KR20230168463A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착, 식각, 열처리 등 기판에 대한 처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 반응공간(S1)을 형성하며 하부에 입구가 형성되는 반응관(100)과; 상기 반응관(100)을 하측에서 지지하는 매니폴드부(200)와; 상기 매니폴드부(200) 하부를 밀폐하며, 상측으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지홀(301)이 형성되는 캡플랜지(300)와; 상기 캡플랜지(300) 상에 배치되며, 내부에 상기 퍼지홀(301)에 연통하는 전달유로(410)가 형성되어 상기 퍼지가스를 상기 입구 측으로 전달하는 퍼지부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing device, and more specifically, to a substrate processing device that processes substrates such as deposition, etching, and heat treatment.
The present invention includes a reaction tube (100) forming a reaction space (S1) for substrate processing therein and having an inlet at the bottom; a manifold part 200 supporting the reaction tube 100 from the lower side; a cap flange (300) that seals the lower part of the manifold unit (200) and has a purge hole (301) for supplying purge gas to the upper side; A substrate processing device including a purge unit 400 disposed on the cap flange 300 and having a delivery passage 410 communicating with the purge hole 301 formed therein to deliver the purge gas to the inlet side. begins.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착, 식각, 열처리 등 기판에 대한 처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device, and more specifically, to a substrate processing device that processes substrates such as deposition, etching, and heat treatment.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 필요한 박막을 증착시키는 공정이 필수적으로 진행되며, 이때의 박막증착공정에는 스퍼터링(Sputtering)법, 화학기상 증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)법, 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)법 등이 주로 사용된다.In order to manufacture semiconductor devices, the process of depositing the necessary thin film on a substrate such as a silicon wafer is essential. At this time, the thin film deposition process includes sputtering, chemical vapor deposition (CVD), and atomic deposition. Layer deposition (ALD: Atomic Layer Deposition) method is mainly used.

스퍼터링법은, 플라즈마 상태에서 생성된 아르곤 이온을 타겟의 표면에 충돌시키면 타겟의 표면으로부터 이탈된 타겟 물질이 기판 상에 박막으로 증착되게 하는 기술로서, 접착성이 우수한 고순도 박막을 형성할 수 있는 장점은 있으나, 고 종횡비(High Aspect Ratio)를 갖는 미세 패턴을 형성하기에는 한계가 있다.The sputtering method is a technology in which the target material separated from the surface of the target is deposited as a thin film on the substrate when argon ions generated in a plasma state collide with the surface of the target. It has the advantage of forming a high-purity thin film with excellent adhesion. However, there are limitations in forming fine patterns with a high aspect ratio.

화학기상증착법은, 다양한 가스들을 반응 챔버로 주입시키고, 열 빛 또는 플라즈마와 같은 고 에너지에 의해 유도된 가스들을 반응가스와 화학 반응시킴으로써 기판 상에 박막을 증착시키는 기술이다.Chemical vapor deposition is a technology that deposits a thin film on a substrate by injecting various gases into a reaction chamber and chemically reacting the gases induced by high energy such as heat light or plasma with the reaction gas.

화학기상증착법은, 신속하게 일어나는 화학반응을 이용하기 때문에 원자들의 열역학적 안정성을 제어하기 매우 어렵고, 박막의 물리적, 화학적 및 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있다.Because the chemical vapor deposition method uses a chemical reaction that occurs quickly, it is very difficult to control the thermodynamic stability of atoms, and there is a problem in that the physical, chemical, and electrical properties of the thin film are deteriorated.

원자층증착법은, 반응가스인 처리가스와 퍼지가스를 교대로 공급하여 기판 상에 원자층 단위의 박막을 증착하는 기술로서, 단차피복성(Step Coverage)의 한계를 극복하기 위해 표면 반응을 이용하기 때문에 고 종횡비를 갖는 미세 패턴 형성에 적절하고, 박막의 전기적 및 물리적 특성이 우수한 장점이 있다.Atomic layer deposition is a technology that deposits thin films at the atomic layer level on a substrate by alternately supplying reaction gases, processing gas and purge gas, using surface reaction to overcome the limitations of step coverage. Therefore, it is suitable for forming fine patterns with a high aspect ratio and has the advantage of excellent electrical and physical properties of the thin film.

전술한 기판처리를 수행하기 위한 기판처리장치로서, 챔버 내 기판을 하나씩 로딩하여 공정을 진행하는 매엽식장치와 챔버 내에 복수개의 기판을 로딩하여 일괄적으로 처리하는 배치(Batch)식장치가 있다.As a substrate processing device for performing the above-described substrate processing, there is a single wafer type device that loads substrates into a chamber one by one to process them and a batch type device that loads a plurality of substrates into a chamber and processes them all at once.

이때, 배치식장치의 하부는 입구가 형성되는 바 처리공간과 외부 사이의 온도환경을 분리하기 위한 단열부가 구비되는데, 처리공간에 분사된 공정가스가 하측 단열부에 인접한 위치에 도달하여 화학반응함으로써 각종 파티클이 발생하는 문제점이 있다.At this time, an inlet is formed at the bottom of the batch type device and an insulator is provided to separate the temperature environment between the processing space and the outside. The process gas injected into the processing space reaches a location adjacent to the lower insulator and reacts chemically. There is a problem with various particles being generated.

이와 같은 문제점을 개선하기 위하여, 단열부 하측공간으로부터 파티클을 배출하기 위하여 퍼지가스를 공급하는 구성이 개시되었으나, 대상 부피를 최소화하기 위하여 퍼지가스가 흐르는 유로를 형성하는 구성이 매니폴드와 근접함에 따라 유로가 협소하여 충분한 양의 퍼지가스를 공급하지 못하는 문제점이 있다.In order to improve this problem, a configuration for supplying purge gas to discharge particles from the space below the insulation has been disclosed. However, in order to minimize the target volume, the configuration for forming a flow path through which the purge gas flows is close to the manifold. There is a problem in that a sufficient amount of purge gas cannot be supplied due to the narrow flow path.

이로써, 단열부 하측공간에 대한 퍼지수행이 완전하지 못하고 파티클 이슈가 존재하는 문제점이 있다.As a result, there is a problem in that purging of the lower space of the insulation unit is not complete and particle issues exist.

또한, 퍼지가스의 전달유로를 형성하기 위한 구성이 석영재질로 제작됨에 따라 퍼지가스를 전달하기 위한 정밀한 유로를 가공하기 어렵고 하부 캡플랜지에의 고정에 따라 깨지는 등 손상될 수 있는 문제점이 있다.In addition, since the structure for forming the purge gas transmission path is made of quartz, it is difficult to fabricate a precise flow path for transmitting the purge gas, and there is a problem that it may be damaged, such as breaking when fixed to the lower cap flange.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 처리공간 하부공간에 대한 퍼지가 원활하게 수행되는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.The purpose of the present invention is to provide a substrate processing device that smoothly purges the lower space of the processing space in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 반응공간(S1)을 형성하며 하부에 입구가 형성되는 반응관(100)과; 상기 반응관(100)을 하측에서 지지하는 매니폴드부(200)와; 상기 매니폴드부(200) 하부를 밀폐하며, 상측으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지홀(301)이 형성되는 캡플랜지(300)와; 상기 캡플랜지(300) 상에 배치되며, 내부에 상기 퍼지홀(301)에 연통하는 전달유로(410)가 형성되어 상기 퍼지가스를 상기 입구 측으로 전달하는 퍼지부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention includes a reaction tube (100) forming a reaction space (S1) for processing a substrate therein and having an inlet at the bottom; a manifold part 200 supporting the reaction tube 100 from the lower side; a cap flange (300) that seals the lower part of the manifold unit (200) and has a purge hole (301) for supplying purge gas to the upper side; A substrate processing device including a purge unit 400 disposed on the cap flange 300 and having a delivery passage 410 communicating with the purge hole 301 formed therein to deliver the purge gas to the inlet side. begins.

상기 매니폴드부(200)는, 상기 반응관(100) 하측에 배치되는 매니폴드(210)와, 상기 퍼지부(400) 적어도 일부와 평면 상 중첩되도록 상기 매니폴드(210) 내면 상측에서 연장되어 구비되는 지지링(220)을 포함할 수 있다.The manifold part 200 extends from the upper inner surface of the manifold 210 so as to overlap in plan with the manifold 210 disposed below the reaction tube 100 and at least a portion of the purge part 400. It may include a support ring 220 provided.

상기 반응관(100)은, 내부에 상기 반응공간(S1)을 형성하는 이너튜브(110)와, 상기 이너튜브(110)가 수용되며 상기 이너튜브(110)와의 사이에 이격공간(S2)을 형성하는 아우터튜브(120)를 포함할 수 있다.The reaction tube 100 includes an inner tube 110 forming the reaction space S1 therein, the inner tube 110 is accommodated, and a separation space S2 is formed between the inner tube 110 and the inner tube 110. It may include forming an outer tube 120.

