 유지하도록] 변동될 수 있다. 예시적인 구현에서, 전극들(503 및 504) 사이의 전기장(E1)의 10 % 변화는 (2.5 keV 랜딩 에너지의 경우) 전극(504)에서의 빔 에너지의 250 eV 변화를 유도한다. 이는 전극(504)과 중간 요소(555) 사이에 250 V 전위차가 유도할 것이다. 전극(504)과 중간 요소(555) 사이의 50 미크론의 통상적인 거리에 대해, 이는 이 요소들 사이에 5 kV/mm의 전기장(E3)을 유도할 것이며, 이는 허용가능하다.
중간 요소(555)의 전위의 독립적인 제어를 허용하기 위해, 중간 요소(555)는 대물 렌즈 어레이(241) 및 스테이지로부터 전기적으로 절연되어야 한다. 따라서, 중간 요소(555)는 대물 렌즈 어레이(241)와 스테이지 사이에 위치될 수 있고, 둘 모두로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 도 11의 예시에서, 중간 요소(555)는 전기 절연 연결 부재(510)에 의해 샘플(208)에 가장 가까운 대물 렌즈 어레이(241)의 전극(504)에 기계적으로 부착되어 있다.
도 18은 전극 왜곡의 영향을 보상하는 상이한 방법들에 대하여 분해능에 대한 예측된 영향을 나타내는 그래프이다. 그래프들은 대물 렌즈 어레이를 통한 서브-빔들의 분석적 광선 추적법에 의해 도출되었다. 수직축은 분해능의 변동을 나타낸다. 수평축은 대물 렌즈 어레이 내의 전기장 강도의 변동을 나타낸다. 모드 1은 (도 14를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이) 샘플의 이동을 허용함으로써 일정한 E2 및 Vs에서 조정 및 리포커싱이 수행되는 경우에 대응한다. 모드 2는 (도 15를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이) 일정한 E2 및 변동하는 Vs에서 조정 및 리포커싱이 수행되는 경우에 대응한다. 모드 3은 (도 16을 참조하여 앞서 설명된 바와 같이) 일정한 Vs 및 변동하는 E2에서 조정 및 리포커싱이 수행되는 경우에 대응한다. 모드 4는 (도 17을 참조하여 앞서 설명된 바와 같이) 중간 요소(555)에서의 전위(Vint)를 조정함으로써 일정한 E2 및 Vs에서 조정 및 리포커싱이 수행되는 경우에 대응한다.
그래프로 나타낸 예시적인 모델링된 구현에서, 모드 1의 보정 범위는 99 %와 101 % 사이의 범위에서의 E1로 제한된다. 이는 검출기가 샘플 이동에 응답하여 이동되어야 하고, 이러한 이동이 -5 미크론 내지 +5 미크론의 시프트로 제한됨을 모델이 가정했기 때문이다. 검출기의 이동이 모드 1의 작동 원리를 변경하지는 않지만, 예를 들어 E2의 원하는 제어를 달성하기 위해 적용되는 전위들은 상이할 것이다.
모드 3의 보정 범위는 샘플 상의 전계(E2)가 1 kV/mm 내지 2.7 kV/mm의 범위를 벗어나는 것을 피하고자 하는 바람으로 인해 100 % 내지 103.3 %의 E1로 제한된다. 전계(E2)의 범위는 검출 효율이 의미있는 신호에 대해 충분히 높을(즉, 너무 낮지 않을) 것을 보장하고, 지나치게 높은 전계(E2)에서 발생할 수 있는 샘플의 손상을 방지한다.
모드 2 및 모드 4에 대해서는, E1의 90 % 내지 110 %의 전체 범위가 커버될 수 있다. 모드 4는 모드 2보다 더 복잡하지만, 변동하는 랜딩 에너지를 피한다. 작업자는 랜딩 에너지를 최적으로 제어하고, 이에 따라 작동 동안 중요한 파라미터를 제어할 것이다. 추가적으로, 모드 4가 모드 2보다 분해능에 더 작은 영향을 미치지만, 모드 2의 성능은 여전히 많은 적용예들에서 허용가능하다.
