KR20240003596A - 파워 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 기판을 이루는 외부 금속층, 절연층, 내부 금속층에서 외부 금속층과 내부 금속층이 비대칭 구조를 이루도록 하여, 기판과 파워 리드 간의 쇼트가 방지되고 고온 내구성이 확보되면서 파워 모듈이 소형화되도록 하는 파워 모듈이 소개된다.

Description

파워 모듈 {POWER MODULE}
본 발명은 파워 모듈에 관한 것으로, 칩에 전기적으로 연결되어 회로를 구성하고 냉각이 수행되도록 하는 기판의 크기를 축소하여 파워 모듈이 소형화되며, 기판의 고온 내구성이 확보되도록 하는 파워 모듈에 관한 것이다.
하이브리드 자동차 및 전기 자동차의 핵심 부품 중 하나인 전력 변환 장치(예를 들어, 인버터)는 친환경 차량의 주요 부품으로 많은 기술 개발이 이루어지고 있으며, 전력 변환 장치의 핵심 부품이자 가장 많은 원가를 차지하는 파워 모듈의 개발은 친환경 차량 분야의 핵심 기술이다.
양면냉각 파워 모듈의 경우 회로구성을 위하여 상부 기판과 하부 기판을 포함하는 절연 기판의 전기적인 연결이 필요하게 된다. 이때 비아 스페이서를 사용하여 상부 기판과 하부 기판의 전기적인 연결을 하는 역할을 담당한다.
즉, 양면냉각 파워모듈은 전기적인 절연 및 기구적 보호를 위해 절연 기판이 구비된다. 또한, 절연 기판 외 내부 부품의 절연 및 기구적 보호를 위하여 몰딩 공정을 적용하고 있다.
다만, 파워 모듈의 경우 고전압이 사용되기 때문에 부품 간의 쇼트를 방지하기 위한 절연 거리가 요구된다. 이러한 절연 거리는 파워 모듈을 이루는 절연 기판과 파워 리드 간의 거리를 포함하고 있으며, 절연 거리를 확보하기 위해서는 부득이하게 파워 모듈의 전체 크기가 증대되는 문제가 있다. 아울러, 파워 모듈의 전체 크기가 증대될 경우 패키지화가 불리하며, 절연 기판의 크기도 증대됨에 따라 고온의 열에 의해 절연 기판의 변형이 발생되어 내구 문제에 따른 악영향이 발생되는 문제가 있다.
상기의 배경기술로서 설명된 사항들은 본 발명의 배경에 대한 이해 증진을 위한 것일 뿐, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 이미 알려진 종래기술에 해당함을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 될 것이다.
KR 10-2018-0052143 A (2018.05.18)
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 칩에 전기적으로 연결되어 회로를 구성하고 냉각이 수행되도록 하는 기판의 크기를 축소하여 파워 모듈이 소형화되며, 기판의 고온 내구성이 확보되도록 하는 파워 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 파워 모듈은 칩; 칩에 전기적으로 연결된 파워 리드; 및 칩의 상부와 하부에 각각 배치되고, 절연층을 중심으로 외측부에 접합된 외부 금속층과 내측부에 접합된 내부 금속층을 포함하며, 외부 금속층과 내부 금속층의 경우 외곽 둘레이 상이하게 형성되어 비대칭으로 이루어진 기판;을 포함한다.
기판은 상부 기판과 하부 기판으로 구성되며, 상부 기판은 칩의 상부에 배치되고 제1 절연층, 제1 절연층의 상하면에 각각 접합된 제1 외부 금속층 및 제1 내부 금속층으로 이루어지며, 하부 기판은 칩의 하부에 배치되고 제2 절연층, 제2절연층의 상하면에 각각 접합된 제2 외부 금속층 및 제2 내부 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
칩, 파워 리드, 상부 기판, 하부 기판을 일체로 몰딩하는 몰드부;를 더 포함하며, 파워 리드는 제1 내부 금속층 또는 제2 내부 금속층에 연결되고 일부가 몰드부의 외측으로 연장된 것을 특징으로 한다.
기판은 외부 금속층이 내부 금속층에 대비하여 외곽 둘레가 더 작게 형성된 것을 특징으로 한다.
기판의 내부 금속층에는 칩과 전기적 연결 관계를 형성하기 위한 패턴이 형성됨에 따라, 외부 금속층의 외곽 둘레가 내부 금속층의 외곽 둘레보다 작게 형성된 것을 특징으로 한다.