상기 매니폴드(210)는, 상기 아우터튜브(120)를 하측에서 지지하며, 상기 지지링(220)은, 상기 이너튜브(110)를 하측에서 지지할 수 있다.The manifold 210 supports the outer tube 120 from the lower side, and the support ring 220 may support the inner tube 110 from the lower side.

상기 퍼지부(400)는, 중심에 관통구(401)가 형성되는 링 형상으로 형성될 수 있다.The purge part 400 may be formed in a ring shape with a through hole 401 formed at the center.

상기 퍼지부(400)는, 상기 전달유로(410)와 연통하도록 측면에 구비되어 측면에서 상기 퍼지가스를 분사하는 측면분사홀(420)과, 상기 전달유로(410)와 연통하도록 상면에 구비되어 상면에서 상기 퍼지가스를 분사하는 상면분사홀(430)을 포함할 수 있다.The purge unit 400 is provided on the side to communicate with the delivery passage 410, and has a side injection hole 420 for spraying the purge gas from the side, and is provided on the upper surface to communicate with the delivery passage 410. It may include a top spray hole 430 that sprays the purge gas from the top.

상기 측면분사홀(420)과 상기 상면분사홀(430)은 분사되는 상기 퍼지가스 유량이 서로 다르도록 직경이 상이할 수 있다.The side injection hole 420 and the top injection hole 430 may have different diameters so that the flow rates of the purge gas injected are different.

상기 측면분사홀(420)은, 상기 상면분사홀(430)보다 직경이 더 클 수 있다.The side injection hole 420 may have a larger diameter than the top injection hole 430.

상기 전달유로(410)는, 수직으로 관통하여 형성되는 수직전달유로(411)와, 상기 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 외측면을 향해 형성되는 수평전달유로(412)를 포함할 수 있다.The transmission passage 410 may include a vertical transmission passage 411 formed to penetrate vertically, and a horizontal transmission passage 412 formed toward the outer surface in the horizontal direction from the vertical transmission passage 411. .

상기 수직전달유로(411)는, 상기 수평전달유로(412)가 형성되는 연통지점을 기준으로 하측에 형성되는 하측수직전달유로(411a)와, 상기 연통지점을 기준으로 상측에 형성되며 상기 퍼지가스 이동방향에 수직한 단면 직경이 상기 수평전달유로(412)보다 작은 상측수직전달유로(411b)를 포함할 수 있다.The vertical transmission passage 411 includes a lower vertical transmission passage 411a formed below the communication point where the horizontal transmission passage 412 is formed, and an upper vertical transmission passage 411a formed above the communication point, where the purge gas is formed. It may include an upper vertical transmission passage 411b whose cross-sectional diameter perpendicular to the direction of movement is smaller than that of the horizontal transmission passage 412.

상기 전달유로(410)는, 상기 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 내측면을 향해 형성되는 후방전달유로(413)를 포함할 수 있다.The transmission passage 410 may include a rear transmission passage 413 formed toward the inner surface in the horizontal direction from the vertical transmission passage 411.

상기 캡플랜지(300) 및 상기 퍼지부(400) 중 적어도 하나는, 상기 퍼지홀(301)과 상기 전달유로(410) 사이에 상기 퍼지가스가 확산되기 위한 확산공간을 형성하도록 대향하는 면에 상기 퍼지홀(301)과 연통하는 확산홈(310)이 형성될 수 있다.At least one of the cap flange 300 and the purge part 400 is on an opposing surface to form a diffusion space for the purge gas to diffuse between the purge hole 301 and the delivery passage 410. A diffusion groove 310 communicating with the purge hole 301 may be formed.

상기 확산홈(310)은, 상기 퍼지부(400)와 상기 캡플랜지(300) 접촉면에 대응되어 형성되며, 상기 수직전달유로(411)는, 상기 확산홈(310)을 따라서 복수개로 형성될 수 있다.The diffusion groove 310 is formed to correspond to the contact surface of the purge part 400 and the cap flange 300, and the vertical transmission passage 411 may be formed in plural numbers along the diffusion groove 310. there is.

일단이 상기 매니폴드부(200)에 설치되고 타단이 상기 반응공간(S1) 내에 위치하도록 배치되어 공정가스를 분사하는 분사노즐(70)을 추가로 포함하며, 상기 퍼지부(400)는, 상기 분사노즐(70)의 설치공간를 형성하도록 상면 중 상기 분사노즐(70)에 대응되는 위치에 형성되는 홈부(450)를 포함할 수 있다.It further includes a spray nozzle 70, one end of which is installed on the manifold part 200 and the other end positioned within the reaction space (S1) to spray process gas, and the purge part 400 includes the It may include a groove 450 formed at a position corresponding to the spray nozzle 70 on the upper surface to form an installation space for the spray nozzle 70.

상기 캡플랜지(300)는, 상기 퍼지부(400) 적어도 일부가 삽입되어 설치되도록 상면에 상기 퍼지부(400)에 대응되는 형상으로 형성되는 설치홈(320)을 포함할 수 있다.The cap flange 300 may include an installation groove 320 formed in a shape corresponding to the purge part 400 on its upper surface so that at least a portion of the purge part 400 is inserted and installed.

상기 퍼지부(400)와 상기 매니폴드(210) 사이의 제1간격(G1)이 상기 퍼지부(400)와 상기 지지링(220) 사이의 제2간격(G2)보다 클 수 있다.The first gap G1 between the purge part 400 and the manifold 210 may be larger than the second gap G2 between the purge part 400 and the support ring 220.

상기 퍼지부(400) 상면에서 관통하여 상기 캡플랜지(300)에 결합하는 체결부재(600)를 추가로 포함할 수 있다.A fastening member 600 passing through the upper surface of the purge part 400 and coupled to the cap flange 300 may be additionally included.

상기 퍼지부(400)는, 금속재질로 형성될 수 있다.The purge unit 400 may be formed of a metal material.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 금속재질의 정밀한 가공이 가능한 퍼지부를 구비함으로써, 단열부 하측공간에 대한 충분한 퍼지수행이 가능한 유량의 퍼지가스 공급 및 전달이 가능한 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of being able to supply and deliver a purge gas at a flow rate capable of sufficiently purging the space below the insulation part by providing a purge part capable of precise processing of metal materials.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 2방향의 퍼지가스 전달유로를 형성함으로써 일정한 흐름에 따른 매니폴드 내측면의 부산물 고착을 사전에 방지하여 파티클 이슈를 개선할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of improving particle issues by preventing by-products from sticking to the inner surface of the manifold due to a constant flow by forming a two-way purge gas transmission path.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판처리 반응성이 낮으면서도 가공이 용이한 합금재질을 통해 퍼지부를 제작함으로써, 손상위험이 낮아 내구성이 뛰어난 이점이 있다.In addition, the substrate processing device according to the present invention has the advantage of low risk of damage and excellent durability by manufacturing the purge part using an alloy material that has low substrate processing reactivity and is easy to process.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 A부분 모습을 보여주는 확대단면도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 퍼지부 및 B부분의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 퍼지부 설치 전후의 모습을 보여주는 평면도들이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing part A of the substrate processing apparatus according to Figure 1.
Figure 3 is a perspective view showing the purge part and part B of the substrate processing apparatus according to Figure 1.
FIGS. 4A and 4B are plan views showing the substrate processing apparatus according to FIG. 1 before and after installation of the purge part.

본 발명에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. The substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings as follows.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 내부에 기판처리를 위한 반응공간(S1)을 형성하며 하부에 입구가 형성되는 반응관(100)와; 상기 반응관(100)를 하측에서 지지하는 매니폴드부(200)와; 상기 매니폴드부(200) 하부를 밀폐하며, 상측으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지홀(301)이 형성되는 캡플랜지(300)와; 상기 캡플랜지(300) 상에 배치되며, 내부에 상기 퍼지홀(301)에 연통하는 전달유로(410)가 형성되어 상기 퍼지가스를 상기 입구 측으로 전달하는 퍼지부(400)를 포함한다.As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a reaction tube 100 that forms a reaction space (S1) for substrate processing therein and has an inlet at the bottom; a manifold part 200 supporting the reaction tube 100 from the lower side; a cap flange (300) that seals the lower part of the manifold unit (200) and has a purge hole (301) for supplying purge gas to the upper side; It includes a purge portion 400 that is disposed on the cap flange 300 and has a delivery passage 410 communicating with the purge hole 301 formed therein to deliver the purge gas to the inlet side.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 하부가 상기 퍼지부(400) 중심에 형성되는 관통구(401)에 삽입되어 배치되는 단열부(500)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include an insulating portion 500 whose lower portion is inserted into the through hole 401 formed at the center of the purge portion 400.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 퍼지부(400) 상면에서 관통하여 캡플랜지(300)에 결합하는 체결부재(600)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include a fastening member 600 that penetrates the upper surface of the purge part 400 and couples to the cap flange 300.