앞서 설명된 바와 같이, 평가 시스템은 시스템의 작동을 제어하기 위한 제어기(500)를 포함할 수 있다. 특히 도 11 내지 도 18을 참조하여 앞서 설명된 방법들의 경우, 제어기는 전극들(503, 504) 및/또는 중간 요소(555)에 적용되는 전위들을 제어하고, 및/또는 스테이지를 제어함으로써 시스템이 여하한의 방법들을 수행하게 하도록 구성될 수 있다.
전극 왜곡의 영향을 감소시키거나 피하기 위한 대안적인 접근법은 대물 렌즈 어레이의 전극들을 더 두껍게 만드는 것이다. 더 두꺼운 전극들은 더 강하고, 따라서 주어진 정전기 압력에 대해 덜 왜곡된다. 전극 왜곡이 10 배 감소될 수 있는 경우, 이는 도 11 내지 도 18을 참조하여 앞서 설명된 미세 튜닝에 대한 어떠한 필요도 없이 전극 왜곡이 대물 렌즈 어레이의 상이한 제조 인스턴스들 사이에서 10 % 공차 내에 있도록 재현가능하면 된다는 것을 의미한다. 예시적인 구현에서, 전극 왜곡을 10 배 감소시키는 것은 전극들이 적어도 3 배 두꺼워야 하고, 예를 들어 약 210 % 더 두꺼워야하는 것으로 예상된다. 따라서, 200 미크론 두께의 전극은 430 미크론 두께가 될 것이다. 이는 2.5 keV 랜딩 에너지에서 약 0.3 nm의 분해능 증가로 이어질 것이다. 전극 왜곡을 100 배 감소시켜 (어퍼처 크기 변동에 의한) 필드 곡률에 대한 하드웨어 보정이 필요하지 않도록 하는 것은 전극들이 적어도 5 배 두꺼워야 하고, 예를 들어 전극이 430 % 더 두껍게 만들어져야 한다. 따라서, 200 미크론 두께의 전극은 730 미크론 두께가 될 것이다. 이는 2.5 keV 랜딩 에너지에서 약 0.9 nm의 분해능 증가로 이어질 것이다.
[매크로 시준기(270)를 포함하는] 도 10에 도시된 바와 같은 전자 광학 디자인을 갖는 타입의 구성들에 대해, 상당한 양의 필드 곡률이 매크로 시준기(270)로부터 비롯된다. 통상적으로, 샘플(208)에서 이 필드 곡률의 크기는 사용되는 배율[제어 렌즈 어레이(250)에 의해 설정될 수 있음]에 따라 1 내지 3 미크론의 범위에 있을 수 있다. 따라서, 매크로 시준기(270)로 인한 필드 곡률은 대물 렌즈 어레이(241)의 전극 왜곡으로 인한 필드 곡률보다 더 클 수 있다. 따라서, 전극 왜곡의 변동들은 [제어 렌즈 어레이(250)를 사용하여] 배율을 최적화함으로써 보상될 수 있다. 매크로 시준기로부터의 필드 곡률 및 전극 왜곡으로부터의 필드 곡률은 반대 부호를 가지므로, 적어도 부분적으로 상쇄된다.
입자 트랩을 포함하거나 사용하는 실시예들과 관련하여 상부 및 하부, 상류 및 하류, 위 및 아래 등에 대한 언급은 샘플(208)에 충돌하는 전자 빔 또는 멀티-빔의 빔 상류 및 빔 하류 방향들(통상적으로 항상 수직은 아님)에 평행한 방향들을 지칭하는 것으로서 이해되어야 한다. 따라서, 빔 상류 및 빔 하류에 대한 언급은 현재 중력장과 관계없이 빔 경로에 관한 방향들을 지칭하도록 의도된다.