외부 금속층과 내부 금속층은 부피비가 동일하게 형성됨에 따라, 내부 금속층의 패턴에 대비하여 외부 금속층의 외곽 둘레이 작게 형성된 것을 특징으로 한다.
외부 금속층은 내부 금속층과 부피비가 동일하도록 내부 금속층에 대비하여 두께가 더 작게 형성된 것을 특징으로 한다.
외부 금속층의 외곽 둘레는 파워 리드 간의 절연 거리를 토대로 둘레 및 두께가 조절된 것을 특징으로 한다.
외부 금속층은 외곽 둘레가 동일 길이로 감소되도록 하여 내부 금속층과 부피비와 동일하도록 형성한 것을 특징으로 한다.
외부 금속층은 내부 금속층보다 외곽 둘레가 작게 형성되되 칩 및 내부 금속층의 패턴이 외부 금속층의 면적 내에 모두 포함되도록 형성된 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구조로 이루어진 파워 모듈은 기판을 이루는 외부 금속층, 절연층, 내부 금속층에서 외부 금속층과 내부 금속층이 비대칭 구조를 이루도록 하여, 기판과 파워 리드 간의 쇼트가 방지되고 고온 내구성이 확보되면서 파워 모듈이 소형화되도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 파워 모듈을 나타낸 도면.
도 2는 절연 거리를 설명하기 위한 도면.
도 3은 종래의 파워 모듈에 따른 상부 기판 및 하부 기판을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 파워 모듈의 상부 기판 및 하부 기판을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 따른 파워 모듈의 칩 및 기판을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명에 따른 파워 모듈의 외부 금속층 및 내부 금속층을 설명하기 위한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다.
본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 파워 모듈에 대하여 살펴본다.
도 1은 본 발명에 따른 파워 모듈을 나타낸 도면이고, 도 2는 절연 거리를 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 종래의 파워 모듈에 따른 상부 기판 및 하부 기판을 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 파워 모듈의 상부 기판 및 하부 기판을 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 파워 모듈의 칩 및 기판을 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 파워 모듈의 외부 금속층 및 내부 금속층을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 따른 파워 모듈은 도 1에 도시된 바와 같이, 칩(100); 칩(100)에 전기적으로 연결된 파워 리드(200); 칩(100)의 상부와 하부에 각각 배치되고, 절연층(310)을 중심으로 외측부에 접합된 외부 금속층(320)과 내측부에 접합된 내부 금속층(330)을 포함하며, 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)의 경우 외곽 둘레가 상이하게 형성되어 비대칭으로 이루어진 기판(300);을 포함한다.
본 발명은 기판(300)을 이루는 절연층(310), 외부 금속층(320), 내부 금속층(330)에서 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)을 비대칭 구조로 외곽 둘레가 상이하게 형성함으로써, 파워 모듈의 전체 크기가 축소된다. 특히, 외부 금속층(320)의 경우 내부 금속층(330)에 대비하여 외곽 둘레가 작게 형성됨에 따라 외부 금속층(320)과 파워 리드(200)를 포함하는 부품 간의 절연 거리(D)를 확보하여 부품 간의 쇼트를 방지하면서 파워 모듈의 몰딩에 따른 전체 크기가 축소되도록 할 수 있다.
상세하게, 기판(300)은 칩(100)의 상부와 하부에 각기 배치되는 상부 기판(300a)과 하부 기판(300b)으로 구성된다. 여기서, 상부 기판(300a)은 칩(100)의 상부에 배치되고 제1 절연층(310a), 제1 절연층(310a)의 상하면에 각각 접합된 제1 외부 금속층(320a) 및 제1 내부 금속층(330a)으로 이루어지며, 하부 기판(300b)은 칩(100)의 하부에 배치되고 제2 절연층(310b), 제2절연층(310)의 상하면에 각각 접합된 제2 외부 금속층(320b) 및 제2 내부 금속층(330b)으로 이루어진다.
또한, 칩(100), 파워 리드(200), 상부 기판(300a), 하부 기판(300b)을 일체로 몰딩하는 몰드부(400);를 더 포함하며, 파워 리드(200)는 제1 내부 금속층(330a) 또는 제2 내부 금속층(330b)에 연결되고 일부가 몰드부(400)의 외측으로 연장될 수 있다.