여기서 기판처리 대상이 되는 기판(10)은, 반도체 기판, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 태양전지 기판, 글라스 기판 등을 포함할 수 있으며, 종래 개시된 어떠한 형태의 대상 기판도 적용 가능하다.Here, the substrate 10 subject to substrate processing may include a semiconductor substrate, a substrate used in display devices such as LED and LCD, a solar cell substrate, a glass substrate, etc., and any type of target substrate disclosed previously can be applied. do.

또한, 기판처리란, 증착공정, 보다 바람직하게는 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 사용한 증착공정을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니며 화학기상증착법을 이용한 증착공정, 열처리공정 더 나아가 식각, 열처리 등도 포함할 수 있다.In addition, substrate processing refers to a deposition process, more preferably a deposition process using Atomic Layer Deposition (ALD), but is not limited thereto and includes a deposition process using chemical vapor deposition, heat treatment process, etching, Heat treatment, etc. may also be included.

상기 반응관(100)은, 내부에 기판처리를 위한 반응공간(S1)을 형성하며 하부에 입구가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The reaction tube 100 is configured to form a reaction space (S1) for substrate processing inside and an inlet is formed at the bottom, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 반응관(100)은, 내부에 반응공간(S1)을 형성하는 이너튜브(110)와, 이너튜브(110)가 수용되며 이너튜브(110)와의 사이에 이격공간(S2)을 형성하는 아우터튜브(120)를 포함할 수 있다.For example, the reaction tube 100 includes an inner tube 110 forming a reaction space (S1) inside, the inner tube 110 is accommodated, and a separation space (S2) is formed between the inner tube 110 and the inner tube 110. It may include an outer tube 120 forming a .

이때, 상기 반응관(100)은, 반응공간(S1)에 열을 가하기 위해 히팅블록(미도시) 내에 설치될 수 있으며, 보다 구체적으로는 아우터튜브(120) 외부에 히팅블록이 구비되어 열을 제공할 수 있다.At this time, the reaction tube 100 may be installed in a heating block (not shown) to apply heat to the reaction space (S1). More specifically, a heating block is provided outside the outer tube 120 to heat the reaction space (S1). can be provided.

상기 이너튜브(110)는, 내부에 반응공간(S1)과 하부에 입구가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner tube 110 has a reaction space (S1) inside and an inlet at the bottom, and various configurations are possible.

이때, 상기 이너튜브(110)는, 처리되는 공정종류 등에 따라 다양한 형상으로 구비될 수 있으며, 일예로서, 상면이 돔형상인 원기둥형상이거나 상면이 플랫한 원기둥형상으로 형성될 수 있다.At this time, the inner tube 110 may be provided in various shapes depending on the type of process being processed, etc. For example, it may be formed in a cylindrical shape with a dome-shaped upper surface or a cylindrical shape with a flat upper surface.

상기 이너튜브(110)는, 반응공간(S1)에 다수의 기판(10)들이 수직방향으로 적재되는 보트(60) 및 단열부(500)를 수용하여 기판처리를 수행하는 구성일 수 있으며, 후술하는 지지링(220)에 지지되어 설치될 수 있다.The inner tube 110 may be configured to perform substrate processing by accommodating a boat 60 and an insulation unit 500 on which a plurality of substrates 10 are vertically stacked in the reaction space S1, which will be described later. It can be installed and supported on the support ring 220.

한편, 상기 이너튜브(110)는, 측면에 반응공간(S1)으로부터 배기되는 배기가스를 이격공간(S2)에 전달하기 위한 적어도 하나의 이너배기구(112)가 형성될 수 있다.Meanwhile, at least one inner exhaust port 112 may be formed on the side of the inner tube 110 to deliver exhaust gas exhausted from the reaction space S1 to the separation space S2.

보다 구체적으로, 상기 이너튜브(110)는, 측면에 상하방향으로 서로 이격되어 다수의 이너배기구(112)가 형성될 수 있으며, 이너배기구(112)를 통해 반응공간(S1) 내 배기가스가 이격공간(S2)으로 전달되고, 후술하는 아우터튜브(120)에 구비되는 아우터배기구(122)를 통해 외부로 배출될 수 있다.More specifically, the inner tube 110 may be spaced apart from each other in the vertical direction on the side to form a plurality of inner exhaust ports 112, and the exhaust gas in the reaction space (S1) may be spaced apart through the inner exhaust port 112. It can be transmitted to the space S2 and discharged to the outside through the outer exhaust port 122 provided in the outer tube 120, which will be described later.

또한, 상기 이너튜브(110)는, 반응공간(S1)이 보트(60)에 대응되는 위치와 단열부(500)에 대응되는 위치로 구분될 수 있으며, 전술한 이너배기구(112)는, 보트(60) 및 적재된 기판(10)에 대응되는 위치에 상하방향으로 다수 형성될 수 있으며, 단열부(500)에 대응되는 높이 측면에서 하부이너배기구(114)가 추가로 형성될 수 있다.In addition, the inner tube 110 may be divided into a position in which the reaction space S1 corresponds to the boat 60 and a position corresponding to the insulation unit 500, and the inner exhaust port 112 described above is located in the boat. A plurality of holes may be formed in the vertical direction at positions corresponding to 60 and the loaded substrate 10, and a lower inner exhaust port 114 may be additionally formed at a height corresponding to the insulation portion 500.

이때, 상기 하부이너배기구(114)는, 후술하는 아우터배기구(122)에 대응되는 높이에 형성되어, 하측에서 퍼지부(400)를 통해 전달되는 퍼지가스를 외부로 배출하고, 펌핑을 통해 단열부(500) 인접한 하부의 퍼지가스 흐름을 강화 및 유도할 수 있다.At this time, the lower inner exhaust port 114 is formed at a height corresponding to the outer exhaust port 122, which will be described later, and discharges the purge gas delivered through the purge portion 400 from the lower side to the outside and pumps it into the insulation portion. (500) The purge gas flow in the adjacent lower part can be strengthened and induced.

또한, 상기 이너튜브(100)는, 내부 반응공간(S1)에 기판처리를 위한 공정가스를 공급하는 분사노즐(70)이 설치될 수 있다.Additionally, the inner tube 100 may be equipped with a spray nozzle 70 that supplies process gas for substrate processing to the internal reaction space (S1).

이때, 상기 분사노즐(70)은, 후술하는 일단이 매니폴드부(200)에 설치되고 타단이 반응공간(S1) 내 상측에 위치하도록 배치되어 외부로부터 매니폴드부(200)를 거쳐 공급되는 공정가스를 반응공간(S1)에 분사할 수 있다.At this time, the injection nozzle 70, which will be described later, has one end installed in the manifold part 200 and the other end is positioned at the upper side in the reaction space (S1), and is supplied from the outside through the manifold part 200. Gas can be injected into the reaction space (S1).

이를 위해, 상기 분사노즐(70)은, 매니폴드부(200)의 측벽을 관통하도록 설치되는 인렛(74)과 결합될 수 있고, 다수의 분사구(72)들이 상하방향으로 형성되어 공정가스를 수평방향으로 분사할 수 있다.To this end, the injection nozzle 70 may be combined with an inlet 74 installed to penetrate the side wall of the manifold unit 200, and a plurality of injection holes 72 are formed in the vertical direction to spray the process gas horizontally. Can be sprayed in any direction.

이때, 상기 분사구(72)들은, 보트(60)에 지지되는 다수의 기판(10)들의 높이를 고려하여 대응되는 위치에 형성될 수 있다.At this time, the injection holes 72 may be formed at corresponding positions in consideration of the heights of the plurality of substrates 10 supported on the boat 60.

한편, 상기 분사노즐(70)은, 단순히 하측에서 상측 수직방향으로 설치될 수 있으며, 다른 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이 역 'U'자 형상으로 꺾여서 하부로 연장되도록 형성될 수 있다.Meanwhile, the spray nozzle 70 may simply be installed vertically from the bottom to the top, or as another example, it may be bent into an inverted 'U' shape and extended downward, as shown in FIG. 1.

상기 보트(60)는, 기판(10)들을 수직방향으로 서로 이격하여 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The boat 60 is a structure that supports the substrates 10 spaced apart from each other in the vertical direction, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 보트(60)는, 상부지지판(62), 하부지지판(64) 및 복수의 로드(66)를 포함할 수 있으며, 이때 상부지지판(62), 하부지지판(64)은 서로 평행하게 이격 배치되고 이들 사이에 복수의 로드(66)가 배치되어 형상을 이룰 수 있다.For example, the boat 60 may include an upper support plate 62, a lower support plate 64, and a plurality of rods 66, where the upper support plate 62 and the lower support plate 64 are parallel to each other. They are arranged spaced apart from each other and a plurality of rods 66 are arranged between them to form a shape.

한편, 복수의 로드(66) 각각에는 기판(10)을 지지하기 위한 다수의 슬롯들이 형성될 수 있으며, 이들 슬롯에 기판(10)들이 수직방향으로 서로 이격되어 각각 지지됨으로써, 다수의 기판(10)들을 지지할 수 있다.Meanwhile, a plurality of slots may be formed in each of the plurality of rods 66 to support the substrate 10, and the substrates 10 are supported in these slots while being spaced apart from each other in the vertical direction, so that the plurality of substrates 10 ) can support them.