본 명세서에 설명된 실시예들은 빔 또는 멀티-빔 경로를 따라 어레이들로 배치되는 일련의 어퍼처 어레이들 또는 전자 광학 요소들의 형태를 취할 수 있다. 이러한 전자 광학 요소들은 정전기적일 수 있다. 일 실시예에서, 예를 들어 빔 제한 어퍼처 어레이로부터 샘플 전의 서브-빔 경로의 마지막 전자 광학 요소까지의 모든 전자 광학 요소들은 정전기적일 수 있고, 및/또는 어퍼처 어레이 또는 플레이트 어레이의 형태일 수 있다. 일부 구성들에서, 전자 광학 요소들 중 1 이상은 마이크로전자기계 시스템(MEMS)으로서(즉, MEMS 제조 기술들을 사용하여) 제조된다. 전자 광학 요소들은 자기 요소들 및 정전기 요소들을 가질 수 있다. 예를 들어, 복합 어레이 렌즈는 자기 렌즈 내의 상부 및 하부 극판(pole plate)들로 멀티-빔 경로를 둘러싸고 멀티-빔 경로를 따라 배치되는 매크로 자기 렌즈를 특징으로 할 수 있다. 극판들에는 멀티-빔의 빔 경로들을 위한 어퍼처들의 어레이가 있을 수 있다. 전극들은 복합 렌즈 어레이의 전자기장을 제어하고 최적화하기 위해 극판들 위, 아래 또는 사이에 존재할 수 있다.
서로에 대해 상이한 전위들로 설정될 수 있는 전극들 또는 다른 요소들이 제공되는 경우, 이러한 전극들/요소들은 서로 전기적으로 절연될 것임을 이해할 것이다. 전극들/요소들이 서로 기계적으로 연결되는 경우, 전기 절연 커넥터들이 제공될 수 있다. 예를 들어, 전극들/요소들이 예를 들어 대물 렌즈 어레이 또는 제어 렌즈 어레이를 형성하기 위해 어퍼처 어레이를 각각 정의하는 일련의 전도성 플레이트들로서 제공되는 경우, 전도성 플레이트들 사이에 전기 절연 플레이트들이 제공될 수 있다. 절연 플레이트들은 전도성 플레이트들에 연결되어 절연 커넥터로서 작용할 수 있다. 전도성 플레이트들은 절연 플레이트들에 의해 서브-빔 경로들을 따라 서로 분리될 수 있다.
본 발명에 따른 평가 툴 또는 평가 시스템은 샘플의 정성적 평가(예를 들어, 합격/불합격)를 수행하는 장치, 샘플의 정량적 측정(예를 들어, 피처의 크기)을 수행하는 장치, 또는 샘플 맵의 이미지를 생성하는 장치일 수 있다. 평가 툴들 또는 시스템들의 예시들로는 검사 툴(예를 들어, 결함 식별용), 검토 툴(예를 들어, 결함 분류용) 및 메트롤로지 툴, 또는 검사 툴, 검토 툴 또는 메트롤로지 툴과 관련된 평가 기능들의 여하한의 조합을 수행할 수 있는 툴들(예를 들어, 메트로-검사 툴들)이 있다.
소정 방식으로 하전 입자 빔을 조작하도록 제어가능한 구성요소들 또는 요소들의 시스템 또는 구성요소에 대한 언급은 설명된 방식으로 하전 입자 빔을 조작하기 위해 구성요소를 제어하도록 제어기 또는 제어 시스템 또는 제어 유닛을 구성하는 것을 포함하며, 또한 선택적으로 다른 제어기 또는 디바이스(예를 들어, 전압 공급기)를 사용하여 이러한 방식으로 하전 입자 빔을 조작하도록 구성요소를 제어하는 것을 포함한다. 예를 들어, 전압 공급기는 1 이상의 구성요소에 전기적으로 연결되어, 제어기 또는 제어 시스템 또는 제어 유닛의 제어 하에, 제어 렌즈 어레이(250) 및 대물 렌즈 어레이(241)의 전극들과 같은 구성요소들에 전위를 적용할 수 있다. 스테이지와 같은 작동가능한 구성요소는 구성요소의 작동을 제어하기 위해 1 이상의 제어기, 제어 시스템 또는 제어 유닛을 사용하여 작동하고, 이에 따라 빔 경로와 같은 또 다른 구성요소에 대해 이동하도록 제어가능할 수 있다.