이에 더하여, 상부 기판(300a)과 하부 기판(300b) 사이에는 칩(100)과 이격 배치되고 상부 기판(300a)의 제1 내부 금속층(330a)과 하부 기판(300b)의 제2 내부 금속층 사이에 연결된 스페이서(S)가 더 마련될 수 있다. 이러한 스페이서(S)는 상부 기판(300a)과 하부 기판(300b) 사이의 공간을 확보하여, 파워 모듈의 작동시 발열을 적게 하려는데 특징이 있다.
본 발명의 파워 모듈은 칩(100)이 복수개로 구성될 수 있고, 파워 리드(200)도 전기적 신호를 전달할 수 있도록 복수개로 구성될 수 있다. 또한, 파워 모듈의 작동시 칩(100)에서 발생하는 열을 냉각하기 위한 냉각채널(미도시)이 마련되어, 상부 기판(300a)과 하부 기판(300b)으로 전달되는 열이 냉각채널(미도시)을 통해 냉각되는 구조가 적용될 수 있다.
이처럼, 본 발명에 따른 파워 모듈은 칩(100), 상부 기판(300a), 하부 기판(300b), 파워 리드(200)가 몰드부(400)를 통해 몰딩되어 일체로 구성되며, 칩(100)과 이격 배치된 파워 리드(200)가 상부 기판(300a)의 제1 내부 금속층(330a) 또는 하부 기판(300b)의 제2 내부 금속층(330b)에 연결된다. 여기서, 파워 리드(200)는 칩(100)으로 전기적 신호를 전달하거나 전달받는 역할을 하며, 반드시 상부 기판(300a) 및 하부 기판(300b)에 동시에 연결되지 않고, 상부 기판(300a) 또는 하부 기판(300b) 사이에 배치되는 스페이서(S)를 통해 연결될 수 있다.
이러한 파워 리드(200)는 다른 파워 모듈 또는 전원 공급을 위해 몰드부(400)의 외측으로 연장된다.
다만, 파워 모듈은 고전압을 사용함에 따라 부품들 간의 절연이 필수적이다. 이에 따라, 기판(300)과 파워 리드(200) 간의 절연 거리(D)가 요구되며, 몰드부(400)가 기판(300)과 파워 리드(200) 사이에서 절연체로서의 역할을 수행하게 된다. 즉, 파워 모듈에서 몰드부(400)의 외측으로 노출되는 부품들은 절연 거리(D)를 만족시켜 절연 특성을 확보하는데, 각 부품들 간의 절연 거리(D)를 확보하지 못할 경우 쇼트 현상이 발생되어 파워 모듈의 손상을 야기한다. 도 2를 참조하여 보면, 절연 거리(D)는 공간 거리(clearance, D1)와 연면 거리(creepage, D2)로 구분되며, 파워 모듈을 이루는 각 부품의 전기적 사양에 따라 공간 거리(D1)와 연면 거리(S2)가 설정되어 절연 거리(D)가 결정될 수 있다.
하지만, 도 3에서 볼 수 있듯이, 파워 모듈은 절연 거리(D)의 확보를 위해, 전체 크기가 커지게 된다. 즉, 종래에는 절연층(31)을 중심으로 외부 금속층(32)과 내부 금속층(33)을 동일하게 형성하는데, 내부 금속층(33)에는 회로 구성을 위한 패턴이 형성됨에 따라, 패턴에 의해 내부 금속층(33)은 외부 금속층(32)의 대비하여 부피가 작게 이루어진다. 이로 인해, 파워 모듈 내에서 고온의 열 발생시, 외부 금속층(32)의 경우 부피가 크기 때문에 내부 금속층(33)보다 더 많은 팽창을 발생시켜 변형 또는 휨 등의 반복적인 응력 발생에 의해 파손되는 문제가 발생된다.
이와 같이, 종래의 파워 모듈은 전체 크기가 증대되고, 외부 금속층(32)과 내부 금속층(33)의 부피 차이에 의한 내구도가 감소되는 단점이 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 파워 모듈은 기판(300)을 이루는 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)의 외곽 둘레를 상이하게 형성하여, 전체 크기를 최소화시키고 열에 의한 변형 문제가 해소되도록 한다.
본 발명에 따른 파워 모듈에 대해서 구체적으로 설명하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(300)은 외부 금속층(320)이 내부 금속층(330)에 대비하여 외곽 둘레가 더 작게 형성된다. 이렇게, 기판(300)을 이루는 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330) 중 외부 금속층(320)의 외곽 둘레를 더 작게 형성함으로써, 몰드부(400)의 외측으로 노출되는 외부 금속층(320)과 파워 리드(200) 간의 이격 거리를 절연 거리(D)만큼 확보하더라도 몰드부(400)의 전체 크기를 축소할 수 있다.