이때, 상기 보트(60)는, 하부에 단열부(500)가 결합될 수 있으며, 이를 통해 이너튜브(100) 하측 입구와 반응공간(S1) 사이의 온도편차를 유지하고 이들 사이의 열교환을 차단할 수 있다.At this time, the boat 60 may have an insulating part 500 coupled to the lower part, through which the temperature difference between the lower inlet of the inner tube 100 and the reaction space S1 can be maintained and heat exchange between them can be blocked. You can.

또한, 상기 보트(60)는, 캡플랜지(300) 하부에 구비되는 구동부(80)를 통해 구동될 수 있으며, 보다 구체적으로는 구동부(80)가 중심인 구동축을 중심으로 회전시킴으로써, 단열부(500)를 통해 전달되는 회전력을 받아 회전할 수 있다.In addition, the boat 60 can be driven through the driving unit 80 provided below the cap flange 300, and more specifically, by rotating the driving unit 80 around the driving shaft as the center, the insulation unit ( It can rotate by receiving rotational force transmitted through 500).

보다 구체적으로, 상기 구동부(80)는, 캡플랜지(300) 하부에 배치되어, 캡플랜지(300)를 관통하여 단열부(500)와 결합될 수 있으며, 이로써 회전력을 단열부(500)를 통해 보트(60)에 전달함으로써 보트(60)를 회전시킬 수 있다.More specifically, the driving unit 80 may be disposed below the cap flange 300, penetrate the cap flange 300, and be coupled to the insulation unit 500, thereby transmitting rotational force through the insulation unit 500. By transmitting it to the boat 60, the boat 60 can be rotated.

더 나아가, 상기 보트(60)는, 하부에 배치되는 상하구동부(미도시)를 통해 상하로 이동할 수 있다.Furthermore, the boat 60 can move up and down through a vertical drive unit (not shown) disposed at the bottom.

상기 아우터튜브(120)는, 내부에 이너튜브(110)가 수용되고 이너튜브(110)와의 사이에 이격공간(S2)이 형성되며, 하부가 개방되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer tube 120 accommodates the inner tube 110 therein, a space S2 is formed between the inner tube 110, and the lower part is open, and various configurations are possible.

이때, 상기 아우터튜브(120)는, 처리되는 공정종류 등에 따라 다양한 형상으로 구비될 수 있으며, 일예로서, 상면이 돔형상인 원기둥형상이거나 상면이 플랫한 원기둥형상으로서 전술한 이너튜브(100)에 대응되는 형상일 수 있다.At this time, the outer tube 120 may be provided in various shapes depending on the type of process being processed, etc. As an example, it has a cylindrical shape with a dome-shaped upper surface or a cylindrical shape with a flat upper surface, corresponding to the inner tube 100 described above. It may be a shape that becomes

또한, 상기 아우터튜브(120)는, 반응공간(S1)에 충분한 열이 공급되도록 외부에 전술한 히팅블록(미도시)이 설치될 수 있다.Additionally, the aforementioned heating block (not shown) may be installed on the outside of the outer tube 120 so that sufficient heat is supplied to the reaction space (S1).

상기 아우터튜브(120)는, 후술하는 매니폴드(210)에 지지되어 설치될 수 있으며, 하부 측면에 반응공간(S1)으로부터 배기되어 이격공간(S2)으로 전달된 배기가스를 외부로 배출하기 위한 아우터배기구(122)가 형성될 수 있다.The outer tube 120 may be supported and installed on the manifold 210, which will be described later, and has a lower side for discharging the exhaust gas exhausted from the reaction space (S1) and transferred to the separation space (S2) to the outside. An outer exhaust port 122 may be formed.

이때, 상기 아우터배기구(122)는, 외부 진공펌프와 연결되어 반응공간(S1) 및 이격공간(S2)에 대한 배기를 수행할 수 있으며, 더 나아가 하부이너배기구(114)를 통과하여 이격공간(S2)으로 전달되는 퍼지가스를 외부로 배출하고 퍼지가스의 단열부(500) 인근 흐름을 강화할 수 있다.At this time, the outer exhaust port 122 is connected to an external vacuum pump to perform exhaust to the reaction space (S1) and the separation space (S2), and further passes through the lower inner exhaust port 114 to the separation space ( The purge gas delivered to S2) can be discharged to the outside and the flow of the purge gas near the insulation unit 500 can be strengthened.

상기 매니폴드부(200)는, 반응관(100)을 하측에서 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The manifold unit 200 is a structure that supports the reaction tube 100 from the lower side, and various configurations are possible.

즉, 상기 매니폴드부(200)는, 캡플랜지(300)를 통해 하부가 밀폐되며 상측에 반응관(100)이 배치되어 반응관(100)을 하측에서 지지할 수 있다.That is, the lower part of the manifold unit 200 is sealed through the cap flange 300, and the reaction tube 100 is disposed on the upper side to support the reaction tube 100 from the lower side.

또한, 상기 매니폴드부(200)는, 전술한 가스분사노즐(70)의 설치되어 외부로부터 공정가스를 가스분사노즐(70)에 전달하는 구성일 수 있다.Additionally, the manifold unit 200 may be configured to transmit process gas from the outside to the gas injection nozzle 70 by installing the gas injection nozzle 70 described above.

예를 들면, 상기 매니폴드부(200)는, 반응관(100) 하측에 배치되는 매니폴드(210)와, 퍼지부(400) 적어도 일부와 평면 상 중첩되도록 매니폴드(210) 내면 상측에서 연장되어 구비되는 지지링(220)을 포함할 수 있다.For example, the manifold part 200 extends from the upper inner surface of the manifold 210 so as to overlap in plan with the manifold 210 disposed below the reaction tube 100 and at least a portion of the purge part 400. It may include a support ring 220 provided.

이때, 상기 매니폴드(210)는, 아우터튜브(120)를 하측에서 지지할 수 있으며, 지지링(220)은, 이너튜브(110)를 하측에서 지지할 수 있다.At this time, the manifold 210 may support the outer tube 120 from the lower side, and the support ring 220 may support the inner tube 110 from the lower side.

상기 매니폴드(210)는, 캡플랜지(300) 상측 가장자리에 대응되는 위치에 구비될 수 있으며, 캡플랜지(300)의 상하이동에 따라 하측이 밀폐되거나 개방되는 구성일 수 있다.The manifold 210 may be provided at a position corresponding to the upper edge of the cap flange 300, and may be configured to have its lower side closed or open depending on the vertical movement of the cap flange 300.

또한, 상기 매니폴드(210)는, 측면에 전술한 인렛(74)이 관통하여 설치됨으로써, 인렛(74)에 결합 설치되는 가스분사노즐(70)에 공정가스를 공급하도록 할 수 있다.In addition, the above-mentioned inlet 74 is installed through the side of the manifold 210, so that process gas can be supplied to the gas injection nozzle 70 coupled to the inlet 74.

한편, 상기 매니폴드(210)는, 상측이 아우터튜브(120) 하단과 접하도록 조립되고, 이들 사이에는 실링부재(미도시)에 의해 기밀을 유지하도록 구성될 수 있으며, 저면 또한 별도의 실링부재(미도시)를 구비하여 캡플랜지(300)와 접할 수 있다.Meanwhile, the manifold 210 is assembled so that the upper side is in contact with the lower end of the outer tube 120, and can be configured to maintain airtightness by a sealing member (not shown) between them, and the bottom side also has a separate sealing member. (not shown) can be provided to contact the cap flange 300.

또한, 상기 매니폴드(210)는, 내면이 퍼지부(400)에 인접하여 퍼지부(400)와의 사이에 퍼지가스가 흐르는 유로를 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로는 후술한는 측면분사홀(420)을 통과한 퍼지가스가 유로를 따라서 상측 입구 측으로 전달될 수 있다.In addition, the manifold 210 has an inner surface adjacent to the purge part 400, so that it can form a flow path through which the purge gas flows between the purge part 400, and more specifically, the side injection hole 420, which will be described later. ) can be delivered to the upper inlet along the flow path.

상기 지지링(220)은, 매니폴드(210) 내측 상부에 구비되는 구성으로서, 평면 상 퍼지부(400) 적어도 일부, 보다 구체적으로는 후술하는 상면분사홀(430)과 평면 상 중첩되도록 매니폴드(210) 내면으로부터 연장될 수 있다.The support ring 220 is a component provided on the inner upper part of the manifold 210, and is positioned on the manifold to overlap at least a portion of the purge part 400 on a plane, more specifically, the upper injection hole 430, which will be described later. (210) Can extend from the inside.

이때, 상기 지지링(220)은, 매니폴드(210)로부터 연장되어 형성되는 구성일 수 있으며, 다른 예로서, 매니폴드(210) 내면 상부에 결합 및 조립되는 구성일 수 있다.At this time, the support ring 220 may be configured to extend from the manifold 210, and as another example, may be configured to be coupled and assembled to the upper inner surface of the manifold 210.