제어기 또는 제어 시스템 또는 제어 유닛에 의해 제공되는 기능은 컴퓨터-구현될 수 있다. 예를 들어 CPU, RAM, SSD, 마더보드, 네트워크 연결, 펌웨어, 소프트웨어, 및/또는 필요한 컴퓨팅 작업들이 수행되게 하는 당업계에 알려진 다른 요소들을 포함하는 요소들의 여하한의 적절한 조합이 사용되어 필요한 기능을 제공할 수 있다. 필요한 컴퓨팅 작업들은 1 이상의 컴퓨터 프로그램에 의해 정의될 수 있다. 1 이상의 컴퓨터 프로그램은 컴퓨터 판독가능한 명령어들을 저장하는 매체, 선택적으로는 비-일시적(non-transitory) 매체의 형태로 제공될 수 있다. 컴퓨터 판독가능한 명령어들이 컴퓨터에 의해 판독될 때, 컴퓨터는 필요한 방법 단계들을 수행한다. 컴퓨터는 독립형 유닛 또는 네트워크를 통해 서로 연결되는 복수의 상이한 컴퓨터들을 갖는 분산 컴퓨팅 시스템으로 이루어질 수 있다.
"서브-빔" 및 "빔릿"이라는 용어는 본 명세서에서 교환가능하게 사용되며, 둘 다 모(parent) 방사선 빔을 나누거나 분할함으로써 모 방사선 빔으로부터 파생되는 여하한의 방사선 빔을 포괄하는 것으로 이해된다. "머니퓰레이터"라는 용어는 렌즈 또는 디플렉터와 같이, 서브-빔 또는 빔릿의 경로에 영향을 미치는 여하한의 요소를 포괄하는 데 사용된다. 요소들이 빔 경로 또는 서브-빔 경로를 따라 정렬된다는 언급은 각각의 요소들이 빔 경로 또는 서브-빔 경로를 따라 위치됨을 의미하는 것으로 이해된다. 광학기에 대한 언급은 전자 광학기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 샘플을 향해 멀티-빔으로 배열된 서브-빔들의 하전 입자들을 지향시키도록 구성되는 평가 시스템이 제공되고, 상기 시스템은: 샘플 상으로 서브-빔들을 지향시키도록 구성되는 대물 렌즈 어레이를 정의하는 복수의 전극들 -상기 전극들은 서브-빔들의 적어도 하나의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 배치됨- ; 샘플을 지지하는 스테이지; 및 시스템이 본 발명의 제 1 실시형태의 방법을 수행하게 하기 위해 전극들에 적용되는 전위들을 제어하고, 및/또는 스테이지를 제어하도록 구성되는 제어기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 샘플을 향해 멀티-빔으로 배열된 서브-빔들의 하전 입자들을 지향시키도록 구성되는 평가 시스템이 제공되고, 상기 시스템은: 샘플 상으로 서브-빔들을 지향시키도록 구성되는 대물 렌즈 어레이를 정의하는 복수의 전극들 -상기 전극들은 서브-빔들의 적어도 하나의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 배치됨- ; 샘플을 지지하는 스테이지; 및 대물 렌즈 어레이와 스테이지 사이에 위치되는 중간 요소 -중간 요소는 대물 렌즈 어레이 및 스테이지 둘 모두로부터 전기적으로 절연됨- 를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 샘플을 향해 멀티-빔으로 배열된 서브-빔들의 하전 입자들을 지향시키도록 구성되는 평가 시스템을 제어하는 컴퓨터-구현된 방법이 제공되고, 상기 시스템은: 샘플 상으로 서브-빔들을 지향시키도록 구성되는 대물 렌즈 어레이를 정의하는 복수의 전극들 -상기 전극들은 서브-빔들의 적어도 하나의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 배치됨- ; 및 샘플을 지지하는 스테이지를 포함하며, 상기 방법은 상기 시스템이 본 발명의 제 1 실시형태의 방법을 수행하게 하기 위해 전극들에 적용되는 전위들을 제어하고, 및/또는 스테이지를 제어하는 단계를 포함한다.
본 발명은 다양한 실시예들과 관련하여 설명되었지만, 본 발명의 다른 실시예들이 본 명세서에 개시된 발명의 실행 및 사양을 고려하여 당업자에게 명백할 것이다. 사양 및 예시들은 단지 예시적인 것으로 간주되며, 본 발명의 진정한 범위 및 기술사상은 다음 청구항들 및 항목들에 의해 표시되는 것으로 의도된다.