즉, 기판(300)의 내부 금속층(330)에는 칩(100)과 전기적 연결 관계를 형성하기 위한 패턴(P)이 형성됨에 따라, 외부 금속층(320)의 외곽 둘레가 내부 금속층(330)의 외곽 둘레보다 작게 형성된다.
외부 금속층(320)와 내부 금속층(330)은 내부 금속층(330)에 패턴(P)이 형성됨에 따라 부피 차이가 발생되어 열팽창 차이를 발생시킴으로써, 파워 모듈 내부에서 고온 발생시 외부 기판(300)의 휨 변형이 가속화된다. 본 발명에서는 외부 금속층(320)의 외곽 둘레가 내부 금속층(330)의 외곽 둘레보다 작게 형성되어, 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)의 부피 차이가 해소되도록 한다.
특히, 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)은 부피비가 동일하게 형성됨에 따라, 내부 금속층(330)의 패턴(P)에 대비하여 외부 금속층(320)의 외곽 둘레가 작게 형성된다. 즉, 외부 금속층(320)은 내부 금속층(330)에 대비하여 외곽 둘레가 작게 형성되되 부피비가 동일해질 정도로 외곽 둘레가 작게 형성됨으로써, 외부 금속층(320)과 내부 금속층의 부피비가 동일 범위 내로 형성되도록 한다.
또한, 외부 금속층(320)은 패턴(P)이 형성된 내부 금속층(330)의 외곽 둘레 대비 작은 외곽 둘레를 가지도록 형성됨으로써, 몰드부(400)의 외측으로 노출되는 외부 금속층(320)과 파워 리드(200) 간의 이격 거리를 절연 거리(D)만큼 확보하더라도 몰드부(400)의 전체 크기를 축소할 수 있다.
한편, 외부 금속층(320)은 내부 금속층(330)과 부피비가 동일하도록 내부 금속층에 대비하여 두께가 더 작게 형성될 수 있다. 이렇게, 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)의 부피비를 동일하게 형성시, 외곽 둘레뿐만 아니라 두께도 함께 조절하여 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)의 부피비를 일치시킴과 동시에 외부 금속층(320)의 크기를 최소화할 수 있고, 외부 금속층(320)의 내구성이 확보될 수 있다.
또한, 외부 금속층(320)의 외곽 둘레는 파워 리드(200) 간의 절연 거리(D)를 토대로 둘레 및 두께가 조절된다. 여기서, 절연 거리(D)는 외부 금속층(320)과 파워 리드(200) 간의 설계시 결정될 수 있으며, 외부 금속층(320)과 파워 리드(200) 간의 절연 거리(D)를 토대로, 외부 금속층(320)의 둘레와 두께를 조절하여, 외부 금속층(320)과 내부 금속층(330)의 부피비를 동일 범위내로 형성할 수 있다. 여기서, 외부 금속층(320)은 외곽 둘레가 파워 리드(200)와 절연 거리(D)가 확보되는 범위를 최소한으로 하며, 두께를 증대시켜 외곽 둘레를 절연 거리(D)보다 더 감소시킴으로써 몰드부(400)의 전체 크기를 축소할 수 있다.
한편, 외부 금속층(320)은 외곽 둘레가 동일 길이로 감소되도록 하여 내부 금속층(330)과 부피비와 동일하도록 형성할 수 있다.
즉, 외부 금속층(320)은 가로, 세로가 동일한 길이로 감소되도록 하여, 파워 모듈 내부에 발생되는 고온의 열에 의한 응력이 어느 한 곳에 집중되지 않도록 한다. 만약, 외부 금속층(320)의 외곽 둘레를 축소시 어느 한쪽이 불균등하게 축소될 경우 해당 부분에 응력이 집중되어 내구도가 감소될 수 있다. 이에 따라, 외부 금속층(320)은 둘레가 동일 길이로 축소되도록 하여 외부 금속층(320)의 내구도가 확보되도록 한다.
한편, 도 5 내지 6에 도시된 바와 같이, 외부 금속층(320)은 내부 금속층(330)보다 외곽 둘레가 작게 형성되되 칩(100) 및 내부 금속층(330)의 패턴(P)이 내부 금속층(330)의 면적 내에 모두 포함되도록 형성된다. 즉, 내부 금속층(330)에는 칩(100)과 패턴(P)이 면적 내에 구성된다. 본 발명은 외부 금속층(320)의 면적이 축소됨에 따라 칩(100) 및 내부 금속층의 패턴(P)에 대한 고려가 요구된다.