이로써 상기 지지링(220)은, 이너튜브(110)의 하단을 지지할 수 있으며, 이격공간(S3)의 하부를 밀폐할 수 있다.As a result, the support ring 220 can support the lower end of the inner tube 110 and seal the lower part of the space S3.

한편, 상기 지지링(220)은, 후술하는 퍼지부(400)와의 사이공간에 퍼지가스가 전달되기 위한 유로를 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로는 후술하는 측면분사홀(420)을 통해 분사되는 퍼지가스가 이너튜브(110) 하부 입구로 전달되기 위하여 흐르는 유로를 형성할 수 있으며, 더 나아가 상면분사홀(430)을 통해 분사되는 퍼지가스가 흐르는 유로일 수 있다.Meanwhile, the support ring 220 can form a flow path for the purge gas to be transmitted in the space between the purge part 400, which will be described later, and more specifically, the support ring 220 can be injected through the side injection hole 420, which will be described later. A flow path may be formed for the purge gas to be delivered to the lower inlet of the inner tube 110, and further, it may be a flow path through which the purge gas injected through the upper injection hole 430 flows.

상기 캡플랜지(300)는, 매니폴드부(200) 하부를 밀폐하며 상측으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지홀(301)이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The cap flange 300 seals the lower part of the manifold unit 200 and has a purge hole 301 for supplying purge gas to the upper side, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 캡플랜지(300)는, 원형의 플레이트 형상으로 상면에 보트(60) 및 단열부(500)가 지지되고 상하이동함으로써 보트(60)를 반응공간(S1)에 수용하거나 반응공간(S1)으로부터 반출하는 구성일 수 있다.For example, the cap flange 300 has a circular plate shape, supports the boat 60 and the insulation portion 500 on its upper surface, and moves up and down to accommodate the boat 60 in the reaction space (S1) or to accommodate the boat 60 in the reaction space (S1). It may be a configuration exported from (S1).

이때, 상기 캡플랜지(300)는, 보트(60)를 반응공간(S1)에 수용할 때 반응공간(S1)을 밀폐하도록 매니폴드부(200) 하부를 밀폐할 수 있다.At this time, the cap flange 300 can seal the lower part of the manifold unit 200 to seal the reaction space (S1) when the boat 60 is accommodated in the reaction space (S1).

한편, 반응공간(S1) 하측에 대한 퍼지가스 공급을 위하여, 관통하여 형성되어 외부로부터 퍼지가스를 상측으로 공급하는 퍼지홀(301)이 형성될 수 있다.Meanwhile, in order to supply the purge gas to the lower side of the reaction space (S1), a purge hole 301 may be formed that penetrates and supplies the purge gas upward from the outside.

이때, 상기 퍼지홀(301)은, 단수로 미리 설정된 위치에 형성될 수 있으며, 다른 예로서 중심으로부터 일정 거리에 복수개 형성될 수 있다.At this time, the purge holes 301 may be formed in a single number at a preset position, or as another example, a plurality of purge holes 301 may be formed at a certain distance from the center.

상기 캡플랜지(300)는, 퍼지홀(301)에 연통되어 퍼지가스가 확산되기 위한 확산공간을 형성하는 확산홈(310)이 형성될 수 있으며, 이때 확산홈(310)은, 캡플랜지(300) 상면에 링 형상으로 형성되어 퍼지홀(301)과 연통됨으로써 퍼지홀(301)을 통과하여 공급되는 퍼지가스가 원주방향을 따라서 확산되도록 유도할 수 있다.The cap flange 300 may be formed with a diffusion groove 310 that communicates with the purge hole 301 and forms a diffusion space for the purge gas to diffuse. In this case, the diffusion groove 310 is formed in the cap flange 300. ) It is formed in a ring shape on the upper surface and communicates with the purge hole 301, so that the purge gas supplied through the purge hole 301 can be induced to spread along the circumferential direction.

보다 구체적으로, 상기 확산홈(310)은, 후술하는 퍼지부(400) 내 전달유로(410)와 퍼지홀(301)이 연통하도록 형성됨으로써, 퍼지홀(301)을 통해 공급되어 확산되는 퍼지가스가 전달유로(410)에 공급되어 퍼지부(400)를 통해 입구 측으로 전달되도록 유도할 수 있다.More specifically, the diffusion groove 310 is formed to communicate with the purge hole 301 and the delivery passage 410 in the purge part 400, which will be described later, so that the purge gas is supplied and diffused through the purge hole 301. It can be induced to be supplied to the delivery passage 410 and delivered to the inlet side through the purge part 400.

한편, 상기 확산홈(310)은, 다른 예로서, 퍼지부(400)의 캡플랜지(300)에 대향하는 저면에 퍼지홀(301)과 연통하도록 형성될 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, of course, the diffusion groove 310 may be formed, as another example, to communicate with the purge hole 301 on the bottom surface of the purge part 400 opposite the cap flange 300.

또한, 상기 캡플랜지(300)는, 퍼지부(400) 중 적어도 일부가 삽입되어 설치되도록 상면에 퍼지부(400)에 대응되는 형상으로 형성되는 설치홈(320)을 포함할 수 있다.Additionally, the cap flange 300 may include an installation groove 320 formed in a shape corresponding to the purge part 400 on its upper surface so that at least a portion of the purge part 400 is inserted and installed.

이때, 상기 설치홈(320)은, 링 형상을 가지는 퍼지부(400) 하측 일부가 삽입되어 설치되도록 캡플랜지(300) 상면에 형성될 수 있으며, 도 4a에 도시된 바와 같이, 확산홈(310)을 평면 상 포함하도록 형성되어 설치홈(320)에 퍼지부(400)가 안착함으로써 확산홈(310)과 퍼지부(400) 저면 사이에 확산공간이 형성될 수 있다.At this time, the installation groove 320 may be formed on the upper surface of the cap flange 300 so that the lower part of the ring-shaped purge part 400 is inserted and installed. As shown in FIG. 4A, the diffusion groove 310 ) on a plane, so that the purge part 400 is seated in the installation groove 320, so that a diffusion space can be formed between the diffusion groove 310 and the bottom of the purge part 400.

이때, 상기 설치홈(320)은, 링 형상의 퍼지부(400)에 대응되는 형상으로 형성되어 퍼지부(400)가 삽입되어 설치될 수 있으며, 더 나아가 후술하는 퍼지부(400)를 관통한 체결부재(600)가 결합할 수 있다.At this time, the installation groove 320 is formed in a shape corresponding to the ring-shaped purge part 400 so that the purge part 400 can be inserted and installed, and further penetrates the purge part 400, which will be described later. The fastening member 600 may be coupled.

상기 퍼지부(400)는, 캡플랜지(300) 상에 배치되며, 내부에 퍼지홀(301)에 연통하는 전달유로(410)가 형성되어 퍼지가스를 입구 측으로 전달하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The purge unit 400 is disposed on the cap flange 300, and has a delivery passage 410 communicating with the purge hole 301 formed therein to deliver the purge gas to the inlet. Various configurations are possible. do.

이때, 상기 퍼지부(400)는, 금속, 보다 구체적으로는 니켈 기반의 합금재질로 가공이 용이하면서도 공정가스와의 반응성이 낮은 재질로 구비될 수 있다.At this time, the purge unit 400 may be made of metal, more specifically, a nickel-based alloy material that is easy to process and has low reactivity with process gas.

일예로, 상기 퍼지부(400)는, 링 형상으로 내부에 전달유로(410)가 가공된 하스텔로이(Hastelloy™)로 제작될 수 있다.For example, the purge part 400 may be made of Hastelloy™ with a ring-shaped delivery passage 410 processed therein.

보다 구체적으로, 상기 퍼지부(400)는, 내부에 퍼지홀(301), 확산공간과 연통하는 전달유로(410)가 형성될 수 있으며, 전달유로(410)와 연통되어 퍼지가스를 캡플랜지(300) 기준 상측으로 분사하는 분사홀들을 포함할 수 있다.More specifically, the purge unit 400 may have a purge hole 301 and a delivery passage 410 in communication with the diffusion space formed therein, and may be in communication with the delivery passage 410 to transmit the purge gas to the cap flange ( 300) It may include spray holes that spray upwards from the reference point.

예를 들면, 상기 퍼지부(400)는, 전달유로(410)와 연통하도록 측면에 구비되어 측면에서 퍼지가스를 분사하는 측면분사홀(420)과, 전달유로(410)와 연통하도록 상면에 구비되어 상면에서 퍼지가스를 분사하는 상면분사홀(430)을 포함할 수 있다.For example, the purge unit 400 is provided on the side to communicate with the delivery passage 410, and has a side injection hole 420 for spraying purge gas from the side, and a top surface to communicate with the delivery passage 410. It may include a top spray hole 430 that sprays purge gas from the top.