다수의 항목들이 제공된다:
1 항: 멀티-빔 하전 입자 평가 시스템의 대물 렌즈 어레이에서의 전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법으로서,
대물 렌즈 어레이 내의 정전기장을 변동시킴으로써 전극 왜곡을 조정하는 단계 -조정은 샘플에 충돌하는 멀티-빔의 서브-빔들에 대한 전극 왜곡의 영향을 보상하는 것과 같음- ; 및 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장의 변동에 응답하여 멀티-빔의 서브-빔을 리포커싱하는 단계를 포함하며,
조정 및 리포커싱은 대물 렌즈 어레이의 두 전극들에 적용되는 전위들을 변화시키는 단계를 포함하는 방법.
2 항: 1 항에 있어서, 두 전극들 중 하나는 대물 렌즈의 다른 전극들과 비교하여 서브-빔에 가장 강한 렌징 효과를 적용하는 대물 렌즈 어레이의 대물 렌즈의 전극인 방법.
3 항: 1 항 또는 2 항에 있어서, 두 전극들 중 하나는 서브-빔에 작용하고 대물 렌즈의 다른 전극들에 비해 샘플에 가장 가까운 대물 렌즈 어레이의 대물 렌즈의 전극인 방법.
4 항: 1 항 내지 3 항 중 어느 하나에 있어서, 샘플에서의 전기장은 조정 및 리포커싱 동안 일정하게 유지되는 방법.
5 항: 1 항 내지 4 항 중 어느 하나에 있어서, 샘플에서의 전위는 조정 및 리포커싱 동안 일정한 랜딩 에너지를 유지하도록 제어되는 방법.
6 항: 1 항 내지 5 항 중 어느 하나에 있어서, 리포커싱은 샘플과 대물 렌즈 어레이 사이의 거리를 변동시키는 단계를 포함하는 방법.
7 항: 1 항 내지 6 항 중 어느 하나에 있어서, 조정 및 리포커싱은 중간 요소에 적용되는 전위를 변화시켜 중간 요소와 서브-빔에 작용하는 대물 렌즈 사이의 전기장을 생성하거나 변화시키는 단계를 포함하고, 중간 요소는 샘플과 대물 렌즈 사이에 있는 방법.
8 항: 7 항에 있어서, 중간 요소는 샘플로부터 방출된 신호 전자들을 검출하는 검출기를 포함하거나 지지하는 방법.
9 항: 4 항에 있어서, 샘플에서의 전위는 조정 및 리포커싱 동안 변동하도록 허용되는 방법.
10 항: 5 항에 있어서, 샘플에서의 전기장은 조정 및 리포커싱 동안 변동하도록 허용되는 방법.
11 항: 1 항 내지 10 항 중 어느 하나에 있어서, 조정 및 리포커싱은 적어도 2 개, 바람직하게는 3 개 또는 적어도 4 개의 자유도를 조정하는 단계를 포함하는 방법.
12 항: 1 항 내지 11 항 중 어느 하나에 있어서, 전극 왜곡의 적어도 과반은 정전기 압력에 의해 야기되는 방법.
13 항: 1 항 내지 12 항 중 어느 하나에 있어서, 전극 왜곡은 대물 렌즈 어레이 내의 1 이상의 전극의 형상 및/또는 위치의 변화를 포함하는 방법.
14 항: 1 항 내지 13 항 중 어느 하나에 있어서, 서브-빔들에 대한 보상된 영향은 필드 곡률을 포함하는 방법.
15 항: 1 항 내지 14 항 중 어느 하나에 있어서, 대물 렌즈 어레이는 대물 렌즈 어레이에서의 예측된 전극 왜곡으로부터 서브-빔들에 대한 예측된 영향을 보상하기 위한 하드웨어 보정을 포함하고, 전극 왜곡의 조정은 예측된 전극 왜곡과 실질적으로 매칭하도록 전극 왜곡을 조정하는 것을 포함하는 방법.