따라서, 외부 금속층(320)의 외곽 둘레(L1)는 내부 금속층(330)보다 외곽 둘레가 작게 형성될 수 있다. 즉, 일례로, 도 6을 참고하여 보면, 외부 금속층(320)의 가로 길이(L1)와 세로 길이(L2)가 내부 금속층(330)의 가로 길이(L3)와 세로 길이(L4)보다 작게 형성됨으로써, 외부 금속층(320)의 외곽 둘레가 내부 금속층(330)의 외곽 둘레보다 작게 형성되는 것이다. 여기서, 칩(100) 및 내부 금속층(330)의 패턴(P)이 외부 금속층(320)의 면적 내에 모두 포함되도록 형성함으로써, 칩(100)의 설치 안정성이 확보되고 외부 금속층(320)의 면적이 축소되더라도 신뢰성이 확보되도록 한다.
상술한 바와 같은 구조로 이루어진 파워 모듈은 기판을 이루는 외부 금속층, 절연층, 내부 금속층에서 외부 금속층과 내부 금속층이 비대칭 구조를 이루도록 하여, 기판과 파워 리드 간의 쇼트가 방지되고 고온 내구성이 확보되면서 파워 모듈이 소형화되도록 한다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있다는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
100:칩 200:파워 리드
300:기판 300a:상부 기판
300b:하부 기판 310:절연층
310a:제1 절연층 310b:제2 절연층
320:외부 금속층 320a:제1 외부 금속층
320b:제2 외부 금속층 330:내부 금속층
330a:제1 내부 금속층 330b:제2 내부 금속층
400:몰드부 P:패턴
S:스페이서 D:절연 거리
D1:공간 거리 D2:연면 거리

Claims (10)

  1. 칩;
    칩에 전기적으로 연결된 파워 리드; 및
    칩의 상부와 하부에 각각 배치되고, 절연층을 중심으로 외측부에 접합된 외부 금속층과 내측부에 접합된 내부 금속층을 포함하며, 외부 금속층과 내부 금속층의 경우 외곽 둘레이 상이하게 형성되어 비대칭으로 이루어진 기판;을 포함하는 파워 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    기판은 상부 기판과 하부 기판으로 구성되며,
    상부 기판은 칩의 상부에 배치되고 제1 절연층, 제1 절연층의 상하면에 각각 접합된 제1 외부 금속층 및 제1 내부 금속층으로 이루어지며,
    하부 기판은 칩의 하부에 배치되고 제2 절연층, 제2절연층의 상하면에 각각 접합된 제2 외부 금속층 및 제2 내부 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  3. 청구항 2에 있어서,
    칩, 파워 리드, 상부 기판, 하부 기판을 일체로 몰딩하는 몰드부;를 더 포함하며,
    파워 리드는 제1 내부 금속층 또는 제2 내부 금속층에 연결되고 일부가 몰드부의 외측으로 연장된 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  4. 청구항 1에 있어서,
    기판은 외부 금속층이 내부 금속층에 대비하여 외곽 둘레가 더 작게 형성된 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    기판의 내부 금속층에는 칩과 전기적 연결 관계를 형성하기 위한 패턴이 형성됨에 따라, 외부 금속층의 외곽 둘레가 내부 금속층의 외곽 둘레보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  6. 청구항 5에 있어서,
    외부 금속층과 내부 금속층은 부피비가 동일하게 형성됨에 따라, 내부 금속층의 패턴에 대비하여 외부 금속층의 외곽 둘레가 작게 형성된 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    외부 금속층은 내부 금속층과 부피비가 동일하도록 내부 금속층에 대비하여 두께가 더 작게 형성된 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  8. 청구항 7에 있어서,
    외부 금속층의 외곽 둘레는 파워 리드 간의 절연 거리를 토대로 둘레 및 두께가 조절된 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  9. 청구항 7에 있어서,
    외부 금속층은 외곽 둘레가 동일 길이로 감소되도록 하여 내부 금속층과 부피비와 동일하도록 형성한 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
  10. 청구항 5에 있어서,
    외부 금속층은 내부 금속층보다 외곽 둘레가 작게 형성되되 칩 및 내부 금속층의 패턴이 외부 금속층의 면적 내에 모두 포함되도록 형성된 것을 특징으로 하는 파워 모듈.
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