또한, 상기 퍼지부(400)는, 상면에 후술하는 체결부재(600)가 관통하는 결합공(440)이 복수개 형성되어, 체결부재(600)를 통해 삽입홈(320)에 삽입된 상태에서 캡플랜지(300) 상면에 결합될 수 있다.In addition, the purge part 400 has a plurality of coupling holes 440 through which a fastening member 600, which will be described later, is formed on the upper surface, and the cap is inserted into the insertion groove 320 through the fastening member 600. It can be coupled to the upper surface of the flange 300.

상기 전달유로(410)는, 퍼지홀(301)과 연통하여 퍼지가스를 전달하는 구성으로서 퍼지부(400) 내부에 가공을 통해 형성되거나, 별도의 배관이 설치되어 형성될 수 있다.The delivery passage 410 communicates with the purge hole 301 to deliver the purge gas, and may be formed inside the purge unit 400 through processing, or may be formed by installing a separate pipe.

예를 들면, 상기 전달유로(410)는, 수직으로 관통하여 형성되는 수직전달유로(411)와, 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 외측면을 향해 형성되는 수평전달유로(412)를 포함할 수 있다.For example, the transmission passage 410 includes a vertical transmission passage 411 formed to penetrate vertically, and a horizontal transmission passage 412 formed toward the outer surface in the horizontal direction from the vertical transmission passage 411. can do.

또한, 상기 전달유로(410)는, 도 4b에 도시된 바와 같이, 필요에 따라 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 내측면을 향해 형성되는 후방전달유로(413)를 포함할 수 있다.Additionally, as shown in FIG. 4B, the transmission passage 410 may include a rear transmission passage 413 formed horizontally toward the inner surface from the vertical transmission passage 411, if necessary.

한편, 상기 전달유로(410)는 전술한 예시와는 달리 경사를 가지고 내부에 형성될 수 있으며, 퍼지홀(301)과 연통하여 퍼지가스를 전달하도록 유로를 형성하는 구성이면 어떠한 형상 및 배치로도 적용 가능하다.Meanwhile, the delivery passage 410 may be formed internally with an inclination, unlike the above-described example, and may have any shape and arrangement as long as it communicates with the purge hole 301 to form a passage to deliver the purge gas. Applicable.

상기 수직전달유로(411)는, 퍼지부(400)를 수직방향으로 관통하여 형성되는 구성으로서, 최소거리로 퍼지가스를 전달하도록 수직으로 형성될 수 있다.The vertical transmission passage 411 is formed to penetrate the purge part 400 in the vertical direction and may be formed vertically to transmit the purge gas at a minimum distance.

이때, 상기 수직전달유로(411)는, 하단이 확산공간에 연통하고 상단이 상면분사홀(430)에 연통하여 퍼지가스를 상면분사홀(430) 측에 전달할 수 있다.At this time, the lower end of the vertical delivery passage 411 communicates with the diffusion space and the upper end communicates with the upper injection hole 430, so that the purge gas can be delivered to the upper injection hole 430.

한편, 상기 수직전달유로(411)는, 링 형상의 퍼지부(400) 및 확산홈(310)에 대응되어 확산홈(310)을 따라서 복수개로 형성될 수 있으며, 이로써 확산홈(310)을 통해 형성되는 확산공간내 퍼지가스를 상측으로 전달할 수 있다.Meanwhile, the vertical transmission passage 411 may be formed in plural numbers along the diffusion groove 310 to correspond to the ring-shaped purge portion 400 and the diffusion groove 310, and thus may be formed in plural numbers through the diffusion groove 310. The purge gas within the formed diffusion space can be delivered upward.

상기 수평전달유로(412)는, 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 외측면을 향해 형성되는 구성으로서, 일단이 수직전달유로(411)에 연통하고 타단이 측면분사홀(420)에 연통될 수 있다.The horizontal transmission passage 412 is formed toward the outer surface in the horizontal direction from the vertical transmission passage 411, and one end communicates with the vertical transmission passage 411 and the other end communicates with the side injection hole 420. You can.

이를 통해, 수직전달유로(411)를 통해 이동하는 퍼지가스 중 일부가 수평전달유로(412)를 통해 이동하여 측면분사홀(420)에 공급될 수 있다.Through this, some of the purge gas moving through the vertical delivery passage 411 may move through the horizontal delivery passage 412 and be supplied to the side injection hole 420.

한편, 상기 수평전달유로(412) 또한, 링 형상의 퍼지부(400)에 방사형으로 다수 형성될 수 있으며, 이로써 퍼지부(400) 외측면에 다수개 구비되는 측면분사홀(420) 각각에 퍼지가스를 전달할 수 있다.Meanwhile, a plurality of horizontal transmission passages 412 may be formed radially in the ring-shaped purge part 400, thereby purging each of the side injection holes 420 provided in plurality on the outer surface of the purge part 400. Gas can be delivered.

또한, 상기 수평전달유로(412)는, 퍼지부(400) 하측에 인접한 높이에 형성될 수 있다.Additionally, the horizontal transmission passage 412 may be formed at a height adjacent to the lower side of the purge part 400.

상기 후방전달유로(413)는, 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 내측면을 향해 형성되는 유로로서, 필요에 따라 퍼지부(400) 관통구(401)에 분사홀이 형성될 때 퍼지가스를 공급하기 위하여 형성될 수 있다.The rear delivery passage 413 is a passage formed toward the inner surface in the horizontal direction from the vertical delivery passage 411, and when a spray hole is formed in the through hole 401 of the purge part 400, the purge gas is discharged as necessary. It can be formed to supply.

상기 후방전달유로(413)가 생략될 수 있음은 또한 물론이다.Of course, the rear transmission passage 413 can also be omitted.

상기 측면분사홀(420)은, 전달유로(410)와 연통하도록 측면에 구비되어 측면에서 퍼지가스를 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The side injection hole 420 is provided on the side to communicate with the delivery passage 410 and sprays purge gas from the side, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 측면분사홀(420)은, 링 형상의 퍼지부(400) 외측면에 서로 일정간격 또는 상이한 간격으로 다수개 배치되어 매니폴드(210) 내면을 향해 퍼지가스를 분사할 수 있다.For example, a plurality of side injection holes 420 are disposed on the outer surface of the ring-shaped purge part 400 at regular or different intervals from each other to inject purge gas toward the inner surface of the manifold 210. .

이때, 상기 측면분사홀(420)은, 전술한 수평전달유로(412) 끝단에 각각 형성되어 수평전달유로(412)로부터 전달되는 퍼지가스를 분사할 수 있다.At this time, the side injection holes 420 are formed at each end of the horizontal delivery passage 412 described above and can spray the purge gas delivered from the horizontal delivery passage 412.

상기 상면분사홀(430)은, 전달유로(410)와 연통하도록 상면에 구비되어 상면에서 퍼지가스를 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The upper surface injection hole 430 is provided on the upper surface to communicate with the delivery passage 410 and sprays purge gas from the upper surface, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 상면분사홀(430)은, 링 형상의 퍼지부(400) 상면에 서로 일정간격 또는 상이한 간격으로 다수개 배치되어 지지링(220) 저면을 향해 퍼지가스를 분사할 수 있다.For example, a plurality of the top spray holes 430 may be disposed on the top surface of the ring-shaped purge part 400 at regular or different intervals from each other to spray purge gas toward the bottom of the support ring 220.

이때, 상기 상면분사홀(430)은, 전술한 수직전달유로(411) 상측 끝단에 각각 형성되어 수직전달유로(411)로부터 전달되는 퍼지가스를 상측으로 분사할 수 있다.At this time, the upper injection holes 430 are formed at the upper ends of the vertical delivery passages 411 described above and can spray the purge gas delivered from the vertical delivery passages 411 upward.

한편, 상기 퍼지부(400)는, 일단이 매니폴드부(200) 측벽에 설치되고 'L'자 형태로 꺽여 타단이 반응공간(S1)에 위치함으로써, 반응공간(S1)에 공정가스를 공급하는 분사노즐(70)과의 간섭을 방지하고, 분사노즐(70)의 설치공간을 형성하도록 상면에 홈부(450)가 형성될 수 있다.Meanwhile, the purge unit 400 has one end installed on the side wall of the manifold unit 200, is bent into an 'L' shape, and the other end is located in the reaction space (S1), thereby supplying process gas to the reaction space (S1). A groove 450 may be formed on the upper surface to prevent interference with the spray nozzle 70 and to form an installation space for the spray nozzle 70.

이때, 상기 홈부(450)는, 퍼지부(400) 상면 중 분사노즐(70)에 대응되는 위치에 형성될 수 있으며, 링형상의 퍼지부(400)를 예로 들면, 외주면에서부터 중심측을 향해 홈부(450)가 형성되어 'L'자 형상의 분사노즐(70)이 수평방향에서 수직방향으로 꺾여 설치되도록 유도할 수 있다.At this time, the groove portion 450 may be formed at a position corresponding to the injection nozzle 70 on the upper surface of the purge portion 400. Taking the ring-shaped purge portion 400 as an example, the groove portion 450 may be formed from the outer peripheral surface toward the center. (450) is formed so that the 'L' shaped injection nozzle 70 can be installed by bending from the horizontal direction to the vertical direction.