16 항: 15 항에 있어서, 예측된 전극 왜곡은 멀티-빔의 서브-빔들의 전자 광학 특성들에 대한 원하는 효과를 달성하기 위한 타겟 전극 왜곡인 방법.
17 항: 15 항 또는 16 항에 있어서, 하드웨어 보정은 이러한 전극에서의 위치의 함수로서 전극들 중 1 이상에 정의된 어퍼처들의 크기의 변동을 포함하는 방법.
18 항: 1 항 내지 17 항 중 어느 하나에 있어서, 전극들은 서브-빔 경로들을 따라 직렬로 전도성 플레이트들을 포함하고, 각각의 플레이트는 서브-빔 경로들과 정렬되는 어퍼처들을 정의하는 방법.
19 항: 1 항 내지 18 항 중 어느 하나에 있어서, 대물 렌즈 어레이는 멀티-빔의 통과를 위한 복수의 어퍼처들이 각각 정의되어 있는 다수 전극들을 포함하고, 전극들은 바람직하게는 2-차원 기판들인 방법.
20 항: 샘플을 향해 멀티-빔으로 배열된 서브-빔들의 하전 입자들을 지향시키도록 구성되는 평가 시스템으로서,
샘플 상으로 서브-빔들을 지향시키도록 구성되는 대물 렌즈 어레이를 정의하는 복수의 전극들 -상기 전극들은 서브-빔들의 적어도 하나의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 배치됨- ; 샘플을 지지하는 스테이지; 및 상기 시스템이 1 항 내지 19 항 중 어느 하나의 방법을 수행하게 하기 위해 전극들에 적용되는 전위들을 제어하고, 및/또는 스테이지를 제어하도록 구성되는 제어기를 포함하는 평가 시스템.
21 항: 샘플을 향해 멀티-빔으로 배열된 서브-빔들의 하전 입자들을 지향시키도록 구성되는 평가 시스템으로서,
샘플 상으로 서브-빔들을 지향시키도록 구성되는 대물 렌즈 어레이를 정의하는 복수의 전극들 -상기 전극들은 서브-빔들의 적어도 하나의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 배치됨- ; 샘플을 지지하는 스테이지; 및 대물 렌즈 어레이와 스테이지 사이에 위치되는 중간 요소 -중간 요소는 대물 렌즈 어레이 및 스테이지 둘 모두로부터 전기적으로 절연됨- 를 포함하는 평가 시스템.
22 항: 21 항에 있어서, 중간 요소는 샘플로부터 방출된 신호 전자들을 검출하도록 구성되는 검출기를 포함하거나 지지하는 평가 시스템.
23 항: 21 항 또는 22 항에 있어서, 샘플에 가장 가깝도록 구성되는 대물 렌즈 어레이의 전극과 상이한 정전위를 중간 요소에 적용하도록 구성되는 제어기를 더 포함하는 평가 시스템.
24 항: 23 항에 있어서, 제어기는 전극 왜곡을 조정함으로써 대물 렌즈 어레이에서의 전극 왜곡의 영향을 보상하도록 구성되고, 제어기는 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장을 변동시킴으로써 전극 왜곡의 조정을 수행하도록 구성되는 평가 시스템.
25 항: 24 항에 있어서, 제어기는 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장의 변동에 응답하여 멀티-빔의 서브-빔을 리포커싱하도록 더 구성되는 평가 시스템.
26 항: 25 항에 있어서, 제어기는 대물 렌즈 어레이의 전극들 중 2 개에 적용되는 전위를 조정함으로써 서브-빔을 리포커싱하도록 구성되는 평가 시스템.
27 항: 26 항에 있어서, 제어기는 조정 및 리포커싱이 대물 렌즈 어레이를 정의하는 전극들 중 2 개 및 중간 요소에 적용되는 전위들을 변화시키는 단계를 포함하도록 구성되는 평가 시스템.
28 항: 샘플을 향해 멀티-빔으로 배열된 서브-빔들의 하전 입자들을 지향시키도록 구성되는 평가 시스템을 제어하는 컴퓨터-구현된 방법으로서,
상기 시스템은 샘플 상으로 서브-빔들을 지향시키도록 구성되는 대물 렌즈 어레이를 정의하는 복수의 전극들 -상기 전극들은 서브-빔들의 적어도 하나의 서브-빔 경로를 따라 직렬로 배치됨- ; 및 샘플을 지지하는 스테이지를 포함하며,
상기 방법은 상기 시스템이 1 항 내지 19 항 중 어느 하나의 방법을 수행하게 하기 위해 전극들에 적용되는 전위들을 제어하고, 및/또는 스테이지를 제어하는 단계를 포함하는 방법.
29 항: 프로그램이 컴퓨터에 의해 실행될 때, 컴퓨터가 1 항 내지 19 항 중 어느 하나의 방법을 수행하게 하는 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
Claims (15)
- 멀티-빔 하전 입자 평가 시스템의 대물 렌즈 어레이에서의 전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법으로서,
상기 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장을 변동시킴으로써 전극 왜곡을 조정하는 단계 -상기 대물 렌즈 어레이는 상기 대물 렌즈 어레이에서의 예측된 전극 왜곡으로부터 서브-빔들에 대한 예측된 영향을 보상하기 위한 하드웨어 보정을 포함하고, 조정은 샘플에 충돌하는 상기 멀티-빔의 서브-빔들에 대한 전극 왜곡의 영향을 보상하는 것과 같음- ; 및
상기 대물 렌즈 어레이 내의 정전기장의 변동에 응답하여 상기 멀티-빔의 서브-빔을 리포커싱(refocus)하는 단계
를 포함하며,
조정 및 리포커싱은 상기 대물 렌즈 어레이의 두 전극들에 적용되는 전위들을 변화시키는 것을 포함하고, 상기 전극 왜곡의 조정은 상기 전극 왜곡을 상기 예측된 전극 왜곡과 실질적으로 매칭하도록 조정하는 것을 포함하는, 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 두 전극들 중 하나는 대물 렌즈의 다른 전극들에 비해 상기 서브-빔에 가장 강한 렌징 효과(lensing effect)를 적용하는 상기 대물 렌즈 어레이의 대물 렌즈의 전극인, 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 두 전극들 중 하나는, 상기 서브-빔에 작용하고 대물 렌즈의 다른 전극들에 비해 상기 샘플에 가장 가까운 상기 대물 렌즈 어레이의 대물 렌즈의 전극인, 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 샘플에서의 전기장은 상기 조정 및 상기 리포커싱 동안 일정하게 유지되는, 방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 샘플에서의 전위는 상기 조정 및 상기 리포커싱 동안 일정한 랜딩 에너지를 유지하도록 제어되는, 방법. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 리포커싱은 상기 샘플과 상기 대물 렌즈 어레이 사이의 거리를 변동시키는 것을 포함하는, 방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조정 및 상기 리포커싱은 중간 요소에 적용되는 전위를 변화시켜 상기 중간 요소와 상기 서브-빔에 작용하는 대물 렌즈 사이의 전기장을 생성하거나 변화시키는 것을 포함하고, 상기 중간 요소는 상기 샘플과 상기 대물 렌즈 사이에 있는, 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 중간 요소는 상기 샘플로부터 방출된 신호 전자들을 검출하는 검출기를 포함하거나 지지하는, 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 샘플에서의 전위는 상기 조정 및 상기 리포커싱 동안 변동하도록 허용되는, 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 샘플에서의 전기장은 상기 조정 및 상기 리포커싱 동안 변동하도록 허용되는, 방법. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조정 및 상기 리포커싱은 적어도 2 개, 바람직하게는 3 개 또는 적어도 4 개의 자유도를 조정하는 것을 포함하는, 방법. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전극 왜곡은 상기 대물 렌즈 어레이 내의 1 이상의 전극의 형상 및/또는 위치의 변화를 포함하는, 방법. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 서브-빔들에 대한 보상된 영향은 필드 곡률(field curvature)을 포함하는, 방법. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 예측된 전극 왜곡은 상기 멀티-빔의 서브-빔들의 전자 광학 특성들에 대한 원하는 효과(desired effect)를 달성하기 위한 타겟 전극 왜곡인, 방법. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전극 왜곡의 적어도 과반은 정전기 압력에 의해 야기되는, 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP21178810.4 | 2021-06-10 | ||
EP21178810.4A EP4102536A1 (en) | 2021-06-10 | 2021-06-10 | Method of compensating for an effect of electrode distortion, assessment system |
PCT/EP2022/062579 WO2022258279A1 (en) | 2021-06-10 | 2022-05-10 | Method of compensating for an effect of electrode distortion, assessment system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20240017084A true KR20240017084A (ko) | 2024-02-06 |
Family