한편, 이 경우, 분사노즐(70) 중 적어도 일부가 홈부(450) 상면에 지지될 수 있으며, 다른 예로서, 홈부(450)로부터 상측으로 이격되어 접촉되지 않고 설치될 수 있다. Meanwhile, in this case, at least a portion of the injection nozzles 70 may be supported on the upper surface of the groove 450, and as another example, they may be installed spaced upward from the groove 450 without contacting them.

상기 단열부(500)는, 하부가 퍼지부(400) 중심에 형성되는 관통구(401)에 삽입되어 배치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The insulation portion 500 is disposed with its lower portion inserted into a through hole 401 formed at the center of the purge portion 400, and various configurations are possible.

즉, 상기 단열부(500)는, 링 형상의 퍼지부(400) 중심 관통구(401)에 하부에 삽입되어 캡플랜지(300) 상면에 배치되는 구성으로서, 캡플랜지(300) 측과 반응공간(S1) 사이의 단열을 수행할 수 있다.That is, the heat insulating part 500 is inserted into the lower part of the central through hole 401 of the ring-shaped purge part 400 and disposed on the upper surface of the cap flange 300, and is located on the cap flange 300 side and the reaction space. (S1) insulation can be performed.

이때, 상기 단열부(500)는, 단일의 보온통 형상으로 형성될 수 있으며, 수직방향으로 다수의 페데스탈이 적층된 형상으로 형성될 수도 있다.At this time, the insulation unit 500 may be formed in the shape of a single insulating tube, or may be formed in the shape of a plurality of pedestals stacked in the vertical direction.

예를 들면, 상기 단열부(500)는, 보트(60)의 하부 및 캡플랜지(300) 상부에 구성되며, 내부단열부(510)와 외부단열부(520)를 포함할 수 있다.For example, the insulation unit 500 is formed on the lower part of the boat 60 and the upper part of the cap flange 300, and may include an internal insulation unit 510 and an external insulation unit 520.

이때, 상기 단열부(500)는, 단열재로 형성될 수 있으며, 외부단열부(510)는, 중심에 세로방향의 중공을 형성하고 균일한 두께의 측벽을 가지며, 내부단열부(520)는, 외부단열부(510) 중공에 삽입되는 원기둥 형상을 가질 수 있다.At this time, the insulation unit 500 may be formed of an insulation material, the external insulation unit 510 forms a longitudinal hollow at the center and has side walls of uniform thickness, and the internal insulation unit 520, The external insulation unit 510 may have a cylindrical shape inserted into the hollow.

이때, 상기 외부단열부(510)는, 캡플랜지(300) 상면과 접하면서 고정되도록 구성될 수 있고, 내부단열부(520)는, 하부가 캡플랜지(300) 상면에 결합되고 상부에서 보트(60)의 하부지지판(64)과 결합할 수 있다.At this time, the external insulation unit 510 may be configured to be fixed while contacting the upper surface of the cap flange 300, and the internal insulation unit 520 has its lower part coupled to the upper surface of the cap flange 300 and a boat ( It can be combined with the lower support plate 64 of 60).

한편, 상기 단열부(500)는, 외측면이 퍼지부(400) 관통구(401)와 인접하도록 배치될 수 있으며, 다른 예로서, 관통구(401)에 접하도록 배치될 수 있다.Meanwhile, the insulation part 500 may be arranged so that its outer surface is adjacent to the through hole 401 of the purge part 400. As another example, it may be arranged to be in contact with the through hole 401.

이하 본 발명에 따른 퍼지부(400)의 분사되는 퍼지가스 유량 및 그 구조에 관하여 설명한다.Hereinafter, the flow rate and structure of the purge gas sprayed from the purge unit 400 according to the present invention will be described.

본 발명에 따른 퍼지부(400)는, 전술한 바와 같이 측면분사홀(420) 및 상면분사홀(430)을 통해 퍼지가스를 분사하며, 측면분사홀(420)을 통해 분사되는 퍼지가스가 상면분사홀(430)을 통해 분사되는 퍼지가스에 비해 후단에 위치하므로 측면분사홀(420)을 통해 분사되는 퍼지가스의 유량이 상대적으로 클 필요가 있다.As described above, the purge unit 400 according to the present invention injects purge gas through the side injection hole 420 and the top injection hole 430, and the purge gas injected through the side injection hole 420 is directed to the upper surface. Since it is located at a rear end compared to the purge gas injected through the injection hole 430, the flow rate of the purge gas injected through the side injection hole 420 needs to be relatively large.

즉, 측면분사홀(420)을 통해 분사되는 퍼지가스 유량과 상면분사홀(430)을 통해 분사되는 퍼지가스 유량은 서로 상이할 수 있고, 일예로 측면분사홀(420)을 통해 분사된느 퍼지가스 유량이 상면분사홀(430)을 통해 분사되는 퍼지가스 유량에 비해 클 수 있다.That is, the purge gas flow rate injected through the side injection hole 420 and the purge gas flow rate injected through the top injection hole 430 may be different. For example, the purge gas flow rate injected through the side injection hole 420 may be different. The gas flow rate may be greater than the purge gas flow rate sprayed through the top injection hole 430.

한편 전술한 유량 차이가 서로 반대될 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, it goes without saying that the above-described flow rate differences may be opposite to each other.

이를 위하여, 상기 수직전달유로(411)의 퍼지가스 이동방향에 수직한 단면 직경은 수평전달유로(412)의 퍼지가스 이동방향에 수직한 단면 직경보다 작을 수 있다.To this end, the cross-sectional diameter of the vertical delivery passage 411 perpendicular to the purge gas moving direction may be smaller than the cross-sectional diameter of the horizontal delivery passage 412 perpendicular to the purge gas moving direction.

보다 구체적으로 상기 수직전달유로(411)는, 수직전달유로(411)로부터 상기 수평전달유로(412)가 형성되는 연통지점을 기준으로 하측에 형성되는 하측수직전달유로(411a)와, 상기 연통지점을 기준으로 상측에 형성되는 상측수직전달유로(411b)를 포함할 수 있다.More specifically, the vertical transmission passage 411 includes a lower vertical transmission passage 411a formed below the communication point at which the horizontal transmission passage 412 is formed from the vertical transmission passage 411, and the communication point It may include an upper vertical transmission passage 411b formed on the upper side based on .

이 경우, 상기 상측수직전달유로(411b)는, 퍼지가스 이동방향에 수직한 단면 직경이 수평전달유로(412)보다 작게 형성될 수 있다.In this case, the upper vertical delivery passage 411b may have a cross-sectional diameter perpendicular to the purge gas moving direction that is smaller than that of the horizontal delivery passage 412.

즉, 상기 상측수직전달유로(411b)의 내경이 수평전달유로(412) 내경보다 작게 형성될 수 있다.That is, the inner diameter of the upper vertical transmission passage 411b may be formed to be smaller than the inner diameter of the horizontal transmission passage 412.

이때, 하측수직전달유로(411a) 내경은 수평전달유로(412) 내경보다 크게 형성될 수 있다. At this time, the inner diameter of the lower vertical transmission passage 411a may be formed to be larger than the inner diameter of the horizontal transmission passage 412.

한편, 하측수직전달유로(411a) 내경 또한 수평전달유로(412) 내경보다 작게 형성될 수 있음은 또한 물론이다. Meanwhile, of course, the inner diameter of the lower vertical transmission passage 411a can also be formed to be smaller than the inner diameter of the horizontal transmission passage 412.

이로써 상기 상면분사홀(430)에 공급되는 퍼지가스 유량을 측면분사홀(420)에 공급되는 퍼지가스 유량보다 작도록 유도할 수 있다.As a result, the purge gas flow rate supplied to the top injection hole 430 can be induced to be smaller than the purge gas flow rate supplied to the side injection hole 420.

또한, 다른 예로서, 측면분사홀(420)을 통해 분사되는 퍼지가스 유량이 상면분사홀(430)을 통해 분사되는 퍼지가스 유량보다 크도록 측면분사홀(420)의 분사홀 직경이 상면분사홀(430)의 분사홀 직경보다 더 크게 형성될 수 있다.In addition, as another example, the injection hole diameter of the side injection hole 420 is adjusted so that the purge gas flow rate injected through the side injection hole 420 is greater than the purge gas flow rate injected through the top injection hole 430. It may be formed larger than the injection hole diameter of (430).

또한, 퍼지부(400)와 매니폴드(210) 사이의 제1간격(G1)이 상기 퍼지부(400)와 지지링(220) 사이의 제2간격(G2)보다 크게 형성될 수 있다.Additionally, the first gap G1 between the purge unit 400 and the manifold 210 may be formed to be larger than the second gap G2 between the purge unit 400 and the support ring 220.

즉, 측면분사홀(420)과 매니폴드(210) 내면 사이의 제1간격(G1)이 상면분사홀(430)과 지지링(220) 저면 사이의 제2간격(G2)보다 크게 형성되어 흐르는 퍼지가스 유량 차이를 유도할 수 있다.That is, the first gap (G1) between the side injection hole (420) and the inner surface of the manifold (210) is formed to be larger than the second gap (G2) between the top injection hole (430) and the bottom of the support ring (220). A difference in purge gas flow rate can be induced.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.