ID=76392166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020247000889A KR20240017084A (ko) | 2021-06-10 | 2022-05-10 | 전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법, 평가 시스템 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240105416A1 (ko) |
EP (2) | EP4102536A1 (ko) |
JP (1) | JP2024523820A (ko) |
KR (1) | KR20240017084A (ko) |
CN (1) | CN117730392A (ko) |
IL (1) | IL309124A (ko) |
TW (1) | TW202303658A (ko) |
WO (1) | WO2022258279A1 (ko) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2503587A3 (en) | 2003-03-10 | 2017-08-23 | Mapper Lithography Ip B.V. | Apparatus for generating a plurality of beamlets |
TWI497557B (zh) | 2009-04-29 | 2015-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統 |
NL1036912C2 (en) | 2009-04-29 | 2010-11-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical system comprising an electrostatic deflector. |
KR20120098627A (ko) * | 2009-09-18 | 2012-09-05 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 다중 빔을 갖는 대전 입자 광학 시스템 |
JP5643626B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2014-12-17 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線レンズ |
NL2007604C2 (en) | 2011-10-14 | 2013-05-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams. |
NL2006868C2 (en) | 2011-05-30 | 2012-12-03 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle multi-beamlet apparatus. |
DE102018124223A1 (de) * | 2018-10-01 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
-
2021
- 2021-06-10 EP EP21178810.4A patent/EP4102536A1/en not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-05-10 CN CN202280052062.XA patent/CN117730392A/zh active Pending
- 2022-05-10 IL IL309124A patent/IL309124A/en unknown
- 2022-05-10 KR KR1020247000889A patent/KR20240017084A/ko unknown
- 2022-05-10 WO PCT/EP2022/062579 patent/WO2022258279A1/en active Application Filing
- 2022-05-10 JP JP2023574798A patent/JP2024523820A/ja active Pending
- 2022-05-10 EP EP22728502.0A patent/EP4352774A1/en active Pending
- 2022-05-31 TW TW111120159A patent/TW202303658A/zh unknown
-
2023
- 2023-12-08 US US18/534,455 patent/US20240105416A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL309124A (en) | 2024-02-01 |
JP2024523820A (ja) | 2024-07-02 |
WO2022258279A1 (en) | 2022-12-15 |
TW202303658A (zh) | 2023-01-16 |
US20240105416A1 (en) | 2024-03-28 |
CN117730392A (zh) | 2024-03-19 |
EP4102536A1 (en) | 2022-12-14 |
EP4352774A1 (en) | 2024-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11984295B2 (en) | Charged particle assessment tool, inspection method | |
JP2023541371A (ja) | 対物レンズアレイアセンブリ、電子光学系、電子光学系アレイ、集束方法、対物レンズ構成 | |
US20230230795A1 (en) | Charged particle assessment tool, inspection method | |
US20220392745A1 (en) | Inspection apparatus | |
JP7457820B2 (ja) | 荷電粒子検査ツール、検査方法 | |
KR20230098813A (ko) | 대물 렌즈 어레이 조립체, 전자-광학 시스템, 전자-광학 시스템 어레이, 포커싱 방법 | |
KR20240017084A (ko) | 전극 왜곡의 영향을 보상하는 방법, 평가 시스템 | |
EP4089712A1 (en) | Assessment system, method of assessing | |
US20240079205A1 (en) | Assessment system, method of assessing | |
KR20240118101A (ko) | 전자-광학 디바이스, 서브 빔의 특성 변화를 보상하는 방법 | |
CN117296122A (zh) | 评估***和评估方法 | |
CN117836892A (zh) | 带电粒子光学设备、带电粒子装置及方法 | |
CN116547777A (zh) | 物镜阵列组件、电子光学***、电子光学***阵列、聚焦方法 |