100: 반응관 200: 매니폴드부
300: 캡플랜지 400: 퍼지부100: reaction tube 200: manifold part
300: Cap flange 400: Purge part

Claims (18)

내부에 기판처리를 위한 반응공간(S1)을 형성하며 하부에 입구가 형성되는 반응관(100)과;
상기 반응관(100)을 하측에서 지지하는 매니폴드부(200)와;
상기 매니폴드부(200) 하부를 밀폐하며, 상측으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지홀(301)이 형성되는 캡플랜지(300)와;
상기 캡플랜지(300) 상에 배치되며, 내부에 상기 퍼지홀(301)에 연통하는 전달유로(410)가 형성되어 상기 퍼지가스를 상기 입구 측으로 전달하는 퍼지부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A reaction tube (100) forming a reaction space (S1) for substrate processing inside and having an inlet at the bottom;
a manifold part 200 supporting the reaction tube 100 from the lower side;
a cap flange (300) that seals the lower part of the manifold unit (200) and has a purge hole (301) for supplying purge gas to the upper side;
It is disposed on the cap flange 300, and has a delivery passage 410 communicating with the purge hole 301 formed therein to deliver the purge gas to the inlet side. A substrate processing device. 청구항 1에 있어서,
상기 매니폴드부(200)는,
상기 반응관(100) 하측에 배치되는 매니폴드(210)와, 상기 퍼지부(400) 적어도 일부와 평면 상 중첩되도록 상기 매니폴드(210) 내면 상측에서 연장되어 구비되는 지지링(220)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The manifold unit 200,
It includes a manifold 210 disposed below the reaction tube 100, and a support ring 220 extending from the upper inner surface of the manifold 210 so as to overlap at least a portion of the purge part 400 in a plane. A substrate processing device characterized in that. 청구항 2에 있어서,
상기 반응관(100)은,
내부에 상기 반응공간(S1)을 형성하는 이너튜브(110)와, 상기 이너튜브(110)가 수용되며 상기 이너튜브(110)와의 사이에 이격공간(S2)을 형성하는 아우터튜브(120)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 2,
The reaction tube 100 is,
An inner tube 110 forming the reaction space S1 therein, and an outer tube 120 containing the inner tube 110 and forming a space S2 between the inner tube 110 and the inner tube 110. A substrate processing device comprising: 청구항 3에 있어서,
상기 매니폴드(210)는,
상기 아우터튜브(120)를 하측에서 지지하며,
상기 지지링(220)은,
상기 이너튜브(110)를 하측에서 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 3,
The manifold 210 is,
Supporting the outer tube 120 from the lower side,
The support ring 220 is,
A substrate processing device characterized in that the inner tube 110 is supported from the lower side. 청구항 1에 있어서,
상기 퍼지부(400)는,
중심에 관통구(401)가 형성되는 링 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The purge unit 400,
A substrate processing device characterized in that it is formed in a ring shape with a through hole 401 formed in the center. 청구항 1에 있어서,
상기 퍼지부(400)는,
상기 전달유로(410)와 연통하도록 측면에 구비되어 측면에서 상기 퍼지가스를 분사하는 측면분사홀(420)과, 상기 전달유로(410)와 연통하도록 상면에 구비되어 상면에서 상기 퍼지가스를 분사하는 상면분사홀(430)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The purge unit 400,
A side injection hole 420 provided on the side to communicate with the delivery passage 410 and sprays the purge gas from the side, and a side injection hole 420 provided on the upper surface to communicate with the delivery passage 410 to spray the purge gas from the upper surface. A substrate processing device comprising a top spray hole (430). 청구항 6에 있어서,
상기 측면분사홀(420)과 상기 상면분사홀(430)은 분사되는 상기 퍼지가스 유량이 서로 다르도록 직경이 상이한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 6,
The substrate processing device is characterized in that the side injection hole 420 and the top injection hole 430 have different diameters so that the flow rates of the purge gas injected are different. 청구항 7에 있어서,
상기 측면분사홀(420)은,
상기 상면분사홀(430)보다 직경이 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 7,
The side injection hole 420 is,
A substrate processing device characterized in that the diameter is larger than the top spray hole 430. 청구항 1에 있어서,
상기 전달유로(410)는,
수직으로 관통하여 형성되는 수직전달유로(411)와, 상기 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 외측면을 향해 형성되는 수평전달유로(412)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The transmission passage 410 is,
A substrate processing apparatus comprising a vertical transmission passage 411 formed to penetrate vertically, and a horizontal transmission passage 412 formed horizontally toward an outer surface from the vertical transmission passage 411. 청구항 9에 있어서,
상기 수직전달유로(411)는,
상기 수평전달유로(412)가 형성되는 연통지점을 기준으로 하측에 형성되는 하측수직전달유로(411a)와, 상기 연통지점을 기준으로 상측에 형성되며 상기 퍼지가스 이동방향에 수직한 단면 직경이 상기 수평전달유로(412)보다 작은 상측수직전달유로(411b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 9,
The vertical transmission passage 411 is,
A lower vertical transmission passage 411a formed below the communication point where the horizontal transmission passage 412 is formed, and a cross-sectional diameter perpendicular to the direction of movement of the purge gas, formed above the communication point. A substrate processing device comprising an upper vertical transfer passage (411b) that is smaller than the horizontal transfer passage (412). 청구항 9에 있어서,
상기 전달유로(410)는,
상기 수직전달유로(411)로부터 수평방향으로 내측면을 향해 형성되는 후방전달유로(413)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 9,
The transmission passage 410 is,
A substrate processing apparatus comprising a rear transfer passage 413 formed from the vertical transfer passage 411 toward an inner surface in a horizontal direction. 청구항 9에 있어서,
상기 캡플랜지(300) 및 상기 퍼지부(400) 중 적어도 하나는,
상기 퍼지홀(301)과 상기 전달유로(410) 사이에 상기 퍼지가스가 확산되기 위한 확산공간을 형성하도록 대향하는 면에 상기 퍼지홀(301)과 연통하는 확산홈(310)이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 9,
At least one of the cap flange 300 and the purge part 400,
A diffusion groove 310 communicating with the purge hole 301 is formed on the opposing surface to form a diffusion space for the purge gas to diffuse between the purge hole 301 and the delivery passage 410. A substrate processing device. 청구항 12에 있어서,
상기 확산홈(310)은,
상기 퍼지부(400)와 상기 캡플랜지(300) 접촉면에 대응되어 형성되며,
상기 수직전달유로(411)는,
상기 확산홈(310)을 따라서 복수개로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 12,
The diffusion groove 310 is,
It is formed to correspond to the contact surface of the purge part 400 and the cap flange 300,
The vertical transmission passage 411 is,
A substrate processing device characterized in that a plurality of substrate processing devices are formed along the diffusion groove 310. 청구항 1에 있어서,
일단이 상기 매니폴드부(200)에 설치되고 타단이 상기 반응공간(S1) 내에 위치하도록 배치되어 공정가스를 분사하는 분사노즐(70)을 추가로 포함하며,
상기 퍼지부(400)는,
상기 분사노즐(70)의 설치공간를 형성하도록 상면 중 상기 분사노즐(70)에 대응되는 위치에 형성되는 홈부(450)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
It further includes a spray nozzle (70), one end of which is installed on the manifold unit (200) and the other end of which is disposed within the reaction space (S1) to spray a process gas,
The purge unit 400,
A substrate processing apparatus comprising a groove portion 450 formed at a position corresponding to the spray nozzle 70 on the upper surface to form an installation space for the spray nozzle 70. 청구항 1에 있어서,
상기 캡플랜지(300)는,
상기 퍼지부(400) 적어도 일부가 삽입되어 설치되도록 상면에 상기 퍼지부(400)에 대응되는 형상으로 형성되는 설치홈(320)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The cap flange 300 is,
A substrate processing apparatus comprising an installation groove 320 formed in a shape corresponding to the purge part 400 on the upper surface so that at least a portion of the purge part 400 is inserted and installed. 청구항 2에 있어서,
상기 퍼지부(400)와 상기 매니폴드(210) 사이의 제1간격(G1)이 상기 퍼지부(400)와 상기 지지링(220) 사이의 제2간격(G2)보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 2,
A substrate characterized in that the first gap (G1) between the purge part (400) and the manifold (210) is larger than the second gap (G2) between the purge part (400) and the support ring (220). Processing device. 청구항 1에 있어서,
상기 퍼지부(400) 상면에서 관통하여 상기 캡플랜지(300)에 결합하는 체결부재(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a fastening member 600 that penetrates the upper surface of the purge part 400 and is coupled to the cap flange 300. 청구항 1에 있어서,
상기 퍼지부(400)는,
금속재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The purge unit 400,
A substrate processing device characterized in that it is formed of a metal material.

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